【課題】除去性に優れた半導体装置に用いられる有機平坦化材料を提供する。
【解決手段】光および／または熱処理（前処理）により、有機溶剤および／またはアルカリ水溶液に不溶となり、さらに光および／または熱処理（後処理）後、ドライエッチング処理する組成物に関し、前記後処理後のエッチングレートが、前記前処理後のエッチングレートに対し、１．２倍以上であり、該組成物が下記（ａ）および／または（ｂ）を含有することを特徴とする半導体装置用組成物。
（ａ）２３℃大気圧下で液体である有機低分子化合物に可溶性のポリマー
（ｂ）重合性基および／または架橋性基を有する低分子化合物 （もっと読む）

【課題】電子素子、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】工程段階を減らし、インクジェットプリンティングのような経済的な方法を使用して、フッ素化有機高分子のような絶縁層を直接パターニングできる電子素子の製造方法、並びに該製造方法によって形成されるバンク構造を有する電子素子である。 （もっと読む）

【課題】エッジ部にも十分な厚さを有し、半導体基板の開口部の内壁面に均一に成膜された絶縁膜を備える半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】開口部が形成された半導体基板の所定箇所に、帯電粒子を静電付着させ、絶縁膜を形成することを含む半導体基板の製造方法であって、前記開口部の開口面積に対して、１．１〜５倍の開口面積を有する貫通孔が形成されたマスク材を、前記半導体基板の一の面であって前記帯電粒子が静電付着される面側に、前記貫通孔が前記開口部に対応するように配置する工程、及び前記半導体基板の一の面の一部及び開口部の内壁面に、前記帯電粒子を静電付着させる工程を備える半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、薄膜トランジスタ、特に、パターニング技術が、下地電極に対して正確に整列される必要がある電極パターンの画定に使用される薄膜トランジスタなどの電子デバイスの作製に関する。作製方法は、狭い線幅を有する構造を形成することができない、及び／又は、先に堆積されたパターンに対してあまり正確に位置決めすることができない、レーザアブレーションパターニング技術または溶液ベースの直接書き込み印刷技法などの種々のパターニング技術に適用可能である。こうして、本発明者等は、減算的技法によるゲートパターニング、特に、選択的レーザアブレーションパターニングと、印刷などの加算的技法によるゲートパターニングの両方について適用可能である自己整合ゲート技法を述べる。技法は、低解像度ゲートパターニングの使用を容易にする。
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シリル化剤を含む超臨界二酸化炭素不動態化溶液を用いたシリコンオキサイドベースの低ｋ材料の不動態化の方法が開示されている。シリル化剤は、好ましくはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、クロロトリメチルシラン（ＴＭＣＳ）、トリクロロメチルシラン（ＴＣＭＳ）およびそれらの組み合わせなど、５炭素原子を含む有機基を含む有機シリコン化合物である。本発明の更なる実施態様によれば、誘電体を含むポストアッシュ基材は超臨界二酸化炭素洗浄溶液を用いて同時に洗浄および不動態化される。
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【課題】 その後の加工プロセスとの整合性を有し、層の表面をより簡便にかつ効率良く疎水化することができ、かつ、層のより深い領域を疎水化することができる表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の表面疎水化方法は、（Ａ）反応性シラン化合物および（Ｂ）有機溶媒を含む表面疎水化用組成物を層の表面に接触させる工程と、前記（Ａ）反応性シラン化合物を活性化する工程と、前記層を加熱する工程と、を含む。本発明の半導体装置は、上記本発明の表面疎水化方法によって得られた疎水性膜を含む。本発明の半導体装置の製造方法は、上記本発明の表面疎水化方法によって、疎水性膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】導電性基板若しくは半導電性基板に設けられた非常に微細な貫通孔の内側表面であっても、均一な絶縁膜を形成することができるとともに、貫通孔の開口部においても内部においても確実に信頼性の高い絶縁膜を形成することができる絶縁膜形成方法を提供すること。
【解決手段】導電性基板若しくは半導電性基板に設けられた貫通孔の内表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成方法として、前記貫通孔の開口部に第１の絶縁膜を形成する工程と、該貫通孔の内表面に第２の絶縁膜を形成する工程と、該第２の絶縁膜を硬化させる工程とを有することを特徴とする。ここで、第１の絶縁膜は、物理的蒸着方法又は化学的蒸着方法によって形成された絶縁膜であり、第２の絶縁膜は、電着塗装によって形成された絶縁膜である。 （もっと読む）

実質的に平坦な回路において、導体が約３．０未満の誘電率をもつ無機材料によって分離される。その誘電体層は、放射硬化性組成物の最初は平坦な表面をインプリントすることによって導体のトレンチおよび／またはバイアスを定めるステップを含むプロセスにおいて形成される。インプリンティング用の型は、好ましくは、インプリント型が配置された状態で組成物がＵＶ硬化されるようにＵＶ透明性である。硬化性組成物は、有機修飾ケイ酸塩化合物と二次分解性有機化合物を含み、後者は、有機化合物が後で分解されてポリケイ酸塩のマトリックスを生成するときにナノスケールの細孔を形成する。その細孔は、別のやり方では密な二酸化ケイ素の有効誘電率を低下させる。
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【課題】絶縁膜に形成された凹部に保護膜を形成することで、凹部の側壁が後退することなく水素プラズマによる凹部底部のクリーニングを可能とする。
【解決手段】有機絶縁膜（低誘電率有機膜１７，１９）を備えた絶縁膜１６に形成された凹部２３の側壁に、窒素と、前記低誘電率有機膜１７，１９から解離された炭素との化合物からなる保護膜３１が形成されているものである。 （もっと読む）

【課題】 半導体演算素子や表示素子等の高集積化の下で、基本的な電子素子（電極や配線電極およびコンタクトホール）を作製する製造工程の低減を図れる電子素子の製造方法、コストの低減や信頼性の向上を図れる電子素子、表示素子、表示装置、半導体演算素子、コンピュータを提供する。
【解決手段】 第一の導電性材料層１上にパターニング層３を成膜するとともに、臨界表面張力の異なる第一の部位Ａを、第一と第二の導電性材料層１、７が電気的に接続されるべき部位に形成する工程と、エネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する機能と絶縁機能とを有する絶縁性濡れ変化材料層５を第一の部位Ａ以外に成膜する工程と、絶縁性濡れ変化材料層５の一部分にエネルギーを付与することによって、臨界表面張力の異なる第二の部位Ｂを第一の部位Ａに連通して形成する工程と、第二の部位Ｂ上に第二の導電性材料層７を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

ビアの中に有機プラグを形成する方法について記述する。ビアはシリコン含有誘電体を含む集積回路（ＩＣ）構造中に存在する。有機プラグを形成する方法は底部反射防止膜等の有機化合物を塗布することを含む。その有機化合物はビアを占める。そして、その方法は反応装置に一酸化二窒素（Ｎ_２Ｏ）ガスを供給することに進み、そして反応装置中でプラズマを生成する。有機化合物の多くの部分が除去されて、ビアを占める有機プラグを残す。有機プラグは、典型的には、デュアルダマシンプロセスにおいて形成される。 （もっと読む）

エッチング剤又はアッシング処理を受けた有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜の表面に疎水性を回復するための方法。これらの膜は、これらの膜の低く安定な誘電特性を確保するために集積回路の製造で絶縁材料として使用されている。該方法は、これらの膜に応力誘起ボイドが形成されるのを防止する。有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜は、ビア及びトレンチを形成するためにエッチング剤又はアッシング試薬による処理を受けてパターン化されるが、その処理が以前に存在していた炭素含有部分の少なくとも一部を除去するようなものであるため、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜の疎水性が削減される。ビア及びトレンチはその後金属で充填され、アニール処理を受ける。膜がエッチング剤又はアッシング試薬に当てられた後、アニール処理にかけられる前に、膜を強化剤組成物と接触させ、炭素含有部分の一部を回復し、有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜の疎水性を増大させる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＧ膜のＳｉ原子と有機基（例えばＣＨ３基）やＨ基の結合がアッシング時に切れるのを抑制して誘電率を低く抑える。
【解決手段】低誘電率の有機又は無機ＳＯＧ膜にパターン化レジスト膜をマスクとしてエッチングを行って配線溝を形成し、この後、枚葉式ダウンストリーム型のプラズマアッシング装置を用いて、酸素ガスプラズマによるアッシング処理を例えば１．２Ｔｏｒｒの圧力雰囲気下で施してレジスト膜を除去し、この後配線溝にバリヤメタル形成後、Ｃｕを電界メッキ法にて埋設して配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】 有機樹脂系絶縁膜を層間絶縁膜等に用いた際の、コンタクトプラグの埋め込み形状不良やコンタクト抵抗の上昇を防止する。
【解決手段】 原料ガスとして、芳香族化合物あるいは複素環式化合物を含む原料ガスを採用し、プラズマＣＶＤ法により有機樹脂系絶縁膜４を形成する。
【効果】 有機樹脂系絶縁膜中の低分子量の揮発性成分が充分除去され、コンタクトプラグ形成時の脱ガスが防止される。このため、埋め込み形状に優れた低抵抗の層間接続を達成することができる。 （もっと読む）