【課題】絶縁膜を形成する際の欠陥の生成を抑制することを可能にする。
【解決手段】半導体基板の表面を窒化する第１窒化ガスと、製造中に前記半導体基板と実質的に反応しない第１希釈ガスとを含み、前記第１希釈ガスの分圧と前記第１窒化ガスの分圧の和と、前記第１窒化ガスの分圧との比が５以上でかつ全圧が４０Ｔｏｒｒ以下である雰囲気中に前記半導体基板を置き、前記半導体基板の表面に窒化膜を形成する工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の流れにくい耐電圧性に優れた薄膜デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】第一の電極と、絶縁膜もしくは誘電膜と、第二の電極との積層構造を含み、前記第一の電極と絶縁膜もしくは誘電膜との間に、前記第一の電極と直接結合を形成できる有機ケイ素化合物からなる緩衝膜を備えたことを特徴とする薄膜デバイスにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 強誘電体膜と半導体基板との間にバッファ層を配置してもリーク電流が増加しない強誘電体キャパシタを提供する。
【解決手段】 半導体基板の表面上に、非晶質の絶縁材料からなる第１のバッファ層が形成されている。その上に、結晶性の絶縁材料からなる第２のバッファ層が形成されている。その上に、強誘電体材料からなる強誘電体膜が形成されている。その上に電極が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高品質の極薄酸化膜を均一な膜厚で再現性良く形成する。
【解決手段】半導体ウエハ１Ａを酸化膜形成室１０７の熱処理チャンバ１２０へ導入する工程と、熱処理チャンバ１２０内のガス雰囲気を窒素によって置換する工程と、第１の温度で、触媒を用いて酸素と水素から水分を合成する工程と、合成した水分を前記酸化炉１０７の熱処理チャンバ１２０へ導入して、気化状態を維持したまま、熱処理チャンバ１２０内の半導体ウエハ１Ａの第１主面上に水分を含んだ酸化性雰囲気を形成する工程と、熱処理チャンバ１２０内の水分を含んだ酸化性雰囲気において、前記第１の温度より高い第２の温度まで半導体ウエハ１Ａの主面をランプ加熱して、半導体ウエハ１Ａの第１主面上のシリコン表面を熱酸化処理して絶縁膜を形成する工程と、前記工程の後、熱処理チャンバ１２０内の前記水分を含んだ酸化性雰囲気を窒素によって置換する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上に、しきい値特性のシフトを生じないリーク電流特性に優れたＨｆＳｉＯ_４膜を形成する。
【解決手段】 希フッ酸処理したシリコン基板表面に、Ｈｆと窒素を含む有機金属原料を供給し、ＨｆＮの核形成を行い、前記核形成工程の後、前記シリコン基板表面に、Ｈｆを含む有機金属原料とＳｉを含む有機原料とを供給し、Ｈｆシリケート膜をＣＶＤ法により成膜する。 （もっと読む）

【課題】従来の熱酸化膜やＣＶＤ法による絶縁膜の形成方法のみでは、今後の高速、低消費電力デバイスへの応用は不十分である。また、良好なデバイス特性を得るためには様々な形体を持った装置を使用する必要があり、操作性やフットプリントの点で問題がある。
【解決手段】本発明により、大気への暴露を避けて、洗浄、酸化、窒化、薄膜化などの処理を行うことで、洗浄度の高い絶縁膜の形成が可能となる。さらに、同一の動作原理を用いて絶縁膜の形成に関する様々な工程を行うことで、装置形体の簡略化を実現し、特性の優れた絶縁膜を効率よく形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の膜質を向上できる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】ＭＯＳ構造のゲートを有する半導体装置１００の製造方法であって、半導体基板１０上に、気相成長法により気相酸化膜３１を形成する気相酸化工程と、気相酸化工程後、気相酸化膜３１の形成部位を熱酸化し、気相酸化膜３０と半導体基板１０との間に熱酸化膜３２を形成する追加熱酸化工程を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高品質の極薄酸化膜を均一な膜厚で再現性良く形成する。
【解決手段】半導体ウエハ１Ａを酸化膜形成室１０７の熱処理チャンバ１２０へ導入する工程と、熱処理チャンバ１２０内のガス雰囲気を窒素によって置換する工程と、第１の温度で、触媒を用いて酸素と水素から水分を合成する工程と、合成した水分を前記酸化炉１０７の熱処理チャンバ１２０へ導入して、気化状態を維持したまま、熱処理チャンバ１２０内の半導体ウエハ１Ａの第１主面上に水分を含んだ酸化性雰囲気を形成する工程と、熱処理チャンバ１２０内の水分を含んだ酸化性雰囲気において、前記第１の温度より高い第２の温度まで半導体ウエハ１Ａの主面をランプ加熱して、半導体ウエハ１Ａの第１主面上のシリコン表面を熱酸化処理して絶縁膜を形成する工程と、前記工程の後、熱処理チャンバ１２０内の前記水分を含んだ酸化性雰囲気を窒素によって置換する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】良質なシリコン窒化膜、酸化アルミニウム膜、遷移金属高誘電率絶縁膜を形成することを可能にする。
【解決手段】半導体を主構成元素とする膜および半導体基板のいずれか一方上に、シリコン−窒素結合、アルミニウム−酸素結合、遷移金属−酸素−シリコン結合、および遷移金属−酸素−アルミニウム結合、遷移金属−酸素結合の少なくとも一つの結合を有する絶縁膜を形成するステップと、最大強度の波長が前記絶縁膜に応じた波長領域内でかつ前記絶縁膜に吸収される波長のパルス状赤外光を前記絶縁膜に照射するステップと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ハフニウム原料とシリコン原料と酸化剤とを用いた原子層蒸着法によりハフニウムシリケート膜を成膜することで、リーク電流特性とカバリッジ性の改善を可能とする。
【解決手段】トレンチ１２の内面に形成された第１電極２１と、前記第１電極２１表面に形成されたキャパシタ絶縁膜２２と、前記キャパシタ絶縁膜２２を介して前記第１電極２１表面に形成された第２電極２３とを備えたトレンチキャパシタ１を有する半導体装置の製造方法において、前記キャパシタ絶縁膜２２をハフニウム原料とシリコン原料と酸化剤とを用いた原子層蒸着法によりハフニウムシリケート膜を成膜することにより形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流が十分に抑制可能な高誘電率絶縁膜２０を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体領域１９の上に高誘電率絶縁膜２０をアトミックレイヤーデポジション法により成膜し、高誘電率絶縁膜２０の上にアルミナ膜２１をアトミックレイヤーデポジション法により成膜し、アルミナ膜２１をアニールし、アルミナ膜２１の上に導電層２２を還元雰囲気下で成膜する。 （もっと読む）

【課題】 浮遊ゲートの周囲の絶縁体の絶縁性の向上と、浮遊ゲート中の酸化した金属超微粒子の割合の低減を可能とする不揮発性半導体記憶素子および製造方法を提供すること。
【解決手段】 ギブスの酸化物生成自由エネルギーが、０℃〜１２００℃の範囲内で、Ｓｉのそれよりも高い元素である難酸化性物質からなる浮遊ゲートと、同浮遊ゲートの周囲を囲む、同エネルギーがＳｉと同じまたはＳｉよりも低い易酸化性物質の酸化物からなる絶縁体を有する不揮発性半導体記憶素子の製造方法において、難酸化性物質の浮遊ゲートが物理的形成法を用いて形成され、易酸化性物質の酸化物が物理的形成法または化学的形成法を用いて形成され、ゲート絶縁膜を形成した後に、酸化用気体と還元用気体との混合気体中で、０℃〜１２００℃までの温度範囲内において難酸化性物質のみを還元し、易酸化性物質の酸化物のみを酸化するように、混合気体の混合比および温度を制御して熱処理を行う構成を有している。 （もっと読む）

【課題】高誘電率で薄膜化、均一化が可能であり、高性能なキャパシタ絶縁膜を有する半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成されたトランジスタ１３，１４は、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、このゲート電極の両側に位置する半導体基板内に形成された第１、第２の拡散層とを有している。第１の電極１５、１６は、トランジスタの第１の拡散層に接続されている。第１の電極上に形成されたキャパシタ絶縁膜１７は、拡散速度がＣｕより速く、Ｃｕより酸素と反応しやすい物質を含有するシリコン酸化膜により形成されている。キャパシタ絶縁膜上に形成された第２の電極は、Ｃｕ層と、前記物質を含むＣｕ層のうちの１つにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】高温でも非結晶状態を安定的に維持する金属酸化物の薄膜を含む半導体装置その製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜等に適用する金属酸化物の薄膜を含む半導体装置及びその製造方法において、前記半導体装置は、４族半導体物質の基板上に形成され、金属酸化物及び第１温度で熱処理を行って、前記基板から前記金属酸化物に充分に拡散させた前記４族半導体物質で構成される薄膜を含む。このように、前記薄膜は、前記金属酸化物と前記４族半導体物質を含むため、前記第１温度より高い第２温度でも非結晶状態を安定的に維持することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、即ち、低い融点を有し、且つ水分、空気及び熱に対しての安定性に優れ、ＣＶＤ法による金属薄膜形成に適したアルコキシアルキルメチル基を有するβ-ジケトナト及びアルコキシを配位子とする金属錯体（例えば、周期律表第IVA族の金属原子を中心金属とする金属錯体）を提供するものである。又、本発明の課題は、当該金属錯体を用いた金属含有薄膜（例えば、周期律表第IVA族の金属の含有薄膜）の製法を提供するものでもある。
【解決手段】 本発明の課題は、アルコキシアルキルメチル基を有するβ-ジケトナト及びアルコキシを配位子とする金属錯体によって解決される。本発明の課題は、又、該金属錯体を金属供給源として用いた、化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製法によっても解決される。 （もっと読む）

【課題】 誘電率が高く、かつ、リーク電流の小さな絶縁膜及びこれを用いた電子素子を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコンを主成分とする半導体層と、前記半導体層の上に直接接合してエピタキシャル成長されたペロブスカイト構造の誘電体薄膜であって、前記ペロブスカイト構造の面内格子定数の２^１／２倍が、前記半導体層の面内格子定数に対してプラスマイナス１．５％以内であり、前記ペロブスカイト構造を化学式ＡＢＯ_３と表した時に、Ａは、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇの少なくともいずれかを含み、且つ前記Ａに占めるＭｇの割合は１０％以下であり、前記組成式におけるＢは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆの少なくともいずれかを含み、且つ前記Ｂに占めるＴｉの割合は５０％以下である誘電体薄膜と、を備えたことを特徴とする電子素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】微細化に対して有利な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板の主表面中に設けられた第１絶縁膜２１と、前記第１絶縁膜上に設けられ前記第１絶縁膜の構成元素と所定の金属元素との化合物を主成分とし前記第１絶縁膜よりも比誘電率が高い第１高誘電体膜２２−１とを少なくとも備えたゲート絶縁膜１２と、前記ゲート絶縁膜上に設けられ、ＣｕまたはＣｕを主成分とするゲート電極１３と、前記ゲート電極を挟むように前記半導体基板中に隔離して設けられたソースまたはドレイン１５とを具備する。 （もっと読む）

【課題】成膜性が向上した高誘電率膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】高誘電率膜の成膜方法は、下記一般式；


（上記一般式中、Ｒ^１〜Ｒ^５は、各々同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１以上３以下のアルキル基、Ｎ（Ｒ^６）_２、Ｓｉ（Ｒ^７）_３、Ｓｉ（Ｒ^８）_３、ＮＨＳｉ（Ｒ^９）_３、複数存在するＲ^６〜Ｒ^９はそれぞれ、各々同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１以上３以下のアルキル基のいずれかを示す。）で、 （上記一般式における炭素原子数）／（Ｓｉ原子数）の値が、７以下である。） で表されるシリコン含有化合物のガスと、金属含有化合物のガスとを用いた原子層蒸着法により、基板上に金属シリケートから構成された高誘電率膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】電荷保持特性に優れ且つ均一で薄い厚さを有する誘電体膜を形成するためのフラッシュメモリ素子の誘電体膜製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のフラッシュメモリ素子の誘電体膜製造方法は、フローティングゲートの形成された半導体基板を提供する段階と、減圧状態で酸化工程を行い、前記フローティングゲートを含んだ半導体基板上に薄膜の第１酸化膜を形成する段階と、前記第１酸化膜上に窒化膜と第２酸化膜を順次形成し、前記第１酸化膜と前記窒化膜と前記第２酸化膜からなる誘電体膜を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、小さいヒステリシスを有する半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、Geを主成分として含むチャネル領域を有する半導体基板と、チャネル領域上に形成され、Zr、HfおよびLa系元素からなる群から選ばれる金属元素MおよびSiを含む酸化物を有するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、チャネル領域をゲート長方向に挟むソース・ドレイン領域と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）