本発明は、透明で転位密度が少なく高品位であり、かつバルク状の大きなＩＩＩ族元素窒化物の単結晶を収率良く製造可能な製造方法の提供を目的とする。
本発明は、ＩＩＩ族元素窒化物単結晶の製造方法であって、ナトリウム（Ｎａ）と、アルカリ金属（Ｎａを除く）およびアルカリ土類金属の少なくとも一方との混合フラックス（Ｆｌｕｘ）中において、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）およびインジウム（Ｉｎ）からなる群から選択された少なくとも一つのＩＩＩ族元素と窒素（Ｎ）とを反応させることによりＩＩＩ族元素窒化物の単結晶を成長させる製造方法である。
本発明の窒化ガリウム単結晶は、高品位であり、かつ大きく透明なバルク状であり、その実用価値は極めて高い。
（もっと読む）

【課題】 基板表面の酸化膜及び不純物を最小限に除去できる液相エピタキシャル成長方法を提供することにある。
【解決手段】 ＧａＡｓ基板４上にＡｌＧａＡｓ層を液相エピタキシャル法によりエピタキシャル成長するに際し、上記ＡｌＧａＡｓ層の成長開始温度をＡｌ及びＡｓが飽和溶解する温度よりも１〜１０℃高めることで、基板４の表面を溶解しながら成長させる。 （もっと読む）

【課題】 昇温時のＺｎドーパントのＺｎ拡散を防止し、安定したＺｎドーパントを供給すること及びｎ型層への飛入を防止することで、従来よりも少ないＺｎチャージ量で結晶性のよい発光ダイオードを製造することを可能にする。
【解決手段】 成長用基板１を収容する基板ホルダ１２と、原料溶液溜１５を摺動方向に２以上有する原料溶液ホルダ１３とを対向させ且つ相対的に摺動可能としたエピタキシャル成長装置を用いて、化合物半導体のエピタキシャル層を成長させる発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法において、上記原料溶液溜１５の一つに仕切板２０、３０を挿入して原料溶液を上下三層に区切り、この仕切板２０、３０を引き抜くことで、各室の原料溶液を下層に落としてエピタキシャル成長に使用する。 （もっと読む）

透明で転位密度が少なく均一厚みで高品位であり、かつバルク状の大きなＩＩＩ族元素窒化物の単結晶を収率良く製造可能な製造方法を提供する。 アルカリ金属およびアルカリ土類金属からなる群から選択される少なくとも一つの金属元素と、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）およびインジウム（Ｉｎ）からなる群から選択された少なくとも一つのＩＩＩ族元素とを入れた反応容器を加熱して前記金属元素のフラックスを形成し、前記反応容器に窒素含有ガスを導入して、前記フラックス中でＩＩＩ族元素と窒素とを反応させてＩＩＩ族元素窒化物の単結晶を成長させるＩＩＩ族元素窒化物単結晶の製造方法において、前記単結晶の成長を、前記反応容器を揺動させること等により、前記フラックスを攪拌した状態で行う。
（もっと読む）

【課題】均質かつ一様なコーティングをナノ構造化電極に形成することが出来るコーティングプロセスの提供。
【解決手段】ナノ構造化表面をコーティングするための方法、特に有機素子用の方法であって、ナノ構造化表面をコーティングする第１の物質を作製する工程と、前記第１の物質を溶媒に溶解する工程と、ナノ構造化表面の第１のコーティングを、第１の溶解物質前記ナノ構造体表面に塗布することにより形成する工程を備え、前記第１の物質は、ナノ構造化表面を前記第１の溶解物質からなる一様に薄く、かつ均質なウエット膜によって覆うように塗布される。 （もっと読む）

【課題】原料溶液中の酸化濃度を低減し、赤色発光ダイオードを高い歩留りで製造する液相成長方法及び液相成長装置を提供すること。
【解決手段】ＧａＡｓ基板を収容する基板ホルダ１２と、原料溶液溜１５を摺動方向に２以上有する原料溶液ホルダ１３とを対向させ、且つ相対的に摺動可能としたエピタキシャル成長装置を用いて、Ａｌを含む化合物半導体のエピタキシャル層を成長する液相成長方法において、原料溶液溜１５と別の場所にＡｌをチャージし、昇温途中でＡｌを原料溶液溜に混ぜる。このＡｌを原料溶液溜に混ぜる温度は好ましくは５５０℃〜６５０℃とする。 （もっと読む）

【課題】ガリウム砒素からなる基板の裏面から砒素が抜けることを防止して、不良発生率の少ない発光ダイオードを製造することができる液相成長装置を提供すること。
【解決手段】ガリウム砒素からなる基板１を収容するための基板収納載置凹部１６を設けた基板ホルダ１２と、原料溶液溜を摺動方向に２以上有する原料溶液ホルダ１３とを、互いに対向させて相対的に摺動可能とし、原料溶液７、８、９に基板１を接触させて基板１上に化合物半導体からなる半導体層を成長する液相成長装置において、基板収納載置凹部１６の表面に鏡面加工１６ａを施すことにより、前記基板１から砒素が抜けることを防止する。 （もっと読む）

【課題】 高品位であり、製造効率も高く、しかも半導体製造プロセスの基板として使用可能で、有用なIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 III族窒化物結晶の製造方法において、組成式Ａｌ_sＧａ_tＩｎ_1-s-tＮ（ただし、０≦ｓ≦１、０≦ｔ≦１、ｓ＋ｔ≦１）で表される半導体からなる第１の層１１を形成し、窒素を含む雰囲気下において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも１つのIII族元素とアルカリ金属とを含む融液に第１の層１１の表面を接触させることによって、第１の層１１よりも転位密度等の結晶構造の欠陥が大きい第２の層１２を形成し、窒素を含む雰囲気下において、上記融液中で、組成式Ａｌ_uＧａ_vＩｎ_1-u-vＮ（ただし、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、ｕ＋ｖ≦１）で表される半導体からなり転位密度等の結晶構造の欠陥が第２の層１２よりも小さい第３の層１３を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ基板裏面からのＡｓ抜けを防止して特性不良の少ない発光ダイオードを製造することができる液相エピタキシャル成長方法を提供すること。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１を収容する基板ホルダ１２と、原料溶液溜１５を摺動方向に２以上有する原料溶液ホルダ１３とを対向させ、且つ相対的に摺動可能としたエピタキシャル成長装置を用いて、化合物半導体のエピタキシャル層を成長する液相エピタキシャル成長方法において、所定の温度から冷却しながら成長用原料溶液にＧａＡｓ基板１を接触させて基板上にエピタキシャル層を成長するに際し、前記ＧａＡｓ基板１の裏面に予めＳｉＯ₂膜５を設けておき、成長中におけるＧａＡｓ基板１の裏面からのＡｓ抜けを防止する。 （もっと読む）

本発明は、新規なモノ−、オリゴ−およびポリチエノ［３，２−ｂ］チオフェン類、それらの半導体または電荷移送物質としての使用、電気光学素子もしくは電子素子、例えば液晶ディスプレイ、光学フィルム、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの有機電界効果トランジスタ（ＦＥＴまたはＯＦＥＴ）およびＲＦＩＤタグ、集積回路（ＩＣ）、フラットパネルディスプレイのエレクトロルミネセント素子、および光起電もしくはセンサー素子における使用、ならびに電界効果トランジスタ、発光素子またはＩＤタグとして前記新規なポリマーを含むもの、に関する。 （もっと読む）

ナノ粒子を生成する方法が、ナノ粒子の材料へのナノ粒子前駆体組成物の転化を生じさせることを含む。前記前駆体組成物は、成長するナノ粒子に組み込まれるべき第１イオンを含有する第１前駆体種と、成長するナノ粒子に組み込まれるべき第２イオンを含有する別の第２前駆体種とを含む。前記転化は、ナノ粒子のシーディング及び成長が可能な条件下で分子クラスター化合物が存在する場合に生じる。
（もっと読む）

本発明は、有機半導体および有機伝導体を架橋するための新規方法に関し、ここで、前記架橋は、自己光増感様式で開始する。本発明は、また、前記架橋方法を用いる有機電子デバイスの製造に関する。結果として、電子デバイスにおける性質は改善される。
（もっと読む）