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Fターム[5F053PP03]の内容

半導体装置を構成する物質の液相成長 (5,002) | 前処理・後処理 (287) | 熱処理・アニールを行うもの (150)

Fターム[5F053PP03]に分類される特許

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【課題】配向性を有さない基板上に複合酸化物等の無機結晶性配向膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板等の非晶質基板11上に、層状結晶構造を有する無機結晶粒子20を含む原料と有機溶媒とを含む原料液を用いて、液相法により無機結晶粒子20を含む非単結晶膜12を成膜し、この非単結晶膜12が結晶化する温度以上の条件で非単結晶膜12を加熱し、無機結晶粒子20の一部を結晶核として非単結晶膜12を結晶化させることにより、無機結晶性配向膜1を製造する。 (もっと読む)


【課題】均一な大きさのI-III-VIナノ粒子前駆体をより環境に優しく、かつ容易な方法で合成し、これを基板に蒸着させて薄膜を形成した後、熱処理して所望する組成の太陽電池用光吸収層をより簡便に製造できる方法を提供する。
【解決手段】本発明はI-III-VIナノ粒子の製造方法及び多結晶光吸収層薄膜の製造方法に関する。本発明のI-III-VIナノ粒子の製造方法は、(a1)I族原料、III族原料及びVI族原料を溶媒と共に混合して混合溶液を製造する段階と、(a2)前記混合溶液を超音波処理する段階と、(a3)前記超音波処理された混合溶液から溶媒を分離する段階と、(a4)前記(a3)段階から得られた結果物を乾燥させてナノ粒子を得る段階とを含む。本発明によれば、超音波を用いた破砕分散を通じて均一な大きさのI-III-VIナノ粒子前駆体を合成し、薄膜を製造した後、熱処理工程などを通じて容易に所望する造成の多結晶光吸収層薄膜を得ることができる。また、本発明によれば、既存の酸素除去工程が不要であるため、従来の製造工程を簡素化でき、製造コストを大幅に低減できるものと期待される。 (もっと読む)


【課題】 基板に塗布する場合の濡れ性、沸点および安全性の観点から分子量のより大きなシラン重合体、特に、良質なシリコン膜を容易に形成することができる組成物を提供する。
【解決手段】 光重合性を有するシラン化合物に、特定波長領域の光線を照射して光重合して得たシラン重合体を含有するシリコン膜形成用組成物並びにこの組成物を、基板に塗布し、そして熱処理および/または光処理を行うシリコン膜の形成方法。 (もっと読む)


【課題】ポルフィリン及び/又はアザポルフィリンを含有する膜の製造方法、及び、それを用いた電界効果トランジスタ又は光電変換素子等の有機電子素子の製造方法、並びに、移動度に優れたナフタロシアニン膜を提供する。
【解決手段】膜の製造の際に、特定の化学式で表される前駆体化合物の逆ディールスアルダー反応によって、ポルフィリン及び/又はアザポルフィリンに変換し、ポルフィリン及び/又はアザポルフィリンを含有する膜を製造する。 (もっと読む)


本発明は、非極性芳香族ポリマーを含む層を導電性ポリマーでコーティングするためのプロセス、およびこのプロセスによって製造される高分子層に関する。 (もっと読む)


【課題】OSCM分子からなる活性薄膜を高品質に且つ再現性の高い状態で成膜制御することにより、有機電子デバイス及び光電子工学デバイスの性能を向上させることが出来ると共に、前記薄膜をウエハー基板の直径が200mm〜300mm程度の大口径ウエーハにおいて成膜可能とし、工業的な規模での適用が可能な成膜形成を容易かつ低コストで実現することが出来る薄膜形成方法。
【構成】ステップa)薄膜形成の為に、一定量のOSCM分子を融解状態でキャリア表面に供給するステップ、及び
b)薄膜を凝固する為に、一定の温度プロファイルに基づいて冷却を行うステップ
からなり、
ステップa)を実施の際、キャリア表面の温度はOSCM分子の融点と一致するか、あるいは融点より高いことを特徴とし、
またステップb)は、以下の第1のパートと第2のパートからなる温度プロファイルに基づいて実施されることを特徴とするOSCM分子を用いた薄膜の形成方法。
−OSCM分子が冷却されて再結晶温度に近い温度となり、該OSCM分子における冷却速度は、融解状態の薄膜中に1つの種結晶のみが出現するのに十分な程度遅く設定される、OSCM分子の徐冷制御に対応する第1のパート、及び
−前記1つの種結晶を発端として少なくとも1つの単結晶領域が成長し、最終的には単結晶薄膜が得られる、OSCM分子の冷却制御に対応する第2のパート。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、液体シリコン材料中のSi成分を高効率に利用することができるシリコン膜の形成方法を提供することにある。
【解決手段】本発明に係るシリコン膜の形成方法は、少なくとも重合開始末端を有する化合物を含む液体材料を基板の上に塗布する工程と、少なくともケイ素化合物を含む液体材料を前記基板の上に塗布する工程と、重合反応を停止させるための工程と、を含む。 (もっと読む)


本発明は、誘電体層、及び熱分解法酸化亜鉛を含有しかつ誘電体層と結合する層を含む層複合材料に関する。また本発明は、熱分解法酸化亜鉛を誘電体層上に、酸化亜鉛粒子が200nm未満の平均凝集体直径で存在する分散液の形で塗布し、かつ酸化亜鉛層を乾燥させ、かつその後に、200℃未満の温度で処理する、該層複合材料を製造する方法に関する。また本発明は、熱分解法酸化亜鉛を基板層又は基板層複合材料に、酸化亜鉛粒子が200nm未満の平均凝集体直径で存在する分散液の形で塗布して、酸化亜鉛層を形成し、かつその後に、酸化亜鉛層及び基板層を200℃未満の温度で処理し、かつその後に誘電体層を酸化亜鉛層に塗布する、該層複合材料を製造する方法に関する。さらに本発明は、該層複合材料を有する電界効果トランジスタに関する。
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【課題】低コストでシリコン太陽電池を製造するためのシリコン微粒子とその製造方法、およびそれらを用いた太陽電池とその製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池10において、反応性基を有する膜化合物の形成する被膜3で表面が覆われたp型シリコン微粒子14が積層されてなるp型シリコン微粒子層と、膜化合物の形成する被膜で表面が覆われたn型シリコン微粒子15が積層されてなるn型シリコン微粒子層とが、透明電極11と裏面電極17との間に積層形成されており、p型シリコン微粒子層とn型シリコン微粒子層は、反応性基と反応して結合を形成する複数の架橋反応基を有する架橋剤16の架橋反応基との架橋反応により硬化している。 (もっと読む)


電子デバイスにおいて使用するためのエクスサイチュでドープされた半導体輸送層を製造する方法であって:コロイド溶液において表面有機配位子を有する半導体ナノ粒子の第一の組を成長させ;コロイド溶液において表面有機配位子を有するドーパント材料ナノ粒子の第二の組を成長させ;該半導体ナノ粒子の第一の組と該ドーパント材料ナノ粒子の第二の組の混合物を表面に付着させ、そこではドーパント材料ナノ粒子より多くの半導体ナノ粒子が存在し;該ナノ粒子の第一および第二の組の表面から該有機配位子がボイルオフするように、該付着したナノ粒子の混合物を第一アニーリングし;該半導体ナノ粒子が融合して連続的な半導体層を形成し、且つ該ドーパント材料原子が該ドーパント材料ナノ粒子から該連続的な半導体層に拡散するように、該付着した混合物を第二アニーリングすること、を含んでなる、方法。 (もっと読む)


【課題】高価かつエネルギー多消費型の大掛かりな装置を必要とせず、大面積の基板にも対応可能であり、容易、安価に半導体薄膜を形成する方法を提供すること。
【解決手段】上記課題は、一対の電極の間に、不純物の濃度および/または種類の異なる半導体薄膜を少なくとも二層以上積層した構造を有する太陽電池の製造において、該半導体薄膜のうちの少なくとも一層が、(A)式Siで表されるポリシラン化合物 並びに(B)シクロペンタシラン、シクロヘキサシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも1種のシラン化合物を含有することを特徴とするシラン組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程と、該塗膜を熱処理および/または光処理する工程を含む形成方法により形成されていることを特徴とする、太陽電池の製造方法により達成される。 (もっと読む)


【課題】特性の優れた半導体層を転写可能なドナーシートの製造方法、ドナーシート、及び特性が優れ、ばらつきが少ない有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】被転写基板に所定の形状の転写層を転写するためのドナーシートの製造方法において、基板シートの上に、加熱することにより有機半導体に変換する有機半導体前駆体を溶解した溶液を塗布し、有機半導体前駆体層を形成する工程と、有機半導体前駆体層を所定の形状に加熱して、有機半導体前駆体を有機半導体に変換し、該所定の形状の転写層とする工程と、有機半導体に変換しない有機半導体前駆体を除去する工程と、をこの順で行うことを特徴とするドナーシートの製造方法。 (もっと読む)


低炭素含量を有するシリコン膜の前駆体として、可溶性シリコンポリマーを生成するための、一般式Si2n及びSi2n+2のもの並びにアルキル及びアリールシランを含むヒドロシラン化合物の、制御された重合及び/又はオリゴマー化のための組成物及び方法。 (もっと読む)


【課題】常圧下で、塗布法により、基体上に、均一なゲルマニウムドープシリコン導電膜を形成する方法およびそのためのリン原子含有高次シラン化合物の製造法の提供。
【解決手段】光重合性シラン化合物およびゲルマニウム化合物を含有する溶液に、400nmより長い波長の光線を照射せしめてゲルマニウム原子含有高次シラン化合物を生成せしめるゲルマニウム原子含有高次シラン化合物の製造法。上記方法で得られたゲルマニウム原子含有高次シラン化合物を含む溶液を基板に塗布し、さらにその塗布基板を熱処理することからなるゲルマニウム含有シリコン膜の形成方法。 (もっと読む)


光電デバイス及び関連する方法。デバイスは、電子収集電極及びホール収集電極間に配置されたナノ構造物質を有する。電子輸送/ホール遮断材料は、電子収集電極とナノ構造物質との間に配置される。特定の実施例においては、ナノ構造物質における光吸収により生成される負電荷キャリアは、電子輸送/ホール遮断材料に選択的に分離される。特定の実施例においては、ナノ構造物質は、波長が約400nm〜700nmに及ぶ光に対し、少なくとも10cm−1の光吸収係数を有する。 (もっと読む)


【課題】塗布膜から、簡便に、キャリア移動度の高い良好な結晶性有機半導体薄膜を提供し、またこれを用いた有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板上に有機半導体材料溶液を供給、塗布して有機半導体薄膜を形成する場合に、有機半導体薄膜に、0.5μm以上100μm以下の短辺をもつ線状の非被膜部が存在させることにより単一結晶性領域を形成しやすくし異方性結晶の形成による不整合をなくし分子配列の歪や乱れによるキャリア移動度低下のない有機半導体薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】低コストで耐久性に優れた有機半導体素子を提供する。
【解決手段】基体上に結晶化促進層を設ける工程と、該結晶化促進層の上に有機半導体前駆体を付与する工程と、該有機半導体前駆体に光エネルギーと熱エネルギーとを同時に与えて有機半導体からなる層を形成する工程と、を少なくとも有する半導体素子の製造方法。前記基体を外部から加熱することにより前記熱エネルギーを付与することが好ましい。前記結晶化促進層が結晶粒同士の接合を促進する機能を有することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】β−FeSi結晶を主相として含有し、デバイス材料への幅広い応用が可能となる新規な薄膜を提供する。
【解決手段】β型鉄シリサイド結晶を主相として含有し、更にCuを含有する薄膜。 (もっと読む)


【課題】保存安定性が高く、特性に優れた有機半導体層を形成することができる有機半導体用組成物、これを用いて製造された信頼性の高いトランジスタを製造可能なトランジスタの製造方法、アクティブマトリクス装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、および、電子機器の製造方法を提供すること。
【解決手段】有機半導体用組成物は、チオフェン環とアルキル鎖とを含む有機半導体材料と、シスデカリンを含有する有機溶媒とを含有する。この有機半導体用組成物は、例えば、互いに分離して設けられたソース電極20aおよびドレイン電極20bと、ソース電極20aおよびドレイン電極20bを覆うように設けられた有機半導体層30と、有機半導体層30上に設けられたゲート絶縁層40と、ゲート絶縁層40上に設けられたゲート電極50とを有するトランジスタの有機半導体層30を形成するのに使用される。 (もっと読む)


【課題】膜の均一性を向上させるとともに、所望の膜厚を確保することができるシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基板1の上方に空隙型の受容層2を形成し、受容層2上に、光重合性を有する液体状のシラン化合物に、紫外線を照射することにより光重合してなる高次シラン化合物を含有する溶液を塗布し、塗布膜3を形成した後、加熱し、シリコン膜(3a、3b)を形成する。かかる方法によれば、上記溶液(高次シラン組成物)中の溶媒等が受容層2中に吸収され、受容層2上に高次シラン化合物を均一性良く残存させることができ、また、受容層2上の高次シラン化合物量を容易に調整することができる。 (もっと読む)


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