【課題】転写マスクが高い位置精度でマスクホルダーに収容された転写マスク収容体を提供する。
【解決手段】マスクホルダー３０は、転写マスク２０を収容するための凹状収容部３３と、該凹状収容部３３に形成された内部面３４とを有する。転写マスク２０は、開口パターン３が形成された薄膜２と、前記薄膜２を支持する、シリコンからなる支持枠１とを有し、前記薄膜２の端部５には、開口パターン３の形成と同時にエッチング加工された、マスクホルダー３０内における転写マスクの移動を規制するガイド面が形成されている。転写マスクのガイド面が、マスクホルダーの凹状収容部３３に形成された内部面３４と対向して、マスクホルダー３０に収容されている。 （もっと読む）

ショット毎に倍率を変更可能な可変倍率縮小レンズを含む、キャラクタプロジェクション荷電粒子ビーム書込装置が開示される。計算された荷電粒子ビーム書込ショットの各々に倍率を割当てるステップを含む、フラクチャリングまたはマスクデータ準備または光学近接効果補正のための方法も開示される。荷電粒子ビーム書込装置を用いるステップと、ショット毎に倍率を変更するステップとを含む、表面にパターンを形成するための方法も開示される。レチクル上にパターンを形成するために荷電粒子ビーム書込装置を用いるステップと、ショット毎に荷電粒子ビーム書込装置の倍率を変更するステップとを含む、光リソグラフィを用いて集積回路を製造するための方法も開示される。
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【課題】ステージ上に載置された試料の位置を新たな位置計測ツールを用いることなく測定できるようした荷電粒子ビーム描画装置における試料の載置位置測定方法を提供する。
【解決手段】試料として、表面に、光の反射率が他の部分とは異なる、互いに直交する方向にのびる線状の２本のマーク部１０１，１０２を形成した専用試料１００を用いる。搬送ロボットにより専用試料１００をステージ上に搬送して載置した後、高さ測定器の投光部からの光を専用試料１００の表面に照射して、光の照射スポットＳＰを各マーク部１０１、１０２に交差するように走査する。高さ測定器の受光部による反射光の受光量の変化に基づいて、照射スポットＳＰの走査軌跡と各マーク部１０１，１０２との交差個所の位置を測定する。この測定位置から２本のマーク部１０１，１０２に合致する２本の直線を求め、試料載置位置を測定する。 （もっと読む）

【課題】
可動テーブルの重量を増加させることなく、ステージ停止時における十分な制動力を発生するブレーキ機構を有するステージ装置を構成する。
【解決手段】
ステージ機構１は、Ｘベース１２０の上に固定されるＸ方向の案内機構としてのＸガイド１２１と、これに拘束されてＸ方向に移動可能なＸテーブル１２２と、これに可動部を固定されたＸアクチュエータ１２３と、Ｘベース１２０の上に固定されたＸテーブル１２２の制動機構であるＸブレーキ１２４などから構成される。制御装置２は、ステージ停止時にＸブレーキ１２４をＸテーブル１２２の下面に押し付けて制動力を発生させ、ステージ停止後にはＸアクチュエータをサーボ制御をオフにする位置決め制御を行う。 （もっと読む）

【課題】電子線露光用マスクを機械的に精度良く、かつ、容易に位置合わせすることができる電子線露光用マスクホルダを提供すること。
【解決手段】電子線露光用マスクホルダ１は、板状の電子線露光用マスク２が載置されるホルダ本体３と、ホルダ本体３との間で電子線露光用マスク２を挟持するホルダ蓋５と、電子線露光用マスク２をホルダ本体３に位置合わせする位置決め部６とを備えている。位置決め部６は、ホルダ本体３に立設された一対の位置決めピンと、電子線露光用マスク２に設けられて一対の位置決めピンが嵌合する一対のマスク側位置決め孔部と、ホルダ蓋５に設けられた一対のホルダ側位置決め孔部とを備えている。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンの露光精度および露光速度の向上が図られた荷電ビーム露光装置および荷電ビーム露光方法を提供する。
【解決手段】荷電ビーム検出用マーク１３１が、その主面をウェーハ４の電子ビーム６が照射される側の主面と等しい高さに配置されてウェーハ４付近に設けられている。マーク１３１は、ウェーハ４の主面上に露光されたパターン３３をビーム６を用いて走査する際に発生する反射電子信号および二次電子信号の少なくとも一方を得るとともに、ビーム６が入射する側の主面上に複数の検出用パターン１３２が二次元的に配列されており、かつ、パターン１３２とは二次電子放出効率が異なる異種の材料１３３でパターン１３２間が埋め込まれてビーム６が入射する側の主面が平坦化されている。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内外の気圧差による位置決め精度の低下を抑制できる真空用位置決め装置を提供する。
【解決手段】隔壁部６ｂが真空チャンバ１の外壁面１ａと蛇腹状シール部材８を気密に結合され、大気圧と真空チャンバ１内の気圧との気圧差に起因する隔壁部６ｂを挟んで垂直に作用する力の不釣合い分の影響をキャンセルする大気圧低減機構１１を真空チャンバ１と隔壁部６ｂとの間に設けた。 （もっと読む）

【課題】自立メンブレン内のマージン領域（スカート部）に非貫通の位置座標測定用パターンを設けることにより、ウェハ上に転写される回路パターン位置を補正できるようにした荷電粒子用転写マスク及びその製造法並びにその荷電粒子用転写マスクを用いた転写方法を提供することを目的とする。
【解決手段】荷電粒子用転写マスク１００は、支持枠１１ａ及び梁１１ｂ上に中間酸化膜１２を介して自立メンブレン１３ａが形成されており、自立メンブレン１３ａにはステンシル（開口部）転写パターン１４と、マージン領域（スカート部）に凹部からなる未貫通の位置座標測定用パターン１５ａ、もしくは凸部からなる未貫通の位置座標測定用パターン５１ａとが形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】キャリブレーション時に生じるビームドリフトによる影響を抑制することができ、描画精度の向上に寄与する。
【解決手段】荷電ビーム描画装置の偏向器１２の偏向領域内に位置検出用のマークをマトリクス状に配置し、偏向器１２により荷電ビームを偏向することによって各々のマークの位置を測定し、測定結果に基づき偏向器１２の偏向感度の補正を行う方法であって、マーク位置の測定順をランダムに行う。 （もっと読む）

【課題】 処理基板のうち半導体素子を形成できる領域を多く取ることが可能なステンシルマスクを提供する。
【解決手段】 ステンシルマスクは、基板の処理の際に基板に照射されるイオンを位置選択的に遮断し、相互に対向する２つの面を貫く開口を有し、透過部４１を有する。透過部は、基板上に形成された位置合わせ用パターンおよびその周囲の基板を含むマーク領域により反射されて観測装置に入射する観測光を透過させ且つイオンを遮断する材質から構成される。また、透過部は、第１部分と第１部分から区画された第２部分４２とからなる。 （もっと読む）

【課題】 可動部分に直接冷媒を供給することなく、可動部分の温度制御を行うことが可能な露光装置を提供する。
【解決手段】 ウエハステージが、真空容器内の基準ベースに取り付けられ、露光すべきウエハを保持する。マスクステージ（６）が露光マスクを保持する。ビーム源（７）が、露光マスクを介してウエハに露光用のエネルギビームを照射する。中間ブロック（２１）が、２次元方向に移動可能に支持されている。吸熱部（３５）を含む冷却手段が基準ベースに固定されている。光学装置（２０）が、光軸方向に移動可能に支持されている。光学装置は、露光マスク上のアライメントマークを観測する。第１の伝熱構造（３６）が、中間ブロックと吸熱部との間に伝熱経路を構成し、かつ中間ブロックの２次元方向への移動を許容する。第２の伝熱構造（３９）が、中間ブロックと光学装置との間に伝熱経路を構成し、かつ光学装置の移動を許容する。 （もっと読む）

【課題】
電子ビーム露光における、アライメントマーク検出精度を向上する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、（ａ）半導体ウエハにチップ内の半導体装置の構造を形成すると共に、アライメントマークを形成する工程と、（ｂ）前記半導体ウエハに被加工層を形成する工程と、（ｃ）前記アライメントマークを露出する工程と、（ｄ）前記被加工層上に電子ビームレジスト膜を塗布する工程と、（ｅ）前記アライメントマークを電子ビームで走査し、前記アライメントマークの位置情報を求め、位置情報の差分を得る工程と、（ｆ）前記位置情報の差分に基づき、異常値を除去する工程と、（ｇ）異常値を除去したアライメントマークの位置情報に基づき、電子ビーム露光を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 既存の座標測定装置と露光装置を用いて、短時間かつ高精度にマスク歪を測定する検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 パターン面と、支持体層と、サポート基板部と、を有するマスクにおけるパターン位置を検査する方法であって、前記サポート基板部の露光装置で保持される面の反対側を保持し、前記露光装置内における前記マスクとは重力の向きが逆となる状態で前記マスクを保持して位置測定を行うことにより第１の位置測定データを取得し、前記サポート基板部の露光装置で保持される面を保持し、前記露光装置内における前記マスクと重力の向きが同じとなる状態で前記マスクを保持して位置測定を行うことにより第２の位置測定データを取得し、前記第１の位置測定データと前記第２の位置測定データとを用いて、前記マスクのパターン位置の変形量を算出することを特徴とする荷電粒子線露光用マスクの検査方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の全ての領域に、マスクをダイバイダイアライメント方式でアライメントすることができ、高精度なアライメントおよびパターン転写を実現することができる露光装置および露光方法、並びに当該露光装置および露光方法に使用するマスクおよび半導体装置を提供する。
【解決手段】マスクＭの各相補露光領域にアライメント用のマスクマークＭＭが形成されている。マスクマークＭＭは、ｘ方向およびｙ方向に繰り返し配列されたパターンＰを含み、ｘ方向あるいはｙ方向のいずれかにおいて、マーク中心位置を検出し得るようにパターンＰの間隔が不規則に規定されている。また、ウエハＷ側には、マスクマークＭＭを挟むように２つのウエハマークＷＭが配置されており、各ウエハマークＷＭは、マスクマークＭＭと同様のパターン配列をもつ。 （もっと読む）

【課題】 実際のデバイス製造工程において、回路パターンが設けられるマスク自体及び試料自体には歪み測定用のマークを設けることなく、試料上に形成された下層パターンに合わせて上層パターンの露光位置を精度良く補正することが可能な露光方法を提供する。
【解決手段】 下層パターン６１が形成されたと同じ試料４０を用いて、これを試験試料としてネガ型レジスト層６５を形成し、このネガ型レジスト層６５に上層パターンＨを露光してその未露光部分を除去することにより上層パターンＨを形成し、これら下層パターン６１及び上層パターンＨの間の位置ずれ量を測定し、この位置ずれ量に応じて、下層パターンが形成された試料４０への上層パターンＨの露光位置を補正する。 （もっと読む）

粒子ビーム装置のパターンロック装置において、パターンの投影は少なくとも２つの連続する投影段を用いてなされ、記録手段は、中間投影面の公称位置の箇所に配置され、基準マークは、最終でない投影段により生成された基準マークの中間像の位置において、粒子ビームの位置を決定する記録手段上に投影される。さらに、記録手段上の走査動作を起こすため、基準ビームレットは、パターン描画手段に設けられた偏向手段を用いて、時間依存性の電圧に依存して横方向にシフトされる。 （もっと読む）

本発明は、第２の対象物に近接して第１の対象物を配置し、第２の対象物上のパターンを電子線またはＸ線を用いて第１の対象物上に転写する近接露光における位置合わせ方法に関する。少なくとも一部に光を透過させる領域が画定されたマーク支持部に第１の参照マークを形成した第１の参照マスクと、第１のアライメントマークを形成した第１の対象物を第１のステージに配置する。第１のステージに配置した第１のアライメントセンサを用いて、マーク支持部に画定された光を透過させる領域を介して、第１のステージに対向して設置される第２のステージに配置される第２の対象物に形成される第２のアライメントマークと第１の参照マークを同時に検出する。これにより、第２の対象物と第１の対象物との位置合わせを容易に行うことのできる。
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