【目的】マルチビーム形成アパーチャによって散乱した荷電粒子によるブランキング偏向器アレイへの帯電とコンタミ成長を抑制する装置を提供することを目的とする。
【構成】描画装置１００は、荷電粒子ビームを放出する電子銃２０１と、マルチビームを形成するマルチビーム形成アパーチャ部材２０３と、マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーが配置されたブランキングプレート２０４と、マルチビーム形成アパーチャ部材２０３とブランキングプレート２０４との間に配置された、電磁レンズ２１２，２１４と、電磁レンズ２１２，２１４の間であってマルチビームの集束点位置に配置され、集束点から外れた荷電粒子の通過を制限する制限アパーチャ部材２１６と、複数のブランカーによってビームｏｆｆの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する制限アパーチャ部材２０６と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】描画処理の実行前に、互いに異なる２つのＲＩＰパラメータ各々に基づくＲＩＰ展開によって生成された、図形の描画に供される２つの画像データの差分を見落とすことなく速やかに確認できる技術を提供する。
【解決手段】画像処理装置２は、設計データＤ０が表す所定の処理領域を設定する処理領域設定部２５と、指定パラメータＰａ１と基準パラメータＰａ２とのそれぞれを用いて、処理領域の表示倍率に応じた解像度で、処理領域に対応する設計データＤ０をＲＩＰ展開する表示用ＲＩＰ展開部２６とを備える。指定パラメータＰａ１に基づくＲＩＰ展開によって得られた指定画像Ｄ２１と、基準パラメータＰａ２に基づくＲＩＰ展開によって得られた基準画像Ｄ２２との差分Ｓが抽出され、その差分Ｓを視覚的に強調した態様で処理領域表示画面８１に指定画像Ｄ２１と基準画像Ｄ２２とが表示される。 （もっと読む）

【課題】マルチビーム方式の描画装置で、異常な荷電粒子線が存在しても描画に有利な技術を提供する。
【解決手段】描画装置は、荷電粒子光学系と制限部と制御部とを備える。荷電粒子光学系は、第１方向に沿って第１ピッチで配置されたｎ以上のＮ本の荷電粒子線を含む行が、第１方向に直交する第２方向に沿って第２ピッチでｍ以上のＭ行存在し、Ｍ行のうち１番目からｍ番目の行は、各行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置が第１ピッチの（１／ｍ）ずつずれ、かつ、（ｍ＋ｉ）番目の行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置がｉ番目の行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置と同じに配列された（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線を生成する。制御部は、（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線の中に異常線が存在する場合、該異常線を含まず連続するｎ本の荷電粒子線を含む行が、ｍの約数分の行だけ第２方向に沿って連続して使用できるように、制限部を制御する。 （もっと読む）

【課題】 特定のデザインルールのパターンを描画する信頼性およびスループットの点で有利な描画装置を提供すること。
【解決手段】 第１方向に延びた直線の上に配置されるべきパターンを複数の荷電粒子線で基板上に描画する描画装置であって、前記複数の荷電粒子線を前記基板上に投影する投影系（１−７，９）と、前記第１方向および該方向と直交する第２方向において前記複数の荷電粒子線と前記基板との間の相対走査を行う走査手段（８、１１）と、前記走査手段による前記相対走査を制御し、かつ、前記第１方向における第１間隔および前記第２方向における第２間隔で前記投影系による前記複数の荷電粒子線の前記基板への照射を制御する制御手段（１３−１６）と、を有し、前記投影系により前記基板上に投影された各荷電粒子線の前記第１方向の大きさと前記第２方向の大きさとを異ならせた描画装置とする。 （もっと読む）

【課題】サーボ領域を半径によらず一定の角度のパターンで形成することを可能にするとともに、データ領域を半径によらず一定の間隔のパターンで形成することを可能にする。
【解決手段】基板を回転させる回転機構と、移動機構と、電子銃と、電子線をブランキング制御信号に基づいてブランキングもしくは偏向制御信号に基づいて偏向、またはブランキング制御信号および偏向制御信号に基づいてブランキングおよび偏向させる偏向器と、ステージにおける描画半径位置に応じて変化する周期を有する第１基準クロック信号を発生する第１クロック信号発生回路と、第１基準クロック信号と独立な周期を有する第２基準クロック信号を発生する第２クロック信号発生回路と、第１基準クロック信号および第２基準クロック信号に基づいて、ブランキング制御信号および偏向制御信号のうちの少なくとも一方の制御信号を発生する制御信号発生回路と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】重なり露光される隣接したストライプの境界領域で照射量精度を向上する、複数ビームレットを含む電子ビームリソグラフィ方法を提供する。
【解決手段】露光ストライプで構成された画像画素の列であるストライプ（ｓ１、ｓ２）は、隣接したストリップに対するそれらの境界で、相互に重ねられた重複した縁（ｍ１２、ｍ２１）を備えるので、名目上の重複した縁（ｍ２１）の画像画素の位置は、対応している重複した縁（ｍ１２）の画像画素と重なる、または、本質的に一致する。重複した縁（ｍ２１）の露光の間、前記重複した縁の画像画素の第１の部分集合（ｎ_１）は、所望のパターンに関して相補的な部分集合である第２の部分集合（ｎ_２）のそれらが露光しない一方で、露光する；これに反して、対応している重複した縁（ｍ１２）の露光の間、第１の部分集合の画像画素に対応する画像画素は露光しないが、第２の部分集合の画像画素に対応するものは露光する。 （もっと読む）

【課題】 クーロン効果の影響の低減に有利な荷電粒子線装置を実現すること。
【解決手段】 複数の荷電粒子線を生成し、該複数の荷電粒子線の各々に微小フィールドを走査させる荷電粒子線装置であって、上記走査の方向において、上記微小フィールド内のピクセルサイズの偶数倍にならないように、上記微小フィールドのサイズを設定する設定手段を有する、ことを特徴とする荷電粒子線装置とする。 （もっと読む）

【課題】
基板面が傾斜し、かつ高さ変位を有する場合であってもフォーカス制御を高精度に行いつつ描画を行うことが可能なビーム描画装置を提供する
【解決手段】
基板面の高さを測定する高さ測定器と、電子ビームの照射半径位置及び角度位置に基づいて基板面の傾斜角度を算出する基板角度算出器と、上記傾斜角度に基づいて基板面の高さ誤差を算出する高さ誤差算出器と、上記高さ測定器による高さ測定値から上記高さ誤差を減算して高さ調整値を算出する調整値算出器と、上記高さ調整値に応じて上記電子ビームのフォーカス調整をなすフォーカスコントローラと、を有する。
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【課題】基板に照射される電子線の照射位置を補正することにより、精度よく基板にパターンを描画する。
【解決手段】回転テーブルの回転誤差を、第１の検出器からの検出信号と、第２の検出器からの検出信号とに基づいて測定する。そして、第１の検出器からの検出信号と、第２の検出器からの検出信号とを用いた演算を行うことで、電子線の入射位置誤差を算出し、この算出結果に基づいて電子線の入射位置の補正を行う。これにより、電子線を所望の位置に精度よく入射させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】被描画体上へ同心円状のパターンを精度よくかつ簡単な制御で描画する。
【解決手段】ロータリエンコーダ53を備えた回転ステージ41上に載置された被描画体上に電子ビームを照射し、該回転ステージ41を回転させつつ同心円状のパターンを描画する電子ビーム描画方法において、所定の同心円に沿ったパターンを描画後、特定のエンコーダパルスで電子ビームの照射をオフとし、電子ビームの照射をオフとした状態で、電子ビームの照射位置を半径方向にトラックピッチ分だけ偏向させた後、電子ビームの照射をオフとしてから回転ステージ41が１回転した際に生じる特定のエンコーダパルスで電子ビームの照射をオンとして所定の同心円に隣接する同心円に沿ったパターンの描画を開始し、該描画の開始から回転ステージが１回転した際に生じる特定のエンコーダパルスで電子ビームの照射をオフとする工程を繰り返して同心円状のパターンを描画する。 （もっと読む）

【課題】中心側から外側に向けて円弧状に設けられる複数のサーボ領域と該サーボ領域間のデータ領域からなるハードディスクパターンを電子ビーム走査により描画する際の、各領域の半径方向位置毎の周方向描画開始位置の精度を向上させる。
【解決手段】レジストが塗布された基板上に、回転ステージを回転させつつ、電子ビームを走査してハードディスクパターンを描画するに際して、各領域12Ａ，12Ｂ，12Ｃ…の半径方向位置毎に、回転角度に応じて生じるエンコーダパルスＡ₁，Ａ₂，Ａ₃…のうち、該各領域内の周方向描画開始位置が回転ステージの回転時に最も先に描画位置に位置する半径方向位置の回転方向前方で生じる所定のエンコーダパルスより後方、かつ半径方向位置毎の周方向描画開始位置より前方で生じる、半径方向位置毎に予め定められたエンコーダパルスを基準として、それぞれ予め定められた所定時間後に描画を開始する。 （もっと読む）

【課題】広い描画範囲にわたって精細なパターンを精度よく高速に描画することを可能とする。
【解決手段】
移動する基板に入射する電子線の入射位置を、電子線を偏向させることによって基板に対して相対的に停止させて、基板上のセル内の領域を露光してドットを形成する。また、セル内にドットを形成しない場合には、電子線を高速に偏向して、電子線の入射位置を基板に対して高速に移動させる。これにより、電子線をブランキングすることなく、セルに対する電子線のオン及びオフが可能となるため、基板に対して高速にパターンを描画することが可能となる。 （もっと読む）

高速電子ビームリソグラフィ（ＥＢＬ）を行うための方法に関する。エネルギー感受性レジストに向かって電子ビームを放出することができる電子ビーム源（ＥＢＳ）は、基板上に第１のパターン（Ｐ１）を形成し、第１のパターンは、基板上に第１の方向（Ｄ１）を規定する。電子ビーム源は次いで、基板上に第２のパターン（Ｐ２）を形成する。第１および第２のパターンの露光中にエネルギー感受性レジストに届けられるエネルギーおよび／または線量は、エネルギー感受性レジストのしきい線量／エネルギーが第１および第２のパターン（Ｐ１、Ｐ２）の重なり部分上で達せられるように大きさを決められる。電子ビームリソグラフィによる高品質現像パターン、例えばホールまたはドットを備える基板の作製のための高速技術を提供する。各ホールまたはドットは、第１および第２のパターン、例えば格子を形成する露光された線の相互重なり部分によって規定されてもよい。
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【課題】ディスクリートトラックメディアの微細パターンにおけるサーボパターンとグルーブパターンとを一定の照射線量で高精度にかつ高速に描画可能とする。
【解決手段】レジスト11が塗布された基板10上に電子ビームEBを走査して、サーボエレメント13によるサーボパターン12と、隣接データトラックを溝状に分離するグルーブパターン15とを備えるディスクリートトラックメディアに形成する微細パターンの描画を、基板を一方向に回転させつつ、電子ビームをＸ−Ｙ偏向によりサーボエレメント13を走査するサーボパターン12の描画に続いて、グルーブパターン15を所定角度で分割した複数のグルーブエレメント16の整列で構成し、電子ビームを周方向Ｘへ大きく偏向走査してグルーブエレメント16を順に時間的間隔をもって描画して連続したグルーブパターン15を描画する。 （もっと読む）

【課題】 描画データ生成時の遅延時間を小さくし、全露光時間を短縮する。
【解決手段】 露光すべきパターンの形状をビットマップ化し、該ビットマップ形式のパターンデータを走査線４０１、４０２、４０３、４０４毎に並べ替えて記憶し、記憶したデータに基づいて試料１０８上を走査する露光ビームをオンオフ制御する。その場合の走査方向として、前記露光すべきパターンが前記試料上に得られるまでに発生するデータ生成時間のための遅延時間を、予め定められた複数の走査方向Ｘ、Ｙ毎に算定し、算定された遅延時間がより短い走査方向を選択する。そして、前記露光ビームと前記試料とを相対的に前記選択した走査方向に走査させて前記試料上に前記露光すべきパターンを描画露光する。 （もっと読む）

【課題】試料の表面に形成する描画パターンの描画領域が大きい場合でも、描画パターンを正確、かつ容易に描画することができる荷電粒子ビーム描画装置および描画方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置は、描画領域が分割された各分割画素に描画パターンに応じた荷電粒子ビームの照射、非照射が割り当てられたパターンデータを用いて、先頭アドレスと走査開始点を設定Ｓ１０，Ｓ１２し、第１の走査方向に荷電粒子ビームを各分割画素に走査させつつ、荷電粒子ビームの照射、非照射を制御して、描画パターンのうち走査線部分のパターンを形成Ｓ１４し、これを繰返し行うＳ１６。基準分割画素と分割画素とを比較し、分割画素が大きい場合、同じ分割画素内で荷電粒子ビームの走査開始位置を一致させることなく、パターンデータのうち、走査線部分のパターンに相当するデータを用いて、荷電粒子ビームを第１の走査方向に複数回繰り返し走査させる。 （もっと読む）

【課題】 解像度を落とすことなくビーム本数を増やし画角を大きくすることでスループット向上に寄与するマルチビーム型の荷電粒子線露光装置を実現する。しかし二次元に配列された各電極の配列ピッチを維持したまま電極数を増やすことは、各電極への制御信号伝送路を細くするため、多層化して配線本数を増やすなどの必要が出てくる。伝送特性を維持したまま細くすることは難しく、また、多層化するにも限界があることは容易に想像できる。
【解決手段】 複数の開口のある荷電粒子線偏向器アレイにおいて、各々の偏向電極を複数段貼り合わせる構造とする。更に二次元配列された各電極に対して、各段毎に重なり合わない様に制御信号を印加するための配線を設ける構造とし、各電極の配列ピッチを広げること無く伝送に充分な特性を保持した配線を確保可能となる。これらの構造の画角の広い高速動作可能偏向電極アレイを有する荷電粒子線露光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 所望パターンを効率的かつ高い信頼性のもとに露光できるラスタースキャン荷電粒子線描画方法、露光装置、及びデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 荷電粒子線をラスタースキャンして基板上の複数のピクセルから成るパターンを露光する荷電粒子線描画方法において、前記パターンのエッジに位置する前記複数のピクセルのドーズ指令信号が異なる前記複数のパターンを描画する描画ステップと、前記複数のパターンの線幅を測定する測定ステップと、前記異なるドーズ指令信号と前記異なるドーズ指令信号に対応する前記測定ステップの測定結果とに基づいて前記ドーズ指令信号の補正値を決定する補正値決定ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】 所望パターンを効率的かつ高い信頼性のもとに露光できるラスタースキャン荷電粒子線描画方法、露光装置、及びデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 荷電粒子線をラスタースキャンしながら、照射をオンオフすることにより、パターンを描画する荷電粒子線描画方法において、線幅を測定する対象の前記パターンを描画する第１の描画工程と、前記第１の描画工程の後に前記パターンの描画位置を前記線幅の測定方向に移動して前記第１の描画工程を実行する第２の描画工程と、前記第１の描画工程及び前記第２の描画工程において固定された前記パターンからの荷電粒子線量を測定する測定工程と、測定された前記荷電粒子線量と前記描画位置とに基づいて前記描画パターンの線幅を決定する線幅決定工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】偏向制御回路内で描画すべきＳＦ位置のステージ位置を予測することにより、前回のＳＦ描画終了を待たずに、偏向歪の計算を行うことが可能になり、無駄時間を低減し、電子ビーム描画における生産性を向上させる。
【解決手段】Ｎ個目の描画領域の位置データを取得する手段と、ステージ位置及びステージ速度を取得する手段と、Ｎ個目の描画領域を処理する時点のステージ予測位置を求める手段と、ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下かどうかを判断する手段と、距離が偏向距離以下とされた場合，距離に応じた偏向歪の補正を行い，偏向電圧を決定する手段と、（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を検出する手段と、（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を確認した場合，決定した偏向電圧にて電子ビームを偏向させて描画する手段とを備えるステージ連続移動方式の電子ビーム描画装置及び描画方法。 （もっと読む）