【課題】形状精度の良好な半導体層を形成することが可能であり、これによって特性の良好な薄膜半導体装置を得ることが可能な薄膜半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体溶液Ｌ１とポリマー溶液Ｌ２とを基板１上に個別に供給することにより、有機半導体溶液Ｌ１とポリマー溶液Ｌ２との混合液層５ａを形成する。混合液層５ａを乾燥させて半導体層５を形成する。有機半導体溶液Ｌ１およびポリマー溶液Ｌ２は、インクジェット法のような印刷法によって基板１上に供給する。 （もっと読む）

本発明は、ａ）ＳＡＴＰ条件で固体の少なくとも１つのＺｎＯクバン、及びＳＡＴＰ条件で液体の少なくとも１つのＺｎＯクバンという、少なくとも２つの異なるＺｎＯクバンと、ｂ）少なくとも１つの溶剤とを含む調製物、この調製物からＺｎＯ半導体層を製造する方法、並びに電子部材自体に関する。
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本開示は、トランジスタなどの薄膜半導体デバイスを作製する方法を提供するものであり、その方法は、ａ）第１及び第２の導電性ゾーン（１０、２０）を支持する基板（６０）を用意する工程であって、第１及び第２の導電性ゾーン（１０、２０）は、それらの間にチャネル（５０）を画定し、そのチャネル（５０）は、いずれの導電性ゾーン（１０、２０）の周囲の７５％超とも境界を画さない、工程と、ｂ）有機半導体（４０）を含有する溶液の個別のアリコートを、チャネル（５０）に隣接してあるいはチャネル（５０）上に堆積させる工程であって、溶液の大部分は、チャネル（５０）上ではなくチャネル（５０）の片側に堆積される、工程とを含む。本開示のいくつかの実施形態において、溶液は、チャネル（５０）上ではなく全体的にチャネル（５０）の片側に堆積され、更に、溶液は、チャネル長さ未満の長さを有するバンド内に堆積される。本開示は更に、トランジスタなどの薄膜半導体デバイスを提供する。
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【課題】本発明の目的は、半導体膜と電極との電気的なコンタクトが良好で、性能のバラツキがない半導体薄膜の製造方法、またこれを用いて、既成容量が少なく、高性能で動作が安定した薄膜トランジスタを製造することにある。
【解決手段】半導体前駆体を含有する液体材料を液滴にして基板上に塗設し、乾燥させて島状のパターンをもつ半導体前駆体薄膜を形成し、該半導体前駆体に変換処理を施して半導体を形成する半導体薄膜の形成方法において、島状のパターンを有する変換処理後の半導体薄膜が、
半導体薄膜の膜厚をチャネル方向に非接触３次元表面形状測定装置にて測定した膜厚プロファイルにおいて、半導体薄膜の中央から端部までの距離の５０％のところから端部までの平均膜厚と、半導体薄膜の中央から端部までの距離の５０％のところから中央までの平均膜厚とが、異なっていることを特徴とする半導体薄膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】基材上に設けられた半導体ナノ粒子を含む印刷層を、低温かつ短時間で焼成処理して、ち密かつ平滑で性能に優れ、さらに薄い半導体層を形成してなる半導体基板を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】基材上に、半導体ナノ粒子を含む塗布液をパターン状に印刷して印刷層を形成した後、この印刷層を焼成処理してパターン状の半導体層を形成する半導体基板の製造方法であって、マイクロ波エネルギーの印加により発生する表面波プラズマに前記印刷層を晒すことにより、該印刷層の焼成処理を行うことを特徴とする半導体基板の製造方法、である。 （もっと読む）

【課題】無機化合物の表面を溶液プロセスによって効率的に特定の有機化合物で修飾し、有機薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】無機化合物の最表層に、下記一般式（１）で表される官能基を２つ以上有する化合物の単分子膜を形成し、次いで前記化合物において前記無機化合物に結合していない下記一般式（１）で表される官能基の一部もしくは全部を水素原子に変換する、無機化合物の表面修飾方法および有機薄膜の製造方法。


（式中、Ｒは置換基を表し、ｎは１又は２の整数を表す。） （もっと読む）

本発明は、調節剤によって変性された粒子、及び変性された粒子を含む分散媒体に関する。
金属、金属ハロゲン化物、金属カルコゲニド、金属ニトリド、金属ホスフィド、金属ボライド、金属フォスフェイト粒子、又はこれらの混合物が、１〜５００ｎｍの平均粒径を有し、そしてその表面が、以下の式（Ｉ）（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）
【化１】


の１種以上の調節剤で変性されている。 （もっと読む）

【課題】印刷特性が良好であり、なおかつ得られる膜の相状態の制御が容易な半導体複合膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】有機半導体材料ａと、有機半導体材料ａとは異なる高分子材料ｂとを溶剤ｃに溶解させると共に、溶剤ｃ中に微粒子材料ｄを分散させたインク３を調整する。印刷法によってインク３を用いた材料層３ａを基板１上に形成する。材料層３ａ中の溶剤ｃを除去することにより、材料層３ａ中の有機半導体材料ａと高分子材料ｂとを膜厚方向に相分離させると共に固化させ、有機半導体材料ａを含有する半導体薄膜層５ａと高分子材料ｂを含有する絶縁性薄膜層５ｂとを積層させると共に微粒子材料ｄが分散された半導体複合膜５を形成する。 （もっと読む）

【課題】低分子化合物を用いて高効率な有機薄膜光電変換素子を提供する。
【解決手段】π共役系低分子化合物を塗布成膜した後に、該π共役系低分子化合物から置換基の一部または全部を脱離させることにより有機半導体薄膜へと変換し、該膜上に別の半導体材料を成膜することにより光電変換層を作製した有機薄膜光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜の成膜性を向上させることができる前駆体液およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板の上部にシリコンの前駆体液を配置する工程と、前記シリコンの前駆体液に熱処理を施すことによりシリコン膜を形成する工程と、を有し、前記シリコンの前駆体液は、高次シランを含む環状飽和炭化水素化合物の溶液である。このように、環状飽和炭化水素化合物を溶媒として用いることにより高次シラン（例えば、平均分子量が２６００を超えるポリシラン化合物）を溶解させることができ、前駆体液の均一性を向上させることができる。よって、形成されるシリコン膜の成膜性を向上させることができる。また、高次シランを用いることで、膜材料の揮発を低減でき、装置の生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】一の基板上の各部において、処理条件を変えることができる処理装置を提供する。また、一の基板上の各部において、処理条件を変えることができる処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る処理装置は、天井部(105a)と、側壁部(105b)と、前記天井部と側壁とで構成される処理空間を複数の処理室に分割する仕切り壁(105c)と、前記複数の処理室にそれぞれ接続された複数のガスライン(107)と、を有するカバー(105)で、基板(100)の処理領域(E)を覆い、前記基板上に吐出された複数の吐出液(d)を前記処理室毎に処理する。かかる構成(方法）によれば、複数の処理室毎に処理条件を変化させることができ、成膜条件の最適化を容易に行うことができる。また、各処理室において、処理条件を変化させることで異なる膜を形成することができる。よって、半導体装置などの製造工程において、工程の簡略化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】塗布、乾燥手法によっても、従来のスパッタリング法、蒸着法等を用いた電子デバイスと同様な品質を有することが可能なナノ結晶粒子の分散液を提供する。
【解決手段】ナノ結晶粒子の分散液は、導電性若しくは半導電性成分からなる無機ナノ結晶粒子が液状分散媒中に分散されてなる。前記分散媒には、分散した無機ナノ結晶粒子の成分と同様な成分が溶解されていることを特徴とする。前記分散媒は、前記ナノ結晶粒子に対して難溶解性であることを特徴とする。基板上に配置した電極を半導体部により接続してなる電子デバイスであって、少なくとも前記半導体部若しくは導電体部のいずれかが前記ナノ結晶粒子の凝集体からなることを特徴とする。前記電子デバイスの製造方法は、基板の所定箇所に前記ナノ結晶粒子の分散液を滴下し、その分散媒を除去して、それに含まれる半導体ナノ結晶粒子を凝集して所望の導電体部又は半導電体部を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温で熱処理を施すことなく、結晶性の高い良好なシリコン膜を形成することが可能なシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ポリシラン修飾シリコン細線を含む液体を調製（Ｓ１０１）したのち、基体の上にポリシラン修飾シリコン細線を含む液体を用いて塗布膜を形成（Ｓ１０２）し、この塗布膜を加熱する（Ｓ１０３）ことにより、シリコン膜を形成する。これにより、高温で加熱せずに、塗布膜中においてシリコンの結晶化が促進される。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ−Ｈ結合を確保することが可能なシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】加熱により脱離可能な水素を含む基体を用意（Ｓ１０１）すると共に、シリコン化合物を含む溶液を調製（Ｓ１０２）したのち、この基体の上にシリコン化合物を含む溶液を用いて塗布膜を形成（Ｓ１０３）し、この塗布膜を加熱（Ｓ１０４）することにより、シリコン膜を形成する。この場合、加熱された基体から脱離する水素によって、シリコン膜中でＳｉ−Ｈ結合が形成される。 （もっと読む）

【課題】種結晶を用いることなく、結晶性の良い、高品質なＩＩＩ族元素窒化物結晶を成長させることができる結晶成長方法を提供する。
【解決手段】アニール炉２０において、サファイア基板７を１，０５０℃、アンモニア雰囲気下で、５分間アニールすることによって窒化処理する。次に、窒化処理されたサファイア基板７の上において、原料金属であるＧａと、フラックスであるＮａからなる原料液８と原料ガスである窒素とを接触させて、ＧａＮ結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】簡便な手段を用いて、有機薄膜トランジスタの半導体層に立体規則性の高いポリジアセチレン薄膜を形成し、高移動度を有する有機薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】有機薄膜トランジスタにおいて、ポリジアセチレンを半導体層とするトランジスタの作製プロセスであって、少なくとも、液状でジアセチレン化合物を基板上に展開する工程と、該ジアセチレン化合物の結晶状態を形成する工程と、外部からエネルギーを付与することにより該ジアセチレン化合物をトポケミカル重合させてポリジアセチレンを形成する工程を経ること特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】成膜雰囲気を良好にすることができる成膜装置および成膜方法を提供する。また、当該装置および方法により、特性の良好な膜を形成する。
【解決手段】本発明の成膜装置は、処理室(11)内の基板(S1)上に配置された液体材料(3)に熱処理を施すことにより液体材料を固化する成膜装置であって、処理室内に、基板が搭載されるステージ(15)と、基板を加熱する加熱手段(15a)と、基板を覆うカバー(17)と、を有し、カバーの内部に不活性ガス（Ｎ₂）を供給する第１供給手段(19)と、カバーの内部に不活性ガス以外の他のガスを供給する第２供給手段(40)と、を有する。かかる装置によれば、カバーにより基板上の液体材料が接触し得る雰囲気ガスを制限しつつ加熱処理を行うことができるため、膜中に取り込まれる不純物（例えば、酸素など）を低減することができる。また、他のガスを供給することで他の処理（例えば、酸化処理やドーパントの混入処理）などを同一の装置内で行うことができる。 （もっと読む）

【課題】成膜雰囲気を良好にすることができる成膜装置および成膜方法を提供する。また、当該装置および方法により、特性の良好な膜を形成する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、基板(S1)上に液体材料(3)を吐出する第１工程と、基板を処理室内のステージ(15)上に搭載し、液体材料を加熱する第２工程であって、ステージ上に基板を覆うようにカバー(17)を配置し、カバーの内部に不活性ガス（Ｎ₂）を供給しながら液体材料を加熱する第２工程と、を有する。この第２工程は、カバーに供給された不活性ガスを、カバーの側壁の底部の空間(17c)から排出しつつ行なわれる。かかる方法によれば、カバーにより基板上の液体材料が接触し得る雰囲気ガスを制限しつつ加熱処理を行うことができる。また、基板上の液体材料上に、常に、クリーンな不活性ガスを供給し、加熱により生成した反応ガス（分解ガス）などの不純物をカバー外に排出しつつ加熱処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、無機金属塩を金属酸化物前駆体に用い、塗布により製造が可能で、また低温で半導体変換処理を行うことができ生産効率の高い、キャリア移動度の向上、ｏｆｆ電流を抑制した金属酸化物半導体の製造方法、およびこれを用いた金属酸化物半導体（層）、また薄膜トランジスタの提供にある。
【解決手段】金属酸化物前駆体からの転化により金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法であって、前記金属酸化物前駆体が無機金属塩であり、前記無機金属塩を溶媒として水またはアルコールに溶解し、金属酸化物前駆体溶液を作成して基材上に塗布し、前記金属酸化物前駆体を金属酸化物半導体に転化することを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】加熱による移動度の低下とこれによる特性劣化を抑制可能で、耐熱性の向上が図られた半導体薄膜をより簡便な手順によって得ることが可能な半導体薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】有機半導体材料を含む複数種類の有機材料を混合した溶液を基板上に塗布または印刷して薄膜を形成し、薄膜を乾燥させる過程で複数種類の有機材料を相分離させる。これにより、２層の半導体層ａ，ａ’間に有機絶縁性材料からなる中間層ｂが挟持された積層構造の半導体薄膜１を得る。 （もっと読む）