電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法
【課題】偏向制御回路内で描画すべきＳＦ位置のステージ位置を予測することにより、前回のＳＦ描画終了を待たずに、偏向歪の計算を行うことが可能になり、無駄時間を低減し、電子ビーム描画における生産性を向上させる。
【解決手段】Ｎ個目の描画領域の位置データを取得する手段と、ステージ位置及びステージ速度を取得する手段と、Ｎ個目の描画領域を処理する時点のステージ予測位置を求める手段と、ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下かどうかを判断する手段と、距離が偏向距離以下とされた場合，距離に応じた偏向歪の補正を行い，偏向電圧を決定する手段と、（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を検出する手段と、（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を確認した場合，決定した偏向電圧にて電子ビームを偏向させて描画する手段とを備えるステージ連続移動方式の電子ビーム描画装置及び描画方法。
【解決手段】Ｎ個目の描画領域の位置データを取得する手段と、ステージ位置及びステージ速度を取得する手段と、Ｎ個目の描画領域を処理する時点のステージ予測位置を求める手段と、ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下かどうかを判断する手段と、距離が偏向距離以下とされた場合，距離に応じた偏向歪の補正を行い，偏向電圧を決定する手段と、（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を検出する手段と、（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を確認した場合，決定した偏向電圧にて電子ビームを偏向させて描画する手段とを備えるステージ連続移動方式の電子ビーム描画装置及び描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に関し、特に、半導体集積回路の回路パターンを描画する電子ビー描画装置及び電子ビーム描画方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子ビーム描画装置では、スループットを向上させるために、ステージ連続移動方式と呼ばれる描画方式を採用している。この方式は、描画制御回路が、ステージ座標系に変換された所望の描画位置データに対して、ステージ位置測長系からの位置データを基に、描画制御回路は現在のステージ位置と所望の描画位置までの電子ビーム偏向距離を設定する方式である。ステップアンドリピート方式に比べ、ステージの移動停止に伴う無駄時間が少ないため、高速にパターンを描画することが可能になる。しかしながら、近年のパターン微細化に伴い、このステージ連続移動方式にも以下のような問題が生じた。
【０００３】
ステージ連続移動方式における従来の描画処理フローを図２１に示す。この処理フローによれば、前サブフィールド（ＳＦ：Ｓｕｂ Ｆｉｅｌｄ ）の終了を確認するステップＳ１、現在のステージ位置及びＳＦデータを取得するステップＳ２、現在のステージ位置と目標とするＳＦ描画位置までの距離を算出するステップＳ３、目標までの距離が偏向距離（ビーム偏向可能な領域）内であるかどうかを判断するステップＳ４、目標までの距離が偏向距離内であれば、距離に応じた偏向歪の算出を行い、偏向電圧を決定するステップＳ５、偏向アンプにデータを転送するステップＳ６、偏向アンプの電圧が安定させるため、整定（セトリング）時間分描画処理を待機するステップＳ７、及び描画処理を実行するステップＳ８という手順で描画処理を実施する。
【０００４】
しかしながら、上述のステップＳ１〜ステップＳ５までの処理には数１０μｓｅｃの時間を要していた。このステップＳ１〜ステップＳ５までの処理時間は、実際に描画をしていない無駄時間となっていた。パターン微細化により、パターン数が増加すると、上述した無駄時間が多くなり、スループットが向上しないという問題があった。
【０００５】
電子ビームの照射位置の補正方法として、各図形アパーチャに対して基板表面上の照射位置ずれを予め測定し、照射位置ずれを対物偏向器にフィードバックすることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。しかし、特許文献１の補正方法では、図形アパーチャの数が多い場合、各図形アパーチャに対する照射位置の測定やビーム軸調整に膨大な時間を要し、ビーム軸調整パラメータを含めたデータ量も膨大な量となってしまう。
【特許文献１】特許第３３９４２３３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、偏向制御回路内で描画すべきＳＦ位置のステージ位置を予測することにより、前回のＳＦ描画終了を待たずに、偏向歪の計算を行うことが可能になり、無駄時間を低減し、電子ビーム描画における生産性を大幅に向上させる電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、ステージ連続移動方式の電子ビーム描画装置であって、（イ）Ｎ個目の描画領域の位置データを取得する手段と、（ロ）ステージ位置及びステージ速度を取得する手段と、（ハ）Ｎ個目の描画領域を処理する時点のステージ予測位置を求める手段と、（ニ）ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下かどうかを判断する手段と、（ホ）判断する手段において，ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下とされた場合，距離に応じた偏向歪の補正を行い，偏向電圧を決定する手段と、（ヘ）（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を検出する手段と、（ト）（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を確認した場合，決定した偏向電圧にて電子ビームを偏向させて描画する手段とを備える電子ビーム描画装置が提供される。
【０００８】
本発明の他の態様によれば、Ｎ個目の描画領域の位置データを取得する手段と、ステージ位置及びステージ速度を取得する手段と、Ｎ個目の描画領域を処理する時点のステージ予測位置を求める手段と、前記ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下かどうかを判断する手段と、前記判断する手段において，前記ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下とされた場合に，前記距離に応じた偏向歪の補正を行い，偏向電圧を決定する手段と、（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を検出する手段と、（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を確認した場合には，前記決定した偏向電圧にて電子ビームを偏向させて描画する手段とを備えるステージ連続移動方式の電子ビーム描画装置の電子ビーム描画方法であって、（イ）Ｎ個目の描画領域の位置データを取得する工程と、（ロ）ステージ位置及びステージ速度を取得する工程と、（ハ）Ｎ個目の描画領域を処理する時点のステージ予測位置を求める工程と、（ニ）ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下かどうかを判断する工程と、（ホ）判断手段において、ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下と判断された場合に、距離に応じた偏向歪の補正を行い、偏向電圧を決定する工程と、（ヘ）（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を検出する工程と、（ト）（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を確認した場合，決定した偏向電圧にて電子ビームを偏向させて描画する工程とを含む電子ビーム描画方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法によれば、偏向制御回路内で描画すべきＳＦ位置のステージ位置を予測することにより、前回のＳＦ描画終了を待たずに、偏向歪の計算を行うことが可能になり、無駄時間を低減し、電子ビーム描画における生産性を大幅に向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
次に、図面を参照して、本発明の第１乃至第２の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各ブロックの平面寸法の関係、比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な寸法、比率等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【００１１】
また、以下に示す第１乃至第２の実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００１２】
[第１の実施の形態]
（全体構成）
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置の模式的全体ブロック構成は、図１に示すように表される。本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置は、ステージ連続移動方式と主副２段偏向方式を用いている。
【００１３】
試料室１内には、ウェハ（試料、半導体基板）Ｓを載置したＸ−Ｙステージ１０１が収容されている。このＸ−Ｙステージ１０１は、ステージ駆動回路１１により駆動され、Ｘ−Ｙステージ１０１の移動位置はレーザ測長計からなる位置回路１２により測定される。又、ウェハＳからの２次電子及び反射電子は電子検出器１３により検出される。
【００１４】
試料室１の上方には、鏡筒２００内に電子光学系２が設けられている。電子光学系２は、電子銃２０１、各種レンズ（コンデンサレンズ２０２、投影レンズ２０３、縮小レンズ２０４、対物レンズ２０５）、各種偏向器（ＣＰ偏向器２０５ａ−ｄ、主偏向器２０６ａ，副偏向器２０６ｂ，ブランキング用偏向器２０７）、ビーム成形用アパーチャ２０８、及びＣＰアパーチャ２０９から構成されている。ここでは、従来の電子ビーム描画装置に備わっている、ビーム調整用電極やコイル等については図示を省略している。
【００１５】
制御回路３は、ブランキングアンプ４０１を介してブランキング用偏向器２０７を制御し、ブランキング用偏向器２０７はビームをオン・オフする。また制御回路３は、ビーム成形アンプ４０２を介してＣＰ偏向器２０５ａ−ｄを制御し、ＣＰ偏向器２０５ａ−ｄはビームを成形する。更に、制御回路３は、主偏向アンプ４０３を介して主偏向器２０６ａを制御し、副偏向アンプ４０４を介して副偏向器２０６ｂを制御する。これにより、ウェハＳ上でビームが走査される。尚、加速電圧は５ｋｅＶであり、主偏向器２０６ａ，副２０６ｂの偏向領域の大きさは、例えば、それぞれ１．５ｍｍ、５０μｍとなっている。
【００１６】
主副２段偏向方式とは、主偏向器２０６ａで副偏向領域を数ｍｍの広い範囲で位置決めし、副偏向器２０６ｂでショットを数１０μｍの範囲で高速に位置決めすることで、描画範囲を高速に描画する方式である。この方式では、チップデータ（描画データ）をフレームと呼ばれる帯状の主偏向領域に分割しており、主偏向領域内の副偏向領域位置を主偏向器２０６ａで位置決めし、副偏向領域内のショット位置を副偏向器２０６ｂで位置決めする。
【００１７】
（ステージ連続移動方式）
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画方法のステージ連続移動方式を、図２を用いて説明する。ステージ連続移動方式とは、図２に示すように、ウェハＳ上の複数のチップをストライプと呼ばれる帯状の主偏向領域に分割し、Ｘ−Ｙステージ１０１を連続駆動しながら描画する方式である。ステージ連続移動方式は、Ｘ−Ｙステージ１０１のステップ移動回数が少ないため、高いスループットを期待できる。なお、図２では、ストライプを縦方向に分割しているが、横方向に分割してもよい。図７以降では、ストライプを横方向に分割した例を示している。
【００１８】
これら一連の制御は、図１に示す制御計算機（コンピュータ）４内に格納された制御プログラムによって実行される。この制御プログラムは、電子ビーム（ＥＢ）描画データとレイアウトデータに従って、制御回路３等の各部を動作させ、描画を実行する。
【００１９】
（電子ビーム描画装置）
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置の制御計算機４及び制御回路３の詳細を含む模式的ブロック構成は、図３に示すように表される。以下、図３を基に各部の機能を説明する。図３において図１と同一な部分には同符号を付してある。また、偏向制御回路３０１へのパラメータの転送手順など、従来の電子ビーム描画装置で行われている事項についても説明を省略する。
【００２０】
制御計算機４は、描画データ４０１ａ、ウェハレイアウトデータ４０１ｂの格納部を具備している。制御回路３は、偏向制御回路３０１、データ展開回路３０２、及び位置補正回路３０３を備える。偏向制御回路３０１は、演算部３０１ａ，３０１ｂを備える。制御計算機４からは、描画データ４０１ａ、ウェハレイアウトデータ４０１ｂ（手順データ、チップ位置データ、フレーム位置データ、ストライプ位置データを含む）が、データ展開回路３０２に書き込まれる。
【００２１】
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に関係する描画データの構造は、図４に示すように表される。図４（ａ）は描画データ４０１ａのデータ形式を示す図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）の各データを説明するための図である。図４（ａ）に示すように、描画データ４０１ａは、主偏向器２０６ａを制御するための主偏向データと、副偏向器２０６ｂを制御するための副偏向データ（ショットデータ）から構成されている。
【００２２】
主偏向データには、主偏向領域内での副偏向領域の位置（Ｘｍ，Ｙｍ）、副偏向領域内に含まれるショットのデータ開始位置を示すアドレス、及び副偏向領域内のショット数を含む制御コードが記述されている。ここでいう主偏向領域内での副偏向領域の位置（Ｘｍ，Ｙｍ）は、フレーム原点からの副偏向領域中心の位置として記述されており、フレーム座標系における（フレーム原点からの）副偏向領域の描画位置を示す。
【００２３】
副偏向データには、各ショットの副偏向領域内での位置（Ｘｓ，Ｙｓ）と、ＣＰ偏向器２０５ａ−２０５ｄを制御するための図形コード、照射時間、ショットサイズなどが書き込まれている。また、ここでいうショット位置（Ｘｓ，Ｙｓ）は副偏向領域中心を原点としたショット左下位置として記述されている。また、図形コードとは、図４（ｃ）に示すように、ＣＰアパーチャ上のＣＰ開口（Ａ〜Ｅ）のＣＰアパーチャ原点（０，０）から位置を示しており、ショットサイズはショット左下を原点とした場合の幅及び高さとして記述されている。
【００２４】
図５乃至図８は、本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法において、ウェハレイアウトデータ４０１ｂの詳細について説明するための図である。ウェハレイアウトデータ４０１ｂは、チップ位置データ、フレーム位置データ、ストライプ位置データ、手順データを含む。なお、本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置は、主偏向器２０６ａ，副２０６ｂの偏向領域の大きさは、それぞれ１．５ｍｍ、５０μｍであるが、図５乃至図８では説明を容易にするために、便宜上、ウェハサイズを直径２００ｍｍ、チップサイズを２５ｍｍ角、フレーム幅を６．２５ｍｍとしている。
【００２５】
図５（ａ）はチップレイアウトを示す図であり、図５（ｂ）はチップ位置データを示す図である。図５（ａ）のウェハＳ上に配置された各チップに対し、チップ位置データでは図５（ｂ）に示すようにチップ番号（Ｘ，Ｙ）が付与されており、ウェハ座標系（ウェハ中心が原点）での各チップ位置Ｘｃｈｉｐ，Ｙｃｈｉｐが記述されている。
【００２６】
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法のチップデータの詳細は、図６に示すように表される。図６（ａ）はチップデータを示す図であり、図６（ｂ）はチップデータから生成されるフレーム位置データを示す図である。図６（ａ）に示すチップデータの各フレームに対し、フレーム位置データでは図６（ｂ）に示すように、チップ座標系（チップ中心が原点）でのフレーム番号に対応するフレーム原点位置Ｘｆ，Ｙｆが記述されている。
【００２７】
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に適用されるストライプデータの詳細は、図７に示すように表される。図７（ａ）はストライプレイアウトを示す図であり、図７（ｂ）はチップレイアウトデータとフレーム位置データから生成されるストライプ位置データを示す図である。図７（ａ）に示すようにウェハＳ上の描画領域がストライプに分割され、スウェハプ位置データでは、図７（ｂ）に示すように各ストライプの番号に対応するストライプ原点位置Ｘｓｔｒ，Ｙｓｔｒが記述されている。ここでは、図７（ｂ）に示す各チップ原点位置に、図６（ｂ）に示す各フレームの原点位置を加算することによって、図７（ｂ）に示すストライプ原点位置Ｘｓｔｒ，Ｙｓｔｒを求めることができる。
【００２８】
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に適用される手順データの詳細は、図８に示すように表される。図８に示すように、手順データには、チップ番号、フレーム番号、及びストライプ番号が記述されている。
【００２９】
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に適用されるデータ展開回路３０２の詳細なブロック構成は、図９に示すように表される。
【００３０】
データ展開回路３０２は、バスアダプタ３１１、主偏向データ回路３１２、ショットデータ回路３１３、及び展開回路３１４から構成されており、これらはデータバス３１５に接続されている。制御計算機４から、チップデータがバスアダプタ４１を介して、データ展開回路３０２に書き込まれる。主偏向データは主偏向データ回路３１２内のメモリに格納され、ショットデータはショットデータ回路３１３内のメモリに格納される。図８に示した手順データは、展開回路３１４内の第１演算回路３１４１に接続されている第１メモリ３１４２に格納される。
【００３１】
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に適用される位置補正回路３０３の詳細なブロック構成は、図１０に示すように表される。
【００３２】
制御計算機４から、描画データ４０１ａが、データ展開回路３０２に書き込まれ、ウェハレイアウトデータ４０１ｂ（チップ位置データ、フレーム位置データ、ストライプ位置データを含む）が、位置補正回路３０３に書き込まれる。
【００３３】
図５（ｂ）に示したチップ位置データ、図６（ｂ）に示したフレーム位置データ、図７（ｂ）に示したストライプ位置データは、位置補正回路３０３内の第２演算回路３０３２に接続されている第２メモリ３０３３に格納される。
【００３４】
図３において、ウェハＳが、Ｘ−Ｙステージ１０１上に置かれ「描画準備」が整った段階で、制御計算機４がデータ展開回路３０２にデータ送出指示を出す。
【００３５】
「描画準備」とは、Ｘ−Ｙステージ１０１が移動開始点及び終了点が求められており、Ｘ−Ｙステージ１０１が移動開始点にある状態をいう。
【００３６】
Ｘ−Ｙステージ１０１の移動開始点及び終了点は、各ストライプの描画開始点及び終了点（Ｘｓｔａｒｔ、Ｘｅｎｄ）から求まる。各ストライプの描画開始点及び終了点（Ｘｓｔａｒｔ、Ｘｅｎｄ）に対し、各ストライプのステージ速度に合わせて、助走および減速距離（Ｘ助走、Ｘ減速）を決定する。すなわち、ステージ移動開始及び終了点（Ｘｓｔｇｓ、Ｘｅｔｇｅ）を以下のように決定する。
【００３７】
順方向移動の場合は、
ステージ移動開始点（Ｘｓｔｇｓ）＝描画開始点（Ｘｓｔａｒｔ）―助走距離(Ｘ助走)
ステージ移動終了点（Ｘｓｔｇｅ）＝描画終了点（Ｘｅｎｄ）＋減速距離（Ｘ減速）
逆方向移動の場合は、
ステージ移動開始点（Ｘｓｔｇｓ）＝描画開始点（Ｘｓｔａｒｔ）＋助走距離(Ｘ助走)
ステージ移動終了点（Ｘｓｔｇｅ）＝描画終了点（Ｘｅｎｄ）−減速距離（Ｘ減速）
となる。
【００３８】
具体的には、図９に示す主偏向データ回路３１２に、転送開始アドレス、ワード数、転送繰り返し数を指示すると、主偏向データ回路３１２内のメモリから、展開回路３１４内の第１演算回路３１４１へ主偏向データの転送が開始される。主偏向データ回路３１２は、展開回路３１４のＦＩＦＯのハーフフル（ＨＦ）フラグを検出して、データの送出／一時停止を判断する。
【００３９】
データ展開回路３０２へのデータ送出指示がなされた段階で、制御計算機４から、ステージ１０１への移動指示を行う。制御計算機４は、ステージ駆動回路１１を介して、ステージ１０１をステージ移動開始点に移動させ、移動終了位置及び速度を指定する。
【００４０】
展開回路３１４の第１演算回路３１４１では、主偏向データ回路３１２から主偏向データをＦＩＦＯで受け、さらにＦＩＦＯから１個分の主偏向データを読み込むと、ショットデータ回路３１３からショットデータを読み出す。具体的には、図４（ａ）に示す主偏向データに含まれるショットデータの開始アドレスとショット数を指定して、ショットデータ回路３１３に起動をかける。ショットデータ回路３１３は、第１演算回路３１４１から指定されたアドレスに記述されたショットデータを指定されたショット数分だけ送出する。
【００４１】
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に適用されるデータ展開回路からの送出データは、図１１に示すように表される。
【００４２】
第１演算回路３１４１では、主偏向データに、ショットデータ回路３１３から送られたショットデータを付与して、図１１に示すような形式で、後段の位置補正回路３０３に送出する。この際、第１メモリ３１４２に格納された手順データにしたがって、主偏向データ回路３１２から送られた主偏向データに、チップ番号、フレーム番号、及びストライプ番号を付加する。フレームの最後の副偏向位置データには、フレームの終了を示す制御コードが付与されており、第１演算回路３１４１では、この制御コードを検出して、手順データの手順をひとつ進める。
【００４３】
位置補正回路３０３では、送られたデータを、主偏向データとショットデータに分割する。まず、第１演算回路３０３１において、主偏向データとショットデータに分割する。主偏向データは第２演算回路３０３２に送出され、ショットデータは偏向制御回路３０１の演算部３０１ｂに送出される。
【００４４】
位置補正回路３０３の第２演算回路３０３２では、データ展開回路３０２から送られたチップ番号とフレーム番号を含む主偏向データをウェハ座標系に変換する。
【００４５】
まず第２演算回路３０３２は、ウェハップ番号を基に第２メモリ３０３３に格納されたチップ位置データを呼び出し、ウェハ座標系（ウェハ中心が原点）で記述されたチップ位置Ｘｃｈｉｐ，Ｙｃｈｉｐを読み出す。
【００４６】
次に第２演算回路３０３２は、フレーム番号を基に第２メモリ３０３３に格納されたフレーム位置データを呼び出し、チップ座標系（チップ中心が原点）で記述されたフレーム原点位置Ｘｆ，Ｙｆを読み出す。
【００４７】
次に第２演算回路３０３２は、チップ位置Ｘｃｈｉｐ，Ｙｃｈｉｐ、フレーム位置Ｘｆ，Ｙｆ、及び主偏向位置Ｘｍ，Ｙｍを加算し、ウェハ座標系における主偏向位置Ｘｍｗｆ、Ｙｍｗｆを求める。
【００４８】
Ｘｍｗｆ＝Ｘｍ＋Ｘｆ＋Ｘｃｈｉｐ
Ｙｍｗｆ＝Ｙｍ＋Ｙｆ＋Ｙｃｈｉｐ
ここで、主偏向位置（Ｘｍｗｆ，Ｙｍｗｆ）は、ウェハ座標系における（ウェハ原点からの）副偏向領域の描画位置を示す。
【００４９】
更に、第４演算回路３０３６において、主偏向データについてはウェハ歪みやチップ歪みの位置補正を実施して主偏向位置（Ｘｍｗｆ，Ｙｍｗｆ）を算出し、さらに主偏向位置（Ｘｍｗｆ，Ｙｍｗｆ）に対し、ウェハ原点のステージ座標を加算して、ウェハ座標系からステージ座標系（Ｘｍｓｔｇ，Ｙｍｓｔｇ）に変換して、後段の偏向制御回路３０１に送出する。なお、第４演算回路３０３６には図示しないメモリが搭載されており、位置補正に必要な補正係数や座標値が格納されている。
【００５０】
図３中の偏向制御回路３０１では、送出された主偏向データ及びショットデータの処理を行う。演算部３０１ａは、ステージ座標系に変換された主偏向データ（Ｘｍｓｔｇ，Ｙｍｓｔｇ）に対し、位置回路１２の出力する現在のステージ座標（Ｘｓｔｇ，Ｙｓｔｇ）から、次式のように、主偏向位置（Ｘｍｄｅｆ，Ｙｍｄｅｆ）を算出する。
【００５１】
Ｘｍｄｅｆ＝Ｘｍｓｔｇ−Ｘｓｔｇ
Ｙｍｄｅｆ＝Ｙｍｓｔｇ−Ｙｓｔｇ
更に、レンズ歪みによる位置補正を実施し、主偏向位置（Ｘｍｄｅｆ，Ｙｍｄｅｆ）を算出する。ここで、主偏向位置（Ｘｍｄｅｆ，Ｙｍｄｅｆ）は、主偏向領域座標系における（主偏向領域原点からの）副偏向領域の描画位置であり、チップ歪補正量とウェハ歪補正量が加算されたものである。主偏向データ（Ｘｍｓｔｇ，Ｙｍｓｔｇ）、主偏向位置（Ｘｍｄｅｆ，Ｙｍｄｅｆ）は、主偏向アンプ４０３に送出され、主偏向器２０６ａに所望の電圧を発生させる。
【００５２】
（電子ビーム描画方法）
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置の電子ビーム描画方法を示すフローチャート図であって、偏向制御回路３０１内の演算部３０１ａの描画処理フローを説明するフローチャートは、図１２に示すように表される。
【００５３】
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に適用される偏向制御回路３０１内の演算部３０１ａのブロック構成は、図１３に示すように表される。本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置の電子ビーム描画方法においては、上述の偏向制御回路３０１内の演算部３０１ａの処理を効率よく行うことで、処理の高速化を実現している。
【００５４】
（ａ）まず、ステップＳ１０において、初期化を実施する。初期化では、図１３中のメモリ１３３に書き込まれている描画処理フラグ（最初のＳＦであるか否かを示すフラグであり、予測したステージ位置を使用するか否かを示すフラグ）をゼロにする。更に、メモリ１３３に格納されているステージ予測移動量（予測ＳＴＧ量）をゼロに設定する。
【００５５】
（ｂ）次に、ステップＳ１１において、図１３中のデータ読み出し部１３１が、ＳＦ位置データを読み込む。
【００５６】
（ｃ）次に、ステップＳ１２において、窓枠判定部１３２が、位置回路１２から現在のステージ位置及びステージ速度を取得する。
【００５７】
（ｄ）次に、ステップＳ１３において、窓枠判定部１３２は、メモリ１３３から読み込んだステージ予測移動量と現在のステージ位置に基づいて、ＳＦ描画時のステージ位置が偏向距離内に入っているかどうかを判定する。入っていれば、ステップＳ１４に進み、偏向距離内に入っていない場合は、ステップＳ１３に戻り、一連の動作を繰り返して、ＳＦ描画時のステージ位置が偏向距離内に入るまで待つ。更に、メモリ１３３に書き込まれた描画処理フラグを読み出し、図示しないレジスタに格納する。
【００５８】
（ｅ）次に、ステップＳ１４において、歪み補正部１３４では、現在のステージ位置と目標とするＳＦ描画位置までの距離を算出し、補正係数メモリ１３５から偏向距離に応じた補正係数を読み出して、偏向歪の算出を行い、偏向電圧を決定する。
【００５９】
（ｆ）次に、ステップＳ１５において、ＳＴＧ位置予測部１３６では、ＳＦ位置データ（描画データ）に含まれるＳＦ内のショット数、及び平均ショット時間に基づいて、ＳＦの描画時間を予測する。
【００６０】
（ｇ）次に、ステップＳ１６において、ＳＴＧ位置予測部１３６では、ＳＦ描画時間と、位置回路１２から読み出したステージ速度に基づいて、計算処理しているＳＦの描画後のステージ位置を予測する。即ち、ＳＦ描画にかかる時間に、ステージ速度を乗算すれば、ＳＦ描画中のステージ予測移動量が算出される。予測したステージ予測移動量はメモリ１３３に書き込まれ、次のＳＦの計算を実施する際に使用する。
【００６１】
更に、次のＳＦ計算処理でステージ予測移動量を使用するためのフラグを１に設定し、メモリ１３３に書き込む。なお、ステージ予測移動量の算出にあたっては、（データ読み出し時間と窓枠判定時間と演算処理時間）の合計時間とＳＦの予測描画時間を比較して、大きな方の時間を使い、ステージ速度と乗算してステージ予測移動量を算出する。これにより、ＳＦ内のショット数が少なく、描画時間が極端に短い場合でも正確なステージ予測移動量を求めることができる。
【００６２】
（ｈ）次に、ステップＳ１７において、出力判定部１３７では、ステップＳ１３で図示しないレジスタに格納した描画処理フラグがゼロの場合は、次のステップＳ１９に進む。
【００６３】
（ｉ）次に、ステップＳ１７において、描画処理フラグが１の場合は、ステップＳ１８に進み、前ＳＦの描画終了信号を検知するまで待ち、前ＳＦの終了信号が検知した段階で次のステップＳ１９に進む。
【００６４】
（ｊ）次に、ステップＳ１９において、転送部１３８は、偏向アンプにデータを転送する。
【００６５】
（ｋ）次に、ステップＳ２０において、転送部１３８では、所定のセトリング時間が経過するのを待つ。
【００６６】
（ｌ）次に、ステップＳ２１において、偏向アンプ１３９の電圧が安定した段階で、描画開始（ビーム照射）の信号を偏向アンプ１３９に送出する。
【００６７】
（ｍ）次に、ステップＳ２２において、描画処理では、データ読み出し部１３１がストライプエンドフラグ（ストライプ内の最終ＳＦを示すフラグ）を検知しない場合は、ステップＳ２３に進み、描画処理フラグを１に設定し、ステップＳ１１に戻る。
【００６８】
（ｎ）次に、ステップＳ２２において、描画処理では、データ読み出し部１３１がストライプエンドフラグ（ストライプ内の最終ＳＦを示すフラグ）を検知した場合は、該当ＳＦの描画終了信号を検知して、ストライプ描画を終了する。
【００６９】
―タイミングチャート―
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画方法のタイミングチャートは、図１４に示すように表される。
【００７０】
図１４に示すように、本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画方法の場合、描画開始した段階で、前ＳＦの計算処理（図１２のステップＳ１５及びステップＳ１６）中に予測したステージ予測位置に基づいて、次のSFに対する偏向歪み計算を開始している。この結果、図２１に示す従来例に比べ、無駄時間を大幅に短縮し、電子ビーム描画における生産性を従来に比べ、大幅に向上させることができる。
【００７１】
なお、本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画方法では、図１２のステップＳ１４〜ステップＳ１６において、偏向歪み補正、ＳＦの描画時間予測、ステージ移動量予測の順序で行ったが、他の順序で行ってもよい。例えば、ＳＦの描画時間予測とステージ移動量予測を実施した後で、偏向歪み補正演算を実施しても構わない。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で順序を変更することができる。
【００７２】
また、本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置において、図１３に示す偏向制御回路３０１の演算部３０１ａはデジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）を用いて構成することができる。即ち、図１２に示す処理フローを実現するプログラムを作成し、ＤＳＰで処理することもできる。メモリ１３３や補正係数メモリ１３５は、ＤＳＰ内部のメモリを用いることが望ましいが、外部メモリを用いても構わない。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で変形することができる。
【００７３】
本発明の電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法によれば、偏向制御回路内で描画すべきＳＦ位置のステージ位置を予測することにより、前回のＳＦ描画終了を待たずに、偏向歪の計算を行うことが可能になり、無駄時間を低減し、電子ビーム描画における生産性を大幅に向上させることができる。
【００７４】
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法によれば、偏向制御回路内で描画すべきＳＦ位置のステージ位置を予測することにより、前回のＳＦ描画終了を待たずに、偏向歪の計算を行うことが可能になり、無駄時間を低減し、電子ビーム描画における生産性を大幅に向上させることができる。
【００７５】
[第２の実施の形態]
本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画方法を、図１５に示す描画フローを説明するフローチャートを用いて説明する。本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画装置の制御計算機４及び制御回路３の詳細を含む模式的ブロック構成は、図１６に示すように表される。本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画方法では、予め描画におけるステージ位置を予測し、この予測したステージ位置に基づいて、描画を実施している。
【００７６】
又、本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画装置の描画経過時間とステージ位置の関係は、図１７に示すように表される。又、本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画装置のステージ予測移動量データの関係は、図１８に示すよう表される。
【００７７】
図１７（ａ）は、あるストライプについて、ステージ速度を一定とした場合のストライプ描画開始からの経過時間とステージ位置の関係と、図１７（ｂ）は、あるストライプについて、チップ内のパターンの粗密に従って、ステージ速度が変化している場合を示している。図１７（ｂ）では、ステージはパターンが蜜な所は遅く、パターンが疎なとこは早く移動するため、描画経過時間に対するステージ位置の傾きは一定にはならない。ここでは、ストライプの描画開始から１秒間隔でステージ移動量を予測し、図１８に示すようなステージ移動量予測データを作成した。
【００７８】
（可変速対応の描画方法）
（ａ）まず、図１５のステップＳ３０において、ウェハＳ上のチップレイアウト（図５）を作成し、作成したウェハレイアウトデータ４０１ｂを制御計算機４内に格納する。
【００７９】
（ｂ）次に、ステップＳ３１において、ステージ速度予測部４０２ａは、制御計算機４内に格納された描画データ４０１aに対し、フレーム（ストライプ）毎のステージ速度を算出する。
【００８０】
（ｃ）次に、ステップＳ３２において、ステージ位置予測部４０３ｂは、ステップＳ３１で算出されたフレーム（ストライプ）毎のステージ速度情報、及びウェハレイアウトデータ４０１ｂに基づき、ストライプ毎に描画開始からの経過時間に対するステージ予測位置データ４０１ｃを作成する。
【００８１】
（ｄ）次に、ステップＳ３３において、ステージ予測位置データ４０１ｃを、偏向制御回路３０１内の演算部３０１ａに格納する。
【００８２】
（ｅ）次に、ステップＳ３４において、描画に際しては、描画データ４０１ａに記述されたストライプ情報に基づき、該当のストライプに対応したステージ予測位置データ４０１ｃを読み込む。偏向制御回路３０１内の演算部３０１ａにおいては、ストライプ描画開始からの経過時間を内部のタイマで計測し、ステージ予測移動量データから、ある経過時間におけるステージ予測位置を算出し、第１の実施の形態と同様の描画処理を実施する。
【００８３】
（ｆ）次に、ステップＳ３５において、さらに処理すべきストライプがある場合はステップＳ３６に進み、全てのストライプが描画終了した場合は、描画終了処理を実施する。
【００８４】
（ｇ）次に、ステップＳ３６において、次のストライプの処理を実施する場合には、ステップＳ３４と同様に、描画データに記述されたストライプ情報に基づき、該当のストライプに対応したステージ予測移動量データを読み込む。偏向制御回路内の演算部３０１ａは、ストライプ描画開始からの経過時間を内部のタイマで計測し、ステージ予測移動量データから、ある経過時間におけるステージ予測位置を算出し、第１の実施の形態と同様の描画処理を実施する。
【００８５】
（ｈ）全てのストライプの処理が終了した場合は、描画終了処理を実施する。
【００８６】
（電子ビーム描画方法）
本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画装置の電子ビーム描画方法を示すフローチャート図であって、偏向制御回路３０１内の演算部３０１ａの描画処理フローを説明するフローチャートは、図１９に示すように表される。
【００８７】
本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に適用される偏向制御回路３０１内の演算部３０１ａのブロック構成は、図２０に示すように表される。
【００８８】
（ａ）まず、図１９のステップＳ４０において、初期化を実施する。初期化では、図２０中のメモリ１３３ａに書き込まれている描画処理フラグ（最初のＳＦであるか否かを示すフラグであり、ステージ予測移動量を使用するか否かを示すフラグ）をゼロにする。更に、メモリ１３３ａに格納されているステージ予測移動量（予測ＳＴＧ量）をゼロに設定する。また、経過時間タイマのカウントを開始する。
【００８９】
（ｂ）次に、ステップＳ４１において、図２０中のデータ読み出し部１３１が、ＳＦ位置データを読み込む。
【００９０】
（ｃ）次に、ステップＳ４２において、経過時間に基づき、メモリ１３３ａに格納されているステージ予測移動量からステージ予測移動量を求める。
【００９１】
（ｄ）次に、ステップＳ４３において、窓枠判定部１３２が、位置回路１２から現在のステージ位置を取得する、
（ｅ）次に、ステップＳ４４において、窓枠判定部１３２は、メモリ１３３aから読み込んだステージ予測移動量と現在のステージ位置に基づいて、ＳＦ描画時のステージ位置が偏向距離内に入っているかどうかを判定する。ＳＦ描画時のステージ位置が偏向距離内に入っている場合には、ステップＳ４５に進み、ＳＦ描画時のステージ位置が偏向距離内に入っていない場合には、ステップＳ４３及びステップ４４に戻り、ＳＦ描画時のステージ位置が偏向距離内に入るまで待つ。更に、メモリ１３３ａに書き込まれた描画処理フラグを読み出し、図示しないレジスタに格納する。
【００９２】
（ｆ）次に、ステップＳ４５において、歪み補正部１３４では、現在のステージ位置と目標とするＳＦ描画位置までの距離を算出し、補正係数メモリ１３５から偏向距離に応じた補正係数を読み出して、偏向歪の算出を行い、偏向電圧を決定する。
【００９３】
（ｇ）次に、ステップＳ４６において、ＳＴＧ位置予測部１３６では、ＳＦ位置データ（描画データ）に含まれるＳＦ内のショット数、及び平均ショット時間に基づいて、ＳＦの描画時間を予測する。
【００９４】
（ｈ）次に、ステップＳ４７において、更に、ＳＴＧ位置予測部１３６では、ステップＳ４０でカウントを開始したタイマの経過時間を取得し、ステップＳ４６で算出したＳＦの描画時間を加算して、ＳＦ描画終了後の経過時間を算出する。その後、メモリ１３３ｂに格納されたステージ位置予測データに基づいて、計算処理しているＳＦの描画後のステージ移動量を予測する。ＳＦ描画後の経過時間に対するステージ予測移動量は、メモリ１３３ｂに格納されたステージ予測位置データ４０１ｃを補間処理することにより求めることができる。求めたステージ予測移動量は、メモリ１３３aに書き込まれ、次のＳＦの計算を実施する際に使用する。
【００９５】
更に、次のＳＦ計算処理でステージ予測移動量を使用するためのフラグを１に設定し、メモリ１３３ａに書き込む。なお、ステージ予測移動量の算出にあたっては、（データ読み出し時間と窓枠判定時間と演算処理時間）の合計時間とSFの予測描画時間を比較して、大きな方の時間を使い、ステージ速度と乗算してステージ予測移動量を算出する。これにより、ＳＦ内のショット数が少なく、描画時間が極端に短い場合でも正確なステージ予測移動量を求めることができる。
【００９６】
（ｉ）次に、ステップＳ４８において、出力判定部１３７では、ステップＳ４４で図示しないレジスタに格納した描画処理フラグがゼロの場合は、次のステップＳ５０に進む。
【００９７】
（ｊ）次に、ステップＳ４８において、描画処理フラグが１の場合は、ステップＳ４９に進み、前ＳＦの描画終了信号を検知するまで待ち、前ＳＦの終了信号が検知した段階で次のステップＳ５０に進む。
【００９８】
（ｋ）次に、ステップＳ５０において、転送部１３８は、偏向アンプにデータを転送する。
【００９９】
（ｌ）次に、ステップＳ５１において、転送部１３８では、所定のセトリング時間が経過するのを待つ。
【０１００】
（ｍ）次に、ステップＳ５２において、偏向アンプ１３９の電圧が安定した段階で、描画開始（ビーム照射）の信号を偏向アンプ１３９に送出する。
【０１０１】
（ｎ）次に、ステップＳ５３において、描画処理では、データ読み出し部１３１がストライプエンドフラグ（ストライプ内の最終ＳＦを示すフラグ）を検知しない場合は、ステップＳ５４に進み、描画処理フラグを１に設定し、ステップＳ１１に戻る。
【０１０２】
（ｏ）次に、ステップＳ５３において、描画処理では、データ読み出し部１３１がストライプエンドフラグ（ストライプ内の最終ＳＦを示すフラグ）を検知した場合は、該当ＳＦの描画終了信号を検知して、ストライプ描画を終了する。
【０１０３】
尚、本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法では、ストライプの描画開始からの経過時間に基づいて、ステージ位置を予測したが、他の方法を用いてもよい。例えば、各ＳＦを描画する時点のステージ位置を予測し、各ＳＦ描画終了後のステージ予測移動量をメモリ１３３ｂに格納してもよい。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で変形することができる。
【０１０４】
本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法によれば、偏向制御回路内で描画すべきＳＦ位置のステージ位置を予測することにより、前回のＳＦ描画終了を待たずに、偏向歪の計算を行うことが可能になり、無駄時間を大幅に短縮し、電子ビーム描画における生産性を、大幅に向上させることができる。
【０１０５】
[その他の実施の形態]
上記のように、本発明は第１乃至第２の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【０１０６】
本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置の模式的全体ブロック構成図。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画方法のステージ連続移動方式を説明するための図。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置の制御計算機及び制御回路の詳細を含む模式的ブロック構成図。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に関係する描画データの構造を示す図。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法において、ウェハレイアウトデータの詳細について説明する図。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法において、チップデータの詳細について説明する図。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画装置の描画方法に適用されるストライプデータの詳細について説明するための図。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に適用される手順データの詳細について説明する図。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に適用されるデータ展開回路の詳細について説明する図。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に適用される位置補正回路の詳細について説明するの図。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に適用されるデータ展開回路からの送出データを示す図。
【図１２】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置の電子ビーム描画方法を示すフローチャート図であって、偏向制御回路内の演算部の描画処理フローを説明するフローチャート図。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に適用される偏向制御回路内の演算部の模式的ブロック構成図。
【図１４】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画方法のタイミングチャート図。
【図１５】本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画方法の描画フローを説明するフローチャート図。
【図１６】本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画装置の制御計算機及び制御回路の詳細を含む模式的ブロック構成図。
【図１７】本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法の描画経過時間とステージ位置の関係を示す図。
【図１８】本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法のステージ予測移動量データを示す図。
【図１９】本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画装置の電子ビーム描画方法を示すフローチャート図であって、偏向制御回路内の演算部の描画処理フローを説明するフローチャート図。
【図２０】本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に適用される偏向制御回路内の演算部の模式的ブロック構成図。
【図２１】従来の電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法において、描画処理フローを示す図。
【符号の説明】
【０１０８】
１…試料室
２…電子光学系
３…制御回路
４…制御計算機
５…磁気ディスク
６…ストライプ
８…フレーム（主偏向領域）
９…副偏向領域
１０…ＣＰアパーチャ
４１，３１１…バスアダプタ
１１…ステージ駆動回路
１２…位置回路（レーザ測長計）
１３…電子検出器
１０１…Ｘ−Ｙステージ
１３１…データ読み出し部
１３２…窓枠判定部
１３３，１３３ａ，１３３ｂ…メモリ
１３４…歪み補正部
１３５…補正係数メモリ
１３６…ＳＴＧ位置予測部
１３７…出力判定部
１３８…転送部
１３９…偏向アンプ
２００…鏡筒
２０１…電子銃
２０２…コンデンサレンズ
２０３…投影レンズ
２０４…縮小レンズ
２０５…対物レンズ
２０５ａ−ｄ…ＣＰ偏向器
２０６ａ…主偏向器
２０６ｂ…副偏向器
２０７…ブランキング用偏向器
２０８…ビーム成形用アパーチャ
２０９…ＣＰアパーチャ
３０１…偏向制御回路
３０１ａ，３０１ｂ…演算部
３０２…データ展開回路
３０３…位置補正回路
３１２…主偏向データ回路
３１３…ショットデータ回路
３１４…展開回路
３０３１,３１４１…第１演算回路
３１４２…第１メモリ
３０３２…第２演算回路
３０３３…第２メモリ
３０３６…第３演算回路
３１５…データバス
４０１ａ…描画データ
４０１ｂ…ウェハレイアウトデータ
４０１ｃ…ステージ予測位置データ
４０１…ブランキングアンプ
４０２…ビーム成形アンプ
４０２ａ…ステージ速度予測部
４０３…主偏向アンプ
４０３ｂ…ステージ位置予測部
４０４…副偏向アンプ
Ｓ…ウェハ
ｂ…電子ビーム
Ｓ１０〜Ｓ２３，Ｓ３０〜Ｓ３６，Ｓ４０〜Ｓ５４…ステップ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に関し、特に、半導体集積回路の回路パターンを描画する電子ビー描画装置及び電子ビーム描画方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子ビーム描画装置では、スループットを向上させるために、ステージ連続移動方式と呼ばれる描画方式を採用している。この方式は、描画制御回路が、ステージ座標系に変換された所望の描画位置データに対して、ステージ位置測長系からの位置データを基に、描画制御回路は現在のステージ位置と所望の描画位置までの電子ビーム偏向距離を設定する方式である。ステップアンドリピート方式に比べ、ステージの移動停止に伴う無駄時間が少ないため、高速にパターンを描画することが可能になる。しかしながら、近年のパターン微細化に伴い、このステージ連続移動方式にも以下のような問題が生じた。
【０００３】
ステージ連続移動方式における従来の描画処理フローを図２１に示す。この処理フローによれば、前サブフィールド（ＳＦ：Ｓｕｂ Ｆｉｅｌｄ ）の終了を確認するステップＳ１、現在のステージ位置及びＳＦデータを取得するステップＳ２、現在のステージ位置と目標とするＳＦ描画位置までの距離を算出するステップＳ３、目標までの距離が偏向距離（ビーム偏向可能な領域）内であるかどうかを判断するステップＳ４、目標までの距離が偏向距離内であれば、距離に応じた偏向歪の算出を行い、偏向電圧を決定するステップＳ５、偏向アンプにデータを転送するステップＳ６、偏向アンプの電圧が安定させるため、整定（セトリング）時間分描画処理を待機するステップＳ７、及び描画処理を実行するステップＳ８という手順で描画処理を実施する。
【０００４】
しかしながら、上述のステップＳ１〜ステップＳ５までの処理には数１０μｓｅｃの時間を要していた。このステップＳ１〜ステップＳ５までの処理時間は、実際に描画をしていない無駄時間となっていた。パターン微細化により、パターン数が増加すると、上述した無駄時間が多くなり、スループットが向上しないという問題があった。
【０００５】
電子ビームの照射位置の補正方法として、各図形アパーチャに対して基板表面上の照射位置ずれを予め測定し、照射位置ずれを対物偏向器にフィードバックすることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。しかし、特許文献１の補正方法では、図形アパーチャの数が多い場合、各図形アパーチャに対する照射位置の測定やビーム軸調整に膨大な時間を要し、ビーム軸調整パラメータを含めたデータ量も膨大な量となってしまう。
【特許文献１】特許第３３９４２３３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、偏向制御回路内で描画すべきＳＦ位置のステージ位置を予測することにより、前回のＳＦ描画終了を待たずに、偏向歪の計算を行うことが可能になり、無駄時間を低減し、電子ビーム描画における生産性を大幅に向上させる電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、ステージ連続移動方式の電子ビーム描画装置であって、（イ）Ｎ個目の描画領域の位置データを取得する手段と、（ロ）ステージ位置及びステージ速度を取得する手段と、（ハ）Ｎ個目の描画領域を処理する時点のステージ予測位置を求める手段と、（ニ）ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下かどうかを判断する手段と、（ホ）判断する手段において，ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下とされた場合，距離に応じた偏向歪の補正を行い，偏向電圧を決定する手段と、（ヘ）（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を検出する手段と、（ト）（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を確認した場合，決定した偏向電圧にて電子ビームを偏向させて描画する手段とを備える電子ビーム描画装置が提供される。
【０００８】
本発明の他の態様によれば、Ｎ個目の描画領域の位置データを取得する手段と、ステージ位置及びステージ速度を取得する手段と、Ｎ個目の描画領域を処理する時点のステージ予測位置を求める手段と、前記ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下かどうかを判断する手段と、前記判断する手段において，前記ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下とされた場合に，前記距離に応じた偏向歪の補正を行い，偏向電圧を決定する手段と、（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を検出する手段と、（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を確認した場合には，前記決定した偏向電圧にて電子ビームを偏向させて描画する手段とを備えるステージ連続移動方式の電子ビーム描画装置の電子ビーム描画方法であって、（イ）Ｎ個目の描画領域の位置データを取得する工程と、（ロ）ステージ位置及びステージ速度を取得する工程と、（ハ）Ｎ個目の描画領域を処理する時点のステージ予測位置を求める工程と、（ニ）ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下かどうかを判断する工程と、（ホ）判断手段において、ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下と判断された場合に、距離に応じた偏向歪の補正を行い、偏向電圧を決定する工程と、（ヘ）（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を検出する工程と、（ト）（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を確認した場合，決定した偏向電圧にて電子ビームを偏向させて描画する工程とを含む電子ビーム描画方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法によれば、偏向制御回路内で描画すべきＳＦ位置のステージ位置を予測することにより、前回のＳＦ描画終了を待たずに、偏向歪の計算を行うことが可能になり、無駄時間を低減し、電子ビーム描画における生産性を大幅に向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
次に、図面を参照して、本発明の第１乃至第２の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各ブロックの平面寸法の関係、比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な寸法、比率等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【００１１】
また、以下に示す第１乃至第２の実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００１２】
[第１の実施の形態]
（全体構成）
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置の模式的全体ブロック構成は、図１に示すように表される。本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置は、ステージ連続移動方式と主副２段偏向方式を用いている。
【００１３】
試料室１内には、ウェハ（試料、半導体基板）Ｓを載置したＸ−Ｙステージ１０１が収容されている。このＸ−Ｙステージ１０１は、ステージ駆動回路１１により駆動され、Ｘ−Ｙステージ１０１の移動位置はレーザ測長計からなる位置回路１２により測定される。又、ウェハＳからの２次電子及び反射電子は電子検出器１３により検出される。
【００１４】
試料室１の上方には、鏡筒２００内に電子光学系２が設けられている。電子光学系２は、電子銃２０１、各種レンズ（コンデンサレンズ２０２、投影レンズ２０３、縮小レンズ２０４、対物レンズ２０５）、各種偏向器（ＣＰ偏向器２０５ａ−ｄ、主偏向器２０６ａ，副偏向器２０６ｂ，ブランキング用偏向器２０７）、ビーム成形用アパーチャ２０８、及びＣＰアパーチャ２０９から構成されている。ここでは、従来の電子ビーム描画装置に備わっている、ビーム調整用電極やコイル等については図示を省略している。
【００１５】
制御回路３は、ブランキングアンプ４０１を介してブランキング用偏向器２０７を制御し、ブランキング用偏向器２０７はビームをオン・オフする。また制御回路３は、ビーム成形アンプ４０２を介してＣＰ偏向器２０５ａ−ｄを制御し、ＣＰ偏向器２０５ａ−ｄはビームを成形する。更に、制御回路３は、主偏向アンプ４０３を介して主偏向器２０６ａを制御し、副偏向アンプ４０４を介して副偏向器２０６ｂを制御する。これにより、ウェハＳ上でビームが走査される。尚、加速電圧は５ｋｅＶであり、主偏向器２０６ａ，副２０６ｂの偏向領域の大きさは、例えば、それぞれ１．５ｍｍ、５０μｍとなっている。
【００１６】
主副２段偏向方式とは、主偏向器２０６ａで副偏向領域を数ｍｍの広い範囲で位置決めし、副偏向器２０６ｂでショットを数１０μｍの範囲で高速に位置決めすることで、描画範囲を高速に描画する方式である。この方式では、チップデータ（描画データ）をフレームと呼ばれる帯状の主偏向領域に分割しており、主偏向領域内の副偏向領域位置を主偏向器２０６ａで位置決めし、副偏向領域内のショット位置を副偏向器２０６ｂで位置決めする。
【００１７】
（ステージ連続移動方式）
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画方法のステージ連続移動方式を、図２を用いて説明する。ステージ連続移動方式とは、図２に示すように、ウェハＳ上の複数のチップをストライプと呼ばれる帯状の主偏向領域に分割し、Ｘ−Ｙステージ１０１を連続駆動しながら描画する方式である。ステージ連続移動方式は、Ｘ−Ｙステージ１０１のステップ移動回数が少ないため、高いスループットを期待できる。なお、図２では、ストライプを縦方向に分割しているが、横方向に分割してもよい。図７以降では、ストライプを横方向に分割した例を示している。
【００１８】
これら一連の制御は、図１に示す制御計算機（コンピュータ）４内に格納された制御プログラムによって実行される。この制御プログラムは、電子ビーム（ＥＢ）描画データとレイアウトデータに従って、制御回路３等の各部を動作させ、描画を実行する。
【００１９】
（電子ビーム描画装置）
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置の制御計算機４及び制御回路３の詳細を含む模式的ブロック構成は、図３に示すように表される。以下、図３を基に各部の機能を説明する。図３において図１と同一な部分には同符号を付してある。また、偏向制御回路３０１へのパラメータの転送手順など、従来の電子ビーム描画装置で行われている事項についても説明を省略する。
【００２０】
制御計算機４は、描画データ４０１ａ、ウェハレイアウトデータ４０１ｂの格納部を具備している。制御回路３は、偏向制御回路３０１、データ展開回路３０２、及び位置補正回路３０３を備える。偏向制御回路３０１は、演算部３０１ａ，３０１ｂを備える。制御計算機４からは、描画データ４０１ａ、ウェハレイアウトデータ４０１ｂ（手順データ、チップ位置データ、フレーム位置データ、ストライプ位置データを含む）が、データ展開回路３０２に書き込まれる。
【００２１】
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に関係する描画データの構造は、図４に示すように表される。図４（ａ）は描画データ４０１ａのデータ形式を示す図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）の各データを説明するための図である。図４（ａ）に示すように、描画データ４０１ａは、主偏向器２０６ａを制御するための主偏向データと、副偏向器２０６ｂを制御するための副偏向データ（ショットデータ）から構成されている。
【００２２】
主偏向データには、主偏向領域内での副偏向領域の位置（Ｘｍ，Ｙｍ）、副偏向領域内に含まれるショットのデータ開始位置を示すアドレス、及び副偏向領域内のショット数を含む制御コードが記述されている。ここでいう主偏向領域内での副偏向領域の位置（Ｘｍ，Ｙｍ）は、フレーム原点からの副偏向領域中心の位置として記述されており、フレーム座標系における（フレーム原点からの）副偏向領域の描画位置を示す。
【００２３】
副偏向データには、各ショットの副偏向領域内での位置（Ｘｓ，Ｙｓ）と、ＣＰ偏向器２０５ａ−２０５ｄを制御するための図形コード、照射時間、ショットサイズなどが書き込まれている。また、ここでいうショット位置（Ｘｓ，Ｙｓ）は副偏向領域中心を原点としたショット左下位置として記述されている。また、図形コードとは、図４（ｃ）に示すように、ＣＰアパーチャ上のＣＰ開口（Ａ〜Ｅ）のＣＰアパーチャ原点（０，０）から位置を示しており、ショットサイズはショット左下を原点とした場合の幅及び高さとして記述されている。
【００２４】
図５乃至図８は、本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法において、ウェハレイアウトデータ４０１ｂの詳細について説明するための図である。ウェハレイアウトデータ４０１ｂは、チップ位置データ、フレーム位置データ、ストライプ位置データ、手順データを含む。なお、本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置は、主偏向器２０６ａ，副２０６ｂの偏向領域の大きさは、それぞれ１．５ｍｍ、５０μｍであるが、図５乃至図８では説明を容易にするために、便宜上、ウェハサイズを直径２００ｍｍ、チップサイズを２５ｍｍ角、フレーム幅を６．２５ｍｍとしている。
【００２５】
図５（ａ）はチップレイアウトを示す図であり、図５（ｂ）はチップ位置データを示す図である。図５（ａ）のウェハＳ上に配置された各チップに対し、チップ位置データでは図５（ｂ）に示すようにチップ番号（Ｘ，Ｙ）が付与されており、ウェハ座標系（ウェハ中心が原点）での各チップ位置Ｘｃｈｉｐ，Ｙｃｈｉｐが記述されている。
【００２６】
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法のチップデータの詳細は、図６に示すように表される。図６（ａ）はチップデータを示す図であり、図６（ｂ）はチップデータから生成されるフレーム位置データを示す図である。図６（ａ）に示すチップデータの各フレームに対し、フレーム位置データでは図６（ｂ）に示すように、チップ座標系（チップ中心が原点）でのフレーム番号に対応するフレーム原点位置Ｘｆ，Ｙｆが記述されている。
【００２７】
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に適用されるストライプデータの詳細は、図７に示すように表される。図７（ａ）はストライプレイアウトを示す図であり、図７（ｂ）はチップレイアウトデータとフレーム位置データから生成されるストライプ位置データを示す図である。図７（ａ）に示すようにウェハＳ上の描画領域がストライプに分割され、スウェハプ位置データでは、図７（ｂ）に示すように各ストライプの番号に対応するストライプ原点位置Ｘｓｔｒ，Ｙｓｔｒが記述されている。ここでは、図７（ｂ）に示す各チップ原点位置に、図６（ｂ）に示す各フレームの原点位置を加算することによって、図７（ｂ）に示すストライプ原点位置Ｘｓｔｒ，Ｙｓｔｒを求めることができる。
【００２８】
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に適用される手順データの詳細は、図８に示すように表される。図８に示すように、手順データには、チップ番号、フレーム番号、及びストライプ番号が記述されている。
【００２９】
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に適用されるデータ展開回路３０２の詳細なブロック構成は、図９に示すように表される。
【００３０】
データ展開回路３０２は、バスアダプタ３１１、主偏向データ回路３１２、ショットデータ回路３１３、及び展開回路３１４から構成されており、これらはデータバス３１５に接続されている。制御計算機４から、チップデータがバスアダプタ４１を介して、データ展開回路３０２に書き込まれる。主偏向データは主偏向データ回路３１２内のメモリに格納され、ショットデータはショットデータ回路３１３内のメモリに格納される。図８に示した手順データは、展開回路３１４内の第１演算回路３１４１に接続されている第１メモリ３１４２に格納される。
【００３１】
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に適用される位置補正回路３０３の詳細なブロック構成は、図１０に示すように表される。
【００３２】
制御計算機４から、描画データ４０１ａが、データ展開回路３０２に書き込まれ、ウェハレイアウトデータ４０１ｂ（チップ位置データ、フレーム位置データ、ストライプ位置データを含む）が、位置補正回路３０３に書き込まれる。
【００３３】
図５（ｂ）に示したチップ位置データ、図６（ｂ）に示したフレーム位置データ、図７（ｂ）に示したストライプ位置データは、位置補正回路３０３内の第２演算回路３０３２に接続されている第２メモリ３０３３に格納される。
【００３４】
図３において、ウェハＳが、Ｘ−Ｙステージ１０１上に置かれ「描画準備」が整った段階で、制御計算機４がデータ展開回路３０２にデータ送出指示を出す。
【００３５】
「描画準備」とは、Ｘ−Ｙステージ１０１が移動開始点及び終了点が求められており、Ｘ−Ｙステージ１０１が移動開始点にある状態をいう。
【００３６】
Ｘ−Ｙステージ１０１の移動開始点及び終了点は、各ストライプの描画開始点及び終了点（Ｘｓｔａｒｔ、Ｘｅｎｄ）から求まる。各ストライプの描画開始点及び終了点（Ｘｓｔａｒｔ、Ｘｅｎｄ）に対し、各ストライプのステージ速度に合わせて、助走および減速距離（Ｘ助走、Ｘ減速）を決定する。すなわち、ステージ移動開始及び終了点（Ｘｓｔｇｓ、Ｘｅｔｇｅ）を以下のように決定する。
【００３７】
順方向移動の場合は、
ステージ移動開始点（Ｘｓｔｇｓ）＝描画開始点（Ｘｓｔａｒｔ）―助走距離(Ｘ助走)
ステージ移動終了点（Ｘｓｔｇｅ）＝描画終了点（Ｘｅｎｄ）＋減速距離（Ｘ減速）
逆方向移動の場合は、
ステージ移動開始点（Ｘｓｔｇｓ）＝描画開始点（Ｘｓｔａｒｔ）＋助走距離(Ｘ助走)
ステージ移動終了点（Ｘｓｔｇｅ）＝描画終了点（Ｘｅｎｄ）−減速距離（Ｘ減速）
となる。
【００３８】
具体的には、図９に示す主偏向データ回路３１２に、転送開始アドレス、ワード数、転送繰り返し数を指示すると、主偏向データ回路３１２内のメモリから、展開回路３１４内の第１演算回路３１４１へ主偏向データの転送が開始される。主偏向データ回路３１２は、展開回路３１４のＦＩＦＯのハーフフル（ＨＦ）フラグを検出して、データの送出／一時停止を判断する。
【００３９】
データ展開回路３０２へのデータ送出指示がなされた段階で、制御計算機４から、ステージ１０１への移動指示を行う。制御計算機４は、ステージ駆動回路１１を介して、ステージ１０１をステージ移動開始点に移動させ、移動終了位置及び速度を指定する。
【００４０】
展開回路３１４の第１演算回路３１４１では、主偏向データ回路３１２から主偏向データをＦＩＦＯで受け、さらにＦＩＦＯから１個分の主偏向データを読み込むと、ショットデータ回路３１３からショットデータを読み出す。具体的には、図４（ａ）に示す主偏向データに含まれるショットデータの開始アドレスとショット数を指定して、ショットデータ回路３１３に起動をかける。ショットデータ回路３１３は、第１演算回路３１４１から指定されたアドレスに記述されたショットデータを指定されたショット数分だけ送出する。
【００４１】
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に適用されるデータ展開回路からの送出データは、図１１に示すように表される。
【００４２】
第１演算回路３１４１では、主偏向データに、ショットデータ回路３１３から送られたショットデータを付与して、図１１に示すような形式で、後段の位置補正回路３０３に送出する。この際、第１メモリ３１４２に格納された手順データにしたがって、主偏向データ回路３１２から送られた主偏向データに、チップ番号、フレーム番号、及びストライプ番号を付加する。フレームの最後の副偏向位置データには、フレームの終了を示す制御コードが付与されており、第１演算回路３１４１では、この制御コードを検出して、手順データの手順をひとつ進める。
【００４３】
位置補正回路３０３では、送られたデータを、主偏向データとショットデータに分割する。まず、第１演算回路３０３１において、主偏向データとショットデータに分割する。主偏向データは第２演算回路３０３２に送出され、ショットデータは偏向制御回路３０１の演算部３０１ｂに送出される。
【００４４】
位置補正回路３０３の第２演算回路３０３２では、データ展開回路３０２から送られたチップ番号とフレーム番号を含む主偏向データをウェハ座標系に変換する。
【００４５】
まず第２演算回路３０３２は、ウェハップ番号を基に第２メモリ３０３３に格納されたチップ位置データを呼び出し、ウェハ座標系（ウェハ中心が原点）で記述されたチップ位置Ｘｃｈｉｐ，Ｙｃｈｉｐを読み出す。
【００４６】
次に第２演算回路３０３２は、フレーム番号を基に第２メモリ３０３３に格納されたフレーム位置データを呼び出し、チップ座標系（チップ中心が原点）で記述されたフレーム原点位置Ｘｆ，Ｙｆを読み出す。
【００４７】
次に第２演算回路３０３２は、チップ位置Ｘｃｈｉｐ，Ｙｃｈｉｐ、フレーム位置Ｘｆ，Ｙｆ、及び主偏向位置Ｘｍ，Ｙｍを加算し、ウェハ座標系における主偏向位置Ｘｍｗｆ、Ｙｍｗｆを求める。
【００４８】
Ｘｍｗｆ＝Ｘｍ＋Ｘｆ＋Ｘｃｈｉｐ
Ｙｍｗｆ＝Ｙｍ＋Ｙｆ＋Ｙｃｈｉｐ
ここで、主偏向位置（Ｘｍｗｆ，Ｙｍｗｆ）は、ウェハ座標系における（ウェハ原点からの）副偏向領域の描画位置を示す。
【００４９】
更に、第４演算回路３０３６において、主偏向データについてはウェハ歪みやチップ歪みの位置補正を実施して主偏向位置（Ｘｍｗｆ，Ｙｍｗｆ）を算出し、さらに主偏向位置（Ｘｍｗｆ，Ｙｍｗｆ）に対し、ウェハ原点のステージ座標を加算して、ウェハ座標系からステージ座標系（Ｘｍｓｔｇ，Ｙｍｓｔｇ）に変換して、後段の偏向制御回路３０１に送出する。なお、第４演算回路３０３６には図示しないメモリが搭載されており、位置補正に必要な補正係数や座標値が格納されている。
【００５０】
図３中の偏向制御回路３０１では、送出された主偏向データ及びショットデータの処理を行う。演算部３０１ａは、ステージ座標系に変換された主偏向データ（Ｘｍｓｔｇ，Ｙｍｓｔｇ）に対し、位置回路１２の出力する現在のステージ座標（Ｘｓｔｇ，Ｙｓｔｇ）から、次式のように、主偏向位置（Ｘｍｄｅｆ，Ｙｍｄｅｆ）を算出する。
【００５１】
Ｘｍｄｅｆ＝Ｘｍｓｔｇ−Ｘｓｔｇ
Ｙｍｄｅｆ＝Ｙｍｓｔｇ−Ｙｓｔｇ
更に、レンズ歪みによる位置補正を実施し、主偏向位置（Ｘｍｄｅｆ，Ｙｍｄｅｆ）を算出する。ここで、主偏向位置（Ｘｍｄｅｆ，Ｙｍｄｅｆ）は、主偏向領域座標系における（主偏向領域原点からの）副偏向領域の描画位置であり、チップ歪補正量とウェハ歪補正量が加算されたものである。主偏向データ（Ｘｍｓｔｇ，Ｙｍｓｔｇ）、主偏向位置（Ｘｍｄｅｆ，Ｙｍｄｅｆ）は、主偏向アンプ４０３に送出され、主偏向器２０６ａに所望の電圧を発生させる。
【００５２】
（電子ビーム描画方法）
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置の電子ビーム描画方法を示すフローチャート図であって、偏向制御回路３０１内の演算部３０１ａの描画処理フローを説明するフローチャートは、図１２に示すように表される。
【００５３】
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に適用される偏向制御回路３０１内の演算部３０１ａのブロック構成は、図１３に示すように表される。本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置の電子ビーム描画方法においては、上述の偏向制御回路３０１内の演算部３０１ａの処理を効率よく行うことで、処理の高速化を実現している。
【００５４】
（ａ）まず、ステップＳ１０において、初期化を実施する。初期化では、図１３中のメモリ１３３に書き込まれている描画処理フラグ（最初のＳＦであるか否かを示すフラグであり、予測したステージ位置を使用するか否かを示すフラグ）をゼロにする。更に、メモリ１３３に格納されているステージ予測移動量（予測ＳＴＧ量）をゼロに設定する。
【００５５】
（ｂ）次に、ステップＳ１１において、図１３中のデータ読み出し部１３１が、ＳＦ位置データを読み込む。
【００５６】
（ｃ）次に、ステップＳ１２において、窓枠判定部１３２が、位置回路１２から現在のステージ位置及びステージ速度を取得する。
【００５７】
（ｄ）次に、ステップＳ１３において、窓枠判定部１３２は、メモリ１３３から読み込んだステージ予測移動量と現在のステージ位置に基づいて、ＳＦ描画時のステージ位置が偏向距離内に入っているかどうかを判定する。入っていれば、ステップＳ１４に進み、偏向距離内に入っていない場合は、ステップＳ１３に戻り、一連の動作を繰り返して、ＳＦ描画時のステージ位置が偏向距離内に入るまで待つ。更に、メモリ１３３に書き込まれた描画処理フラグを読み出し、図示しないレジスタに格納する。
【００５８】
（ｅ）次に、ステップＳ１４において、歪み補正部１３４では、現在のステージ位置と目標とするＳＦ描画位置までの距離を算出し、補正係数メモリ１３５から偏向距離に応じた補正係数を読み出して、偏向歪の算出を行い、偏向電圧を決定する。
【００５９】
（ｆ）次に、ステップＳ１５において、ＳＴＧ位置予測部１３６では、ＳＦ位置データ（描画データ）に含まれるＳＦ内のショット数、及び平均ショット時間に基づいて、ＳＦの描画時間を予測する。
【００６０】
（ｇ）次に、ステップＳ１６において、ＳＴＧ位置予測部１３６では、ＳＦ描画時間と、位置回路１２から読み出したステージ速度に基づいて、計算処理しているＳＦの描画後のステージ位置を予測する。即ち、ＳＦ描画にかかる時間に、ステージ速度を乗算すれば、ＳＦ描画中のステージ予測移動量が算出される。予測したステージ予測移動量はメモリ１３３に書き込まれ、次のＳＦの計算を実施する際に使用する。
【００６１】
更に、次のＳＦ計算処理でステージ予測移動量を使用するためのフラグを１に設定し、メモリ１３３に書き込む。なお、ステージ予測移動量の算出にあたっては、（データ読み出し時間と窓枠判定時間と演算処理時間）の合計時間とＳＦの予測描画時間を比較して、大きな方の時間を使い、ステージ速度と乗算してステージ予測移動量を算出する。これにより、ＳＦ内のショット数が少なく、描画時間が極端に短い場合でも正確なステージ予測移動量を求めることができる。
【００６２】
（ｈ）次に、ステップＳ１７において、出力判定部１３７では、ステップＳ１３で図示しないレジスタに格納した描画処理フラグがゼロの場合は、次のステップＳ１９に進む。
【００６３】
（ｉ）次に、ステップＳ１７において、描画処理フラグが１の場合は、ステップＳ１８に進み、前ＳＦの描画終了信号を検知するまで待ち、前ＳＦの終了信号が検知した段階で次のステップＳ１９に進む。
【００６４】
（ｊ）次に、ステップＳ１９において、転送部１３８は、偏向アンプにデータを転送する。
【００６５】
（ｋ）次に、ステップＳ２０において、転送部１３８では、所定のセトリング時間が経過するのを待つ。
【００６６】
（ｌ）次に、ステップＳ２１において、偏向アンプ１３９の電圧が安定した段階で、描画開始（ビーム照射）の信号を偏向アンプ１３９に送出する。
【００６７】
（ｍ）次に、ステップＳ２２において、描画処理では、データ読み出し部１３１がストライプエンドフラグ（ストライプ内の最終ＳＦを示すフラグ）を検知しない場合は、ステップＳ２３に進み、描画処理フラグを１に設定し、ステップＳ１１に戻る。
【００６８】
（ｎ）次に、ステップＳ２２において、描画処理では、データ読み出し部１３１がストライプエンドフラグ（ストライプ内の最終ＳＦを示すフラグ）を検知した場合は、該当ＳＦの描画終了信号を検知して、ストライプ描画を終了する。
【００６９】
―タイミングチャート―
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画方法のタイミングチャートは、図１４に示すように表される。
【００７０】
図１４に示すように、本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画方法の場合、描画開始した段階で、前ＳＦの計算処理（図１２のステップＳ１５及びステップＳ１６）中に予測したステージ予測位置に基づいて、次のSFに対する偏向歪み計算を開始している。この結果、図２１に示す従来例に比べ、無駄時間を大幅に短縮し、電子ビーム描画における生産性を従来に比べ、大幅に向上させることができる。
【００７１】
なお、本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画方法では、図１２のステップＳ１４〜ステップＳ１６において、偏向歪み補正、ＳＦの描画時間予測、ステージ移動量予測の順序で行ったが、他の順序で行ってもよい。例えば、ＳＦの描画時間予測とステージ移動量予測を実施した後で、偏向歪み補正演算を実施しても構わない。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で順序を変更することができる。
【００７２】
また、本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置において、図１３に示す偏向制御回路３０１の演算部３０１ａはデジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）を用いて構成することができる。即ち、図１２に示す処理フローを実現するプログラムを作成し、ＤＳＰで処理することもできる。メモリ１３３や補正係数メモリ１３５は、ＤＳＰ内部のメモリを用いることが望ましいが、外部メモリを用いても構わない。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で変形することができる。
【００７３】
本発明の電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法によれば、偏向制御回路内で描画すべきＳＦ位置のステージ位置を予測することにより、前回のＳＦ描画終了を待たずに、偏向歪の計算を行うことが可能になり、無駄時間を低減し、電子ビーム描画における生産性を大幅に向上させることができる。
【００７４】
本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法によれば、偏向制御回路内で描画すべきＳＦ位置のステージ位置を予測することにより、前回のＳＦ描画終了を待たずに、偏向歪の計算を行うことが可能になり、無駄時間を低減し、電子ビーム描画における生産性を大幅に向上させることができる。
【００７５】
[第２の実施の形態]
本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画方法を、図１５に示す描画フローを説明するフローチャートを用いて説明する。本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画装置の制御計算機４及び制御回路３の詳細を含む模式的ブロック構成は、図１６に示すように表される。本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画方法では、予め描画におけるステージ位置を予測し、この予測したステージ位置に基づいて、描画を実施している。
【００７６】
又、本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画装置の描画経過時間とステージ位置の関係は、図１７に示すように表される。又、本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画装置のステージ予測移動量データの関係は、図１８に示すよう表される。
【００７７】
図１７（ａ）は、あるストライプについて、ステージ速度を一定とした場合のストライプ描画開始からの経過時間とステージ位置の関係と、図１７（ｂ）は、あるストライプについて、チップ内のパターンの粗密に従って、ステージ速度が変化している場合を示している。図１７（ｂ）では、ステージはパターンが蜜な所は遅く、パターンが疎なとこは早く移動するため、描画経過時間に対するステージ位置の傾きは一定にはならない。ここでは、ストライプの描画開始から１秒間隔でステージ移動量を予測し、図１８に示すようなステージ移動量予測データを作成した。
【００７８】
（可変速対応の描画方法）
（ａ）まず、図１５のステップＳ３０において、ウェハＳ上のチップレイアウト（図５）を作成し、作成したウェハレイアウトデータ４０１ｂを制御計算機４内に格納する。
【００７９】
（ｂ）次に、ステップＳ３１において、ステージ速度予測部４０２ａは、制御計算機４内に格納された描画データ４０１aに対し、フレーム（ストライプ）毎のステージ速度を算出する。
【００８０】
（ｃ）次に、ステップＳ３２において、ステージ位置予測部４０３ｂは、ステップＳ３１で算出されたフレーム（ストライプ）毎のステージ速度情報、及びウェハレイアウトデータ４０１ｂに基づき、ストライプ毎に描画開始からの経過時間に対するステージ予測位置データ４０１ｃを作成する。
【００８１】
（ｄ）次に、ステップＳ３３において、ステージ予測位置データ４０１ｃを、偏向制御回路３０１内の演算部３０１ａに格納する。
【００８２】
（ｅ）次に、ステップＳ３４において、描画に際しては、描画データ４０１ａに記述されたストライプ情報に基づき、該当のストライプに対応したステージ予測位置データ４０１ｃを読み込む。偏向制御回路３０１内の演算部３０１ａにおいては、ストライプ描画開始からの経過時間を内部のタイマで計測し、ステージ予測移動量データから、ある経過時間におけるステージ予測位置を算出し、第１の実施の形態と同様の描画処理を実施する。
【００８３】
（ｆ）次に、ステップＳ３５において、さらに処理すべきストライプがある場合はステップＳ３６に進み、全てのストライプが描画終了した場合は、描画終了処理を実施する。
【００８４】
（ｇ）次に、ステップＳ３６において、次のストライプの処理を実施する場合には、ステップＳ３４と同様に、描画データに記述されたストライプ情報に基づき、該当のストライプに対応したステージ予測移動量データを読み込む。偏向制御回路内の演算部３０１ａは、ストライプ描画開始からの経過時間を内部のタイマで計測し、ステージ予測移動量データから、ある経過時間におけるステージ予測位置を算出し、第１の実施の形態と同様の描画処理を実施する。
【００８５】
（ｈ）全てのストライプの処理が終了した場合は、描画終了処理を実施する。
【００８６】
（電子ビーム描画方法）
本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画装置の電子ビーム描画方法を示すフローチャート図であって、偏向制御回路３０１内の演算部３０１ａの描画処理フローを説明するフローチャートは、図１９に示すように表される。
【００８７】
本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に適用される偏向制御回路３０１内の演算部３０１ａのブロック構成は、図２０に示すように表される。
【００８８】
（ａ）まず、図１９のステップＳ４０において、初期化を実施する。初期化では、図２０中のメモリ１３３ａに書き込まれている描画処理フラグ（最初のＳＦであるか否かを示すフラグであり、ステージ予測移動量を使用するか否かを示すフラグ）をゼロにする。更に、メモリ１３３ａに格納されているステージ予測移動量（予測ＳＴＧ量）をゼロに設定する。また、経過時間タイマのカウントを開始する。
【００８９】
（ｂ）次に、ステップＳ４１において、図２０中のデータ読み出し部１３１が、ＳＦ位置データを読み込む。
【００９０】
（ｃ）次に、ステップＳ４２において、経過時間に基づき、メモリ１３３ａに格納されているステージ予測移動量からステージ予測移動量を求める。
【００９１】
（ｄ）次に、ステップＳ４３において、窓枠判定部１３２が、位置回路１２から現在のステージ位置を取得する、
（ｅ）次に、ステップＳ４４において、窓枠判定部１３２は、メモリ１３３aから読み込んだステージ予測移動量と現在のステージ位置に基づいて、ＳＦ描画時のステージ位置が偏向距離内に入っているかどうかを判定する。ＳＦ描画時のステージ位置が偏向距離内に入っている場合には、ステップＳ４５に進み、ＳＦ描画時のステージ位置が偏向距離内に入っていない場合には、ステップＳ４３及びステップ４４に戻り、ＳＦ描画時のステージ位置が偏向距離内に入るまで待つ。更に、メモリ１３３ａに書き込まれた描画処理フラグを読み出し、図示しないレジスタに格納する。
【００９２】
（ｆ）次に、ステップＳ４５において、歪み補正部１３４では、現在のステージ位置と目標とするＳＦ描画位置までの距離を算出し、補正係数メモリ１３５から偏向距離に応じた補正係数を読み出して、偏向歪の算出を行い、偏向電圧を決定する。
【００９３】
（ｇ）次に、ステップＳ４６において、ＳＴＧ位置予測部１３６では、ＳＦ位置データ（描画データ）に含まれるＳＦ内のショット数、及び平均ショット時間に基づいて、ＳＦの描画時間を予測する。
【００９４】
（ｈ）次に、ステップＳ４７において、更に、ＳＴＧ位置予測部１３６では、ステップＳ４０でカウントを開始したタイマの経過時間を取得し、ステップＳ４６で算出したＳＦの描画時間を加算して、ＳＦ描画終了後の経過時間を算出する。その後、メモリ１３３ｂに格納されたステージ位置予測データに基づいて、計算処理しているＳＦの描画後のステージ移動量を予測する。ＳＦ描画後の経過時間に対するステージ予測移動量は、メモリ１３３ｂに格納されたステージ予測位置データ４０１ｃを補間処理することにより求めることができる。求めたステージ予測移動量は、メモリ１３３aに書き込まれ、次のＳＦの計算を実施する際に使用する。
【００９５】
更に、次のＳＦ計算処理でステージ予測移動量を使用するためのフラグを１に設定し、メモリ１３３ａに書き込む。なお、ステージ予測移動量の算出にあたっては、（データ読み出し時間と窓枠判定時間と演算処理時間）の合計時間とSFの予測描画時間を比較して、大きな方の時間を使い、ステージ速度と乗算してステージ予測移動量を算出する。これにより、ＳＦ内のショット数が少なく、描画時間が極端に短い場合でも正確なステージ予測移動量を求めることができる。
【００９６】
（ｉ）次に、ステップＳ４８において、出力判定部１３７では、ステップＳ４４で図示しないレジスタに格納した描画処理フラグがゼロの場合は、次のステップＳ５０に進む。
【００９７】
（ｊ）次に、ステップＳ４８において、描画処理フラグが１の場合は、ステップＳ４９に進み、前ＳＦの描画終了信号を検知するまで待ち、前ＳＦの終了信号が検知した段階で次のステップＳ５０に進む。
【００９８】
（ｋ）次に、ステップＳ５０において、転送部１３８は、偏向アンプにデータを転送する。
【００９９】
（ｌ）次に、ステップＳ５１において、転送部１３８では、所定のセトリング時間が経過するのを待つ。
【０１００】
（ｍ）次に、ステップＳ５２において、偏向アンプ１３９の電圧が安定した段階で、描画開始（ビーム照射）の信号を偏向アンプ１３９に送出する。
【０１０１】
（ｎ）次に、ステップＳ５３において、描画処理では、データ読み出し部１３１がストライプエンドフラグ（ストライプ内の最終ＳＦを示すフラグ）を検知しない場合は、ステップＳ５４に進み、描画処理フラグを１に設定し、ステップＳ１１に戻る。
【０１０２】
（ｏ）次に、ステップＳ５３において、描画処理では、データ読み出し部１３１がストライプエンドフラグ（ストライプ内の最終ＳＦを示すフラグ）を検知した場合は、該当ＳＦの描画終了信号を検知して、ストライプ描画を終了する。
【０１０３】
尚、本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法では、ストライプの描画開始からの経過時間に基づいて、ステージ位置を予測したが、他の方法を用いてもよい。例えば、各ＳＦを描画する時点のステージ位置を予測し、各ＳＦ描画終了後のステージ予測移動量をメモリ１３３ｂに格納してもよい。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で変形することができる。
【０１０４】
本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法によれば、偏向制御回路内で描画すべきＳＦ位置のステージ位置を予測することにより、前回のＳＦ描画終了を待たずに、偏向歪の計算を行うことが可能になり、無駄時間を大幅に短縮し、電子ビーム描画における生産性を、大幅に向上させることができる。
【０１０５】
[その他の実施の形態]
上記のように、本発明は第１乃至第２の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【０１０６】
本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置の模式的全体ブロック構成図。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画方法のステージ連続移動方式を説明するための図。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置の制御計算機及び制御回路の詳細を含む模式的ブロック構成図。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に関係する描画データの構造を示す図。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法において、ウェハレイアウトデータの詳細について説明する図。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法において、チップデータの詳細について説明する図。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画装置の描画方法に適用されるストライプデータの詳細について説明するための図。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に適用される手順データの詳細について説明する図。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に適用されるデータ展開回路の詳細について説明する図。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に適用される位置補正回路の詳細について説明するの図。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に適用されるデータ展開回路からの送出データを示す図。
【図１２】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置の電子ビーム描画方法を示すフローチャート図であって、偏向制御回路内の演算部の描画処理フローを説明するフローチャート図。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に適用される偏向制御回路内の演算部の模式的ブロック構成図。
【図１４】本発明の第１の実施の形態に係る電子ビーム描画方法のタイミングチャート図。
【図１５】本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画方法の描画フローを説明するフローチャート図。
【図１６】本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画装置の制御計算機及び制御回路の詳細を含む模式的ブロック構成図。
【図１７】本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法の描画経過時間とステージ位置の関係を示す図。
【図１８】本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法のステージ予測移動量データを示す図。
【図１９】本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画装置の電子ビーム描画方法を示すフローチャート図であって、偏向制御回路内の演算部の描画処理フローを説明するフローチャート図。
【図２０】本発明の第２の実施の形態に係る電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に適用される偏向制御回路内の演算部の模式的ブロック構成図。
【図２１】従来の電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法において、描画処理フローを示す図。
【符号の説明】
【０１０８】
１…試料室
２…電子光学系
３…制御回路
４…制御計算機
５…磁気ディスク
６…ストライプ
８…フレーム（主偏向領域）
９…副偏向領域
１０…ＣＰアパーチャ
４１，３１１…バスアダプタ
１１…ステージ駆動回路
１２…位置回路（レーザ測長計）
１３…電子検出器
１０１…Ｘ−Ｙステージ
１３１…データ読み出し部
１３２…窓枠判定部
１３３，１３３ａ，１３３ｂ…メモリ
１３４…歪み補正部
１３５…補正係数メモリ
１３６…ＳＴＧ位置予測部
１３７…出力判定部
１３８…転送部
１３９…偏向アンプ
２００…鏡筒
２０１…電子銃
２０２…コンデンサレンズ
２０３…投影レンズ
２０４…縮小レンズ
２０５…対物レンズ
２０５ａ−ｄ…ＣＰ偏向器
２０６ａ…主偏向器
２０６ｂ…副偏向器
２０７…ブランキング用偏向器
２０８…ビーム成形用アパーチャ
２０９…ＣＰアパーチャ
３０１…偏向制御回路
３０１ａ，３０１ｂ…演算部
３０２…データ展開回路
３０３…位置補正回路
３１２…主偏向データ回路
３１３…ショットデータ回路
３１４…展開回路
３０３１,３１４１…第１演算回路
３１４２…第１メモリ
３０３２…第２演算回路
３０３３…第２メモリ
３０３６…第３演算回路
３１５…データバス
４０１ａ…描画データ
４０１ｂ…ウェハレイアウトデータ
４０１ｃ…ステージ予測位置データ
４０１…ブランキングアンプ
４０２…ビーム成形アンプ
４０２ａ…ステージ速度予測部
４０３…主偏向アンプ
４０３ｂ…ステージ位置予測部
４０４…副偏向アンプ
Ｓ…ウェハ
ｂ…電子ビーム
Ｓ１０〜Ｓ２３，Ｓ３０〜Ｓ３６，Ｓ４０〜Ｓ５４…ステップ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステージ連続移動方式の電子ビーム描画装置であって、
Ｎ個目の描画領域の位置データを取得する手段と、
ステージ位置及びステージ速度を取得する手段と、
Ｎ個目の描画領域を処理する時点のステージ予測位置を求める手段と、
前記ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下かどうかを判断する手段と、
前記判断する手段において、前記ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下とされた場合に、前記距離に応じた偏向歪の補正を行い、偏向電圧を決定する手段と、
（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を検出する手段と、
（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を確認した場合には、前記決定した偏向電圧にて電子ビームを偏向させて描画する手段
とを備えることを特徴とする電子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記ステージ予測位置を求める手段は、
（Ｎ−１個目）の描画領域の描画時間と前記ステージ位置に基づいて、（Ｎ−１）個目の描画領域の処理終了時のステージ移動量を算出する手段と、
算出した前記ステージ移動量と前記ステージ位置に基づいて前記Ｎ個目の描画領域を処理する時点のステージ予測位置を求める手段
とを備えることを特徴とする請求項１記載の電子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記ステージ予測位置を求める手段において、描画領域の描画時間を、描画領域のショット数、平均ショット時間に基づいて決定する手段を備えることを特徴とする請求項１記載の電子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記ステージ予測位置を求める手段が、予め求めた描画開始からの経過時間とステージ移動量が記載されたテーブルを用いて、描画領域のステージ予測位置を求める手段を備えることを特徴とする請求項１記載の電子ビーム描画装置。
【請求項５】
Ｎ個目の描画領域の位置データを取得する手段と、ステージ位置及びステージ速度を取得する手段と、Ｎ個目の描画領域を処理する時点のステージ予測位置を求める手段と、前記ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下かどうかを判断する手段と、前記判断する手段において，前記ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下とされた場合に，前記距離に応じた偏向歪の補正を行い，偏向電圧を決定する手段と、（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を検出する手段と、（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を確認した場合には，前記決定した偏向電圧にて電子ビームを偏向させて描画する手段とを備えるステージ連続移動方式の電子ビーム描画装置の電子ビーム描画方法であって、
Ｎ個目の描画領域の位置データを取得する工程と、
ステージ位置及びステージ速度を取得する工程と、
Ｎ個目の描画領域を処理する時点のステージ予測位置を求める工程と、
前記ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下かどうかを判断する工程と、
前記判断手段において、前記ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下と判断された場合に、前記距離に応じた偏向歪の補正を行い、偏向電圧を決定する工程と、
（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を検出する工程と、
（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を確認した場合には、前記決定した偏向電圧にて電子ビームを偏向させて描画する工程
とを含むことを特徴とする電子ビーム描画方法。
【請求項１】
ステージ連続移動方式の電子ビーム描画装置であって、
Ｎ個目の描画領域の位置データを取得する手段と、
ステージ位置及びステージ速度を取得する手段と、
Ｎ個目の描画領域を処理する時点のステージ予測位置を求める手段と、
前記ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下かどうかを判断する手段と、
前記判断する手段において、前記ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下とされた場合に、前記距離に応じた偏向歪の補正を行い、偏向電圧を決定する手段と、
（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を検出する手段と、
（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を確認した場合には、前記決定した偏向電圧にて電子ビームを偏向させて描画する手段
とを備えることを特徴とする電子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記ステージ予測位置を求める手段は、
（Ｎ−１個目）の描画領域の描画時間と前記ステージ位置に基づいて、（Ｎ−１）個目の描画領域の処理終了時のステージ移動量を算出する手段と、
算出した前記ステージ移動量と前記ステージ位置に基づいて前記Ｎ個目の描画領域を処理する時点のステージ予測位置を求める手段
とを備えることを特徴とする請求項１記載の電子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記ステージ予測位置を求める手段において、描画領域の描画時間を、描画領域のショット数、平均ショット時間に基づいて決定する手段を備えることを特徴とする請求項１記載の電子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記ステージ予測位置を求める手段が、予め求めた描画開始からの経過時間とステージ移動量が記載されたテーブルを用いて、描画領域のステージ予測位置を求める手段を備えることを特徴とする請求項１記載の電子ビーム描画装置。
【請求項５】
Ｎ個目の描画領域の位置データを取得する手段と、ステージ位置及びステージ速度を取得する手段と、Ｎ個目の描画領域を処理する時点のステージ予測位置を求める手段と、前記ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下かどうかを判断する手段と、前記判断する手段において，前記ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下とされた場合に，前記距離に応じた偏向歪の補正を行い，偏向電圧を決定する手段と、（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を検出する手段と、（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を確認した場合には，前記決定した偏向電圧にて電子ビームを偏向させて描画する手段とを備えるステージ連続移動方式の電子ビーム描画装置の電子ビーム描画方法であって、
Ｎ個目の描画領域の位置データを取得する工程と、
ステージ位置及びステージ速度を取得する工程と、
Ｎ個目の描画領域を処理する時点のステージ予測位置を求める工程と、
前記ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下かどうかを判断する工程と、
前記判断手段において、前記ステージ予測位置とＮ個目の描画領域位置までの距離が偏向距離以下と判断された場合に、前記距離に応じた偏向歪の補正を行い、偏向電圧を決定する工程と、
（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を検出する工程と、
（Ｎ−１）個目の描画領域の描画終了を確認した場合には、前記決定した偏向電圧にて電子ビームを偏向させて描画する工程
とを含むことを特徴とする電子ビーム描画方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【公開番号】特開２００７−３３５７４３（Ｐ２００７−３３５７４３Ａ）
【公開日】平成１９年１２月２７日（２００７．１２．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１６７６３２（Ｐ２００６−１６７６３２）
【出願日】平成１８年６月１６日（２００６．６．１６）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１２月２７日（２００７．１２．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年６月１６日（２００６．６．１６）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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