窒素を含む誘電体膜を形成するための方法。この方法は、プラズマ窒化プロセスを使用して誘電体膜に窒素を組み込んで、酸窒化シリコン膜を形成するステップを含む。該酸窒化シリコン膜はまず、約７００℃〜１１００℃の温度で不活性または還元雰囲気においてアニーリングされる。該酸窒化シリコン膜は、約９００度〜１１００℃の温度で酸化雰囲気において２回目のアニーリングがなされる。 （もっと読む）

本発明にかかる積層体ユニットは、シリコン単結晶によって形成された支持基板と、支持基板上に、酸化シリコンによって形成されたバリア層と、バリア層上に形成され、ｃ軸方向に配向されたビスマス層状化合物を含む誘電体材料よりなるバッファ層と、バッファ層上で、導電性材料をエピタキシャル成長させて形成され、ｃ軸方向に配向された電極層と、電極層上で、ビスマス層状化合物を含む誘電体材料をエピタキシャル成長させて形成され、ｃ軸方向に配向された誘電体層を備えている。
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【課題】配線の信号伝播性能向上を絶縁被膜の誘電率分布の均一化によって実現することを課題とする。
【解決手段】アルコキシシランを加水分解して得られたシリカからなる、平均粒径が１０００Å以下であって、粒径の３σが平均粒径の２０％以下である第一の微粒子と、平均粒径が１第一の微粒子の１／３以下で、粒径の３σが第二の微粒子の平均粒径の２０％以下である第二の微粒子とを含有し、半導体デバイスに用いるに好ましい被膜形成用塗布液。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＧ膜のＳｉ原子と有機基（例えばＣＨ３基）やＨ基の結合がアッシング時に切れるのを抑制して誘電率を低く抑える。
【解決手段】低誘電率の有機又は無機ＳＯＧ膜にパターン化レジスト膜をマスクとしてエッチングを行って配線溝を形成し、この後、枚葉式ダウンストリーム型のプラズマアッシング装置を用いて、酸素ガスプラズマによるアッシング処理を例えば１．２Ｔｏｒｒの圧力雰囲気下で施してレジスト膜を除去し、この後配線溝にバリヤメタル形成後、Ｃｕを電界メッキ法にて埋設して配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の層間絶縁膜などとして有用な低誘電率の膜を形成する方法と、この方法により形成される膜を提供すること。
【解決手段】 基材上に膜を成長させるのに十分な化学気相成長条件下で、シリルエーテル、シリルエーテルオリゴマー又は１以上の反応性基を有する有機ケイ素化合物を含む、有機ケイ素前駆物質を反応させて、約３．５以下の誘電率を有する層間絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体回路の隣接導体線間容量性クロストークを減少させる。
【解決手段】フィラー材料を蒸発させて形成された空隙を有する金属被覆体の製造方法で、フィラー材料３０は透過性の誘電層４０により覆われる。フィラー材料はＰＰＧ、ＰＢ、ＰＥＧ、非結晶フッ化炭素及びＰＣＬからなる群から選択され、スピン・オン法又はＣＶＤ法により形成される。フィラー材料を、間隔をあけた導電線２０及び半導体構造体１０上に形成し、エッチバック処理し、導電線の上面を露出させる。次に、フィラー材料上に透過性の誘電層４０を形成する。透過性の誘電層は分解したガス相フィラー材料が拡散するのを許容する性質がある。フィラー材料を蒸発させ、気相フィラー材料に変化させる。気相のフィラー材料は透過性の誘電層を通じて拡散して、間隔をあけた導電線の間に空隙を形成する。透過性の誘電層上に絶縁層が形成される。 （もっと読む）

【課題】 強誘電体キャパシタに保護膜を設け、強誘電体膜の還元を抑制する。
【解決手段】 前記保護膜としてＡｌ₂ Ｏ₃ 膜を、３．０〜３．１ｇ／ｃｍ³ 、あるいはそれ以上の密度に形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＣＶＤ法に適した有機タンタル化合物及びこれを用いて形成される高誘電体薄膜又は強誘電体薄膜として優れたタンタル含有薄膜を得る。均一で安定した気化が行われ、高い成膜速度で高純度の所望のＳＢＴ薄膜が得られる。
【解決手段】 次の一般式（２）で示される有機金属化学蒸着用の有機タンタル化合物単体からなるか、又は前記有機タンタル化合物を有機溶媒に溶解してなる有機金属化学蒸着用原料である。
【化９】


有機溶媒としては炭素数４〜１０の直鎖状、分岐状又は環状の有機化合物が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】 上層配線の線幅面積を減少させて、上下配線間の相互干渉による不具合を低減する。
【解決手段】 半導体基板１上に形成された第１の配線７を覆うＴＥＯＳ膜から成る第１の層間絶縁膜８と、該第１の層間絶縁膜８を隔てて前記第１の配線７にコンタクトする第２の配線９と、該第２の配線９を覆うＴＥＯＳ膜から成る第２の層間絶縁膜１０と、該第２の層間絶縁膜１０を隔てて前記第２の配線９にコンタクトする第３の配線１１と、該第３の配線１１を覆うシリコン窒化膜１３とポリイミド系絶縁膜１４から成るパッシベーション膜１２とを具備し、前記第３の配線１１には相互干渉を起こし易い映像信号に用いられているクロマ系信号や同期信号やシリアルコントロール信号等が流れていることを特徴とするものである。 （もっと読む）