【課題】無機ナノ複合体及び無機ナノ複合膜、及びそれらを作製する方法、並びに無機ナノ複合体及び無機ナノ複合膜を含む電界効果トランジスタ、データ記憶媒体及び光起電力デバイスを作製する方法とを提供する。
【解決手段】可溶性のヒドラジン系金属カルコゲナイド前駆体の溶液を得る工程と、前駆体溶液中にナノ物体を分散させる工程と、ナノ物体を含む前駆体の溶液を基板上に塗布してナノ物体を含む前駆体の膜を作る工程と、ナノ物体を含む前駆体の膜をアニールして、少なくとも一つの金属カルコゲナイドと、少なくとも一つの分子レベルで相互混合されたナノ物体とを含む金属カルコゲナイドナノ複合膜を基板上に作る工程とによって、無機ナノ複合体が調製される。本プロセスは、電界効果トランジスタ及び光起電力デバイスを調製するために用いることができる。 （もっと読む）

【課題】高性能で均一な薄膜を、効率的に、かつ常温でも形成可能な薄膜形成方法とそれにより得られる薄膜を提供する。
【解決手段】ナノ粒子を基材に付与し、基材上に付与された該ナノ粒子を大気圧プラズマ処理することにより、薄膜を形成する薄膜形成方法であって、該大気圧プラズマ処理が、大気圧または大気圧近傍の圧力下で、対向する電極間にガスを供給し、該電極間に高周波電界を発生させることによって該ガスを励起ガスとし、該励起ガスに基材上に付与された該ナノ粒子を晒す処理であることを特徴とする薄膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】 高品質な粒状シリコン結晶を安定して作製でき、量産性や低コスト性に優れた光電変換装置に適した結晶シリコン粒子を製造することを目的とする。
【解決手段】上面に複数個の半導体粒子１０１を載置した台板１０２を加熱炉２０１内に導入し、半導体粒子１０１を加熱して溶融させた後、この溶融した半導体粒子１０１を台板１０２側から上方に向けて固化させることによって結晶半導体粒子１０１とする結晶半導体粒子１０１の製造方法である。また、台板１０２は、上面の表面の表面粗さの平均間隔ＲＳｍが半導体粒子１０１の直径よりも小さい粗面とされていることで、小面積の凝固起点を有することにより、得られる結晶が電気特性に優れた高品質の単結晶となる。また、第１導電型のドーパントに一方の極１０３から対向する極１０４に向かって濃度勾配が形成されている結晶半導体粒子１０１を用いて、高い変換効率の光電変換装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】比較的低温の熱処理で、低抵抗な不純物ドープシリコン膜を形成する技術を提供する。
【解決手段】高次シラン組成物、触媒およびドーパント元素を含有する溶液である、例えば、シクロペンタシランに紫外線光を照射した後、これをトルエン（溶媒）で希釈した液体（高次シラン組成物の溶液１）に、ドーパント元素含有化合物（例えば、黄燐）および触媒（塩化ニッケル）を混合した、塗布用溶液Ａを基板上に塗布し、塗布膜１３を形成した後、例えば３００℃〜６００℃で加熱（焼成）し、不純物ドープシリコン膜１３ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】原材料をあらかじめ選択的に基板上に供給することにより、使用する原材料の量を削減し、且つ、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を省いて製造工程の簡略化を図る。
【解決手段】液状原料を液滴１０２として所定の方向に複数回吐出、飛翔させて選択的に基板１０１上に塗布し液体パターン１０３を形成する工程と、その液体パターン１０３を固化して薄膜パターン１０４に形成する工程と、薄膜パターン１０４にレーザを照射して結晶化膜１０６に形成する工程とから成る、シリコン系半導体膜及び酸化シリコン系絶縁体膜等を形成する薄膜形成方法。リソグラフィ工程及びエッチング工程の省略による製造工程の簡略化と使用材料の量の削減とを図る。 （もっと読む）

【課題】カルシウムがドープされた強いｐ型のＳｒＣｕ_２Ｏ_２薄膜を製造する。
【解決手段】Ｃａ（ＯＡｃ）_２・Ｈ_２Ｏ、Ｓｒ（ＯＡｃ）_２、Ｃｕ（ＯＡｃ）_２・Ｈ_２Ｏ、および酢酸を調製し（１２）、これらを、混合した後に還流する（１４）。そして、溶液を濾過する（１８）。以上により得られた溶液をウェーハ上に塗布し（２２）、次いで、該ウェーハをベーキングして溶剤成分を蒸発させる（２８）。続いて、フォーミングガス中においてアニール処理を行う（３０）。最後に窒素雰囲気中において瞬間的に酸素を供給する（３２）。 （もっと読む）

【課題】微粒子を用いて粒子サイズレベルで均一厚みの被膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシラン化合物とシラノール縮合触媒と非水系の有機溶媒を混合して作成した化学吸着液中に接触させてアルコキシシラン化合物と基材表面を反応させて基材表面に第１の有機膜を形成する工程。第１の有機膜を所定のパターンに加工する工程と、第２のアルコキシシラン化合物とシラノール縮合触媒と非水系の有機溶媒を混合して作成した化学吸着液中に分散させてアルコキシシラン化合物と微粒子表面を反応させて表面に第２の有機膜を形成する工程と、第１の基材表面に第２の有機膜で被覆された微粒子を接触させて選択的に反応させる工程と、第２の有機膜で被覆された余分な微粒子を洗浄除去する工程とを含む。以上の工程により、第１の有機膜と第２の有機膜を介して互いに共有結合しているパターン状の単層微粒子膜を得る。 （もっと読む）

【課題】簡便な製法が可能で、かつ低コスト化が可能な有機TFTからなるアクディブ基板の製造方法と該方法で製造されたアクティブ基板および電気泳動型ディスプレイを提供すること。
【解決手段】アクティブ基板上に表示素子を積層するに当たり、基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース・ドレイン電極、活性層から構成される有機薄膜トランジスタを作成し、その上に、層間絶縁膜６を介し画素電極（個別電極８）を配置した構造を形成する。本発明では、層間絶縁膜６をポリビニルブチラール樹脂などの樹脂を少なくともブトキシエタノールを含む溶剤を用いて溶解したインク（ペースト）を用い、スクリーン印刷法によって形成したことを特徴とする。これにより、コンタクトホール開孔処理なしに、層間絶縁膜６を形成することが可能になった。 （もっと読む）

線状及び架橋済みのＨＭＷ（高分子量）ポリシラン及びポリゲルマン、ポリペルヒドロシラン及びポリペルヒドロゲルマン、それを含む機能性液体の製造方法、並びに一連の望ましい用途における液体の使用方法を開示する。シラン及びゲルマンポリマーは一般に、Ｒ’置換基で置換されたＳｉ及び／またはＧｅの鎖で構成され、ここで、Ｒ’の各場合は、例えば、独立して、水素、ハロゲン、アルケニル、アルキニル、ヒドロカルビル、芳香族ヒドロカルビル、複素環式芳香族ヒドロカルビル、ＳｉＲ”_３、ＧｅＲ”_３、ＰＲ”_２、ＯＲ”、ＮＲ”_２、またはＳＲ”であり；ここで、Ｒの各場合は独立して、水素またはヒドロカルビルである。架橋済みポリマーを、脱ハロゲン化的カップリングまたはデヒドロカップリングによって合成することができる。線状ポリマーを、開環重合によって合成することができる。ポリマーを、ハロゲン化及び／または水素化物の源との反応によってさらに修正して、ペルヒドロシラン及びペルヒドロゲルマンポリマーを与えることができ、これらは、液体インキ配合物において使用される。合成は、液体特性（例えば、粘度、揮発度、及び表面張力）の適合に対処する。液体を、スピンコーティング、インクジェッティング、ドロップキャスティング等による膜及び物体の堆積のために使用でき、ＵＶ照射の使用はあってもなくてもよい。堆積した膜を、４００〜６００℃でのキュアリング及び（所望により）レーザー−または熱−誘起結晶化（及び／またはドーパントが存在する場合、ドーパント活性化）によって、アモルファス及び多結晶ケイ素またはゲルマニウム、並びにケイ素または酸化ゲルマニウムまたは窒化物に転換することができる。 （もっと読む）

【課題】サイリスタ不良の発生を大幅に減少できるエピタキシャルウエハの製造方法及び発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】液相エピタキシャル成長装置内に設置したｐ型ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３を順次、液相エピタキシャル成長させた後、そのまま液相エピタキシャル成長装置内で再度温度を上昇させる熱処理を施してエピタキシャルウエハを作製する。エピタキシャル成長後、再度温度を上昇させる熱処理により、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２との組成界面付近のｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３に含まれる炭素のピーク濃度が下がるため、組成界面付近でｐ型変換層が発生せず、サイリスタ不良が発生しないエピタキシャルウエハが得られる。 （もっと読む）

【課題】高品質なＳｒＣｕ_２Ｏ_２薄膜を形成すること。
【解決手段】Ｓｒ（ＯＡｃ）_２、Ｃｕ（ＯＡｃ）_２・Ｈ_２Ｏ、および酢酸を調製し（１２）、これらを、混合した後に還流する（１４）。さらに、エタノールアミンを加え（１８）、続いて、溶液を濾過する（２０）。以上により得られた溶液をウェーハ上に塗布し（２４）、次いで、該ウェーハをベーキングして溶剤成分を蒸発させる（３０）。続いて、フォーミングガス中においてアニール処理を行う（３２）。酸素と窒素との混合雰囲気下においてポストアニール処理を行ってもよい（３４）。 （もっと読む）

【課題】ナノ粒子分散液を用いた良好な電気的性能を有する半導体デバイスを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】下記式ＩまたはＩ'で表される化合物から選択される平均粒子サイズ５０ｎｍ以下の金属酸化物ナノ粒子と分散媒とを含むナノ粒子分散液を用いて酸化物半導体薄膜２２を形成する。 Ｚｎ_XＭ_YＩｎ_ZＯ_{(X+1.5Y+1.5Z)}［Ｉ］（式中、Ｍはアルミニウム、鉄及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率Ｘ／Ｙが０．２〜１０の範囲であり、比率Ｙ／Ｚが０．１〜２．５の範囲である。） Ｚｎ_X'Ｉｎ_Z'Ｏ_(X'+1.5Z') ［Ｉ'］（式中、比率Ｘ'／Ｚ'は０．５〜８の範囲である。） （もっと読む）

薄膜トランジスタは、亜鉛酸化物含有半導体材料を含んでいる。このトランジスタはさらに、この材料と接触していて互いに離れた第1の接点手段または電極と第2の接点手段または電極を備えている。さらに、製造中に基板の温度が300℃を超えない薄膜トランジスタ・デバイスの製造方法も開示されている。
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【課題】 ＳＯＩおよびＧＯＩの両部分に対して用いられるＣＭＯＳの製造方法を好適に提供すること。
【解決手段】 本発明によるシリコンベースのＣＭＯＳを製造する方法は、シリコン基板ウェハを用意する工程（１２）、シリコン基板ウェハ上に絶縁層を堆積させる工程（１４）、絶縁層をパターニングおよびエッチングする工程（１６）、絶縁層上およびシリコン基板ウェハの少なくとも一部の上に多結晶ゲルマニウムの層を堆積させる工程（１８）、多結晶ゲルマニウムをパターニングおよびエッチングする工程（２０）、絶縁材料を用いて多結晶ゲルマニウムを被覆する工程（２２）、多結晶ゲルマニウムの溶解に十分な温度でウェハを短時間アニールする工程（２４）、ウェハを冷却して多結晶ゲルマニウムの液相エピタキシを促す工程（２６）、これにより単結晶ゲルマニウム層を形成する工程、ＣＭＯＳデバイスを完成させる工程（２８）を含む。 （もっと読む）

【課題】 電荷移動度と配向性のよい均一な薄膜を塗布形成により容易に作製できる有機半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】 有機半導体材料と溶媒とを混ぜることによりサーモトロピック混合液晶相を発現することになる混合物を用いて、混合液晶状態の塗布膜を形成する工程と、その塗布膜を混合液晶状態を呈しない温度まで冷却させ、もしくは冷却させながら溶媒を除いて、前記有機半導体材料のスメクチック液晶相又は結晶相からなる有機半導体層を形成する工程とを有する。上記塗布膜については、混合物を加温して塗布することにより形成されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基体上に、シリコン膜及びシリコン酸化膜からなる積層膜を形成する簡易な方法を提供すること。
【解決手段】上記課題は、基体上に、シラン化合物及び溶媒を含有する膜形成用組成物からシリコン膜及びシリコン酸化膜からなる積層膜を形成することを特徴とする、積層膜の形成方法によって達成される。 （もっと読む）

本発明は、粉末を焼結することによって得られる半導体材料の製造方法に関し、かつ半導体材料に関する。前記方法は、粉末の一部を融解又は粘凋にするための圧縮及び加熱処理の工程を有する。前記材料は光起電力分野で用いられる。
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【課題】 本発明は、液体状の高次シランまたは高次シラン溶液によって作製された前駆体膜を、加熱または光照射によりシリコン膜に変換する際、不活性ガス雰囲気中から酸素を除去することによって、シリコン膜中に酸素が取り込まれることを防ぐ方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、液体状の高次シランまたは高次シラン溶液を基板に塗布し、シリコン膜の前駆体膜（１４）を形成する第一工程と、シリコン膜の前駆体膜（１４）を、加熱処理または紫外線照射処理によって、シリコン膜（１４’）に変換する第二工程と、を含み、前記第一および第二工程を不活性ガス雰囲気中で行い、該不活性ガス雰囲気には酸素と反応し高次シランとは反応しない酸素除去用ガスが添加されていることを特徴とする、シリコン膜の形成方法を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】 製造コストを抑えつつ半導体膜などを薄膜化することができる薄膜半導体装置の製造技術を提供する。
【解決手段】 基板１０に対して液滴吐出法により半導体材料を塗布した後、半導体材料の固形分濃度が液滴全体で略同時に飽和濃度に達するように乾燥条件を定めて乾燥させることにより、略円形状の半導体膜１１を形成する（図３（ａ）参照）。その後、半導体膜１１の全面を覆うゲート絶縁膜１２を形成し（図３（ｂ）参照）、さらに、ゲート絶縁膜１２の上に略矩形状のゲート電極１３を形成する（図３(ｃ)参照）。 （もっと読む）

リソグラフィ工程と印刷工程との複合技術を用いて有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及び他の部品が基板（206）上に製造される半導体デバイス及びその製造方法が提供される。リソグラフィによって定められたレジストパターン（211、311）が、障壁と、後に印刷材料を導くように機能するキャビティとをもたらす。集積回路の別個の部品が基板（206）上に別々のアイランドを形成する。応力による隣接する膜のクラック及び剥離のおそれが低減され、また、デバイスの可撓性が増大される。
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