線状及び架橋済み高分子量ポリシラン、ポリゲルマン、及びそれらのコポリマー、それらを含む組成物、並びにこのような化合物及び組成物の製造及び使用方法
線状及び架橋済みのＨＭＷ（高分子量）ポリシラン及びポリゲルマン、ポリペルヒドロシラン及びポリペルヒドロゲルマン、それを含む機能性液体の製造方法、並びに一連の望ましい用途における液体の使用方法を開示する。シラン及びゲルマンポリマーは一般に、Ｒ’置換基で置換されたＳｉ及び／またはＧｅの鎖で構成され、ここで、Ｒ’の各場合は、例えば、独立して、水素、ハロゲン、アルケニル、アルキニル、ヒドロカルビル、芳香族ヒドロカルビル、複素環式芳香族ヒドロカルビル、ＳｉＲ”３、ＧｅＲ”３、ＰＲ”２、ＯＲ”、ＮＲ”２、またはＳＲ”であり；ここで、Ｒの各場合は独立して、水素またはヒドロカルビルである。架橋済みポリマーを、脱ハロゲン化的カップリングまたはデヒドロカップリングによって合成することができる。線状ポリマーを、開環重合によって合成することができる。ポリマーを、ハロゲン化及び／または水素化物の源との反応によってさらに修正して、ペルヒドロシラン及びペルヒドロゲルマンポリマーを与えることができ、これらは、液体インキ配合物において使用される。合成は、液体特性（例えば、粘度、揮発度、及び表面張力）の適合に対処する。液体を、スピンコーティング、インクジェッティング、ドロップキャスティング等による膜及び物体の堆積のために使用でき、ＵＶ照射の使用はあってもなくてもよい。堆積した膜を、４００〜６００℃でのキュアリング及び（所望により）レーザー−または熱−誘起結晶化（及び／またはドーパントが存在する場合、ドーパント活性化）によって、アモルファス及び多結晶ケイ素またはゲルマニウム、並びにケイ素または酸化ゲルマニウムまたは窒化物に転換することができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
架橋済みポリマーを含む組成物において、該ポリマーは：
（ａ）原子の線状鎖であって、該原子は、独立して、Ｓｉ原子及びＧｅ原子からなる群から選択され、原子の前記鎖は、異なる鎖からの原子同士の間の直接結合によって互いに架橋する、原子の線状鎖と；
（ｂ）側鎖Ｒであって、Ｒ基は、前記鎖中の前記原子と直接に結合して、前記鎖中の前記原子の原子価を完全なものにし、但し、前記Ｒ基が全て独立して、水素、ハロゲン、芳香族ヒドロカルビル基、または置換芳香族ヒドロカルビル基のみからなる群から選択される場合、架橋度は、線状鎖原子の約１０％以下を含む、側鎖Ｒと；を含む、組成物。
【請求項２】
前記線状鎖中の前記Ｓｉ及びＧｅ原子の平均数は５０を超える、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記Ｒ基は、独立して、水素、ハロゲン、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、置換アルキニル基、芳香族ヒドロカルビル基、置換芳香族ヒドロカルビル基、複素環式芳香族ヒドロカルビル基、置換複素環式芳香族ヒドロカルビル基、ＳｉＲ１３基、ＧｅＲ１３基、ＮＲ１２基、ＰＲ１２基、ＯＲ１基、及びＳＲ１基からなる群から選択され、全てのＲ１は、独立して、水素、ヒドロカルビル基、及び置換ヒドロカルビル基からなる群から選択され、前記Ｒ基は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記Ｒ１は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成する、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記Ｒ基はＨである、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記架橋度は、本質的に環状物は、環式基中の１２個以下の原子を有する架橋によって形成されない程十分低い、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
導体、半導体、及び誘電体からなる群から選択される膜及び物体の製造方法であって：
（ａ）液体材料を基板の上に適用して、適用された物体を形成し、前記材料は、請求項１に記載のポリマーを含むことと；
（ｂ）前記適用された物体を、アモルファスの水素化された物体を形成するのに十分に加熱することと；を含む方法。
【請求項７】
前記加熱は、Ｓｉ、Ｇｅ若しくはこれらの合金を製造するためのＨ２；対応する酸化物を製造するための空気、Ｏ２、若しくはＯ３；または対応する窒化物を製造するためのＮＨ３若しくはＮ２Ｈ６の存在下で実行される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記アモルファスの水素化された物体を、少なくとも部分的に結晶化する及び／または前記導体、半導体、または誘電体の水素含量を低減するのに十分に加熱及び／または照射することによってアニーリングすることをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記照射は、実質的に多結晶性の材料中のアモルファス材料を転換するために結晶化を実行するために、レーザーを用いて実行される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記液体材料は、有機溶媒、表面張力調整剤及びＢ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂまたはこれらの組合せを含む化合物を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
同時にまたは後に紫外線照射を用いて前記液体材料を照射して、前記液体材料を前記基板に適用することをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
式Ｉ：
【化１】
［式中、全てのＥは、独立して、Ｓｉ原子及びＧｅ原子からなる群から選択され、Ｒ基は、独立して、水素、ハロゲン、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、置換アルキニル基、芳香族ヒドロカルビル基、置換芳香族ヒドロカルビル基、複素環式芳香族ヒドロカルビル基、置換複素環式芳香族ヒドロカルビル基、ＳｉＲ１３基、ＧｅＲ１３基、ＮＲ１２基、ＰＲ１２基、ＯＲ１基、またはＳＲ１基であり、全てのＲ１基は独立して、水素、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ基は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記Ｒ１は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、平均ａは、２〜１，０００，０００の数であり、前記Ｒ基の部分は、ポリマー鎖同士の間の架橋結合で置き換えられ、架橋鎖は、−（ＥＲ２）ａ’−ポリマー鎖を含み、Ｒ’は独立して上記の群から選択され、ａ’は１〜約１０００の平均を有する数の分布である。］
によって表される架橋済みポリマーの製造方法であって、
モノマーを含む反応性組成物を重合し、該モノマーは、式ＩＩによって表されるモノマーまたは式ＩＩＩによって表されるモノマー：
【化２】
［式中、全てのＸは独立して、ハロゲンであり、全てのＥは独立して、Ｓｉ原子またはＧｅ原子であり、全てのＲ基は、独立して、上記に指定したように選択され、ｃは、０〜１００の数である。］であることと；
重合の生成物を水素化物の源と反応させて前記Ｒ基をＨで置き換えることと；を含む方法。
【請求項１３】
前記重合は、電気分解を行うための、またはＬｉ、Ｎａ、Ｎａ／Ｋ合金、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、及びＡｌからなる群から選択される重合反応物と式ＩＩのモノマーのための、またはＣｐ２ＭＨ２、ＣｐＣｐ＊ＭＨ２、Ｃｐ２Ｍ（ＣＨ３）２、ＣｐＣｐ＊Ｍ（ＣＨ３）２、Ｃｐ２Ｍ（Ｃ６Ｈ５）２、ＣｐＣｐ＊Ｍ（Ｃ６Ｈ５）２、Ｃｐ２Ｍ（Ｃ２Ｈ５）２、ＣｐＣｐ＊Ｍ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃｐ２Ｍ（Ｃ３Ｈ７）２、ＣｐＣｐ＊Ｍ（Ｃ３Ｈ７）２、Ｃｐ２Ｍ（Ｃ４Ｈ９）２、ＣｐＣｐ＊Ｍ（Ｃ４Ｈ９）２、Ｒ２ｄＲ３ｅＭ、Ｒ２ｄＲ３ｅＭｆ＋Ａｆ−、これらのその場で合成された類似体、及びこれらの固定化誘導体と式ＩＩＩのモノマーのための装置を用いて駆動され、ＣｐはＣ５Ｈ５シクロペンタジエニルであり、Ｃｐ＊はＣ５（ＣＨ３）５ペンタメチルシクロペンタジエニル基であり、Ｍは、元素の周期表の３族〜１３族の金属及びメタロイド、ランタニド、並びにアクチニドからなる群から選択され；ｄ及びｅは、０〜１０の整数であり、ｆは、０〜２の数であり、全てのＲ２は、独立して、ＳｉＲ４３基、ＧｅＲ４３基、ＮＲ４基、ＮＲ４２基、ＮＲ４３基、ＰＲ４基、ＰＲ４２基、ＰＲ４３基、ＯＲ４基、ＳＲ４基、及びシクロペンタジエニル基または式Ｃ５ＨｇＲ４５−ｇによって表される置換シクロペンタジエニル基であり、前記Ｒ２は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、ｇは、０〜５の整数であり、全てのＲ４は、独立して、水素、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ＯＲ５基、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ５基、ＣＯ２Ｒ５基、ＳｉＲ５３基、ＧｅＲ５３基、またはＮＲ５２基からなる群から選択され；Ｒ４基は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、全てのＲ５は独立して、水素、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、Ｒ５基は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、Ｒ３は独立して、ＣＯ基、Ｒ６ＣＮ基、Ｒ６ＮＣ基、水素化物基、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ＳｉＲ６３基、ＧｅＲ６３基、ＮＲ６基、ＮＲ６２基、ＮＲ６３基、ＰＲ６基、ＰＲ６２基、ＰＲ６３基、ＯＲ６基、またはＳＲ６基であり、前記Ｒ３は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、ここで、全てのＲ６は、独立して、水素、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ＯＲ７基、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７基、ＣＯ２Ｒ７基、ＳｉＲ７３基、ＧｅＲ７３基、またはＮＲ７２基であり、前記Ｒ６は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、全てのＲ７は独立して、水素、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ７は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、Ａｆ−は、ＢＦ４−、ＰＦ６−、ＳｂＦ６−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＢ１１Ｈ１２−、ＣＢ９Ｈ１０−、ＣＢ９Ｈ５Ｘ１５−、ＣＢ１１Ｈ６Ｘ１６−、Ｂ（Ｃ６Ｆ５）４−、及び［（Ｍ１）ｈＺ１Ｚ２．．．Ｚｊ］ｆ−からなる群から選択される陰イオンであり、Ｘ１はハロゲンであり、Ｍ１は、Ｂ、Ａｌ、またはＧａであり、ｈは、０〜４の数であり、ｊは、０〜１２の整数であるか、またはｊは４であり、Ｚ１〜Ｚｊは独立して、Ｈ、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ハロゲン、ハロゲン置換ヒドロカルビル基、ハロゲン置換ヒドロカルビルオルガノメタロイド基、ＯＲ８、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８、ＣＯ２Ｒ８、及びＮＲ８２であり、ここで、全てのＲ８は、Ｈ、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、及びハロゲン置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｚ１〜Ｚｊは所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記反応性組成物は、クリプタンド、クラウンエーテル、封じ込め配位子、線状オリゴエーテル、線状ポリエーテル、化合物Ｒ９Ｏ（（ＣＲ１０２）ｋＯ）ｍＲ９、化合物Ｒ９（ＮＲ１１）（（ＣＲ１０２）ｋ（ＮＲ１１））ｍＲ９、化合物Ｒ９Ｎ［（（ＣＲ１０２）ｋＯ）ｍ（ＣＲ１０２）ｋ］２ＮＲ９、及び化合物Ｎ［（（ＣＲ１０２）ｋＯ）ｍ（ＣＲ１０２）ｋ］３Ｎからなる群から選択される可溶化剤を含み、ｋ及びｍは１〜２０の数であり、全てのＲ９及びＲ１１は、独立して、ヒドロカルビル基または置換ヒドロカルビル基であり、全てのＲ１０は、独立して、水素化物基、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ９、Ｒ１０、及びＲ１１は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
水素化物の前記源は、ＬｉＨ、ＮａＨ、ＫＨ、ＬｉＡｌＨ４、ＮａＢＨ４、ＮａＡｌＨ２（ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ３）２、ＨｎＭ２ｐＸ２ｑＲ１２ｒ、及びＨｎＭ２ｐＭ３ｓＸ２ｑＲ１２ｒからなる群から選択され、ｎ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは独立して、０〜２０の数であり、Ｍ２及びＭ３は独立して、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、またはＳｎであり、全てのＸ２は独立して、ハロゲンであり、全てのＲ１２は独立して、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ＮＲ１３２基、またはＯＲ１３基であり、全てのＲ１３は独立して、ヒドロカルビル基または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ１２及びＲ１３基は、複数のＯ及びＮ原子で所望により置換され、前記Ｒ１２は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記Ｒ１３は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
水素化物の前記源と反応させる前に重合の前記生成物をハロゲン化することをさらに含み、前記ハロゲン化は、重合の前記生成物をハロゲン化源と反応させることによって実行され、前記ハロゲン源は、ＨＸ３、Ｒ１４（Ｃ＝Ｏ）Ｘ３、またはＨＸ５とＭ６Ｘ３の組合せであり、Ｘ３は独立して、ハロゲンであり、Ｘ５は、ＯＭｓメタンスルホネート基、ＯＴｆトリフルオロメタンスルホネート基、またはＯＴｓトルエンスルホネート基であり；Ｍ６は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、またはＲｂであり；Ｒ１４は、水素化物基、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記ハロゲン化は、Ｍ４ｔＸ４ｕを含む触媒組成物によって促進され、Ｍ４は、元素の周期表の３族〜１３族の金属及びメタロイド、ランタニド、並びにアクチニドからなる群から選択され、Ｘ４は独立して、ハロゲンであり、ｔは、１〜５の数であり、ｕは、１〜３０の数である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
水素化物の前記源と反応させる前に重合の前記生成物をハロゲン化することをさらに含み、前記ハロゲン化は、重合の前記生成物をハロゲン化源と反応させることによって実行され、前記ハロゲン源は、ＨＸ３、Ｒ１４（Ｃ＝Ｏ）Ｘ３、またはＨＸ５とＭ６Ｘ３の組合せであり、Ｘ３は独立して、ハロゲンであり、Ｘ５は、ＯＭｓメタンスルホネート基、ＯＴｆトリフルオロメタンスルホネート基、またはＯＴｓトルエンスルホネート基であり；Ｍ６は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、またはＲｂであり；Ｒ１４は、水素化物基、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、
前記モノマーは、限定するものではなく前記式ＩＩによって表されるかまたは、
前記モノマーは前記式ＩＩＩによって表されるが、前記モノマーの前記Ｒ基は、芳香族ヒドロカルビル基でも、置換芳香族ヒドロカルビル基でもない、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
式ＩＶ：
【化３】
［式中、ｖは２〜１００００００の平均を有する数の分布であり、全てのＥは、独立して、Ｓｉ及びＧｅ原子からなる群から選択され、全ての基Ｒ１５は、Ｒ１９、Ｒ２０、またはＲ２１であり；全ての基Ｒ２８は、水素、ハロゲン、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ＳｉＲ２９３基、ＧｅＲ２９３基、ＮＲ２９２基、ＰＲ２９２基、ＯＲ２９基、またはＳＲ２９基であり、全てのＲ２９は独立して、水素、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記基Ｒ２８は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記基Ｒ２９は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記基Ｒ１５は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成する。］
によって表される化合物の製造方法であって、
式Ｖ’
【化４】
［式中、ｉは、１〜２０の数であり、少なくとも１つのＦ／分子はＧｅ原子であり、少なくとも１つのＧ／分子はＳｉ原子である以外は全てのＧは独立して、Ｓｉ原子またはＧｅ原子であり、但し、ｉ＝ｌである場合ＧはＳｉまたはＧｅとすることができ、ｉは、１〜２０の数であり、全てのＲ１７及びＲ１８は独立して、水素、ハロゲン、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ１７及びＲ１８は、複数のＯ原子、Ｎ原子またはこれらの組合せで所望により置換され、前記Ｒ１８は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、全てのＲ１９基は独立して、水素、ハロゲン、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、置換アルキニル基、芳香族ヒドロカルビル基、置換芳香族ヒドロカルビル基、複素環式芳香族ヒドロカルビル基、置換複素環式芳香族ヒドロカルビル基、ＳｉＲ２２３基、ＧｅＲ２２３基、ＮＲ２２２基、ＰＲ２２２基、ＯＲ２２基、またはＳＲ２２基であり、全てのＲ２２は独立して、水素、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ１９は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記Ｒ２２は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、全てのＲ２０基は独立して、複素環式芳香族ヒドロカルビル基、置換複素環式芳香族ヒドロカルビル基、ＧｅＲ２３３基、ＮＲ２３２基、ＰＲ２３２基、またはＳＲ２３基であり、全てのＲ２３は独立して、水素、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ２０は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記Ｒ２３は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、全てのＲ２１基は独立して、複素環式芳香族ヒドロカルビル基、置換複素環式芳香族ヒドロカルビル基、ＧｅＲ１６３基、ＮＲ１６２基、ＰＲ１６２基、またはＳＲ１６基であり、全てのＲ１６は独立して、水素、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ１６は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成する。］
によって表される化合物からなる群から選択されるモノマーまたはモノマーの組合せを重合することを含む、方法。
【請求項２０】
重合工程は、前記モノマーを触媒と混合することによって実行される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記触媒は、Ｒ２４ＷＭ５、Ｒ２４ＷＭ５Ｘ２、Ｒ２４４ＮＦ、ＬｉＡｌＨ４、ＮａＢＨ４、ＮａＡｌＨ２（ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ３）２、ＨｎＭ２ｐＸ２ｑＲ１２ｒ、ＨｎＭ２ｐＭ３ｓＸ２ｑＲ１２ｒ、ＨＸ２、ＨＢＦ４、ＨＰＦ６、ＨＳｂＦ６、ＣＦ３ＳＯ３Ｈ、またはＣＦ３（ＣＯ）Ｈであり、ｎ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは独立して、０〜２０の数であり、ｗは、１〜４の数であり、Ｍ２、Ｍ３、及びＭ５は、独立して、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、及びＳｎからなる群から選択され、全てのＸ２は独立して選択されたハロゲンであり、全てのＲ１２は、独立して、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ＮＲ１３２基、またはＯＲ１３基であり、全てのＲ１３は独立して、ヒドロカルビル基または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ１２及びＲ１３基は、複数のＯ原子、Ｎ原子またはこれらの組合せで所望により置換され、前記Ｒ１２は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記Ｒ１３は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、全てのＲ２４は独立して、水素、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ＳｉＲ２５３基、ＧｅＲ２５３基、ＮＲ２５２基、ＰＲ２５２基、ＯＲ２５基、またはＳＲ２５基であり、全てのＲ２５は独立して、水素、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ２４は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記Ｒ２５は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成する、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
反応は、クリプタンド、クラウンエーテル、封じ込め配位子、線状オリゴエーテル、線状ポリエーテル、化合物Ｒ９Ｏ（（ＣＲ１０２）ｋＯ）ｍＲ９、化合物Ｒ９（ＮＲ１１）（（ＣＲ１０２）ｋ（ＮＲ１１））ｍＲ９、化合物Ｒ９Ｎ［（（ＣＲ１０２）ｋＯ）ｍ（ＣＲ１０２）ｋ］２ＮＲ９、及び化合物Ｎ［（（ＣＲ１０２）ｋＯ）ｍ（ＣＲ１０２）ｋ］３Ｎからなる群から選択される可溶化剤の存在下で実行され、ｋ及びｍは１〜２０の数であり、全てのＲ９及びＲ１１は、独立して、ヒドロカルビル基または置換ヒドロカルビル基であり、全てのＲ１０は、独立して、水素化物基、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ９、Ｒ１０、及びＲ１１は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
重合の生成物を水素化物の源と反応させることをさらに含み、水素化物の前記源は、ＬｉＨ、ＮａＨ、ＫＨ、ＬｉＡｌＨ４、ＮａＢＨ４、ＮａＡｌＨ２（ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ３）２、ＨｎＭ２ｐＸ２ｑＲ１２ｒ、及びＨｎＭ２ｐＭ３ｓＸ２ｑＲ１２ｒからなる群から選択され、ｎ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは独立して、０〜２０の数であり、Ｍ２及びＭ３は、独立して、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、及びＳｎからなる群から選択され、全てのＸ２は独立して選択されたハロゲンであり、全てのＲ１２は独立して、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ＮＲ１３２基、またはＯＲ１３基であり、全てのＲ１３は独立して、ヒドロカルビル基または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ１２及びＲ１３基は、複数のＯ原子、Ｎ原子またはこれらの組合せで所望により置換され、前記Ｒ１２は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記Ｒ１３は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
重合の前記生成物をハロゲン化することをさらに含み、前記ハロゲン化は、重合の前記生成物を、ＨＸ３、Ｒ１４（Ｃ＝Ｏ）Ｘ３、及びＨＸ５とＭ６Ｘ３の組合せからなる群から選択されるハロゲン化剤と反応させることによって実行され、Ｘ３はハロゲンであり、Ｘ５は、ＯＭｓメタンスルホネート基、ＯＴｆトリフルオロメタンスルホネート基、またはＯＴｓトルエンスルホネート基であり、Ｍ６は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、またはＲｂであり、Ｒ１４は、水素化物基、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２５】
前記ハロゲン化は、Ｍ４ｔＸ４ｕを含む触媒組成物によって促進され、Ｍ４は、元素の周期表の３族〜１３族の金属及びメタロイド、ランタニド、並びにアクチニドからなる群から選択され、Ｘ４はハロゲンであり、ｔは、１〜５の数であり、ｕは、１〜３０の数である、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
ハロゲン化の生成物を水素化物の源と反応させることをさらに含み、前記水素化物の源は、ＬｉＨ、ＮａＨ、ＫＨ、ＬｉＡｌＨ４、ＮａＢＨ４、ＮａＡｌＨ２（ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ３）２、ＨｎＭ２ｐＸ２ｑＲ１２ｒ、及びＨｎＭ２ｐＭ３ｓＸ２ｑＲ１２ｒからなる群から選択され、ｎ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは独立して、０〜２０の数であり、Ｍ２及びＭ３は、独立して、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、及びＳｎからなる群から選択され、全てのＸ２は、独立して選択されたハロゲンであり、全てのＲ１２は独立して、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ＮＲ１３２基、またはＯＲ１３基であり、全てのＲ１３は独立して、ヒドロカルビル基または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ１２及びＲ１３基は、複数のＯ原子、Ｎ原子またはこれらの組合せで所望により置換され、前記Ｒ１２は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記Ｒ１３は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成する、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
ｖは、８〜１０００００の平均を有する数の分布である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２８】
導体、半導体、及び誘電体からなる群から選択される膜及び物体の製造方法であって：
（ａ）液体材料を基板の上に適用して、適用された物体を形成し、前記液体材料は、請求項１９に記載の方法によって形成される組成物を含むことと；
（ｂ）前記適用された物体を、アモルファスの水素化された物体を形成するのに十分に加熱することと；を含む方法。
【請求項２９】
式ＩＶ：
【化５】
［式中、ｖは２〜１００００００の平均を有する数の分布であり、全てのＥは、独立して、Ｓｉ及びＧｅ原子からなる群から選択され、全ての基Ｒ１５は、Ｒ１９、Ｒ２０、またはＲ２１であり；全ての基Ｒ２８は、水素、ハロゲン、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ＳｉＲ２９３基、ＧｅＲ２９３基、ＮＲ２９２基、ＰＲ２９２基、ＯＲ２９基、またはＳＲ２９基であり、全てのＲ２９は独立して、水素、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記基Ｒ２８は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記基Ｒ２９は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記基Ｒ１５は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成する。］
によって表される化合物の製造方法であって、
式Ｖ
【化６】
［式中、全てのＥは、独立して、Ｓｉ原子及びＧｅ原子からなる群から選択され、ｉは、１〜２０の数であり、全てのＲ１７及びＲ１８は独立して、水素、ハロゲン、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ１７及びＲ１８は、複数のＯ原子、Ｎ原子またはこれらの組合せで所望により置換され、前記Ｒ１８は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、全てのＲ１９基は独立して、ハロゲン、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、置換アルキニル基、芳香族ヒドロカルビル基、置換芳香族ヒドロカルビル基、複素環式芳香族ヒドロカルビル基、置換複素環式芳香族ヒドロカルビル基、ＳｉＲ２２３基、ＧｅＲ２２３基、ＰＲ２２２基、ＮＲ２２２基、ＯＲ２２基、またはＳＲ２２基であり、全てのＲ２２は独立して、水素、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ１９は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記Ｒ２２は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、全てのＲ２０基は独立して、ハロゲン、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、置換アルキニル基、芳香族ヒドロカルビル基、置換芳香族ヒドロカルビル基、複素環式芳香族ヒドロカルビル基、置換複素環式芳香族ヒドロカルビル基、ＳｉＲ２３３基、ＧｅＲ２３３基、ＰＲ２３２基、ＮＲ２３２基、ＯＲ２３基、またはＳＲ２３基であり、全てのＲ２３は独立して、水素、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ２０は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記Ｒ２３は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、全てのＲ２１基は独立して、ハロゲン、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、置換アルキニル基、芳香族ヒドロカルビル基、置換芳香族ヒドロカルビル基、複素環式芳香族ヒドロカルビル基、置換複素環式芳香族ヒドロカルビル基、ＳｉＲ１６３基、ＧｅＲ１６３基、ＰＲ１６２基、ＮＲ１６２基、ＯＲ１６基、またはＳＲ１６基であり、全てのＲ１６は独立して、水素、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ１６は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成する。］
によって表される化合物からなる群から選択されるモノマーまたはモノマーの組合せを重合することと；
ポリマーを試薬と反応させて、Ｒ１５基を水素で置き換え、反応工程は、水素化物の源との直接反応、または、まず前記ポリマーを反応させて、Ｒ１５をハロゲンで置き換え、続いてハロゲン化ポリマーと水素化物の源とを反応させることを含むことと；を含む、方法。
【請求項３０】
導体、半導体、及び誘電体からなる群から選択される膜及び物体の製造方法であって：
（ａ）液体材料を基板の上に適用して、適用された物体を形成し、前記液体材料は、請求項２９に記載の方法によって形成される組成物を含むことと；
（ｂ）前記適用された物体を、アモルファスの水素化された物体を形成するのに十分に加熱することと；を含む方法。
【請求項１】
架橋済みポリマーを含む組成物において、該ポリマーは：
（ａ）原子の線状鎖であって、該原子は、独立して、Ｓｉ原子及びＧｅ原子からなる群から選択され、原子の前記鎖は、異なる鎖からの原子同士の間の直接結合によって互いに架橋する、原子の線状鎖と；
（ｂ）側鎖Ｒであって、Ｒ基は、前記鎖中の前記原子と直接に結合して、前記鎖中の前記原子の原子価を完全なものにし、但し、前記Ｒ基が全て独立して、水素、ハロゲン、芳香族ヒドロカルビル基、または置換芳香族ヒドロカルビル基のみからなる群から選択される場合、架橋度は、線状鎖原子の約１０％以下を含む、側鎖Ｒと；を含む、組成物。
【請求項２】
前記線状鎖中の前記Ｓｉ及びＧｅ原子の平均数は５０を超える、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記Ｒ基は、独立して、水素、ハロゲン、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、置換アルキニル基、芳香族ヒドロカルビル基、置換芳香族ヒドロカルビル基、複素環式芳香族ヒドロカルビル基、置換複素環式芳香族ヒドロカルビル基、ＳｉＲ１３基、ＧｅＲ１３基、ＮＲ１２基、ＰＲ１２基、ＯＲ１基、及びＳＲ１基からなる群から選択され、全てのＲ１は、独立して、水素、ヒドロカルビル基、及び置換ヒドロカルビル基からなる群から選択され、前記Ｒ基は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記Ｒ１は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成する、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記Ｒ基はＨである、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記架橋度は、本質的に環状物は、環式基中の１２個以下の原子を有する架橋によって形成されない程十分低い、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
導体、半導体、及び誘電体からなる群から選択される膜及び物体の製造方法であって：
（ａ）液体材料を基板の上に適用して、適用された物体を形成し、前記材料は、請求項１に記載のポリマーを含むことと；
（ｂ）前記適用された物体を、アモルファスの水素化された物体を形成するのに十分に加熱することと；を含む方法。
【請求項７】
前記加熱は、Ｓｉ、Ｇｅ若しくはこれらの合金を製造するためのＨ２；対応する酸化物を製造するための空気、Ｏ２、若しくはＯ３；または対応する窒化物を製造するためのＮＨ３若しくはＮ２Ｈ６の存在下で実行される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記アモルファスの水素化された物体を、少なくとも部分的に結晶化する及び／または前記導体、半導体、または誘電体の水素含量を低減するのに十分に加熱及び／または照射することによってアニーリングすることをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記照射は、実質的に多結晶性の材料中のアモルファス材料を転換するために結晶化を実行するために、レーザーを用いて実行される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記液体材料は、有機溶媒、表面張力調整剤及びＢ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂまたはこれらの組合せを含む化合物を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
同時にまたは後に紫外線照射を用いて前記液体材料を照射して、前記液体材料を前記基板に適用することをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
式Ｉ：
【化１】
［式中、全てのＥは、独立して、Ｓｉ原子及びＧｅ原子からなる群から選択され、Ｒ基は、独立して、水素、ハロゲン、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、置換アルキニル基、芳香族ヒドロカルビル基、置換芳香族ヒドロカルビル基、複素環式芳香族ヒドロカルビル基、置換複素環式芳香族ヒドロカルビル基、ＳｉＲ１３基、ＧｅＲ１３基、ＮＲ１２基、ＰＲ１２基、ＯＲ１基、またはＳＲ１基であり、全てのＲ１基は独立して、水素、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ基は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記Ｒ１は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、平均ａは、２〜１，０００，０００の数であり、前記Ｒ基の部分は、ポリマー鎖同士の間の架橋結合で置き換えられ、架橋鎖は、−（ＥＲ２）ａ’−ポリマー鎖を含み、Ｒ’は独立して上記の群から選択され、ａ’は１〜約１０００の平均を有する数の分布である。］
によって表される架橋済みポリマーの製造方法であって、
モノマーを含む反応性組成物を重合し、該モノマーは、式ＩＩによって表されるモノマーまたは式ＩＩＩによって表されるモノマー：
【化２】
［式中、全てのＸは独立して、ハロゲンであり、全てのＥは独立して、Ｓｉ原子またはＧｅ原子であり、全てのＲ基は、独立して、上記に指定したように選択され、ｃは、０〜１００の数である。］であることと；
重合の生成物を水素化物の源と反応させて前記Ｒ基をＨで置き換えることと；を含む方法。
【請求項１３】
前記重合は、電気分解を行うための、またはＬｉ、Ｎａ、Ｎａ／Ｋ合金、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、及びＡｌからなる群から選択される重合反応物と式ＩＩのモノマーのための、またはＣｐ２ＭＨ２、ＣｐＣｐ＊ＭＨ２、Ｃｐ２Ｍ（ＣＨ３）２、ＣｐＣｐ＊Ｍ（ＣＨ３）２、Ｃｐ２Ｍ（Ｃ６Ｈ５）２、ＣｐＣｐ＊Ｍ（Ｃ６Ｈ５）２、Ｃｐ２Ｍ（Ｃ２Ｈ５）２、ＣｐＣｐ＊Ｍ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃｐ２Ｍ（Ｃ３Ｈ７）２、ＣｐＣｐ＊Ｍ（Ｃ３Ｈ７）２、Ｃｐ２Ｍ（Ｃ４Ｈ９）２、ＣｐＣｐ＊Ｍ（Ｃ４Ｈ９）２、Ｒ２ｄＲ３ｅＭ、Ｒ２ｄＲ３ｅＭｆ＋Ａｆ−、これらのその場で合成された類似体、及びこれらの固定化誘導体と式ＩＩＩのモノマーのための装置を用いて駆動され、ＣｐはＣ５Ｈ５シクロペンタジエニルであり、Ｃｐ＊はＣ５（ＣＨ３）５ペンタメチルシクロペンタジエニル基であり、Ｍは、元素の周期表の３族〜１３族の金属及びメタロイド、ランタニド、並びにアクチニドからなる群から選択され；ｄ及びｅは、０〜１０の整数であり、ｆは、０〜２の数であり、全てのＲ２は、独立して、ＳｉＲ４３基、ＧｅＲ４３基、ＮＲ４基、ＮＲ４２基、ＮＲ４３基、ＰＲ４基、ＰＲ４２基、ＰＲ４３基、ＯＲ４基、ＳＲ４基、及びシクロペンタジエニル基または式Ｃ５ＨｇＲ４５−ｇによって表される置換シクロペンタジエニル基であり、前記Ｒ２は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、ｇは、０〜５の整数であり、全てのＲ４は、独立して、水素、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ＯＲ５基、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ５基、ＣＯ２Ｒ５基、ＳｉＲ５３基、ＧｅＲ５３基、またはＮＲ５２基からなる群から選択され；Ｒ４基は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、全てのＲ５は独立して、水素、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、Ｒ５基は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、Ｒ３は独立して、ＣＯ基、Ｒ６ＣＮ基、Ｒ６ＮＣ基、水素化物基、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ＳｉＲ６３基、ＧｅＲ６３基、ＮＲ６基、ＮＲ６２基、ＮＲ６３基、ＰＲ６基、ＰＲ６２基、ＰＲ６３基、ＯＲ６基、またはＳＲ６基であり、前記Ｒ３は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、ここで、全てのＲ６は、独立して、水素、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ＯＲ７基、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７基、ＣＯ２Ｒ７基、ＳｉＲ７３基、ＧｅＲ７３基、またはＮＲ７２基であり、前記Ｒ６は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、全てのＲ７は独立して、水素、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ７は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、Ａｆ−は、ＢＦ４−、ＰＦ６−、ＳｂＦ６−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＢ１１Ｈ１２−、ＣＢ９Ｈ１０−、ＣＢ９Ｈ５Ｘ１５−、ＣＢ１１Ｈ６Ｘ１６−、Ｂ（Ｃ６Ｆ５）４−、及び［（Ｍ１）ｈＺ１Ｚ２．．．Ｚｊ］ｆ−からなる群から選択される陰イオンであり、Ｘ１はハロゲンであり、Ｍ１は、Ｂ、Ａｌ、またはＧａであり、ｈは、０〜４の数であり、ｊは、０〜１２の整数であるか、またはｊは４であり、Ｚ１〜Ｚｊは独立して、Ｈ、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ハロゲン、ハロゲン置換ヒドロカルビル基、ハロゲン置換ヒドロカルビルオルガノメタロイド基、ＯＲ８、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８、ＣＯ２Ｒ８、及びＮＲ８２であり、ここで、全てのＲ８は、Ｈ、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、及びハロゲン置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｚ１〜Ｚｊは所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記反応性組成物は、クリプタンド、クラウンエーテル、封じ込め配位子、線状オリゴエーテル、線状ポリエーテル、化合物Ｒ９Ｏ（（ＣＲ１０２）ｋＯ）ｍＲ９、化合物Ｒ９（ＮＲ１１）（（ＣＲ１０２）ｋ（ＮＲ１１））ｍＲ９、化合物Ｒ９Ｎ［（（ＣＲ１０２）ｋＯ）ｍ（ＣＲ１０２）ｋ］２ＮＲ９、及び化合物Ｎ［（（ＣＲ１０２）ｋＯ）ｍ（ＣＲ１０２）ｋ］３Ｎからなる群から選択される可溶化剤を含み、ｋ及びｍは１〜２０の数であり、全てのＲ９及びＲ１１は、独立して、ヒドロカルビル基または置換ヒドロカルビル基であり、全てのＲ１０は、独立して、水素化物基、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ９、Ｒ１０、及びＲ１１は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
水素化物の前記源は、ＬｉＨ、ＮａＨ、ＫＨ、ＬｉＡｌＨ４、ＮａＢＨ４、ＮａＡｌＨ２（ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ３）２、ＨｎＭ２ｐＸ２ｑＲ１２ｒ、及びＨｎＭ２ｐＭ３ｓＸ２ｑＲ１２ｒからなる群から選択され、ｎ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは独立して、０〜２０の数であり、Ｍ２及びＭ３は独立して、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、またはＳｎであり、全てのＸ２は独立して、ハロゲンであり、全てのＲ１２は独立して、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ＮＲ１３２基、またはＯＲ１３基であり、全てのＲ１３は独立して、ヒドロカルビル基または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ１２及びＲ１３基は、複数のＯ及びＮ原子で所望により置換され、前記Ｒ１２は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記Ｒ１３は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
水素化物の前記源と反応させる前に重合の前記生成物をハロゲン化することをさらに含み、前記ハロゲン化は、重合の前記生成物をハロゲン化源と反応させることによって実行され、前記ハロゲン源は、ＨＸ３、Ｒ１４（Ｃ＝Ｏ）Ｘ３、またはＨＸ５とＭ６Ｘ３の組合せであり、Ｘ３は独立して、ハロゲンであり、Ｘ５は、ＯＭｓメタンスルホネート基、ＯＴｆトリフルオロメタンスルホネート基、またはＯＴｓトルエンスルホネート基であり；Ｍ６は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、またはＲｂであり；Ｒ１４は、水素化物基、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記ハロゲン化は、Ｍ４ｔＸ４ｕを含む触媒組成物によって促進され、Ｍ４は、元素の周期表の３族〜１３族の金属及びメタロイド、ランタニド、並びにアクチニドからなる群から選択され、Ｘ４は独立して、ハロゲンであり、ｔは、１〜５の数であり、ｕは、１〜３０の数である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
水素化物の前記源と反応させる前に重合の前記生成物をハロゲン化することをさらに含み、前記ハロゲン化は、重合の前記生成物をハロゲン化源と反応させることによって実行され、前記ハロゲン源は、ＨＸ３、Ｒ１４（Ｃ＝Ｏ）Ｘ３、またはＨＸ５とＭ６Ｘ３の組合せであり、Ｘ３は独立して、ハロゲンであり、Ｘ５は、ＯＭｓメタンスルホネート基、ＯＴｆトリフルオロメタンスルホネート基、またはＯＴｓトルエンスルホネート基であり；Ｍ６は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、またはＲｂであり；Ｒ１４は、水素化物基、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、
前記モノマーは、限定するものではなく前記式ＩＩによって表されるかまたは、
前記モノマーは前記式ＩＩＩによって表されるが、前記モノマーの前記Ｒ基は、芳香族ヒドロカルビル基でも、置換芳香族ヒドロカルビル基でもない、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
式ＩＶ：
【化３】
［式中、ｖは２〜１００００００の平均を有する数の分布であり、全てのＥは、独立して、Ｓｉ及びＧｅ原子からなる群から選択され、全ての基Ｒ１５は、Ｒ１９、Ｒ２０、またはＲ２１であり；全ての基Ｒ２８は、水素、ハロゲン、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ＳｉＲ２９３基、ＧｅＲ２９３基、ＮＲ２９２基、ＰＲ２９２基、ＯＲ２９基、またはＳＲ２９基であり、全てのＲ２９は独立して、水素、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記基Ｒ２８は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記基Ｒ２９は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記基Ｒ１５は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成する。］
によって表される化合物の製造方法であって、
式Ｖ’
【化４】
［式中、ｉは、１〜２０の数であり、少なくとも１つのＦ／分子はＧｅ原子であり、少なくとも１つのＧ／分子はＳｉ原子である以外は全てのＧは独立して、Ｓｉ原子またはＧｅ原子であり、但し、ｉ＝ｌである場合ＧはＳｉまたはＧｅとすることができ、ｉは、１〜２０の数であり、全てのＲ１７及びＲ１８は独立して、水素、ハロゲン、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ１７及びＲ１８は、複数のＯ原子、Ｎ原子またはこれらの組合せで所望により置換され、前記Ｒ１８は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、全てのＲ１９基は独立して、水素、ハロゲン、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、置換アルキニル基、芳香族ヒドロカルビル基、置換芳香族ヒドロカルビル基、複素環式芳香族ヒドロカルビル基、置換複素環式芳香族ヒドロカルビル基、ＳｉＲ２２３基、ＧｅＲ２２３基、ＮＲ２２２基、ＰＲ２２２基、ＯＲ２２基、またはＳＲ２２基であり、全てのＲ２２は独立して、水素、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ１９は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記Ｒ２２は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、全てのＲ２０基は独立して、複素環式芳香族ヒドロカルビル基、置換複素環式芳香族ヒドロカルビル基、ＧｅＲ２３３基、ＮＲ２３２基、ＰＲ２３２基、またはＳＲ２３基であり、全てのＲ２３は独立して、水素、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ２０は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記Ｒ２３は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、全てのＲ２１基は独立して、複素環式芳香族ヒドロカルビル基、置換複素環式芳香族ヒドロカルビル基、ＧｅＲ１６３基、ＮＲ１６２基、ＰＲ１６２基、またはＳＲ１６基であり、全てのＲ１６は独立して、水素、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ１６は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成する。］
によって表される化合物からなる群から選択されるモノマーまたはモノマーの組合せを重合することを含む、方法。
【請求項２０】
重合工程は、前記モノマーを触媒と混合することによって実行される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記触媒は、Ｒ２４ＷＭ５、Ｒ２４ＷＭ５Ｘ２、Ｒ２４４ＮＦ、ＬｉＡｌＨ４、ＮａＢＨ４、ＮａＡｌＨ２（ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ３）２、ＨｎＭ２ｐＸ２ｑＲ１２ｒ、ＨｎＭ２ｐＭ３ｓＸ２ｑＲ１２ｒ、ＨＸ２、ＨＢＦ４、ＨＰＦ６、ＨＳｂＦ６、ＣＦ３ＳＯ３Ｈ、またはＣＦ３（ＣＯ）Ｈであり、ｎ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは独立して、０〜２０の数であり、ｗは、１〜４の数であり、Ｍ２、Ｍ３、及びＭ５は、独立して、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、及びＳｎからなる群から選択され、全てのＸ２は独立して選択されたハロゲンであり、全てのＲ１２は、独立して、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ＮＲ１３２基、またはＯＲ１３基であり、全てのＲ１３は独立して、ヒドロカルビル基または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ１２及びＲ１３基は、複数のＯ原子、Ｎ原子またはこれらの組合せで所望により置換され、前記Ｒ１２は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記Ｒ１３は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、全てのＲ２４は独立して、水素、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ＳｉＲ２５３基、ＧｅＲ２５３基、ＮＲ２５２基、ＰＲ２５２基、ＯＲ２５基、またはＳＲ２５基であり、全てのＲ２５は独立して、水素、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ２４は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記Ｒ２５は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成する、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
反応は、クリプタンド、クラウンエーテル、封じ込め配位子、線状オリゴエーテル、線状ポリエーテル、化合物Ｒ９Ｏ（（ＣＲ１０２）ｋＯ）ｍＲ９、化合物Ｒ９（ＮＲ１１）（（ＣＲ１０２）ｋ（ＮＲ１１））ｍＲ９、化合物Ｒ９Ｎ［（（ＣＲ１０２）ｋＯ）ｍ（ＣＲ１０２）ｋ］２ＮＲ９、及び化合物Ｎ［（（ＣＲ１０２）ｋＯ）ｍ（ＣＲ１０２）ｋ］３Ｎからなる群から選択される可溶化剤の存在下で実行され、ｋ及びｍは１〜２０の数であり、全てのＲ９及びＲ１１は、独立して、ヒドロカルビル基または置換ヒドロカルビル基であり、全てのＲ１０は、独立して、水素化物基、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ９、Ｒ１０、及びＲ１１は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
重合の生成物を水素化物の源と反応させることをさらに含み、水素化物の前記源は、ＬｉＨ、ＮａＨ、ＫＨ、ＬｉＡｌＨ４、ＮａＢＨ４、ＮａＡｌＨ２（ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ３）２、ＨｎＭ２ｐＸ２ｑＲ１２ｒ、及びＨｎＭ２ｐＭ３ｓＸ２ｑＲ１２ｒからなる群から選択され、ｎ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは独立して、０〜２０の数であり、Ｍ２及びＭ３は、独立して、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、及びＳｎからなる群から選択され、全てのＸ２は独立して選択されたハロゲンであり、全てのＲ１２は独立して、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ＮＲ１３２基、またはＯＲ１３基であり、全てのＲ１３は独立して、ヒドロカルビル基または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ１２及びＲ１３基は、複数のＯ原子、Ｎ原子またはこれらの組合せで所望により置換され、前記Ｒ１２は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記Ｒ１３は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
重合の前記生成物をハロゲン化することをさらに含み、前記ハロゲン化は、重合の前記生成物を、ＨＸ３、Ｒ１４（Ｃ＝Ｏ）Ｘ３、及びＨＸ５とＭ６Ｘ３の組合せからなる群から選択されるハロゲン化剤と反応させることによって実行され、Ｘ３はハロゲンであり、Ｘ５は、ＯＭｓメタンスルホネート基、ＯＴｆトリフルオロメタンスルホネート基、またはＯＴｓトルエンスルホネート基であり、Ｍ６は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、またはＲｂであり、Ｒ１４は、水素化物基、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２５】
前記ハロゲン化は、Ｍ４ｔＸ４ｕを含む触媒組成物によって促進され、Ｍ４は、元素の周期表の３族〜１３族の金属及びメタロイド、ランタニド、並びにアクチニドからなる群から選択され、Ｘ４はハロゲンであり、ｔは、１〜５の数であり、ｕは、１〜３０の数である、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
ハロゲン化の生成物を水素化物の源と反応させることをさらに含み、前記水素化物の源は、ＬｉＨ、ＮａＨ、ＫＨ、ＬｉＡｌＨ４、ＮａＢＨ４、ＮａＡｌＨ２（ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ３）２、ＨｎＭ２ｐＸ２ｑＲ１２ｒ、及びＨｎＭ２ｐＭ３ｓＸ２ｑＲ１２ｒからなる群から選択され、ｎ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは独立して、０〜２０の数であり、Ｍ２及びＭ３は、独立して、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、及びＳｎからなる群から選択され、全てのＸ２は、独立して選択されたハロゲンであり、全てのＲ１２は独立して、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ＮＲ１３２基、またはＯＲ１３基であり、全てのＲ１３は独立して、ヒドロカルビル基または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ１２及びＲ１３基は、複数のＯ原子、Ｎ原子またはこれらの組合せで所望により置換され、前記Ｒ１２は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記Ｒ１３は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成する、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
ｖは、８〜１０００００の平均を有する数の分布である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２８】
導体、半導体、及び誘電体からなる群から選択される膜及び物体の製造方法であって：
（ａ）液体材料を基板の上に適用して、適用された物体を形成し、前記液体材料は、請求項１９に記載の方法によって形成される組成物を含むことと；
（ｂ）前記適用された物体を、アモルファスの水素化された物体を形成するのに十分に加熱することと；を含む方法。
【請求項２９】
式ＩＶ：
【化５】
［式中、ｖは２〜１００００００の平均を有する数の分布であり、全てのＥは、独立して、Ｓｉ及びＧｅ原子からなる群から選択され、全ての基Ｒ１５は、Ｒ１９、Ｒ２０、またはＲ２１であり；全ての基Ｒ２８は、水素、ハロゲン、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ＳｉＲ２９３基、ＧｅＲ２９３基、ＮＲ２９２基、ＰＲ２９２基、ＯＲ２９基、またはＳＲ２９基であり、全てのＲ２９は独立して、水素、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記基Ｒ２８は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記基Ｒ２９は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記基Ｒ１５は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成する。］
によって表される化合物の製造方法であって、
式Ｖ
【化６】
［式中、全てのＥは、独立して、Ｓｉ原子及びＧｅ原子からなる群から選択され、ｉは、１〜２０の数であり、全てのＲ１７及びＲ１８は独立して、水素、ハロゲン、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ１７及びＲ１８は、複数のＯ原子、Ｎ原子またはこれらの組合せで所望により置換され、前記Ｒ１８は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、全てのＲ１９基は独立して、ハロゲン、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、置換アルキニル基、芳香族ヒドロカルビル基、置換芳香族ヒドロカルビル基、複素環式芳香族ヒドロカルビル基、置換複素環式芳香族ヒドロカルビル基、ＳｉＲ２２３基、ＧｅＲ２２３基、ＰＲ２２２基、ＮＲ２２２基、ＯＲ２２基、またはＳＲ２２基であり、全てのＲ２２は独立して、水素、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ１９は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記Ｒ２２は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、全てのＲ２０基は独立して、ハロゲン、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、置換アルキニル基、芳香族ヒドロカルビル基、置換芳香族ヒドロカルビル基、複素環式芳香族ヒドロカルビル基、置換複素環式芳香族ヒドロカルビル基、ＳｉＲ２３３基、ＧｅＲ２３３基、ＰＲ２３２基、ＮＲ２３２基、ＯＲ２３基、またはＳＲ２３基であり、全てのＲ２３は独立して、水素、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ２０は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、前記Ｒ２３は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成し、全てのＲ２１基は独立して、ハロゲン、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、置換アルキニル基、芳香族ヒドロカルビル基、置換芳香族ヒドロカルビル基、複素環式芳香族ヒドロカルビル基、置換複素環式芳香族ヒドロカルビル基、ＳｉＲ１６３基、ＧｅＲ１６３基、ＰＲ１６２基、ＮＲ１６２基、ＯＲ１６基、またはＳＲ１６基であり、全てのＲ１６は独立して、水素、ヒドロカルビル基、または置換ヒドロカルビル基であり、前記Ｒ１６は所望により互いに結合して、安定な橋かけ基を形成する。］
によって表される化合物からなる群から選択されるモノマーまたはモノマーの組合せを重合することと；
ポリマーを試薬と反応させて、Ｒ１５基を水素で置き換え、反応工程は、水素化物の源との直接反応、または、まず前記ポリマーを反応させて、Ｒ１５をハロゲンで置き換え、続いてハロゲン化ポリマーと水素化物の源とを反応させることを含むことと；を含む、方法。
【請求項３０】
導体、半導体、及び誘電体からなる群から選択される膜及び物体の製造方法であって：
（ａ）液体材料を基板の上に適用して、適用された物体を形成し、前記液体材料は、請求項２９に記載の方法によって形成される組成物を含むことと；
（ｂ）前記適用された物体を、アモルファスの水素化された物体を形成するのに十分に加熱することと；を含む方法。
【公表番号】特表２００９−５１１６７０（Ｐ２００９−５１１６７０Ａ）
【公表日】平成２１年３月１９日（２００９．３．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−５３４６７１（Ｐ２００８−５３４６７１）
【出願日】平成１８年１０月５日（２００６．１０．５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００６／０３８８７８
【国際公開番号】ＷＯ２００７／０４４４２９
【国際公開日】平成１９年４月１９日（２００７．４．１９）
【出願人】（５０７２０５８０７）ナノグラム・コーポレーション (3)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２１年３月１９日（２００９．３．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１０月５日（２００６．１０．５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００６／０３８８７８
【国際公開番号】ＷＯ２００７／０４４４２９
【国際公開日】平成１９年４月１９日（２００７．４．１９）
【出願人】（５０７２０５８０７）ナノグラム・コーポレーション (3)
【Ｆターム（参考）】
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