シリコン含有膜を形成する方法であって、基板を反応チャンバーに供給すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのシリコン含有化合物を注入すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのガス状共反応物質を注入すること、および前記基板、シリコン含有化合物、およびガス状共反応物質を550℃以下の温度で反応させ、前記基板上に蒸着されたシリコン含有膜を得ることを含む方法。窒化シリコン膜を調製する方法であって、シリコンウェーハを反応チャンバーに導入すること、シリコン含有化合物を前記反応チャンバー中に導入すること、前記反応チャンバーをイナートガスでパージすること、および窒素を含有するガス状共反応物質を、前記シリコンウェーハ上に窒化シリコンの単分子層を形成するために適切な条件下で、前記反応チャンバーに導入することを含む方法。
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【課題】６０ｎｍ以降、特に４５ｎｍレベルのＤＲＡＭキャパシタの量産に対応可能で、誘電率が高く、かつリーク電流の少ない誘電体膜とその形成方法を提供する。
【解決手段】上部電極５０１及び下部電極５０４間に誘電体膜を介在させてなる半導体装置のキャパシタにおいて、該キャパシタの誘電体膜は、酸化ハフニウム５０２と酸化チタン５０３を交互に原子層レベルで積層した膜を含むことを特徴とし、特にＨｆ／（Ｈｆ＋Ｔｉ）＝１０〜４５ａｔｏｍｉｃ％となる組成比で積層し、４００〜６００℃で高速熱処理した膜である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、金属元素を有する絶縁膜の界面特性を向上させる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、下層、Ge層、Ge酸化物層、上層の順に積層された構造を形成する工程と、熱処理を用いてGe酸化物層及びGe層を除去して、上層と下層とを直接接合させる工程とを有し、上層及び下層の何れかは金属元素を有する絶縁物で形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造コストを低減する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、高誘電率膜が形成された基板を処理室内に搬入するステップと、前記処理室に接続されたプラズマユニットによるプラズマによって活性化した窒素原子を含むガスを前記処理室内に供給して前記高誘電率膜に対してプラズマ窒化処理を施すステップと、前記処理室内に成膜ガスを供給して前記プラズマ窒化処理後の高誘電率膜上に電極膜を形成するステップと、前記電極膜形成後の基板を前記処理室内から搬出するステップと、前記プラズマユニットによるプラズマによって活性化したクリーニングガスを前記処理室内に供給して前記処理室内をクリーニングするステップと、を有する。
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【課題】ゲート絶縁膜としての使用に耐え得るような高品位の酸化膜を窒化物半導体の上に作成する。
【解決手段】本発明による酸化膜形成方法は、ＳｉＯｘ粉末を原料として用いる真空蒸発により、窒化物半導体部材の上にＳｉＯｘ膜を堆積する工程と、堆積された前記ＳｉＯｘ膜を、酸化雰囲気で紫外線を照射しながら加熱することによって酸化する工程と備えている。原料のＳｉＯｘ粉末は、下記特性を有している：（１）フーリエ変換赤外分光分析（ＦＴＩＲ：Fourier Transform Infrared Spectroscopy）によって得られた赤外吸収スペクトルにおいて、８８０ｃｍ^−１にピークが現れる。（２）ラマン分光分析によって得られたラマンスペクトルにおいて、４５０〜５５０ｃｍ^−１にピークが現れない。（３）Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ：X-ray photoelectron spectroscopy）によって得られたＸＰＳスペクトルにおいて、ＳｉＯ_２のＳｉ−Ｏ結合に対応するピーク（約１０３ｅＶ）とＳｉの２ｐ軌道のＳｉ−Ｓｉ結合のピーク（約９９ｅＶ）とが現れ、且つ、Ｓｉ−Ｓｉ結合のピークの高さが、Ｓｉ−Ｏ結合のピークの高さの０．６倍以上である。 （もっと読む）

【課題】電気特性への悪影響を防止しつつＥＯＴを薄くすることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、シリコン基板上に金属酸化膜を形成し、この金属酸化膜と前記シリコン基板とを熱処理により固相反応させることでシリケート膜を形成する工程と、このシリケート膜上に高誘電率絶縁膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】MOSFET等のデバイスのための高誘電率膜の製造方法を提供する。
【解決手段】Si基板101上のSiO₂膜（又はSiON膜）102上にHf金属膜103をスパッタし、それを熱酸化処理してHfSiO膜104を形成する。その上にTi金属膜105をスパッタし、それを熱酸化処理して、TiO₂膜106を形成する。TiO_２膜106上に、TiN金属膜107を堆積させる。これら一連の処理は、大気に晒すことなく真空中で一貫して行われる。形成されたTiN/TiO₂/HfSiO/SiO₂/Si構造は、EOT<1.0nm, 低リーク電流, ヒステリシス<20mVを満たしている。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコンより比誘電率の高い酸化物を含んで構成されるゲート絶縁膜を備えたＭＩＳトランジスタのトランジスタ特性を向上する。
【解決手段】基板ＳＵＢの主面上に酸化ハフニウムから構成される高誘電体層ＨＫ１を形成した後、基板ＳＵＢの主面を非酸化性雰囲気中で熱処理する。次いで、高誘電体層ＨＫ１上に、ＡＬＤ法によって堆積された酸化ハフニウムから構成され、かつ、高誘電体層ＨＫ１より薄い酸素供給層ＨＫ２を形成し、さらに、窒化タンタルから構成されるキャップ層ＣＬを形成した後、基板ＳＵＢの主面を熱処理する。 （もっと読む）

【課題】セルサイズが６０ｎｍ以下の半導体記憶装置において、トンネル絶縁膜や電極間絶縁膜に高誘電率絶縁膜を導入した場合の電荷保持特性の劣化を防ぐ。
【解決手段】半導体装置は、セルサイズが６０ｎｍ以下であって、埋め込み絶縁膜１０４を含むシリコン基板１０１のチャネル領域に形成されたトンネル絶縁膜１０２と、前記トンネル絶縁膜１０２上に形成された第１の導電層１０３と、前記埋め込み絶縁膜１０４及び前記第１の導電層１０３上に形成された電極間絶縁膜１０５と、前記電極間絶縁膜１０５上に形成された第２の導電層１０６と、前記第１の導電層１０３、前記第２の導電層１０６、及び前記電極間絶縁膜１０５の側壁に形成された側壁絶縁膜１０７と、前記側壁絶縁膜１０７上に形成された層間絶縁膜１０８と、を有し、 前記トンネル絶縁膜１０２又は前記電極間絶縁膜１０５は高誘電率絶縁膜を含み、前記側壁絶縁膜１０７は、所定の濃度の炭素及び窒素、並びに１×１０^１９Ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の濃度の塩素を含む。 （もっと読む）

【課題】 他の部分にダメージを与えることなく優れた絶縁性が得られる絶縁膜及びその製造方法、並びに絶縁膜を備えた電子デバイスを提供する。
【解決手段】 基板１上に、蒸着法により、Ａｌ、Ｈｆ、Ｚｒ及びＳｉからなる群から選択された少なくとも１種の元素を含む酸化物又は窒化物からなる蒸着絶縁膜２を形成する。そして、この蒸着絶縁膜２に対して、基板１の温度を３００乃至５００℃にして、水素プラズマ処理及び酸素プラズマ処理からなる群から選択された少なくとも１種の処理を施す。 （もっと読む）

【課題】膜の組成ズレを抑制することにより、電気的な絶縁性能に優れたスパッタリング法によるランタノイドアルミネート膜の製造方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバ内に、ＬｎＡｌＯ_３の第１のターゲットと、Ａｌ_２Ｏ_３の第２のターゲットを保持し、この真空チャンバ内に基板を搬送し、この真空チャンバ内に、スパッタリングガスを導入し、第１のターゲットと、第２のターゲットをスパッタリングし、基板上にランタノイドアルミネート膜を成膜することを特徴とするランタノイドアルミネート膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】厚さが異なる２種類以上のゲート絶縁膜を有する半導体集積回路装置の信頼性を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に形成された酸化シリコン膜６の上層に酸化シリコン膜７を形成し、次いで厚いゲート絶縁膜を形成する領域Ａを覆ったフォトレジストパターン８をマスクとして、薄いゲート絶縁膜を形成する領域Ｂの酸化シリコン膜６，７を除去した後、フォトレジストパターン８および酸化シリコン膜７を除去し、続いて熱酸化処理を半導体基板１に施すことによって、厚さの異なるゲート絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来の熱酸化技術ないしプラズマ酸化技術を用いて、薄い下地膜を直接に電子デバイス用基材上に成膜速度や面内均一性を制御しながら形成することは、極めて困難であった。
【解決手段】電子デバイス用基材上に配置された絶縁膜の表面に、少なくとも酸素原子含有ガスを含む処理ガスに基づくプラズマを照射して、該絶縁膜と電子デバイス用基材との界面に下地膜を形成する。絶縁膜と、電子デバイス用基材との間の界面に、該絶縁膜の特性を向上させるべき良質な下地膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】ポリ（ジオルガノ）シロキサンと金属アルコキシドから形成される有機修飾シリケートの１μｍ以上の厚膜で、相分離による凹凸が生じず、低いヤング率で基板の変形にも追従できる柔軟性を有し、電子デバイス等の微細部品を実装できる膜表面の平坦性の高い有機修飾シリケート絶縁膜を形成できる表面平坦性絶縁膜形成用塗布溶液を提供。
【解決手段】質量平均分子量が900以上10000以下であるポリ（ジオルガノ）シロキサンＡと金属アルコキシドＢを有機溶媒Ｃに溶解し、さらに水を添加してなる塗布溶液であって、金属アルコキシドＢ１モルに対するポリ（ジオルガノ）シロキサンＡのモル比Ａ／Ｂが0.05以上1.5以下であり、前記有機溶媒Ｃが水酸基を有し、有機溶媒Ｃ100ｇに対する水の溶解度が３〜20ｇで、ポリ（ジオルガノ）シロキサンＡ１モルに対する有機溶媒Ｃのモル比Ｃ／Ａが0.05〜100である表面平坦性絶縁膜形成用塗布溶液。 （もっと読む）

【課題】異なる金属酸化膜を複数積層させてなる絶縁膜について、当該絶縁膜の誘電率を高めることができる絶縁膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、第１の電極１２を形成し、その上に、酸化アルミニウム膜と酸化チタン膜とが積層された積層膜よりなる絶縁膜１３を形成した後、この絶縁膜１３に対して、当該絶縁膜１３の透過率が１０〜８０％になる波長を持つレーザーＬを照射する。それにより、絶縁膜１３の容量を大きくし誘電率を高める。 （もっと読む）

【課題】高温熱処理工程を経ても良好なリーク電流特性を有する、High-k膜を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板と、この半導体基板上に対向して形成された一対のソース・ドレイン領域と、ソース・ドレイン領域の間の、半導体基板上に形成されたトンネル絶縁膜と、トンネル絶縁膜上に形成された浮遊電極若しくは電荷蓄積層と、この上に形成され、Ｌａ，Ｈｆ，Ｏを含む立方晶パイロクロア型多結晶質絶縁膜を有する層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に形成された制御電極とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 高い誘電率と高い絶縁性を兼ね備えた誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】 誘電体薄膜３２は、一般式Ｂａ_xＳｒ_yＴｉＯ₃で表わされ前記ｘおよびｙがｘ＋ｙ＜１を満たす主成分と、前記主成分１００ｍｏｌに対して３ｍｏｌ以下（０ｍｏｌを含まない）のＣｅと、を含有する。これにより、ＣｅがＡサイトに優先的に固溶して、高い誘電率を維持しつつ高い絶縁性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＤＲＡＭの１情報保持性及び信頼性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上にゲート絶縁膜及びゲート電極を順次形成し、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極の側部を少なくとも覆うシリコン窒化膜を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法であって、減圧ＣＶＤ法により所定の厚みのシリコン窒化物層を形成する工程と、減圧雰囲気下で前記シリコン窒化物層を窒素に暴露させる工程とを繰り返し行って、前記シリコン窒化物層を複数積層することにより、前記シリコン窒化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】十分な蒸気圧を有し、配管輸送上のトラブルが生じ難い、基板上に金属酸化膜を形成するための成膜原料、ならびにそのような成膜原料を用いた成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】基板上に金属酸化膜を形成するための成膜原料として、当該金属酸化膜を構成する金属を含む有機金属化合物からなるものを用いる。この有機金属化合物は、常温で固体でありかつ高蒸気圧である第１有機金属化合物に、常温で液体の第２有機金属化合物を混合してなり、常温で液体である。そして、この成膜原料と酸素含有ガスとを処理容器内に供給して被処理基板に金属酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高温高湿環境下での耐酸化性が高く、ピンホールが少なく、かつ光学透過率が高いバリア膜を提供する。
【解決手段】バリア膜がＳｉ／Ｎ組成比が異なる窒化シリコン層を２層以上積層した窒化シリコン膜を少なくとも１層含むことにより、高温高湿環境下での耐酸化性が高く、ピンホールが少なく、かつ光学透過率が高いバリア膜を提供することができる。 （もっと読む）