【課題】形状精度の良好な半導体層を形成することが可能であり、これによって特性の良好な薄膜半導体装置を得ることが可能な薄膜半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体溶液Ｌ１とポリマー溶液Ｌ２とを基板１上に個別に供給することにより、有機半導体溶液Ｌ１とポリマー溶液Ｌ２との混合液層５ａを形成する。混合液層５ａを乾燥させて半導体層５を形成する。有機半導体溶液Ｌ１およびポリマー溶液Ｌ２は、インクジェット法のような印刷法によって基板１上に供給する。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属の酸素および水との反応を防止可能であり、かつ成長レートが向上した３族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】３族元素、アルカリ金属および３族元素窒化物の種結晶基板２０を結晶成長容器１８に入れ、窒素含有ガス雰囲気下において、結晶成長容器１８内を加圧加熱し、種結晶基板２０を核として３族元素窒化物結晶を成長させる３族元素窒化物結晶の製造方法であって、さらに、第１の炭化水素および第１の炭化水素よりも沸点が高い第２の炭化水素を準備し、結晶成長容器１８内の加圧加熱に先立ち、アルカリ金属を、第１の炭化水素および第２の炭化水素の少なくとも第１の炭化水素により被覆した状態で結晶成長容器１８に入れ、アルカリ金属の被覆に使用した第１の炭化水素を結晶成長容器１８内から除去した後、第２の炭化水素の存在下、結晶成長容器１８内を加圧加熱して３族元素窒化物結晶を成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ブロードな発光スペクトルの赤外光を発する蛍光体、これを用いた発光素子及び発光装置、並びに蛍光体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｎがドーピングされたＧａＡｓを液相成長法により成長した後、ＧａＡｓにＮｉをイオン注入法によりドーピングし、この後、ＧａＡｓに熱処理を施してイオン注入によるダメージを取り除くことにより、良好なドナー・アクセプタ・ペアの発光特性を有するＮｉ及びＳｎドープのＧａＡｓ蛍光体が製造される。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶の膜厚を均一にすると共に、その結晶性を高く均一にする方法を提供する。
【解決手段】昇温開始後、混合フラックス中の窒素（Ｎ，Ｎ₂）が過飽和近くに達するまでの２０時間、坩堝を４０ｒｐｍの回転数で、それぞれ１分の正回転期間と、１分の負回転期間とで２分を１周期として、回転方向を切り換える。半導体結晶の成長工程においては、漸増期間、正回転期間、漸減期間、停止期間、漸増期間、負回転期間、漸減期間、停止期間を１周期として、回転速度が制御される。この様な攪拌処理によって、雰囲気中の窒素成分（Ｎ₂またはＮ）が混合フラックス中に常時十分に取り込まれる。また、フラックスの種結晶基板面上の速度分布が変化するために、面上に成長する半導体結晶の厚さが均一一様となる。また、回転を切り換えるときに、フラックスの乱流が発生しないため、結晶粒界が大きくなり、結晶転位密度を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】コストを低減し、かつ反りを低減したＡｌＧａＡｓ支持基板の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、ＬＥＤの製造方法、ＡｌＧａＡｓ支持基板、エピタキシャルウエハおよびＬＥＤを提供する。
【解決手段】ＡｌＧａＡｓ支持基板１０は、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＧａＡｓ基板１１と、ＧａＡｓ基板１１の主表面１１ａ側に形成された第１のＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１２と、ＧａＡｓ基板１１の裏面１１ｂ側に形成された第２のＡｌ_yＧａ_(1-y)Ａｓ層１３とを備えている。ＡｌＧａＡｓ支持基板１０の製造方法は、以下の工程を備えている。ＧａＡｓ基板１１を準備する。主表面１１ａ側に、液相成長法により第１のＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１２を形成する。裏面１１ｂ側に、液相成長法により第２のＡｌ_yＧａ_(1-y)Ａｓ層１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】液相成長法において、種結晶の結晶成長面における多核成長およびインクルージョンの発生を抑制し、前記結晶成長面に結晶を層成長させることが可能であり、結晶の品質、厚みの均一性および成長レートが向上したＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族元素、アルカリ金属およびＩＩＩ族元素窒化物の種結晶２０を結晶成長容器１８に入れ、窒素含有ガス雰囲気下において、前記結晶成長容器内１８を加圧加熱し、前記ＩＩＩ族元素、前記アルカリ金属および前記窒素を含む融液２１中で前記ＩＩＩ族元素および前記窒素を反応させ、前記種結晶２０を核としてＩＩＩ族元素窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法であって、前記融液２１を、前記結晶成長面２２に沿って一定方向に流動させた状態で、前記種結晶２０の結晶成長面２２にＩＩＩ族元素窒化物結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】組成均一性が高い自立Ｍｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶ウエファーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】溶質であるＺｎＯおよびＭｇＯと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液８に、種結晶基板７を直接接触させ、種結晶基板７を連続的あるいは間欠的に引上げることによって液相エピタキシャル成長法によりＭｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶を成長させ、その後、基板７を研磨またはエッチングで除去し、単結晶の液相エピタキシャル成長した−ｃ面側を研磨あるいはエッチングすることにより、自立Ｍｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶ウエファーを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】フラックス法により、基板上に生成する単結晶の膜厚を種結晶全面に対して均一化することが可能な窒化物単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】育成容器１の底壁部１０に、相対的に高温の高温部１０ｂと相対的に低温の低温部１０ａとを設け、融液２内に種結晶基板５を浸漬し、種結晶基板５が高温部１０ｂ上に位置するように固定した状態で育成を開始する。高温部１０ｂ付近から矢印６のように種結晶基板の育成面５ａ（あるいは５ｂ）に添って上昇流が生じ、次いで気液界面の近くでは育成容器の外側へと向かって流れ、次いで矢印８のように育成容器の内壁面に添って下降流が生じる。このように、整流でかつ効率よく対流させることができるため、気液界面付近で窒素を融液に溶解させた後に、その融液を育成容器の全体にすみやかに供給することができ、種結晶基板の育成面にステップフロー成長がおこり、品質の良い平滑な窒化物単結晶が形成される。 （もっと読む）

【課題】種結晶を用いることなく、結晶性の良い、高品質なＩＩＩ族元素窒化物結晶を成長させることができる結晶成長方法を提供する。
【解決手段】アニール炉２０において、サファイア基板７を１，０５０℃、アンモニア雰囲気下で、５分間アニールすることによって窒化処理する。次に、窒化処理されたサファイア基板７の上において、原料金属であるＧａと、フラックスであるＮａからなる原料液８と原料ガスである窒素とを接触させて、ＧａＮ結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長に寄与しなかった原料溶液を原料溶液受けに落下させる際の落下速度をコントロールすることで、基板表面に残る原料溶液を減らし、結晶欠陥部を少なくすることが可能な発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層を成長させた後、原料溶液溜４ａ，４ｂの上方から加重ブロック９ａ，９ｂにて原料溶液Ｌａ，Ｌｂに下方向の力を加えつつ基板５をスライドさせ、メルト落下穴７を通じて原料溶液Ｌａ，Ｌｂを落下させるようにした。 （もっと読む）

【課題】転位密度の小さな結晶を生産性よく成長させることができる結晶成長方法を提供する。
【解決手段】反応容器５内に基板７を設置した後、加熱装置４を用いて、反応容器５の温度が原料金属の融点以上になるように加熱し、原料金属が融解させ原料液８を得る。原料液は１ｍｍ以下の薄膜として基板７上に形成されることが好ましい。つづいて原料ガスを、供給部２０である供給装置２１から接続パイプ２３を介して、耐熱耐圧容器３内に供給することにより原料液８と原料ガスとを反応させ、原料液８と原料ガスとの化合物の結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】基板のＡｓ抜けを防止することで、結晶欠陥及び特性不良の少ないエピタキシャルウエハを製造するエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】原料溶液ホルダー２の底面を形成するスライダー３に、ＧａＡｓ基板４を保持する凹部５を形成し、その凹部５にＧａＡｓ基板４を保持させてエピタキシャル成長させるエピタキシャルウエハの製造方法において、上記凹部５にＧａＡｓ多結晶１０を入れ、成長時にそのＧａＡｓ多結晶１０のＡｓを昇華させつつ、エピタキシャル成長させる方法である。 （もっと読む）

【課題】従来に望むことの出来ない高密度で、かつサイズ揺らぎの少ない均一な量子ドットの作成が可能な方法を提供する。
【解決手段】従来のＧａＡｓ（１００）基板でなく、ＧａＡｓ（３１１）Ａ基板上にガリウムのみを供給して液状のガリウム金属微粒子を作製し、その液滴に砒素分子線を照射してガリウム砒素に結晶化することにより、サイズ揺らぎの少ない量子ドットを作製する。 （もっと読む）

【課題】 高価なＧａＮの薄膜を堆積した種結晶基板を用いることなく、結晶性に優れたＧａＮ単結晶等の窒化物単結晶を得ること。
【解決手段】 窒化物単結晶の製造方法は、種結晶基板４の表面に化学式ＸＮ（ただし、ＸはＧａ，Ａｌ及びＩｎから選ばれる少なくとも１種である。）で表される窒化物単結晶８をフラックス法によって成長させる窒化物単結晶８の製造方法であって、種結晶基板４は窒化物単結晶８を成長させる成長面が窒素で終端されている。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層原料に含まれる酸素を効果的に除去し、成長溶液中の酸素濃度を低減することによって、エピタキシャル層中の酸素不純物が少なく発光特性が良好なＬＥＤ用エピタキシャルウエハを高い歩留りで製造する。
【解決手段】ｐ型ＧａＡｓ基板上に、所望する発光波長に必要なＡｌ混晶比のｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層、 ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層を有するエピタキシャルウエハを液相エピタキシー法により製造する方法であって、成長溶液の調合におけるドーパント材料および／またはアルミニウム材料の混合は、成長装置内で前記材料を所定の温度に加熱した状態で成長溶液に投入して行われ、前記所定の温度Ｔ〔単位：Ｋ〕を前記材料の融点Ｔ_ｍ〔単位：Ｋ〕に対して０．８Ｔ_ｍ≦Ｔ≦０．９９Ｔ_ｍの範囲とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法において、大面積のエピタキシャル成長を可能とし、かつ低コスト化を図る。
【解決手段】シード基板としての単結晶ＳｉＣ基板１５に対向して、当該単結晶ＳｉＣ基板１５より自由エネルギーの高い炭素フィード基板としての多結晶ＳｉＣ基板２０を配置する。また、単結晶ＳｉＣ基板１５と多結晶ＳｉＣ基板２０との間にシリコンプレート２３を配置する。これを真空高温環境で加熱処理し、シリコンプレート２３を融解させ、単結晶ＳｉＣ基板１５と多結晶ＳｉＣ基板２０との間にＳｉの極薄溶融層を溶媒として介在させる。そして、基板１５，２０の自由エネルギーの差に基づいてＳｉ溶融層に発生する濃度勾配を駆動力とする準安定溶媒エピタキシー（ＭＳＥ）法により、単結晶ＳｉＣ基板１５の表面に単結晶炭化ケイ素を液相エピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】フラックス法において、半導体結晶の結晶性及びその均一性をより向上させると共に、その収率を従来よりも効果的に向上させること。
【解決手段】ＧａＮ単結晶層を有する種結晶１０のｃ軸は水平方向（ｙ軸方向）に配向され、種結晶１０の１つのａ軸は鉛直方向に配向され、１つのｍ軸はｘ軸方向に配向される。このため、挟持具Ｔ上の点ｐ１，ｐ２，ｐ３は、何れも種結晶のｍ面と接する。即ち、この挟持具Ｔは、挟持部材Ｔ１，Ｔ２を有しており、両方とも鉛直方向に延びているが、挟持部材Ｔ１は、育成原料溶液の上面αに対して３０°傾斜した端部Ｔ１ａを有している。この様に、種結晶をｍ面で支持する理由は、ｍ面がａ面よりも結晶成長速度が遅いことと、所望のｃ面成長を阻害させないためである。なお、種結晶１０及び挟持具Ｔは、それぞれｙ軸方向に複数周期的に配列されている。 （もっと読む）

【課題】面内膜厚の均一なウェハが得られるエピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２を収納するための基板ホルダー３の上部に、原料溶液Ｌを収納するための溶液ホルダー５を対向して設け、基板ホルダー３あるいは溶液ホルダー５をスライドして原料溶液Ｌに基板２を接触させ、基板２上に半導体結晶を成長させるエピタキシャルウェハの製造方法において、原料溶液Ｌに基板２側面の上部を接触させる製造方法である。 （もっと読む）

【課題】フラックス法に基づいた結晶成長処理によって、バルク状の高品質な半導体結晶を容易に低コストで生産すること。
【解決手段】フラックス法に基づいて、３．７ＭＰａ、８７０℃の窒素（Ｎ₂ ）雰囲気下において、略同温のＧａ，Ｎａ及びＬｉの混合フラックスの中で、ＧａＮ単結晶２０を種結晶（ＧａＮ層１３）の結晶成長面から成長させる。この時、テンプレート１０の裏面は、サファイア基板１１のＲ面であるので、テンプレート１０は混合フラックスの中で裏面から溶解または腐食し易い。このため、テンプレート１０は、裏面側から徐々に溶解または腐食しつつ、徐々に分離又は消失されていく。ＧａＮ単結晶２０が例えば約５００μｍ以上の十分な膜厚にまで成長したら、引き続き坩堝の温度を８５０℃以上８８０℃以下に維持して、サファイア基板１１を混合フラックス中にて全て溶解させる。 （もっと読む）

【課題】液相エピタキシャル成長において、装置構成が複雑にならずに、不要な多結晶析出物が原因であるウェハー表面の結晶薄膜の成長不良を抑えることができ、歩留り良く半導体単結晶薄膜を成長させるようにする。
【解決手段】原料溶液１に満たされた成長容器２内で半導体ウェハー３上に結晶薄膜を成長させる液相エピタキシャル成長方法において、半導体ウェハー３表面に付着してエピタキシャル成長を阻害する大きさの多結晶体が入り込まないように、半導体ウェハー３を平行に間隔をおいて配置する。 （もっと読む）