【課題】ブランキング偏向器アレイにより生じる磁場の影響の軽減に有利な描画装置を提供する。
【解決手段】この描画装置は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う装置であり、複数の荷電粒子線をそれぞれブランキングする複数のブランキング偏向器を含むブランキング偏向器アレイと、描画データに基づいてブランキング偏向器アレイを制御する制御部とを有する。この制御部は、描画データにしたがって制御した場合にブランキング偏向器アレイが生成する磁場による複数の荷電粒子線の基板上での位置誤差が低減するように、ブランキング偏向器アレイを制御する。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線の特性の計測精度の点で有利な照射装置を提供する。
【解決手段】 複数の荷電粒子線を物体に照射する照射装置は、複数の開口を有する遮蔽板と、前記複数の開口をそれぞれ通過した複数の荷電粒子線をそれぞれ検出する複数の検出器とを含み、前記複数の荷電粒子線の強度を計測する計測器と、前記複数の荷電粒子線がそれぞれ前記複数の開口のエッジを横切るように前記複数の荷電粒子線と前記計測器との間の相対的な走査を行う走査手段と、前記走査手段と前記計測器とを制御して前記複数の荷電粒子線それぞれの特性を求める制御部と、を備える。前記走査の期間において、前記複数の荷電粒子線の前記遮蔽板によって遮断されるエネルギーが時間とともに変動しないように構成されている。 （もっと読む）

【課題】マルチビーム方式の描画装置で、異常な荷電粒子線が存在しても描画に有利な技術を提供する。
【解決手段】描画装置は、荷電粒子光学系と制限部と制御部とを備える。荷電粒子光学系は、第１方向に沿って第１ピッチで配置されたｎ以上のＮ本の荷電粒子線を含む行が、第１方向に直交する第２方向に沿って第２ピッチでｍ以上のＭ行存在し、Ｍ行のうち１番目からｍ番目の行は、各行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置が第１ピッチの（１／ｍ）ずつずれ、かつ、（ｍ＋ｉ）番目の行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置がｉ番目の行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置と同じに配列された（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線を生成する。制御部は、（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線の中に異常線が存在する場合、該異常線を含まず連続するｎ本の荷電粒子線を含む行が、ｍの約数分の行だけ第２方向に沿って連続して使用できるように、制限部を制御する。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で確実にステージ上におけるマスクの微小スリップを検出可能とするとともに、検出されたスリップ量に基づいて荷電粒子ビームの補正を行うことができる荷電粒子ビーム描画装置及びマスクの微小スリップ検出方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームＢの偏向を制御して、かつ自在にステージを制御して任意の原画パターンをマスク上に描画するための描画動作を制御するための制御計算機３１を備える電子ビーム描画装置１であって、電子ビームＢによってパターンが描画されるマスクＭと、マスクＭを３点支持部材６４にて支持するマスク保持機構６２と、マスク保持機構６２及びマスクＭを水平方向に加速移動させるステージ６１と、電子ビームで描画される表面に対するマスク裏面とマスク保持機構６２との間に設置され、マスクＭの微小スリップの有無を検出する原子間力顕微鏡６５とを備える。 （もっと読む）

【課題】試料表面とマーク表面との高低差に依存するビーム照射位置のずれを抑え、パターンの描画精度を向上させる。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置１は、ステージ１１上の試料Ｗに対して荷電粒子ビームによる描画を行う描画部２と、ステージ１１上に位置して高さが異なる複数のマークＭ１〜Ｍ４と、マークＭ１〜Ｍ４に対するビームの照射によりマーク表面でのビームの照射位置を検出する照射位置検出器１２と、その照射位置検出器１２により検出された照射位置に応じてマーク表面でのビームのドリフト量を算出するドリフト量算出部３５と、そのドリフト量算出部３５により算出された少なくとも二つのマーク表面でのドリフト量を用いて試料表面でのドリフト量を求めるドリフト量処理部３６と、そのドリフト量処理部３６により求められた試料表面でのドリフト量を用いてビームの照射位置を補正する描画制御部３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体製造用マスクの評価を簡便且つ正確に行うことができ、また、精度劣化の原因を効率的に把握できる、パターン描画方法、パターン描画装置およびマスク製造方法を提供する。
【解決手段】環境要素となる、温度、磁場、気圧、振動、入力電圧、ビームドリフトおよびビーム電流密度の内少なくとも１つを測定しながら試料上にビームを照射して、パターンを描画する。このパターンには、主パターンと、主パターンの領域外に描画される第１の副パターンおよび第２の副パターンとがあり、第１の副パターンを描画する第１の描画工程の後に、主パターンを描画する第２の描画工程を行う。主パターンの描画工程では、環境要素の変化量によって主パターンの描画を停止し、第１の副パターンの近傍の所定位置に第２の副パターンを描画した後、主パターンの描画に戻る工程を繰り返す。 （もっと読む）

【目的】荷電粒子ビームの偏向位置でのドリフト量を、短時間で評価する荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【構成】ステージ上に固定される複数の基準マークに荷電粒子ビームを照射し、基準マーク各々の基準位置情報を取得する基準位置情報取得工程と、ステージに載置される試料に荷電粒子ビームを照射し、試料にパターンを描画する第１の描画工程と、ステージを静止した状態で荷電粒子ビームを偏向させることにより、基準マークに順次荷電粒子ビームを照射し、基準マーク各々の評価位置情報を取得する評価位置情報取得工程と、評価位置情報と基準位置情報とを比較する比較工程と、比較工程の結果から荷電粒子ビームの偏向状態でのビーム位置のドリフト量を算出するドリフト量算出工程と、試料に荷電粒子ビームを照射し、試料にパターンを描画する第２の描画工程と、を有する荷電粒子ビーム描画方法。 （もっと読む）

【課題】 特定のデザインルールのパターンを描画する信頼性およびスループットの点で有利な描画装置を提供すること。
【解決手段】 第１方向に延びた直線の上に配置されるべきパターンを複数の荷電粒子線で基板上に描画する描画装置であって、前記複数の荷電粒子線を前記基板上に投影する投影系（１−７，９）と、前記第１方向および該方向と直交する第２方向において前記複数の荷電粒子線と前記基板との間の相対走査を行う走査手段（８、１１）と、前記走査手段による前記相対走査を制御し、かつ、前記第１方向における第１間隔および前記第２方向における第２間隔で前記投影系による前記複数の荷電粒子線の前記基板への照射を制御する制御手段（１３−１６）と、を有し、前記投影系により前記基板上に投影された各荷電粒子線の前記第１方向の大きさと前記第２方向の大きさとを異ならせた描画装置とする。 （もっと読む）

【課題】従来よりもさらに偏向精度を向上させることが可能な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は描画対象となる基板の高さ方向分布を測定するＺ測定部５０と、基板の描画位置に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した位置依存高さ方向分布を基板の高さ方向分布に加算して、補正するＺマップ補正部５４と、補正されたＺマップを用いて描画されるパターンの位置ずれ量を演算するＺ補正部６０と、得られた偏向ずれ量が補正された位置に電子ビームを偏向するための偏向量を演算する偏向量演算部６２と、得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、基板にパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子レンズの孔の内部にまで付着したコンタミネーションを除去するのに有利な洗浄機構を有する電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】この電子ビーム描画装置１は、描画を実施する際に被処理基板に対向する場所に位置する電子レンズ１６と、電子レンズ１６に付着した分解生成物３４に対して活性種Ｈ^＊を放出し、該活性種Ｈ^＊と分解生成物３４とを反応させることで該分解生成物３４を還元して揮発性ガスに変化させる洗浄手段２１とを備える。この洗浄手段２１は、活性種Ｈ^＊が電子レンズ１６に形成された電子ビームが通過する複数の孔３０の形成位置に向かって放出されるように形成された複数の開口部３７ａを有する。 （もっと読む）

【課題】 描画精度とスループットとの両立の点で有利な描画装置を提供する。
【解決手段】 複数の荷電粒子線でパターンを基板にショット領域ごとに描画する描画装置は、基板を保持し移動可能なステージと、複数の荷電粒子線を前記基板に投影する投影系と、前記基板に形成されたマークに前記投影系を介して入射した荷電粒子線により飛来する荷電粒子を検出して前記マークの位置を計測する計測器と、制御部とを備える。前記制御部は、あるショット領域に対する描画動作の開始から当該ショット領域に対する描画動作の終了までの間に、前記複数の荷電粒子線の中の少なくとも１つの荷電粒子線を用いて前記計測器により前記マークの位置を計測し、前記計測器の計測結果から前記複数の荷電粒子線の前記基板上における入射位置を補正するように前記ステージ及び前記投影系の少なくとも一方を制御する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線描画装置において、バッファメモリの容量の削減および高いスループットの実現に有利な技術を提供する。
【解決手段】荷電粒子線描画装置は、荷電粒子線を偏向させる偏向器と、基板を駆動するステージ機構とを有し、前記偏向器によって荷電粒子線を主走査方向に走査するとともに前記ステージ機構によって前記基板を副走査方向に走査しながら前記基板にパターンを描画するように構成され、前記基板に対する荷電粒子線の照射および非照射を制御するブランカユニットと、前記ステージ機構によって前記基板が前記副走査方向に駆動されている状態で、前記基板に対する描画が停止された後に再開される際に、描画の停止から再開までの期間における前記ステージ機構による前記副走査方向における前記基板の駆動量だけ前記副走査方向に荷電粒子線を偏向させるように前記偏向器を制御する制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】ストライプ間でドリフト補正量のばらつきをより少なくすることが可能な描画可能な装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、描画領域が短冊状に分割された複数のストライプ領域について、ストライプ領域毎に当該ストライプ領域を描画する描画時間を予測するストライプ描画時間予測部５２と、描画される前のストライプ領域に対し、当該ストライプ領域の予測された描画時間の中間時刻を用いて、当該ストライプ領域を描画する際の荷電粒子ビームのドリフトを補正する補正量を算出するドリフト補正量算出部５４と、当該ストライプ領域を描画する際に、当該ストライプ領域の描画開始位置から、算出された補正量で補正された描画位置に所望のパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】検出器の分解能に起因するエラーの発生を抑制する。
【解決手段】データ部とサーボ部とが基板上に形成され、磁気記録媒体又はそれを製造するために用いられるモールドをインプリントにより製造する際に用いられる原盤において、データパターンは以下の条件（１）及び（２）を満たすようにデータ部内に配置されている。（１）各々のトラックのサーボ部からデータ部に向かう方向において、データパターンの検出を開始するタイミング合わせの基準となるサーボパターンから、サーボ部に最も近いデータパターンまでの距離が、検出器における分解能の自然数倍である。（２）各々のトラック内において、データ部内のデータパターンから、該データパターンと隣接して形成された別のデータパターンまでの距離が、検出器における分解能の自然数倍である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、荷電粒子ビームの走査領域内の歪みに関する情報の抽出を実現する画像形成装置、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子線装置によって得られた画像データを積算する画像形成装置であって、荷電粒子線装置の走査方向が異なる複数の画像から、荷電粒子線のビーム照射時間に応じて変化する特徴量の変化量に関する第１の情報と、ビームの走査方向の変化前と変化後の特徴量の変化量に関する第２の情報、及び／又はビームの走査方向の変化前と変化後の前記画像上のパターンの位置ずれに関する第３の情報を算出する画像形成装置、及び上記処理を演算装置に実行させるコンピュータプログラムを提案する。 （もっと読む）

【課題】適切なビームドリフト補正を実行する装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、複数の描画単位領域の各描画単位領域を描画するための描画予測時間を算出する描画予測時間算出部１１２と、電子ビームの次回のビームドリフト補正を行う指定時刻を算出する指定時刻算出部３４と、次回の描画単位領域の描画予測時間と次回のビームドリフト補正の指定時刻を用いて、ビームドリフト補正を行う必要性の有無を判定する判定部５２と、ビームドリフト補正が必要と判定された場合に、ビームドリフト補正を行う補正部４０と、ビームドリフト補正が必要と判定された場合にはビームドリフト補正が行われた荷電粒子ビームを用いて、ビームドリフト補正が必要ないと判定された場合には判定後にビームドリフト補正が行われていない電子ビームを用いて、次回の描画単位領域に所望のパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 容易に実行可能なＰＤ構成を用いて、高いスループットレートをもたらす方法を提供すること。
【解決手段】 複数のアパーチャを有するパターン決定手段を用いて荷電粒子のビームをターゲット（４０）にマスクレスで照射し、所定の軸に対して横に、上記パターン決定手段に対して相対移動している（ｖ）ターゲット上に、上記パターン決定手段における上記アパーチャのイメージを形成する方法において、上記イメージの位置を、上記ターゲットの相対移動の距離が上記ターゲットにおいて測定される上記イメージの幅（ｗ）の倍数以上である画素露光期間の間、上記ターゲットに沿って移動させるようにし、上記画素露光期間の後に、上記ビームのイメージの位置を変化させるようにし、この位置の変化は上記ビームのイメージの上記位置の移動をほぼ補うものである。 （もっと読む）

【課題】偏向位置依存性を考慮した帯電量に起因した照射位置の位置ずれを補正する荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、試料の描画領域に荷電粒子ビームを垂直入射することにより帯電する帯電量分布を演算する帯電量分布演算部１２２と、帯電量分布を用いて、荷電粒子ビームを偏向する偏向位置に依存した、帯電量に起因する偏向位置の位置ずれ量分を含む位置ずれ量が補正された各描画位置の補正位置を演算する位置補正部１８３と、補正位置に、荷電粒子ビームを用いてパターンを描画する描画部１５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】複数の荷電粒子線を用いる描画装置であってベースラインの計測精度の点で有利な描画装置を提供する。
【解決手段】複数の荷電粒子線のうち少なくとも一つの荷電粒子線のそれぞれについて、ウエハステージ１３上に形成された基準マーク２１に入射する荷電粒子線の第１方向に対する角度を取得し、前記取得された角度が許容範囲内である一つの荷電粒子線を決定し、前記決定された荷電粒子線を用いて、前記基準マークから到達する荷電粒子を検出して、前記基準マークの位置を計測する第２計測器２４により計測された前記基準マーク２１の位置と、マークからの反射光を検出してマークの位置を計測する第１計測器２２により計測された前記基準マークの位置とから、前記第１計測器２２に関するベースラインを求める。 （もっと読む）

【課題】精度良くレジストに所望のパターンを形成することが可能な荷電ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】荷電ビーム描画装置１０は、基板１１ｂ上に塗布したレジスト１１ａにビームを照射する照射部１２と、照射部を制御する制御部１４とを具備し、制御部は、ビームの照射量とビームの照射により引き起こされるパターンの位置偏移量との関係を取得し、レジストにパターンを形成するために必要なビームの基準照射量Ｄ１を取得し、パターンに対して許容される許容位置偏移量ｄＰを取得し、関係に基づいて許容位置偏移量に対応するビームの限界照射量Ｄｌｉｍｉｔを取得し、関係に基づいて基準照射量に対応する基準位置偏移量Ｐ１から許容位置偏移量を減じた飽和位置偏移量Ｐｓａｔに対応する飽和照射量Ｄｓａｔを取得し、照射部に対して１回の照射量が限界照射量を越えないように、飽和照射量に到達するまでビームをレジストに照射させる。 （もっと読む）