【課題】 ＣＺ基板を用いた絶縁ゲート型の半導体装置の製造方法において、ゲート酸化膜の絶縁耐圧を十分に確保することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】 プラズマＣＶＤ法によって、ＣＺ基板６の表面に水素が含有されたゲート酸化膜１０を形成する工程と、ゲート酸化膜１０を熱処理する工程を備えている。ゲート酸化膜１０を熱処理することによって、ゲート酸化膜１０内の水素と、ゲート酸化膜１０とＣＺ基板６の界面近傍のＣＺ基板６内に存在する酸素析出欠陥との間で還元反応が生じる。これによって、ＣＺ基板６内の酸素が除去され、ゲート酸化膜１０の絶縁耐圧を十分に確保することができる。 （もっと読む）

【課題】原料ガスを間欠的に供給する際に、安全性を維持しつつ多量の原料ガスを処理容器内へ供給することができ、この結果、成膜レートを向上できるのみならず、膜中における原料ガスに含まれる元素の濃度をコントロールして、例えばこの元素濃度を高くすることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内で被処理体Ｗの表面に薄膜を形成する成膜方法において、処理容器４内へ原料ガスを、間に間欠期間を挟んで複数回供給して原料ガスを被処理体Ｗの表面に吸着させる吸着工程と、処理容器４内へ反応ガスを供給して被処理体Ｗの表面に吸着している原料ガスと反応させて薄膜を形成する反応工程とを交互に複数回繰り返し行うようにする。 （もっと読む）

【課題】 ゲート絶縁膜等の用途に適した、優れた絶縁特性を有するシリコン酸化膜を形成する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナ３１により処理容器１にマイクロ波を導入するプラズマ酸化処理装置１００において、処理ガス中の酸素の割合を０．１％以上１０％以下の範囲内、処理容器１内の圧力を１．３Ｐａ以上２６６．Ｐａ以下の範囲内に設定し、高周波電源４４から、ウエハＷを載置する載置台２の電極にウエハＷの面積当り０．１４Ｗ／ｃｍ^２以上２．１３Ｗ／ｃｍ^２以下の範囲内の出力で高周波電力を供給し、ウエハＷにＲＦバイアスを印加しながら、ウエハＷのシリコンに対してプラズマ酸化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリといった半導体装置の特性変動を抑えられるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上にシリコン窒化膜を形成する成膜工程と、前記シリコン窒化膜が形成された前記基板に対して酸化処理を施す酸化工程と、を含み、前記酸化工程では、前記シリコン窒化膜が形成された前記基板を収容したチャンバ内の圧力を大気圧よりも低くした状態で前記チャンバ内に酸素含有ガス及び水素含有ガスを供給し、前記シリコン窒化膜の表面からその反対側の前記基板との界面にかけて前記シリコン窒化膜の全体を酸化して前記シリコン窒化膜の全体をシリコン酸化膜に変換する。 （もっと読む）

【課題】銅拡散バリア性を有しかつ極めて低い比誘電率を有した絶縁膜を提供する。
【解決手段】５−シラスピロ［４，４］ノナン、４−シラスピロ［３、３］ヘプタン、４−シラスピロ［３、４］オクタン、４−シラスピロ［３、５］ノナン、４−シラスピロ［３、６］デカン、５−シラスピロ［４、５］デカン、５−シラスピロ［４、６］ウンデカン、６−シラスピロ［５、５］ウンデカン、６−シラスピロ［５、６］ドデカン、７−シラスピロ［６、６］トリデカンなどのケイ素化合物を絶縁膜材料とし、プラズマＣＶＤ法により成膜された絶縁膜。 （もっと読む）

【課題】 絶縁体薄膜の信頼性評価において、絶縁破壊の確率過程にシリコンウェーハ表面の品質状態を数理統計的に組み込ませる。
【解決手段】 シリコンウェーハ上に形成した絶縁体薄膜をモンテカルロ法によりコンピュータシミュレーションする絶縁破壊寿命シミュレーション方法は、絶縁破壊の測定条件を設定するステップ、ウェーハ表面欠陥の分布および欠陥サイズを設定するステップ、絶縁体薄膜をセルにメッシュ分割し上記表面欠陥をセルにくり込むステップ、絶縁体薄膜の絶縁破壊に至る時間の基準尺度を算出するステップ、シリコンウェーハ上に設定する全キャパシタに亘りそれ等の絶縁体薄膜の絶縁破壊の確率過程をモンテカルロ法によりコンピュータシミュレーションするステップ、全キャパシタの絶縁破壊について統計処理するステップ、を有する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜に高誘電率膜を用いたＭＩＳトランジスタのトランジスタ特性を向上する。
【解決手段】基板の主面上に形成した酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜上に、ハフニウムおよび酸素を含むベース絶縁膜を形成する。次いで、ベース絶縁膜上に、ベース絶縁膜より薄く、かつ、金属元素のみからなる金属薄膜を形成し、その金属薄膜上に、耐湿性および耐酸化性を有する保護膜を形成する。その後、保護膜を有する状態で、ベース絶縁膜に金属薄膜の金属元素をすべて拡散することによって、酸化シリコン膜上に、酸化シリコン膜より厚く、かつ、酸化シリコンより誘電率が高く、ベース絶縁膜のハフニウムおよび酸素と、金属薄膜の金属元素とを含む混合膜（高誘電率膜）を形成する。 （もっと読む）

【課題】８００℃以上の高温のプラズマ窒化処理工程を含んでトンネル絶縁膜を形成することにより、トラップサイト(trap site)を減少させ、シリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）の形成によってホウ素浸透を抑制して漏れ電流および絶縁破壊電圧特性などを改善することが可能なフラッシュメモリ素子のトンネル絶縁膜形成方法の提供。
【解決手段】半導体基板上に酸化膜を形成する段階と、８００〜９００℃のプラズマ窒化処理工程によって前記酸化膜の表面に窒素含有絶縁膜を形成する段階と、前記半導体基板と前記窒素含有絶縁膜の形成された前記酸化膜との界面に窒素蓄積層を形成する段階とを含む、フラッシュメモリ素子のトンネル絶縁膜形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】膜中の窒素濃度を安定化して再現性を向上させることができ、しかも膜厚の面内均一性を向上させることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内で被処理体の表面にシリコン含有膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、処理容器内へシリコン系ガスを供給してシラン系ガスを前記被処理体の表面に吸着させる吸着工程と、被処理体の表面に吸着したシラン系ガスを窒化ガス又は活性化された窒化ガスを用いて窒化してシリコン窒化膜を形成する窒化工程と、シリコン窒化膜の一部又は全部を活性化された酸素を用いて酸化する酸化工程とを有する。これにより、例えばシリコン酸窒化膜等のシリコン含有膜を成膜するに際して、直前に行ったシリコン含有膜の成膜処理に対する依存性をなくして膜中の窒素濃度を安定化させ、再現性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】不揮発性半導体メモリ素子向けの絶縁膜形成において、リーク電流密度を低減でき、デバイス特性及び信頼性を向上させることができる金属酸化物絶縁膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】Ｋｒ以上の原子量を有する希ガスを導入して、導入希ガスより重い金属元素を含む金属酸化物ターゲットを用い、ＬａＨｆＯ、ＬａＡｌＯ、ＺｒＡｌＯのように導入希ガスより重いＬａまたはＨｆなどの金属元素を含む金属酸化物絶縁膜をスパッタ成膜する。 （もっと読む）

基板（４）が、基板キャリア・プレート（３）の高い位置に設けられた基板サポート（３１）の上に取り付けられる。この基板を有する基板キャリア・プレートは、次に、プラズマ反応装置（８）の中に置かれる。高い位置に設けられた基板サポートのために、基板の両側がプラズマ（６）に曝され、それにより、電気的なパッシベイション・レイヤ（７）で被覆される。 （もっと読む）

【課題】絶縁特性に優れたシャロー・トレンチ・アイソレーション構造とそれを形成するための簡便かつ低コストな方法の提供。
【解決手段】表面の溝構造が二酸化ケイ素膜により埋設されており、前記二酸化ケイ素膜が前記基板の表面側に局在し、前記溝の底部に空孔を具備してなるシャロー・トレンチ・アイソレーション構造。このようなアイソレーション構造は、基板表面にポリシラザン組成物を塗布し、前記塗膜の表面に紫外線を照射して、塗膜の表面近傍にあるポリシラザンの一部を硬化させ、さらに前記塗膜を焼成することにより形成させることができる。 （もっと読む）

【課題】高誘電率絶縁膜を含むゲート絶縁膜を備えた電界効果型トランジスタにおいてゲート絶縁膜におけるゲート電極の端部下に位置する部分の厚膜化を試みると、高誘電率絶縁膜が結晶化し、ゲートトンネルリーク電流の発生を抑制出来ない場合があった。
【解決手段】半導体装置では、半導体基板１上にはゲート絶縁膜２が形成され、ゲート絶縁膜２上にはゲート電極３が形成されている。ゲート絶縁膜２では、ゲート絶縁膜２におけるゲート電極３の両端部下に位置する厚膜部分２ａの膜厚は、ゲート絶縁膜２におけるゲート電極３の中央部下に位置する中央部分２ｂの膜厚よりも厚い。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ基板表面の窒素抜けを抑制し、耐圧の高い半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、窒化ガリウムを含む半導体層を準備する工程と、半導体層の表面を水素ガスにより処理する表面処理工程と、表面処理工程後の上記表面を酸化する酸化工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＭＴＪ素子の特性を劣化させることなく、良好な絶縁性を有するシリコン窒化膜をＭＴＪ素子の保護膜として形成することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】ＭＴＪ素子部（ＭＴＪ素子ＭＤ１及び上部電極ＥＴ１）を含む全面にシリコン窒化膜３３を形成する。シリコン窒化膜３３の成膜装置として、平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いる。そして、成膜ガスとして、ＮＨ₃を含むことなく、ＳｉＨ₄／Ｎ₂/ヘリウムガス（Ｈｅ）を用いる。成膜温度は２００〜３５０℃に設定される。さらに、理想的には、Ｈｅの流量がＳｉＨ₄の流量に対し、１００〜１２５倍を呈するようにＨｅとＳｉＨ₄の流量比が設定される。 （もっと読む）

【課題】非破壊検査により簡便に信頼性高く行うことができるシリコンウェーハのＧＯＩ評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、シリコンウェーハ上にゲート酸化膜を形成し、形成されたゲート酸化膜直下のシリコンウェーハ表層部をＸ線回折測定して、測定により得られるロッキングカーブの半値幅が０．００１１０°以下であるか否かにより、ゲート酸化膜の電気的特性の良否判定をするシリコンウェーハのＧＯＩ評価方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＥＯＴが小さく、界面準位密度の増加が抑制されたゲート絶縁膜を備え、微細化されてもリーク電流が抑制され、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１の領域１０２上に、第１の酸化膜２０３を形成する工程（ａ）と、半導体基板１０１にプラズマ窒化処理を行って、第１の酸化膜２０２に窒素を導入して第１のゲート絶縁膜２０３を形成する工程（ｂ）と、半導体基板１０１に酸化性雰囲気下で熱処理を行って、第１のゲート絶縁膜２０３を酸化する工程（ｃ）と、半導体基板１０１にプラズマ窒化処理を行って、第１のゲート絶縁膜２０３にさらに窒素を導入する工程（ｄ）と、半導体基板１０１に酸素雰囲気下で熱処理を行って、第１のゲート絶縁膜２０３を酸化する工程（ｅ）とを備えている。工程（ｂ）で、半導体基板１０１は直接窒化されない。 （もっと読む）

【課題】 ｎ型の化合物半導体と金属膜が積層されている積層体において、化合物半導体と金属膜の間に流れるリーク電流を低下させる方法を提供する。
【解決方法】 ｎ型の化合物半導体基板６に金属膜２を積層した後に、化合物半導体基板６に正電圧を印加して金属膜２を陽極酸化する。この際に、化合物半導体基板６と金属膜２の間にリーク電流３０が流れる。リーク電流３０は結晶欠陥３２に集中し、結晶欠陥３２の存在箇所に対応する金属膜２の表面２ａに厚い酸化物３４が形成される。酸化物３４が形成されることによって、リーク電流３０が結晶欠陥３２に沿って流れにくくなり、化合物半導体基板６と金属膜２の間に流れるリーク電流３０を低下させることができる。 （もっと読む）

【課題】形成した絶縁膜のリーク電流を抑制することができる成膜法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１では、Ｏ_３ガスを処理室２０１に供給する工程と、処理室２０１に残留するＯ_３ガスを排出する工程と、ＴＤＭＡＳガスを処理室２０１に供給する工程と、処理室２０１に残留するＴＤＭＡＳガスを排出する工程とを含み、これらの各工程を順次、所定回数実行し、ウエハ２００表面にＳｉＯ_２膜を形成する成膜方法であって、ＴＤＭＡＳガスが供給される際の処理室２０１内の圧力と供給時間から規定されるＴＤＭＡＳガスの暴露量と、Ｏ_３ガスが供給される際の処理室２０１内の圧力と供給時間から規定されるＯ_３ガスの暴露量との比を制御することで、膜中のＳｉ元素とＯ元素との比率を所望の値とすることができる成膜方法がなされる。 （もっと読む）

【課題】電荷蓄積層への電荷の注入効率を向上させることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に形成された電荷蓄積層と、電荷蓄積層上に形成された第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に形成された制御ゲート電極と、を備えた半導体装置の製造方法であって、第１の絶縁膜２０４を形成する工程は、下層絶縁層２０１を形成する工程と、下層絶縁層２０１上にゲルマニウム含有層２０２を形成する工程と、ゲルマニウム含有層２０２、シリコン及び酸素の反応により、中間絶縁層２０２ａを形成する工程と、中間絶縁層２０２ａ上に上層絶縁層２０３を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）