【課題】半導体基板上に所定の厚みの絶縁膜を介して形成された第一の電極を含む第一の素子と、半導体基板上に所定の厚みの絶縁膜よりも薄い絶縁膜を介して形成された第二の電極を含む第二の素子とを有する半導体素子の製造方法であって、第二の素子の特性劣化を防ぐことが可能な半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＯＮＯ構造のゲート絶縁膜２を半導体基板１上に形成する工程と、平面視において電極１１ｂを形成すべき領域にあるゲート絶縁膜２の厚みを薄くする絶縁膜加工工程（図１（ｂ））と、絶縁膜加工工程後、半導体基板１上に導電性膜１１を形成する導電性膜形成工程（図１（ｃ））と、導電性膜１１をパターニングして、ゲート絶縁膜２の厚みの薄くなった部分の上に導電性膜１１を残すパターニング工程（図１（ｅ））とを含む。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率と高機械強度を長期に渡り安定して得られるとともに、絶縁特性を確保した膜を製造することができるプラズマＣＶＤ方法を提供する。
【解決手段】 ボラジン骨格を有する化合物を供給する導入口を有する反応容器と、上記反応容器内に設置され、基板を支持するとともに負電荷を印加する給電電極と、上記基板を介し、上記給電電極に対向して設けられ、上記反応容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備えるプラズマＣＶＤ装置を用いた、絶縁膜形成方法に依る。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＣ系材料を用いた層間絶縁膜に埋込配線を設ける際、層間絶縁膜の誘電率をより低く抑えながらも、層間絶縁膜表面のウォーターマークの発生を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、少なくとも最上層がＳｉＯＣ系材料からなる層間絶縁膜３を成膜し、層間絶縁膜３に溝パターン３ａを形成する。溝パターン３ａ内が埋め込まれるように層間絶縁膜３上に導電性材料膜７を成膜し、導電性材料膜７を表面側から研磨除去することにより溝パターン３ａ内のみに導電性材料膜７を残した埋込配線７ａを形成する。埋込配線７ａを形成した後、層間絶縁膜３にアルキル基を導入するための熱処理を行うことにより層間絶縁膜３を構成するＳｉＯＣ系材料を低誘電率化する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ＭＯＳトランジスタおよびｎ型ＭＯＳトランジスタを有する半導体装置において、各動作に弊害を生じさせることなく、ゲート絶縁膜にハフニウムを含むゲート絶縁膜を採用して、微細化の図られた半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】シリコン基板１と、シリコン基板１の表面上に形成され、ハフニウムを含むゲート絶縁膜１０と、シリコン基板１の表面上に、ゲート絶縁膜１０を介して形成された第１のゲート電極Ｇ１および第２のゲート電極Ｇ２と、第１のゲート電極Ｇ１および第２ゲート電極Ｇ２下のシリコン基板１を挟んでそれぞれ形成された一対の第１の不純物拡散層１５および一対の第２不純物拡散層２５とを備え、ゲート絶縁膜１０に接する膜は、第１のゲート電極Ｇ１と第２のゲート電極Ｇ２とで異なり、ゲート絶縁膜１０中に含まれるハフニウムは、シリコン基板１側よりも、第１のゲート電極Ｇ１および第２ゲート電極Ｇ２側に多く含む。 （もっと読む）

【課題】埋め込み特性や膜特性に優れたシリコン酸化膜を高アスペクト比を有する凹部に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の主表面側の下地領域 ３５０に形成された凹部３５１内全体にシリコン窒化膜３５２を形成する工程と、前記シリコン窒化膜３５２を酸化して該シリコン窒化膜３５２をシリコン酸化膜３５３に変換することにより、前記凹部内全体に絶縁領域を形成する工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 大きな基体への適用も容易であり、またコストの低廉化にも資し、さらに、液体原料の浸透力を利用して狭トレンチ基体上への良好な成膜が可能なアルミナ膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 下記（１）〜（３）の工程を含むことを特徴とするアルミナ膜形成方法。
（１）基体上に、アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体及び有機溶媒を含有するアルミナ形成用組成物を塗布し、塗膜を形成する工程
（２）工程（１）で形成した塗膜から溶媒を除去する工程
（３）酸化性ガスの存在下、塗膜に加熱および光照射もしくはいずれか一方を行う工程 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に窒素含有ゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ゲート絶縁膜のシリコン基板との界面付近への窒素の拡散を抑制しつつ、界面とは逆側のゲート絶縁膜の表面付近の窒素濃度を高めることにより、良好な特性を有するＦＥＴを形成する。
【解決手段】シリコン基板１１上にＳｉＯ_２層１３を形成する工程と、ＳｉＯ_２層１３上にＡＬＤ法を用いてＳｉＮ膜の化学量論的組成よりも窒素が少ないＳｉＮ層１４を形成する工程と、ＳｉＮ層１４を５００℃未満の基板温度でプラズマ窒化処理する工程とを有する。 （もっと読む）

本発明は、ランタンがドープされたチタン酸バリウムを基材とするセラミックスの製造方法であって、下記の工程、即ち(a)ランタンがドープされたチタン酸バリウム粉末を瞬間焼結させる工程、および(b)こうして得られた材料を、空気雰囲気または酸化性雰囲気中で熱処理する工程を含んでなる、方法に関する。本発明は、相対的誘電率の実質的な部分が非常に高い、ランタンがドープされたチタン酸バリウムを基材とするセラミックス、およびそれらのセラミックスの、高い静電容量および高電圧に耐える能力を得るために単位体積あたりの高い静電容量を有するコンデンサを得るための使用にも関する。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が高く、熱的に安定で結晶化し難い、膜特性の良好なゲート絶縁膜の形成に適用される原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に原子層蒸着法を用いて薄膜を形成する方法であって、基板表面を水酸基で終端させる前処理工程（Ｓ１０２）と、基板１１の処理表面に金属原子の層を形成し（Ｓ１０４）、この金属原子の層上に酸素原子の層を形成する（Ｓ１０６）第１の工程と、基板の処理表面にシリコン原子の層を形成し（Ｓ１０８）、このシリコン原子の層上に酸素原子の層を形成する（Ｓ１１０）第２の工程とを有し、第１の工程および第２の工程のいずれかを先に行うことを特徴とする原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法である。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ法による高誘電体膜の形成方法において、形成される高誘電体膜の表面荒さを最小化する。
【解決手段】最初に被処理基板表面に高誘電体膜の有機金属化合物原料を、前記有機金属化合物原料の処理容器内における滞留時間が比較的長くなるような条件で供給し、被処理基板表面に結晶核を高い面密度で形成し、次に前記有機金属化合物原料を滞留時間が比較的短くなるような条件で供給する。 （もっと読む）

【課題】厚さを正確に制御し、界面構造を改善し、電子トラップを低密度とし、さらに、誘電体層および基板から／へのドーパントの不純物拡散を阻止することができるプロセスを提供する。また、既存の製造プロセスに容易に統合することができ、しかも、コストはほとんど増すことがないプロセスを提供する。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴのゲート酸化物またはＥＥＰＲＯＭのトンネル酸化物として使用するための、極薄誘電体層を成長させるためのプロセスを記載する。ウェハと酸窒化物との界面におよび酸窒化物の表面に窒素濃度のピークを有し、かつ、酸窒化物のバルク内に低い窒素濃度を有する、シリコン酸窒化物層が、酸化窒素および窒素性酸化ガス内で一連のアニールを行なうことによって形成される。 （もっと読む）

【課題】高性能化および／又は低消費電力化等の優れた特性を有する電子デバイスのための優れた膜質の絶縁膜を与えることが可能な絶縁膜の改質方法を提供する。
【解決手段】電子デバイス用基材上に配置された気相堆積に基づく絶縁膜に対して、酸素原子含有ガスを少なくとも含む処理ガスに基づくプラズマを照射して、該絶縁膜を改質する。 （もっと読む）

【課題】ｈｉｇｈ−Ｋゲート絶縁膜を使った半導体装置において、ゲート絶縁膜への電荷のトラップを抑制する。
【解決手段】ゲート電極を、その下の界面酸化膜に接して形成され、小さな電子親和力と大きなバンドギャップを有する第１の絶縁膜と、ゲート電極に接して形成され、より大きな電子親和力とより小さなバンドギャップを有する第２の絶縁膜の積層により形成する。 （もっと読む）

【課題】 優れた金属シリケート膜を形成することができ、特性や信頼性に優れた半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１１上にゲート絶縁膜１３を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極１４を形成する工程と、を備えた半導体装置の製造方法であって、ゲート絶縁膜を形成する工程は、金属シリケート膜を形成する工程を含み、金属シリケート膜の形成に用いるシリコン原料は、モノシラン中の少なくとも１つの水素原子をアルキル基で置換した第１の炭化水素シリコン化合物、ジシラン中の少なくとも１つの水素原子をアルキル基で置換した第２の炭化水素シリコン化合物、及びトリシラン中の少なくとも１つの水素原子をアルキル基で置換した第３の炭化水素シリコン化合物の少なくとも１つを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ゲート絶縁膜中への不純物混入の抑制と元素欠陥を除去することができ、ゲート絶縁膜の固定電荷フリ−とリ−クの発生等を抑制できる半導体装置の製造法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、シリコン単結晶基板上に、ゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造法において、前記ゲート絶縁膜を、水酸化アンモニウムガスと、ハフニウムの化合物ガスとを用いてＯＨ基に交換されたシリコン単結晶基板表面に特定の反応によって形成された金属の酸化−水酸化物を酸化性雰囲気中で熱処理してＳｉとＨｆとの複合酸化物からなる膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＰチャネルＭＩＳトランジスタとＮチャネルＭＩＳトランジスタ双方のしきい値電圧が低い半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、Ｎ型およびＰ型半導体領域上に、ＨｆおよびＺｒから選ばれる金属元素、Ｓｉ並びにＯを含むゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上に真空仕事関数４．８ｅＶ以上の金属を有する金属膜を形成する工程と、金属膜／ゲート絶縁膜／Ｎ型またはＰ型半導体領域の積層構造を還元雰囲気で熱処理する工程と、その後、Ｐ型半導体領域上の金属膜およびゲート絶縁膜を第２酸素拡散防止膜で被覆する工程と、その後、積層構造を酸素雰囲気で熱処理する工程と、その後、Ｎ型半導体領域上の金属膜およびゲート絶縁膜を第１酸素拡散防止膜で被覆する工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】塗布法により成膜されるＳｉ系絶縁膜の電気的特性を向上することができる絶縁膜、トランジスタ及び電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜等の製造方法において、ポリシラザンを溶解した第１の液体材料を基板１上に塗布する工程と、第１の液体材料中のＳｉの未結合手を減少する工程と、未結合手を減少した後に、第１の液体材料４Ｂ上にそれと同様の第２の液体材料を塗布する工程と、第１の液体材料４Ｂ及び第２の液体材料をＳｉ系絶縁膜に転換する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】特性の良好な金属酸化膜を提供し、半導体装置の特性を向上させる。
【解決手段】半導体装置（例えば、強誘電体膜）の製造において、基板１００上に例えば強誘電体膜となる、金属アルコキシド塗布膜を形成し、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナーの火炎を熱源とした熱処理を施し、金属アルコキシド塗布膜を焼成するとともに、形成される強誘電体膜（金属酸化膜）の改質を行う。かかる熱処理によれば、火炎中もしくは火炎の周囲の水酸基ラジカル（ＯＨ^*）や酸素ラジカル（Ｏ^*）等により、加水分解や重縮合反応が促進され、未反応部が低減し、強誘電体膜（金属酸化膜）の膜質が向上する。 （もっと読む）

【課題】高品質の極薄酸化膜を均一な膜厚で再現性良く形成する。
【解決手段】半導体ウエハ１Ａを酸化膜形成室１０７の熱処理チャンバ１２０へ導入する工程と、熱処理チャンバ１２０内のガス雰囲気を窒素によって置換する工程と、第１の温度で、触媒を用いて酸素と水素から水分を合成する工程と、合成した水分を前記酸化炉１０７の熱処理チャンバ１２０へ導入して、気化状態を維持したまま、熱処理チャンバ１２０内の半導体ウエハ１Ａの第１主面上に水分を含んだ酸化性雰囲気を形成する工程と、熱処理チャンバ１２０内の水分を含んだ酸化性雰囲気において、前記第１の温度より高い第２の温度まで半導体ウエハ１Ａの主面をランプ加熱して、半導体ウエハ１Ａの第１主面上のシリコン表面を熱酸化処理して絶縁膜を形成する工程と、前記工程の後、熱処理チャンバ１２０内の前記水分を含んだ酸化性雰囲気を窒素によって置換する工程とを有する。 （もっと読む）

ゲート酸化物層（１２）とメタルゲート電極（６０）との間に保護層（７０）を形成することによって、リプレースメントゲートトランジスタに対してリーク電流を抑えた実効的なゲート酸化膜厚を得ることができ、これにより、応力を減らすことができる。実施形態においては、金属ゲート電極（６０）から保護層を通じてゲート酸化物層（１２）に向かうに従って濃度が低下する金属炭化物を含む非晶質炭素層（７０）の保護層が形成される。方法の実施形態では、リムーバブルゲートを除去するステップ、ゲート酸化物層へ非晶質炭素層を蒸着するステップ、メタルゲート電極（６０）を形成するステップ、を含み、さらにその後、メタルゲートからの金属を非晶質炭素層に拡散して金属炭化物を形成するように、高温に加熱するステップ、を含む。さらに、一実施形態では、高誘電定数を有するゲート酸化物層（８２）と、金属ゲート電極（１００）と基板（１０）との界面において高濃度のシリコンと、を含むメタルゲートトランジスタが含まれる。
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