本発明の実施形態は、基板を、一連の堆積プロセス、窒化プロセス及びアニールプロセスに曝して誘電体スタックを形成する方法を提供する。一実施形態において、方法は、基板を堆積プロセスに曝して前記基板上に誘電体層を形成し、前記基板を窒化プロセスに曝してその上に窒化物層を形成し、前記基板をアニールプロセスに曝し、中間に周期的に前記基板をアニールプロセスに曝しながら前記基板を連続して堆積プロセス及び窒化プロセスに曝して所定の厚さを有する誘電体材料を形成することを含む。一般的に、窒化プロセス中に窒素プラズマが使用され、約５ａｔ％〜約２５ａｔ％の範囲内の窒素濃度を形成する。誘電体層は、通常、酸素及びハフニウム、タンタル、チタニウム、アルミニウム、ジルコニウム、ランタン、シリコン又はその組み合わせなどの少なくとも一種の付加元素を含有する。 （もっと読む）

【課題】半導体用途における誘電体膜を形成するためのシステム及び方法、特に、混合気化前駆体を用いて基板上に多成分誘電体膜を作製するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】本発明は、気化した前駆体の混合物が、原子層堆積（ＡＬＤ）処理における単一パルス段階中にチャンバ内に一緒に存在して多成分膜を形成するような気化前駆体の混合をもたらすためのシステム及び方法を提供する。気化前駆体は、少なくとも１つの異なる化学成分から成り、そのような異なる成分が単層を形成して多成分膜を生成することになる。本発明の更に別の態様では、組成勾配を有する誘電体膜が提供される。 （もっと読む）

【課題】下層のポリシリコン膜を酸化させることなく、酸素アニールによりＨＴＯ膜を十分に改質させ、電気的にリークが少ないトンネル酸化膜を形成する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ポリシリコン膜からなる第１フローティングゲート１６上に、窒化膜２６又は酸窒化膜２８を介してＨＴＯ膜を成膜し、酸素アニール処理を施して、トンネル酸化膜１８（ＨＴＯ膜）を形成する。 （もっと読む）