基板上に膜を形成するための方法であって：
加熱室中で固体有機シランソースを加熱し、ガス状プリカーサーを形成すること；
ガス状プリカーサーを蒸着室へ移送すること；及び
エネルギー源を用いてガス状プリカーサーを反応させ、基板上に膜を形成すること
を含む、方法。当該膜は、Ｓｉ及びＣ並びに任意でＮ、Ｏ、Ｆ、Ｂ、Ｐ又はそれらの組み合わせ等の、他の元素を含む。 （もっと読む）

【課題】ボロン漏れの抑制とリーク電流増加の抑制とを同時に実現可能な、絶縁膜及びこの絶縁膜を備えた半導体装置と、絶縁膜の製造方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】微結晶組織からなるハフニウム含有窒化シリコン酸化物層３ａと、非晶質組織からなるハフニウム含有窒化シリコン酸化物層３ｂとが半導体基板２上に積層されてなる積層膜からなり、積層膜の窒素濃度が１５原子％以上４０原子％以下の範囲であることを特徴とする半導体装置用の絶縁膜積層体３を採用する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、集積回路向けの高品質な高Ｋ誘電体を得ることである。
【解決手段】方法は、基板の上に材料を形成するステップと、この材料にパターンを形成して、材料の部分を除去し、その下の基板の部分を露出させるステップとを含む。この方法はさらに、酸化プロセスを実行して、基板の露出した部分の上および材料と基板の間の界面に酸化層を形成するステップを含む。回路は、非クリティカル・デバイスと、この非クリティカル・デバイスの部分として形成された酸化物とを含む。この回路内のクリティカル・デバイスの部分として、基板の上に高Ｋ誘電材料が形成される。この高Ｋ誘電材料とその下の基板の間に酸化物ベースの界面が提供される。第２の方法は、最初の材料として窒化物または酸窒化物を形成する。 （もっと読む）

【課題】 成膜中に低誘電率界面層を生成させず、かつ熱処理後も低誘電率界面層の生成を抑制でき、ゲート絶縁膜としての High-ｋ膜を有効利用する。
【解決手段】 Ｓｉ基板１０上にゲート絶縁膜１２を形成した後にゲート電極１３を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、ゲート絶縁膜１２として、ＬａとＡｌを含む酸化膜を、５００℃以上８００℃以下の温度領域で、且つ酸素分圧が１×１０^-4Ｐａ以下の雰囲気下で成膜する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率絶縁膜を備えていても、素子特性の劣化を防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供することを可能にする。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板に離間して形成されたソース領域８ａおよびドレイン領域８ｂと、ソース領域とドレイン領域との間の半導体基板上に形成された第１絶縁膜３と、第１絶縁膜上に形成された電荷蓄積膜４と、電荷蓄積膜上に形成された高誘電率材料で形成された第２絶縁膜５ｂと、第２絶縁膜上に形成された制御ゲート電極６と、三配位の窒素結合を有しかつ窒素の第二近接原子の少なくとも１つが窒素であるシリコン窒化層５ａ、５ｃと、を備え、電荷蓄積膜と前記制御ゲート電極との少なくとも一方がシリコンを含み、前記シリコン窒化層は、第２絶縁膜と、電荷蓄積膜および制御ゲート電極のうちのシリコンを含む方との界面に設けられている。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を形成する際の界面欠陥の生成を抑制するとともに、生成された欠陥を低減させることを可能にする。
【解決手段】半導体基板の表面を窒化する第１窒化ガスと、半導体基板と実質的に反応しない第１希釈ガスとを含み、第１希釈ガスの分圧と第１窒化ガスの分圧の和と、第１窒化ガスの分圧との比が５以上でかつ全圧が４０Ｔｏｒｒ以下である第１雰囲気中に半導体基板を置き、半導体基板の表面に窒化膜を形成する工程と、表面に窒化膜が形成された半導体基板を、酸素原子の結合エネルギーが１ｅＶ〜４ｅＶの範囲の酸化ガスと、半導体基板と実質的に反応しない第２希釈ガスとを含む第２雰囲気中に置き、半導体基板と窒化膜との間に第１酸窒化層を形成するとともに窒化膜の表面に第２酸窒化層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法。
【解決手段】反応チャンバに金属元素及びリガンドを含む第１反応物を注入して基板上に第１反応物を化学吸着させ、不活性ガスでパージして物理吸着された第１反応物を除去し、水酸化基を含まない第２反応物を注入して第１反応物と第２反応物との化学反応によって、第２反応物の酸素と金属元素が結合し、第１反応物からリガンドを分離して化学吸着された第１反応物を金属−酸素原子層とし、不活性ガスでパージして物理吸着された第２反応物を除去し、第３反応物を注入して化学吸着された第１反応物の残余分と第３反応物との化学反応によって第３反応物の構成要素である酸素と金属元素が結合し、第１反応物からリガンドを分離することにより化学吸着された第１反応物の残余分を金属−酸素原子層として、水酸化基の生成が抑止された状態で原子層単位の金属酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板とＳｉＮ膜との界面での膜質制御を首尾よく行うことができ、しかも、短時間で高品質のＳｉＮ膜を形成することのできる絶縁膜形成方法、絶縁膜形成装置及びプラズマ処理ユニットを提供する。
【解決手段】ケイ素を主成分とするウエハＷを処理容器内に収容し、処理ガス雰囲気下で、処理容器の上部を塞ぐ誘電体上に当該誘電体と接して配置された複数のスリットを有する平面アンテナ部材ＲＬＳＡを介してマイクロ波を照射することにより酸素、又は窒素、又は酸素と窒素とを含むプラズマを形成し、このプラズマを用いてウエハＷ表面に直接に酸化、窒化、又は酸窒化を施して絶縁膜２を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い電荷移動度を得るために高誘電率絶縁物質でゲート絶縁層を形成しながらも、同時に薄膜トランジスタの漏れ電流の減少が図られるゲート絶縁層を備える液晶表示素子用薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極１１と、ゲート電極上１１に、官能基、金属酸化物系（Ｍｅ）、シリコン（Ｓｉ）及び酸素（Ｏ）が結合した構造を有する高誘電率絶縁物質から形成されたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上に形成されたソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂとを備える液晶表示素子用薄膜トランジスタとした。 （もっと読む）

【課題】高耐圧トランジスタの占有面積を縮小することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、Ｐ型半導体基板９の表面に形成される素子分離領域８によって区画された活性領域に、チャネル領域と、チャネル領域の両側に配置されるソース・ドレイン領域７とが形成されており、チャネル領域には、ゲート絶縁膜２が形成されており、ゲート絶縁膜２の上にゲート電極４が形成されており、ゲート絶縁膜２は、その周縁部に中央部よりも厚く形成されたバーズヘッド３を有する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリのカップリング比を増加させ、漏洩電流特性を改善して素子の信頼性を改善し得るフラッシュメモリ素子の誘電体膜形成方法を開示する。
【解決手段】フラッシュメモリ素子のフローティングゲートとコントロールゲート間誘電体膜の形成工程時にナノミックス方式を用いて第1の酸化膜１０３、及びTiO2からなる群から選択された１又は複数の酸化物とAl2O3との混合物で形成する高誘電体膜１０４、第2の酸化膜１０５で構成された誘電体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の端部において発生するゲートリーク不良を低減し、ゲート耐圧が改善された薄膜トランジスタとその作製方法を提供する。
【解決手段】側端面がテーパ形状を有する島状の半導体膜と、前記半導体膜の表面及び側端面に接して設けられたゲート絶縁膜と、前記半導体膜上に前記ゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極層と、前記ゲート電極層上に設けられた開口部を有する絶縁膜と、前記開口部を有する絶縁膜上に接して設けられ、前記開口部を介して前記半導体膜に接続されるソース電極及びドレイン電極層と、を有し、前記ゲート絶縁膜の前記半導体膜の側端面に接する部分はハロゲンを含み、且つ前記半導体膜の表面に接する部分よりも厚い薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】薄膜化した場合においても、ＳＢＤが生じ難く、高い絶縁破壊耐性（ＴＺＤＢ、ＴＤＤＢの改善）が経時的に得られるゲート絶縁膜、かかるゲート絶縁膜の製造方法および評価方法、さらに、このゲート絶縁膜を用いた半導体素子、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】ゲート絶縁膜３は、半導体基板（基材）２上に化学的気相成膜法を用いて成膜され、平均厚さが１０ｎｍ以下のものであり、シリコン、酸素原子および水素原子で構成され、その密度が２．５ｇ／ｃｍ^３以下なる関係を満足することにより、ソフトブレークダウンが生じるまでに流れる総電荷量が、４０Ｃ／ｃｍ^２以上となるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】高い単位容量を有し、かつ、低リーク電流密度で破壊耐圧が大きなキャパシタを実現する。
【解決手段】第１電極２、誘電膜３、第２電極４が順次積層され、誘電膜３が酸化ハフニウム膜と酸化タンタル膜を含む積層膜構造を有し、第１および第２電極間の印加電圧と漏れ電流との関係を示す電圧−漏れ電流特性において、印加電圧が絶縁破壊電圧より低い領域で、電圧増加に対する電流増加の傾きが全体として不連続に増加し始める開始電圧が、積層膜構造の誘電膜における酸化ハフニウム膜と酸化タンタル膜の膜厚比を変化させるときに、電界強度が３[MV/cm]以上という条件を満たす範囲で存在し、かつ、開始電圧が当該範囲以内に存在するときの膜厚比になるように、積層膜構造の層数および各層の膜材料と膜厚が決められている。 （もっと読む）

【課題】カバレッジが高く、絶縁耐圧が高いシリコン窒化膜を成膜する。
【解決手段】真空槽２内に配置された触媒体１１を加熱し、真空槽２内にＳｉ_nＨ_2n+2(ｎは１又は２)ガスと、ＮＨ₃ガスと、Ｈ₂ガスとを導入し、Ｓｉ_nＨ_2n+2ガスとＮＨ₃ガスとＨ₂ガスとを、加熱した触媒体１１に接触させて分解させてシリコン窒化膜を形成する。成膜時にＨ₂ガスが添加されているので、段差に対する被覆性（カバレッジ）が高く、特に、１０Ｐａ未満の低圧で形成すると、絶縁耐圧も高いシリコン窒化膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶基板上に高品質で欠陥の少ない炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板上にエピタキシャル欠陥の発生を抑えるための炭化珪素単結晶薄膜を有することを特徴とするエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及び、その製造方法で、上記炭化珪素単結晶薄膜の表面粗さのRa値が0.5nm以上1.0nm以下であり、その炭化珪素単結晶薄膜をエピタキシャル成長する際の材料ガス中に含まれる、炭素と珪素の原子数比(C/Si比)が1.0以下である。 （もっと読む）

【課題】高誘電率材料の成膜中にフッ素を導入することで、絶縁膜と基板界面へのダメージを避けながら、十分な濃度のフッ素を膜中に導入し、トランジスタの初期特性と信頼性を両立させることを可能とする。
【解決手段】半導体領域とゲート電極との間にゲート絶縁膜が形成される半導体装置の製造方法において、前記ゲート絶縁膜を原子層蒸着法により膜中にフッ素を含有する金属酸化膜またはフッ素を含有する金属シリケート膜で形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 Ｈｆを含むゲート絶縁膜とメタルシリサイドゲート電極とを含むＭＯＳトランジスタのしきい値電圧を下げられる半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられたｐチャネルＭＯＳトランジスタであって、Ｈｆを含む第１のゲート絶縁膜１０６と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられ、アルミニウム酸化物とシリコン酸化物とを含む第２のゲート絶縁膜１０８と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属シリサイドゲート電極１０９とを含む前記ｐチャネルＭＯＳトランジスタとを具備してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電界強度が高くなっても高誘電率絶縁膜を介して流れるリーク電流を十分に抑制可能なＮＡＮＤフラッシュメモリ等の半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 メモリセルアレイを備える半導体装置であって、メモリセルアレイが、複数本のメモリセルカラム間に配置された素子分離絶縁膜と、この素子分離絶縁膜により互いに分離され、互いに隣接するメモリセルカラムにそれぞれ属するメモリセルトランジスタの浮遊電極（１３，１９）と、浮遊電極（１３，１９）の上にそれぞれ配置されたＨｆ_xＡｌ_1-xＯ_y膜（０．８≦ｘ≦０．９５）からなる電極間絶縁膜２０と、この電極間絶縁膜２０上に配置され且つ隣接するメモリセルカラムのメモリセルトランジスタと共有された制御電極２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】凹部が形成された半導体基板上に脱水縮合を行なうことによりシリコン酸化膜を形成する場合であっても、絶縁耐圧の低下によって半導体装置の特性の劣化を招くことが少ないシリコン酸化膜の形成方法を提供することである。
【解決手段】少なくともＳｉ含有ガスを原料ガスとして、凹部３０が表面に形成された半導体基板２２上に１次反応物を形成した後に脱水縮合を行なうことによりシリコン酸化膜３４、３６を半導体基板上に形成するシリコン酸化膜の形成方法であって、前記シリコン酸化膜３４、３６を半導体基板上に形成した後、前記凹部３０内に形成されたシリコン酸化膜のうち、表面に形成されたシリコン酸化膜３４よりも低密度に形成された部分３６の少なくとも一部が露出するまで、表面に形成されたシリコン酸化膜３４を除去し、次いで前記Ｓｉ含有ガスを前記低密度のシリコン酸化膜３６に供給することを特徴とする。 （もっと読む）