【課題】蒸着法よりも一般に容易な溶液法を用いて、縮合多環芳香族化合物からなる有機半導体層の形成を可能にする新規な付加化合物を提供する。
【解決手段】ジナフトチエノチオフェン等の化合物に、ヘキサクロロシクロペンタジエン等の二重結合を有する化合物が脱離可能に付加されてなる構造を有する新規な付加化合物を提供する。また、このような新規な付加化合物を用いて、有機半導体膜、及び有機半導体デバイスを製造する方法を提供する。また更に、このような新規な付加化合物の合成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】塗布法によって、Ｉｎ−Ｇａ、Ｉｎ−Ｚｎ、Ｚｎ−Ｇａ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ、Ｚｎ−Ａｌの酸化物薄膜を、組成ずれを起こさず簡便に形成することの出来る塗布溶液を提供する。
【解決手段】
式（Ｉ）に示すβ−ジケトン錯体であって配位子１つの炭素数が１０以上のＩｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｚｎの単一金属のβ−ジケトン錯体から構成される単一金属のβ−ジケトン錯体を、少なくとも２種以上を含む溶液を塗布溶液に用いる。
【化１】


（式中Ｒ^１、Ｒ^２がそれぞれＣ、Ｈ、Ｎ、Ｏの少なくとも１種以上からなる置換基であり、ＭがＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ａｌのいずれかであり、ＭがＩｎ、Ｇａ、Ａｌのいずれかである場合はｎ＝３であり、ＭがＺｎである場合はｎ＝２である） （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜材料となる微粒子を分散した液体を、被処理部材の表面に塗布して薄膜を製造する方法であって、均一な薄膜を製造する方法の提供を目的とする。
【解決手段】金属または半導体を含む薄膜の製造方法であって、溝（または凹部）４を有する被処理部材１０の表面に、金属の微粒子、半導体の微粒子、金属の酸化物を含む微粒子、および半導体の酸化物を含む微粒子、のうちの少なくともいずれかを溶媒中に分散した液体８を塗布する塗布工程と、被処理部材１０の表面に塗布した液体８の溶媒を揮発させる第１の熱処理工程と、マイクロ波を照射することにより、溶媒を揮発させた液体８に分散された微粒子を加熱し、液体８に含まれる微粒子または液体８に含まれる微粒子の成分で溝（または凹部）４を埋める第２の熱処理工程と、を備えたことを特徴とする薄膜の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】ＣＺＴＳ系半導体からなる光吸収層の上に良好な特性を持つＣｄＳバッファ層を形成することが可能なＣＺＴＳ系半導体用バッファ層の製造方法、このような方法に用いられるＣＺＴＳ系半導体用ＣＢＤ溶液、及び、このような方法により得られるバッファ層を備えた光電素子を提供すること。
【解決手段】酢酸カドミウム、硫黄源、及び、硫化物合成助剤を含むＣＺＴＳ系半導体用ＣＢＤ溶液。ＣＺＴＳ系半導体用ＣＢＤ溶液に、ＣＺＴＳ系半導体層が形成された基板を浸漬し、前記ＣＺＴＳ系半導体層の表面にＣｄＳ膜を形成するＣＢＤ工程と、前記ＣｄＳ膜を２００℃以下で熱処理する熱処理工程とを備えたＣＺＴＳ系半導体用バッファ層の製造方法。本発明に係る方法により得られるバッファ層を備えた光電素子。 （もっと読む）

【課題】ＣＺＴＳ系半導体やＣＩＧＳ系半導体などの光吸収層の上に良好な特性を持つＣｄＳバッファ層を形成することが可能な光電素子用バッファ層及びその製造方法、並びに、このような方法により得られるバッファ層を備えた光電素子を提供すること。
【解決手段】カドミウム塩、硫黄源、及び、硫化物合成助剤を含むＣＢＤ溶液に、光吸収層が形成された基板を浸漬し、前記光吸収層の表面にＣｄＳ膜を形成するＣＢＤ工程と、前記ＣｄＳ膜を、酸化雰囲気下において２００℃超３５０℃以下で熱処理する熱処理工程とを備えた光電素子用バッファ層の製造方法、及び、この方法により得られる光電素子用バッファ層。本発明に係る方法により得られるバッファ層を備えた光電素子。 （もっと読む）

【課題】光配向の感度が良好であり、高耐熱性によるキャリア移動度安定性を実現すると共に、有機半導体分子の高レベルでの異方的配向による優れたキャリア移動度を発揮可能な有機半導体配向膜を形成し得る有機半導体配向用組成物を提供する。
【解決手段】下式（１）及び（２）で表される化合物に由来する基からなる［Ａ］光配向性基を有するポリオルガノシロキサン化合物を含有する有機半導体配向用組成物。
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【課題】金属酸化物半導体粒子の分散性を改善することによって所望の性能を有する金属酸化物半導体薄膜を安定して形成することが可能な金属酸化物半導体粒子分散組成物を提供する。更に、該金属酸化物半導体粒子分散組成物を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】金属酸化物半導体粒子、溶媒及び分散剤を含有する金属酸化物半導体粒子分散組成物であって、前記金属酸化物半導体粒子は、Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｃｄ及びＦｅからなる群より選択される少なくとも１種の金属の酸化物を含有し、かつ、平均粒子径が１〜１００ｎｍであり、前記分散剤は、アニオン性極性基を有する有機化合物である金属酸化物半導体粒子分散組成物。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの基体、少なくとも１つの誘電体および少なくとも１つの半導体金属酸化物を含有する電子構造部品、殊に電界効果トランジスタ（ＦＥＴｓ）の製造法に関し、この場合有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、殊にシルセスキオキサンおよび／またはシロキサンをベースとする前記誘電体またはその前駆体化合物は、溶液から処理可能であり、室温ないし３５０℃の低い温度で熱処理され、および前記半導体金属酸化物、殊にＺｎＯ、またはその前駆体化合物は、同様に溶液から室温ないし３５０℃の低い温度で処理されうる。
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【課題】ｐ型半導体の性能を持つ酸化銅（Ｉ）膜の製造方法および該膜作成用の溶液の製造方法を提供する。
【解決手段】アンモニア、アミン化合物から選ばれる１種以上の化合物と銅アミノポリカルボン酸錯体、銅ポリカルボン酸錯体から選ばれる１種以上の銅のキレート錯体が極性溶媒に溶解している酸化銅膜を形成せしめるに適した溶液を基材表面に塗布した後、不活性ガス中にて３００℃〜７００℃で１分から３時間の熱処理することにより、ｐ型半導体の性能を持つ酸化銅（Ｉ）膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】所望の厚みの半導体層を容易にかつ良好に作製することが可能な半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体層の製造方法は、金属元素と、カルコゲン元素含有有機化合物と、第１のルイス塩基性有機化合物と、前記第１のルイス塩基性有機化合物とは異なる構造の第２のルイス塩基性有機化合物と、を具備する半導体層形成用溶液を基板の表面に塗布して前駆体層を作製する工程と、前記前駆体層を熱処理して半導体層３を作製する工程と、を具備する。 （もっと読む）

本発明は、一般式Ｓｉ_aＨ_2a+2（式中、ａ＝３〜１０）の少なくとも１種のヒドリドシランから製造可能な少なくとも１種の高級シランを基板上に塗布し、引き続き熱的に、主にシリコンからなる層に変換し、その際、この高級シランの熱的変換は５００〜９００℃の温度でかつ≦５分の変換時間で行う、基板上にシリコン層を熱的に製造する液相法、前記方法により製造可能なシリコン層及びその使用に関する。 （もっと読む）

【課題】高スループット低資本コストで、半導体材料の薄膜製作を可能にする方法を提供する。
【解決手段】化学式Ｃｕ_２−ｘＺｎ_１＋ｙＳｎ（Ｓ_１−ｚＳｅ_ｚ）_４＋ｑの化合物を含むケステライト膜を堆積する方法を提供する。ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、−１≦ｑ≦１である。本方法は、ヒドラジン、Ｃｕの供給源、並びにＳおよびＳｅの少なくとも一つの供給源を接触させて溶液Ａを形成するステップと、ヒドラジン、Ｓｎの供給源、ＳおよびＳｅの少なくとも一つの供給源、並びにＺｎの供給源を接触させて分散液Ｂを形成するステップと、Ｚｎ含有固体粒子を含む分散液を形成するのに十分な条件の下で、溶液Ａおよび分散液Ｂを混合するステップと、この分散混合液を基板上に塗付し、基板上に分散混合液の薄膜を形成するステップと、ケステライト膜を形成するのに十分な温度、圧力、および時間長でアニールするステップと、を含む。また、上記の方法で形成されたケステライト膜を含むアニール組成物および光起電デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】塗布形成により薄く、かつ深さ方向に焼結が進行した半導体膜を製造することができる半導体膜の製造方法、その方法により得られた半導体膜を有する半導体基板、及び該半導体基板を備えた電子部材を提供する。
【解決手段】基材上に、半導体微粒子分散体を含む塗布液を塗布又はパターン状に印刷して塗布液層を形成した後、この塗布液層を焼成処理して半導体膜を形成する半導体膜の製造方法であって、該半導体微粒子分散体が半導体微粒子とカルボン酸無水物類とを含み、マイクロ波エネルギーの印加により発生する表面波プラズマに該塗布液層を晒すことにより、該塗布液層の焼成処理を行うことを特徴とする半導体膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】有機半導体フィーチャの堆積性能が改善されたプロセスを提供する。
【解決手段】１つ又はそれ以上の有機半導体を含む液体組成物を準備し、液体組成物を、第１の温度における非ニュートン型から第２の温度におけるニュートン型へ変換し、変換された液体組成物を基板上に堆積させて１つ又はそれ以上の半導体フィーチャを形成するステップを含む、半導体フィーチャを形成するプロセス。 （もっと読む）

【課題】 半導体膜を曲げても半導体膜の剥がれが生じにくい可撓性を有した半導体膜の製造方法、当該製造方法によって得られる半導体膜および当該製造方法によって得られる半導体膜を具備してなる色素増感太陽電池を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１の導電性基材上に、半導体微粒子とバインダーとを含む溶液を塗布し、該塗布液を乾燥させた後、２０〜４０ＭＰａの圧力を加え、該圧力と並行して１３０〜３００℃の範囲内で加温することにより、半導体層を形成することを特徴とする半導体膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】塗布法を適用したより簡便な方法で導電性の高いコンタクト層とイントリンシックなシリコン層とを積層させた構成のシリコン薄膜を得る方法を提供する。
【解決手段】鎖状の高次シラン化合物Ｂと、金属Ｍを含有する化合物と、高次シラン化合物Ｂよりも沸点が低く金属Ｍと相互作用する化合物からなる溶媒Ｃとを混合した塗布液を調整する。塗布液を用いて基板１上に塗布膜３を形成する。塗布膜３中から溶媒Ｃを除去して乾燥させる。この際塗布膜３を加熱する。これにより、表面側において金属Ｍの含有量が多いシリコン薄膜５を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属性薄膜を簡単な製造設備で安価に製造することが出来、光電変換特性に富んだ導電性薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】貯室３３内にある金属化合物（金属単体を含む；以下同様）の溶液をノズル３から噴霧する際に、前記ノズル３とステージ２との間に高電圧を印加する事で、アバランシェ増倍現象によって帯電させた液滴微粒子を生成する。これを飛翔させて基板上に膜層を形成し、この膜層に光、熱などのエネルギーを付加して結晶化させる。この場合に、金属及び／又は金属化合物は、その分子量が５００以下であり、原溶液の溶融粘度は、２５℃の環境下で０．３mPa・s乃至１０mPa・sで、モル濃度が０．０００１乃至０．１モル／リットルであることを特徴とする。これによってノズルから噴霧された金属化合物の液滴微粒子は非繊維状粒子の状態で基板に堆積され、微粒子状態で結晶化される。 （もっと読む）

ＩＶ族系ナノ粒子流体が開示される。ナノ粒子流体が、ナノ粒子流体の約１重量％〜約２０重量％の量において存在する一群のナノ粒子を構成する一群のＩＶ族原子を含有する。また、ナノ粒子流体は、ナノ粒子流体の約０重量％〜約５重量％の量において存在する一群のＨＭＷ分子を含有する。さらに、ナノ粒子流体は、少なくとも一部のキャッピング剤分子が一群のシリコンナノ粒子に結合している一群のキャッピング剤分子を含有する。
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【課題】
反応性の単分子膜で被覆したシリコンナノ微粒子を用いたシリコンペーストを選択的に塗布し、レーザー照射することにより、単分子膜を分解除去し、微粒子から再結晶化されたポリシリコン薄膜を用いてＴＦＴを形成することを特徴とする。
【課題を解決するための手段】
表面に共有結合した第１の反応性官能基を含む有機膜で被われたシリコン微粒子と、表面に共有結合した第２の反応性官能基を含む有機膜で被われたシリコン微粒子を有機溶媒中で混合して第１のシリコン微粒子ペーストを作成する工程と、
前記シリコン微粒子ペーストを基板表面に塗布する工程と、
硬化する工程と、
真空中または不活性ガス雰囲気中でレーザー照射してポリシリコン化する工程により、ｎ（またはｐ）型のポリシリコン薄膜を製造する。
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