【課題】簡易にしかも安価に作製することができるアモルファスカーボン薄膜作製方法を提供する。
【解決手段】超臨界流体セル６の流体層５内に二酸化炭素及び炭化水素を封入し超臨界状態を形成する工程と、流体層５内に紫外波長のレーザー光を照射する工程と、を含むアモルファスカーボン薄膜作製方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置等において、薄型で容量が大きく、かつ、少ないスルーホール発生率の誘電体膜を提供する。
【解決手段】第１の基体、第１の誘電体材料からなる第１の基体上の誘電体層であって、誘電体層が誘電体膜厚を有し、第１の基体との境界面から誘電体層の半対面まで通じるスルーホールに貫通される誘電体層、及び、スルーホールを少なくとも部分的に塞ぐ第２の誘電体材料からなる装置、並びに、そのような装置を作製する方法。 （もっと読む）

【課題】低コストで安定した品質の薄膜を製造することができる薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜製造方法であって、基板２０上に形成させる薄膜の原料溶液中に、基板２０を配置する配置工程と、基板２０の第１主面２０ａに光を照射することにより、第１主面２０ａ上に薄膜を形成する形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】低コストで安定した品質の薄膜を製造することができる薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜製造方法であって、基板２０上に形成させる薄膜の原料溶液中に、基板２０を配置する配置工程と、第１光源１３から原料溶液中の溶媒の光吸収率が所定の閾値以上となる波長の第１の光を照射し、第２光源１４から第１の光に比べて溶媒の光吸収率が低い波長の第２の光を照射することにより、基板２０の第１主面２０ａ上に薄膜を形成する第１形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】配線表面の酸化膜を除去する際の低誘電率絶縁膜の変質を抑える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０上のＳｉＯＣ膜１１表面に配線１２を形成する工程と、配線１２が表面に形成されたＳｉＯＣ膜１１を希ガス、又は希ガスとＮ_２ガスの混合ガスを含むプラズマに曝してＳｉＯＣ膜１１表面に緻密層１４を形成する工程と、緻密層１４が形成された後に、配線１２の表面に形成された酸化膜１３を除去する工程と、酸化膜１３が除去された配線１２、及び緻密層１４上に絶縁膜としての拡散防止膜１５を形成する工程と、を含み、酸化膜１３を除去する工程から拡散防止膜１５を形成する工程までが、大気に暴露されることなく行われる。 （もっと読む）

【課題】バリア膜を良好に形成することができながら、Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を低減することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉおよびＯを含む第２絶縁層６に、第２溝１１およびビアホール１２が形成された後、Ｍｎからなる金属膜１８が第２溝１１およびビアホール１２の側面および底面に被着される。次いで、金属膜１８中のＭｎと第２絶縁層６中のＳｉおよびＯとを結合させるための熱処理が行われる。この熱処理の結果、第２溝１１およびビアホール１２の内面上に、ＭｎＳｉＯからなるバリア膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】溝を埋め尽くすように形成されるＣｕ層中のＭｎの残留量の増加を生じることなく、溝の側面上における合金膜の膜剥がれの発生を防止することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉおよびＯを含む絶縁材料からなる第２絶縁層６に、第２溝１１が形成される。次に、スパッタ法により、第２溝１１の内面に、ＣｕＭｎ合金からなる合金膜１８が被着される。この合金膜１８は、第２溝１１の内面に接する部分のＭｎ濃度が相対的に高く、その表層部分のＭｎ濃度が相対的に低くなるように形成される。次いで、合金膜１８上に、Ｃｕからなる第２配線１４が形成される。第２配線１４の形成後、熱処理により、第２配線と第２絶縁層６との間に、ＭｎＳｉＯからなる第２バリア膜１３が形成される。 （もっと読む）

本製造方法は、厚さ１００ｎｍ未満の金属酸化物活性層を有する半導体装置の製造に用いられ、その上部主要表面および下部主要表面は、下部界面および上部界面を形成するための接合する材料を有する。本製造方法は、金属酸化物活性層のために金属酸化物を選択することにより、および、接合する材料のために特定の材料を選択することにより、下部界面と上部界面との界面相互作用を制御することを含む。さらに、本方法は、下部界面の成分を形成する下部材料の表面処理によって下部界面内の相互作用を制御する段階、および、金属酸化物層上の材料の堆積に先立って実行される金属酸化物フィルムの表面処理によって上部界面の相互作用を制御する段階、の一方または両方の段階を含む。
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【課題】簡易にしかも安価に作製することができるアモルファスカーボン薄膜作製方法を提供する。
【解決手段】超臨界流体セル６の流体層５内に二酸化炭素及び炭化水素を封入し超臨界状態を形成する工程と、流体層５内に紫外波長のレーザー光を照射する工程と、を含むアモルファスカーボン薄膜作製方法。 （もっと読む）

【課題】超臨界成膜法を用いて基板上にアモルファス膜を形成するにあたり、形成したアモルファス膜のモフォロジーを悪化させることなく、膜中の不純物量を低減し、膜密度を向上させることによって、膜の電気特性を改善させることができる方法および装置を提供する。
【解決手段】（ａ）膜前駆体を超臨界流体に溶解させた前駆体溶液を成膜チャンバ内に供給して、基板上にアモルファス膜を成膜する工程と、（ｂ）熱処理雰囲気ガス下、前記アモルファス膜をその結晶化温度より低い温度で熱処理する工程とを有する方法により、基板上にアモルファス膜を形成する。前記工程（ｂ）は前記成膜チャンバ内で行ってもよく、前記成膜チャンバとは異なる熱処理チャンバ内で行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体の存在下に被処理基板に対して成膜工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の加工を容易に行うことのできる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板の製造方法は、基板が設置された反応室内に超臨界流体を充填し、該超臨界流体に溶解させた原料を基板の表面近傍で反応させることで基板の表面を加工する基板の製造方法であって、基板を、反応室内の天井部１０に基板の表面を下方に向けて設置するものである。 （もっと読む）

【解決手段】窒素ドープされた多結晶シリコンおよび該多結晶シリコンからなる多結晶シリコン基体。好ましくは、赤外吸収スペクトルにおいて、９６３±５ｃｍ^-1および／または９３８±５ｃｍ^-1の波数位置にピークを有する。ならびに、窒素含有シリコン融液を調製する工程を含む多結晶シリコン基体の製造方法、および上記基体を用いた光電変換素子。
【効果】窒素ドープされた多結晶シリコン基体を用いた光電変換素子は、従来と比較して変換効率が高く、コストパフォーマンスが高い。 （もっと読む）

【課題】一般的に、二酸化ケイ素を原子層堆積法によって堆積する方法であって、触媒としてピリジンを与えることによって、低温で堆積しつつ、水を酸化源として利用することができる方法を提供する。
【解決手段】基板を水にさらす前に、基板をピリジン浸漬プロセス３２０にさらし、更に、水をピリジンとともに別々のコンジットを通してチャンバに並流させ、チャンバに入る前の相互作用を減じる。変形例では、ピリジンをピリジンと反応しないシリコン前駆体とともに並流させてもよい。 （もっと読む）

【課題】溶射プロセスにおいて液体前駆体をプラズマ・トーチのプラズマ・ガス流内に完全に浸透させること。
【解決手段】プラズマ溶射デバイス１は、加熱区域６内でプラズマ・ガス５を加熱するためのプラズマ・トーチ４を含み、このプラズマ・トーチ４は、プラズマ・ガス流８を生成するためのノズル本体７を含み、且つこのノズル本体７を通って中心長手方向軸線１０に沿って延びるアパーチャ９を有している。アパーチャ９は、プラズマ・ガス５用の入口１２を有する収束セクション１１と、アパーチャの最小断面領域を含むスロート・セクション１３と、プラズマ・ガス流８用の出口１５を有する発散セクション１４とを有し、導入管１６が、プラズマ・ガス流８内に液体前駆体１７を導入するために提供される。本発明によれば、浸透手段１８、１８２が、プラズマ・ガス流８内部に液体前駆体１７を浸透させるために提供される。 （もっと読む）

【課題】ガラスやシリコン基板上に結晶化したＹ_２Ｏ_３を含む薄膜形成を可能にし、性能が高い蛍光体薄膜材料の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板上に形成されたY、Dy, Sm, Gd, Ho, Eu, Tm, Tb, Er, Ce Pr, Yb, La, Nd, Luからなる群れより選ばれる少なくとも一種類の希土類金属元素を含む有機金属薄膜または金属酸化物膜を、250〜600℃の温度に保持し、波長200nm以下の紫外光を照射しつつ、結晶化を行うことを特徴とする結晶化金属酸化物薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】アニール処理による特性の低下を抑制できるセラミックス膜の形成方法、及びアニール装置を提供することにある。
【解決手段】アニール処理工程において、波長２μｍ未満の近赤外領域に中心波長を有するハロゲンランプ４と、波長２μｍ以上の遠赤外領域に中心波長を有する遠赤外線ヒータ５とによって積層体１０の加熱を行う。これにより、遠赤外線によって圧電膜１２を短時間で効率よく加熱するとともに、近赤外線によって金属基板１１を加熱して圧電膜１２からの金属基板１１を介した放熱を抑制することで、圧電膜１２を短時間でアニール処理に充分な温度まで至らしめ、拡散を抑制しつつ充分なアニール処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基材の形態に関わらず、透明性、緻密性、密着性等に優れた金属酸化物膜を得ることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、スプレー装置により、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を霧化し、霧化された上記金属酸化物膜形成用溶液と金属酸化物膜形成温度以上の温度以上に加熱した基材とを接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、上記基材を上記金属酸化物膜が形成される成膜面側から加熱することを特徴とする、金属酸化物膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

本発明は、一般的には、基板上に高品質誘電体ゲート層を形成するように適合されている方法及び装置を提供する。実施形態は、標準窒化プロセスの代わりに金属プラズマ処理プロセスを用いて、基板上に高誘電率層を形成する方法を企図するものである。実施形態は、更に、二酸化シリコンのようなゲート誘電体層に対するイオン衝撃損傷を減少させるとともに金属原子の下に横たわるシリコンへの混入を避けるために比較的低エネルギーの金属イオンを“注入”するように適合された装置を企図するものである。一般に、プロセスには、高ｋ誘電体を形成するステップと、次に、堆積された物質を処理して、ゲート電極と高ｋ誘電物質との間の良好な接合部を形成するステップとを含む。実施形態は、また、高ｋ誘電物質を形成し、高ｋ誘電物質の表面を終了させ、望ましい後処理ステップを行い、ゲート層を形成するように適合されているクラスタツールを提供するものである。 （もっと読む）

【課題】微粒子を用いて粒子サイズレベルで均一厚みの被膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシラン化合物とシラノール縮合触媒と非水系の有機溶媒を混合して作成した化学吸着液中に接触させてアルコキシシラン化合物と基材表面を反応させて基材表面に第１の有機膜を形成する工程。第１の有機膜を所定のパターンに加工する工程と、第２のアルコキシシラン化合物とシラノール縮合触媒と非水系の有機溶媒を混合して作成した化学吸着液中に分散させてアルコキシシラン化合物と微粒子表面を反応させて表面に第２の有機膜を形成する工程と、第１の基材表面に第２の有機膜で被覆された微粒子を接触させて選択的に反応させる工程と、第２の有機膜で被覆された余分な微粒子を洗浄除去する工程とを含む。以上の工程により、第１の有機膜と第２の有機膜を介して互いに共有結合しているパターン状の単層微粒子膜を得る。 （もっと読む）

【課題】 大きな誘電率を示し、更には温度に依存して大きな誘電率変化を示す新規な固体材料を提供する。
【解決手段】 微細なポーラス構造を持つ固体であるホスト物質の細孔中に高い誘電率（ε_ｒ ）を持つ有極性ゲスト分子を封入し、封入された有極性ゲスト分子の誘電特性上の挙動に基づき、前記ホスト物質に対して大きな誘電性と、温度に依存する大きな誘電率変化とを付与する。又、温度に依存する誘電率変化のパターンが異なる２種類以上の有極性ゲスト分子を封入することにより、温度に依存する誘電率変化のパターンを任意に制御する （もっと読む）