【課題】電荷蓄積層への電荷の注入効率を向上させることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に形成された電荷蓄積層と、電荷蓄積層上に形成された第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に形成された制御ゲート電極と、を備えた半導体装置の製造方法であって、第１の絶縁膜２０４を形成する工程は、下層絶縁層２０１を形成する工程と、下層絶縁層２０１上にゲルマニウム含有層２０２を形成する工程と、ゲルマニウム含有層２０２、シリコン及び酸素の反応により、中間絶縁層２０２ａを形成する工程と、中間絶縁層２０２ａ上に上層絶縁層２０３を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】窒素成分の抜けが少なく、ゲートリーク電流の増大を抑制することができるＨｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜を成膜する、High-kゲート絶縁膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板２００上にHigh-kゲート絶縁膜３０を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜３０を窒素及び希ガス含有ガスでHigh-kゲート絶縁膜３０を窒化する工程と、前記High-kゲート絶縁膜３０上に電極３２を形成する工程と、前記電極３２を囲むように絶縁層３４を形成する工程とを有する半導体デバイスの製造方法を提供する。 （もっと読む）

ハフニウムおよび／もしくはジルコニウムオキシヒドロキシ化合物を備える薄膜または積層構造体を有する装置およびかかる装置の製造方法を開示する。ハフニウムおよびジルコニウム化合物は、通常ランタンのような他の金属でドープすることができる。電子装置またはそれを作製し得る構成材の例には、限定することなく、絶縁体、トランジスタおよびコンデンサがある。ポジ型もしくはネガ型レジストまたは装置の機能的構成材としての材料を用いて装置をパターン化する方法も開示する。例えば、インプリントリソグラフィー用のマスタープレートを作製することができる。腐食バリアを有する装置の製造方法の実施形態も開示する。光学基板およびコーティングを備える光学的装置の実施形態も開示する。電子顕微鏡を用いて寸法を正確に測定する物理的ルーラーの実施形態も開示する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い基板上に、低温で良質な酸化ガリウムを主成分とする金属酸化物からなる絶縁膜を形成する。
【解決手段】ガリウムアルコキシド化合物を含有する溶液を基板２に塗布することによりガリウムアルコキシド化合物の膜を形成し、その膜中に含まれる有機物を分解せしめるに必要なエネルギー３を膜に与えて、膜を酸化ガリウムを主成分とする金属酸化物膜４に変化させる。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路に用いる絶縁膜として、膜厚が薄くとも信頼性を確保することができる絶縁膜の作製方法を提供することを課題とする。特に、ガラス等の大面積化が可能な絶縁表面を有する基板上に低い基板温度で高品質の絶縁膜を提供することを課題とする。
【解決手段】チャンバーにモノシランガス（ＳｉＨ_４）と亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）と希ガスを導入し、１０Ｐａ〜３０Ｐａの圧力下で高密度プラズマを発生させてガラス等の絶縁表面を有する基板上に絶縁膜を形成する。その後、モノシランガスの供給を停止し、大気に曝すことなく亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）と希ガスとを導入して絶縁膜表面にプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】膜厚の厚い絶縁膜を形成することが可能な無機被膜形成用組成物であって、低コストで絶縁膜を形成することが可能な無機被膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】（ａ）無機酸化物微粒子、及び（ｂ）バインダー化合物を含む無機固形分と、（ｃ）溶剤とからなる無機被膜形成用組成物であって、前記（ｂ）バインダー化合物が、ベーマイト型アルミナゾル、又は擬似ベーマイト型アルミナゾルを含む無機被膜形成用組成物。本発明の無機被膜形成用組成物によれば、膜厚の厚い絶縁膜を形成した場合でも、クラックを発生することがない。更に、シリコン基板上に形成された被膜の焼成後において、十分な硬度の絶縁膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法によって絶縁膜を形成する場合に、シリコンと絶縁膜との界面の形状を極めて平坦化することが可能な絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナ３１によりチャンバ１内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置１００を用い、シリコン表面を酸化して酸化珪素膜を形成する（ステップＳ１）。この酸化珪素膜上にＣＶＤ法により絶縁膜としての酸化珪素膜を成膜し（ステップＳ４）、さらに、プラズマ処理装置１００を用い、チャンバ１内に希ガスと酸素を含む処理ガスを導入するとともに平面アンテナ３１によりマイクロ波を導入し、６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下の範囲内の圧力条件でプラズマを発生させ、該プラズマにより、絶縁膜を改質する（ステップＳ６）。 （もっと読む）

【課題】薄膜表面に延びる長いクラックが存在せず、絶縁体圧の高い誘電体薄膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】組成がＢａ_1-xＳｒ_xＴｉ_yＯ₃（０≦ｘ≦１、０.９≦ｙ≦１.１）からなる誘電体薄膜の製造において、該薄膜の前駆物質を基板に塗布して乾燥した後、該乾燥薄膜を３０℃／分以下の昇温速度で本焼成を行うことによって、平均１次粒子径が７０ｎｍ以上であり、薄膜表面に連続する直線状の長さ１.５μm以上の亀裂が存在せず、電圧５Ｖにおけるリーク電流密度が１０^-5Ａ/cm²未満、ないし電圧２０Ｖにおけるリーク電流密度が１０^-1Ａ/cm²未満である誘電体薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜に用いる高誘電体金属酸化膜又は高誘電体金属シリケート膜におけるリーク電流を低減できるようにする。
【解決手段】高誘電体金属シリケートからなるゲート絶縁膜の形成において、金属等を含む前駆体の暴露時間には、表面吸着反応により成膜レートが飽和する時間を用い、酸化剤の暴露時間には、金属酸化膜の組成が化学量論値の９７％以上となる時間を用いてＡＬＤ堆積を行う。 （もっと読む）

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜としての使用に適し、低ＥＯＴと低界面準位が両立できる絶縁膜を形成する。
【解決手段】Ｓｉ基板１０１の上にスパッタによりＨｆ−Ｓｉ膜１０２を形成する第１工程と、Ｈｆ−Ｓｉ膜を酸化してＨｆＳｉＯ膜１０３を形成する第２工程と、ＨｆＳｉＯ膜を窒化してＨｆＳｉＯＮ膜１０５を形成する第３工程を含む。第２工程において、Ｈｆ−Ｓｉ膜を酸化する際にＨｆ−Ｓｉ膜に近紫外光を照射し、Ｓｉ基板の表層部を酸化してＳｉＯ_２膜１０４を形成する。近紫外光の波長は２２０〜３８０ｎｍである。近紫外光の光源として、Ｋｒ_２エキシマランプ、ＫｒＦエキシマランプ、ＸｅＣｌエキシマランプまたはＸｅＦエキシマランプを用いる。第２工程では、プラズマ励起、光励起またはオゾン供給を用いて活性化された酸素を用いてＨｆ−Ｓｉ膜を酸化する。 （もっと読む）

【課題】α-アルミナを含むアルミナ膜の成膜温度の低温化を図ることができる成膜方法等を提供する。
【解決手段】
処理容器２内に被処理体（ウエハＷ）を載置し、有機アルミニウム化合物を含む原料ガスと、水蒸気等の水素原子、酸素原子を含む酸化ガスとを当該処理容器２内に導入する。次いで当該処理容器２内の処理雰囲気を２００℃以上５００℃以下の温度範囲に加熱して、被処理体の上にダイアスポアを含む含酸素アルミニウム化合物の膜を形成し、当該被処理体を８００℃以上、１，０００℃以下の温度範囲で加熱して、当該含酸素アルミニウム化合物の膜を、α-アルミナを含むアルミナ膜に変化させる。 （もっと読む）

【課題】高い絶縁破壊耐圧特性、低い誘電率、及び、低い吸湿性を備えた絶縁層を有する半導体装置を提供することを課題とする。また、該半導体装置を用いた高性能且つ信頼性の高い電子機器を提供することを課題とする。
【解決手段】酸化窒化珪素や窒化酸化珪素のような窒素を含有する絶縁体と、フッ素が添加された酸化窒化珪素やフッ素が添加された窒化酸化珪素のような窒素及びフッ素を含有する絶縁体とを交互に堆積させて、絶縁層を形成する。窒素及びフッ素を含有する絶縁体を、窒素を含有する絶縁体により挟み込むことで、窒素及びフッ素を含有する絶縁体の吸湿を防ぐことができ、絶縁破壊耐圧を向上することができる。また、フッ素を含有させることにより、誘電率を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】シートキャリア濃度を向上させると共に、シートキャリア濃度の向上効果を有効に利用する電界効果トランジスタを実現できるようにする。
【解決手段】電界効果トランジスタは、基板１１の上に形成された第１の窒化物半導体層１３と、第１の窒化物半導体層１３の上に形成され、第１の窒化物半導体層１３と比べてバンドギャップが大きい第２の窒化物半導体層１４と、第２の窒化物半導体層１４の上に形成された結晶性の窒化シリコンからなる第１の絶縁膜１５と、第１の絶縁膜１５の上に形成された第２の絶縁膜１６とを備えている。第２の絶縁膜１６の上には、ゲート電極２１が形成されている。ゲート電極２１の両側方にはソース電極２２及びドレイン電極２２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性フィラーを添加することなく高い熱伝導性を有し、成形性や密着性に優れた放熱材料を形成しうる放熱材料形成用化合物を提供する。
【解決手段】ボラジン環を含む放熱材料形成用化合物であって、前記ボラジン環を構成するボラジン骨格のホウ素原子及び窒素原子のうち一以上が水素原子以外の置換基を有する、放熱材料形成用化合物である。 （もっと読む）

【課題】通常の絶縁膜の形成に用いる抵抗加熱炉をそのまま使用し、特別なガスなどを使うことなく信頼性の高い絶縁膜をシリコンウェーハ上に形成する方法及び該方法により絶縁膜の形成された半導体素子を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハを雰囲気ガス中で熱処理することにより絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法において、前記雰囲気ガスは窒素で希釈した酸素を使用し、前記熱処理は、前記雰囲気ガスの下、抵抗加熱炉を使用して７００〜９００℃の温度で前記シリコンウェーハに熱処理を施し、前記絶縁膜として１０ｎｍ以下の膜厚のシリコン酸化膜を形成する絶縁膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】強誘電体薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】オンアクシス方式スパッタリングにより結晶性及び表面粗さに優れ、かつ蒸着率が顕著に改善された強誘電体薄膜素子及びその製造方法を提供する。本発明の強誘電体製造方法は、ＳｒＴｉＯ_３（ＳＴＯ）基板上にＳｒＲｕＯ_３（ＳＲＯ）薄膜を蒸着する工程と、同蒸着されたＳＲＯ薄膜にＢｉＦｅＯ_３（ＢＦＯ）薄膜を蒸着する工程とを含み、各薄膜の蒸着はＳＴＯ基板を接地から絶縁した状態で蒸着する。本発明の強誘電体製造方法によると、大量生産が可能で蒸着率が顕著に向上するのみならず、強誘電体薄膜の表面が均一に形成されて漏洩電流が顕著に低減し、かつ残留分極が大きくなるという効果がある。 （もっと読む）

【課題】 構成元素として窒素とシリコンとを含む絶縁膜の形成時に、窒素原子の過度の拡散を抑制し、かつその絶縁膜の窒素濃度を高めることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）半導体基板上に、窒素とシリコンとを含む第１の絶縁膜を形成する。（ｂ）第１の絶縁膜を還元性雰囲気に晒す。（ｃ）工程ｂの後、第１の絶縁膜を窒化性雰囲気に晒す。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ手法により酸化膜を形成する際に、酸化不足が生じ難い成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体を挿入し、処理容器内を真空に保持した状態として、その中に成膜原料を供給する工程（工程Ｓ１）と、その中に酸化剤を供給する工程（工程Ｓ２）とを複数回繰り返し、基板上に酸化膜を形成するにあたり、酸化剤を供給する工程（工程Ｓ２）は、真空引きを挟んで酸化剤の供給を複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】移動度の低下を極力抑えつつゲートリーク電流が低い良好なゲート絶縁膜を有するＭＯＳＦＥＴを含む半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層と、ゲート電極と、膜厚が１ｎｍ以上で少なくとも半導体層側からその厚み方向に１ｎｍまでの領域は窒化酸化シリコン膜（ＳｉＯＮ）から構成され、かつシリコンと酸素の原子数比（Ｏ／Ｓｉ）が０．０１〜０．３０、シリコンと窒素の原子数比（Ｎ／Ｓｉ）が０．０５〜０．３０であるゲート絶縁膜と、ソース／ドレイン領域と、を備えたＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置。 （もっと読む）

シリコン含有膜を形成する方法であって、基板を反応チャンバーに供給すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのシリコン含有化合物を注入すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのガス状共反応物質を注入すること、および前記基板、シリコン含有化合物、およびガス状共反応物質を550℃以下の温度で反応させ、前記基板上に蒸着されたシリコン含有膜を得ることを含む方法。窒化シリコン膜を調製する方法であって、シリコンウェーハを反応チャンバーに導入すること、シリコン含有化合物を前記反応チャンバー中に導入すること、前記反応チャンバーをイナートガスでパージすること、および窒素を含有するガス状共反応物質を、前記シリコンウェーハ上に窒化シリコンの単分子層を形成するために適切な条件下で、前記反応チャンバーに導入することを含む方法。
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