【課題】 金属電極上にＣＶＤ法によりシリコン窒化膜を形成する場合、高温で行われると、シリコン窒化膜が堆積するのと同時に、その表面層の一部が金属窒化膜になり、電極の比抵抗の増大につながっていいた。
【解決手段】 シリコン窒化膜の形成方法は、減圧ＣＶＤ装置内を７００度よりも低い温度に加熱すると共に窒素を含む原料ガス及びシラン系ガスを導入して、金属電極上にシリコン窒化膜を形成する工程と、該工程の後、温度を７００度よりも高い温度に変更して再度シリコン窒化膜を形成する工程とを有する。これにより、意図しない金属窒化膜の形成を抑制しつつ、信頼性の高いシリコン窒化膜の形成が可能になる。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ法による酸化膜の成膜において、セルフクリーニングを周期的に行っても酸化膜の膜厚変動を抑制することができるプラズマＣＶＤ装置および酸化膜の製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)装置を用いて酸化膜を成膜する方法である。酸化膜の製造方法は、プラズマによってプラズマＣＶＤ装置の成膜チャンバを洗浄するセルフクリーニングの工程を備えている。原料ガス放散口の温度が一定範囲内にある場合に成膜チャンバに装入した基板上に酸化膜を形成し、原料ガス放散口の温度が一定範囲内にない場合には酸化膜を形成しない。酸化膜の形成において、成膜チャンバ内に装入する基板とガス放散口との熱の授受により、原料ガス放散口の温度を一定範囲内にする。 （もっと読む）

【課題】プレメタル誘電体を含む半導体構造および半導体構造にプレメタル誘電体を堆積形成する方法を実現する。
【解決手段】本発明は、各構成要素２、３、４、９、１１を表面に有する基板１を有し、上記各構成要素２、３、４、９、１１は、少なくとも一つのギャップを形成するように互いに離間されており、上記ギャップは、層の有利な組み合わせにより充填され、上記組み合わせが、少なくともスピンオン形成用の誘電体１４の層を含み、さらに、他の絶縁層が配置、または、リンがドープされたシリケートガラスの層１６が配置されているプレメタル誘電体を含む半導体構造に関する。上記の各層の組み合わせの使用により、上記ギャップの充填において、ボイド１７の発生の抑制または防止できて、上記半導体構造では、化学的および／または機械的および／または電子的に有利な各特性が得られる。 （もっと読む）

【課題】 トラップ膜を有するメモリセルのデータ保持特性の劣化を防止し、信頼性が高い半導体装置を得る。
【解決手段】 ｐ型の半導体基板１０１の上に、電荷を蓄積するＯＮＯ膜１０２を形成する。続いて、ＯＮＯ膜１０２に開口部を形成し、形成した開口部から半導体基板１０１に砒素イオンを注入することにより、半導体基板１０１の各開口部の下側部分にｎ型拡散層１０４を形成する。さらに、酸素およびハロゲン化合物を含む雰囲気で半導体基板１０１に熱処理を行なって、ＯＮＯ膜１０２の開口部の端部表面にシリコン酸化膜１０６を形成すると同時に、各ｎ型拡散層１０４の上部を酸化することにより、各ｎ型拡散層１０４の上部にビットライン酸化膜１０７を形成する。続いて、ＯＮＯ膜１０２の上に導電体膜を形成することによりワードライン１０８を形成する。 （もっと読む）

【課題】 緻密性の高いシリコン窒化物層を高速で形成することができるシリコン窒化物層の形成方法を提供する。
【解決手段】 大気圧または大気圧近傍の圧力下で電極とシリコンウエハの表面との間に流入させた窒素含有ガスのプラズマを生成し、シリコンウエハの表面から底面にかけて温度勾配を形成した状態でプラズマをシリコンウエハの表面と接触させることによりシリコン窒化物層を形成するシリコン窒化物層の形成方法である。ここで、窒素含有ガスは、窒素ガスと希ガスと水素ガスとの混合ガス、またはアンモニアガスと希ガスと水素ガスとの混合ガスであることが好ましい。 （もっと読む）

集積回路のための相互接続構造体における使用のための銅相互接続配線層（602）の表面上のキャッピング層（614）およびガスクラスタイオンビーム処理の適用による集積回路のための改良された集積相互接続構造体を形成する方法。低減された銅拡散と改善されたエレクトロマイグレーション寿命が結果として得られ、また選択的金属キャッピング技法の使用とそれらに付随する歩留まり問題とが回避される。 （もっと読む）

【課題】多様なエッチング溶液に対して優れた耐性を有するエッチング阻止層を含む半導体装置の製造方法及びその半導体装置と、多様なエッチング溶液に対して優れた耐性を有することで、湿式エッチング工程の間、下部構造物を効果的に保護することができるエッチング阻止層の形成方法とを提供する。
【解決手段】第１構造物上に金属酸化物１１５を蒸着し、その蒸着された金属酸化物１１５をアニーリングし、第１構造物上にエッチング阻止層１１５を形成する。エッチング阻止層１１５上には第２構造物１２０を形成し、エッチング阻止層１１５を用いて第２構造物をエッチングする。金属酸化物はハウニウム及びアルミニウムのうち少なくとも一つを含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 窒素を導入することにより、界面特性を劣化させることなく結晶化温度を上昇させられるハフニウムシリケートゲート絶縁膜のＭＯＣＶＤ法による成膜方法を提供する。
【解決手段】 ＭＯＣＶＤ法によりシリコン基板上に金属シリケート膜を金属元素を含む第１の気相原料とＳｉを含む第２の気相原料を供給しながら形成する際に、前記金属シリケート膜を形成する工程を、前記第２の気相原料の流量を増加すると、前記金属シリケート膜を構成する金属シリケート中の前記金属元素を含む酸化物成分に堆積速度の低下が生じるような圧力範囲内に設定した処理圧力において実行する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン酸化膜換算の膜厚変動が少ないゲート絶縁膜の形成を実現し、特性上のばらつきが少ないＭＯＳ型トランジスタを含む半導体装置の製造を可能とする半導体装置の製造方法およびその製造装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板の表面上に、絶縁性材料から成る膜を堆積する工程と、前記膜の膜厚、あるいは膜厚および組成を測定する工程と、測定された結果に基づいて、窒化条件または酸化条件を設定する工程と、設定された前記窒化条件または前記酸化条件に基づいて、前記膜に窒化処理または酸化処理を行う工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】移動度を高めたダブル・ゲートＣＭＯＳデバイス構造を提供すること。
【解決手段】本発明によれば、半導体デバイス構造は、基板（１、２）上に配置されたＰＭＯＳデバイス（２００）およびＮＭＯＳデバイス（３００）を含み、このＰＭＯＳデバイスはこのＰＭＯＳデバイスの活性領域に応力を加える圧縮層（６）を含み、このＮＭＯＳデバイスはこのＮＭＯＳデバイスの活性領域に応力を加える引張り層（９）を含み、この圧縮層は第１の誘電体材料を含み、この引張り層は第２の誘電体材料を含み、これらのＰＭＯＳおよびＮＭＯＳデバイスはＦｉｎＦＥＴデバイス（２００、３００）である。
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【課題】 サイドウォールの酸化膜・シリコン界面の窒化による界面準位の発生を抑制することにより、トランジスタの性能劣化を防止する。
【解決手段】 基板１０１上に形成されたゲート電極１０４と、ゲート電極１０４の側壁に形成された第１のサイドウォールである酸化膜１０５と第２のサイドウォールである窒化膜１０６と、ゲート電極１０４の側方に位置する基板１０１の領域の中に形成された低濃度不純物拡散領域１０７と高濃度不純物拡散領域１０９とを備え、第１のサイドウォールである酸化膜１０５と低濃度不純物拡散領域１０７との界面における窒素濃度が１×１０²⁰ｃｍ^-3以下である。これにより低濃度不純物拡散領域１０７と第１のサイドウォールである酸化膜１０５の界面における界面準位の発生量が少なくなり、界面準位による低濃度不純物拡散領域への空乏層の形成を抑制し、トランジスタ性能の劣化を防止する。 （もっと読む）

【課題】 従来のデュアル・ダマシンとＵＬＫ ＩＭＤ材料との統合が有する問題を解決するための相互接続構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】 相互接続構造は、原子層堆積又は超臨界流体ベースのプロセスによって薄いコンフォーマルな不動態化誘電体及び／又は拡散障壁キャップ及び／又はハード・マスクを堆積させるステップを含む方法により製造される。 （もっと読む）

【課題】類似の方法を、低スループット等の弱点が十分に回避されかつそれにもかかわらず原子層成膜が可能なように、さらに改良することである。
【解決手段】本発明は、プロセスチャンバ内で少なくとも１つの膜を少なくとも１つの基板上に堆積する方法であって、膜が少なくとも１つの成分からなり、少なくとも第１の金属成分が、液体の又は液体に溶解した第１の原料を不連続に吐出する使用のもと、特に温度調節されたキャリアガス内で蒸発し、少なくとも第２の成分の化学反応原料が供給される方法に関する。原料が切換えられてプロセスチャンバ内に供給され、２番目の原料が化学反応ガス又は化学反応溶液であることが、本質的である。 （もっと読む）

【課題】 ｈｉｇｈ−ｋゲート誘電体プロセスインテグレーションのための界面酸化プロセスの提供。
【解決手段】 界面酸化層を有した微細構造物を形成する方法は、この微細構造物内のｈｉｇｈ−ｋ層の形成と関係した基板の酸化特性を制御するように拡散フィルタ層を使用することにより提供される。拡散フィルタ層は、表面の酸化を制御する。界面酸化層は、拡散フィルタ層上へのｈｉｇｈ−ｋ層の堆積の後に実行される酸化プロセス中に、または拡散フィルタ層上へのｈｉｇｈ−ｋ層の堆積中に、形成されることができる。 （もっと読む）

【課題】 上層配線の線幅面積を減少させて、上下配線間の相互干渉による不具合を低減する。
【解決手段】 半導体基板１上に形成された第１の配線７を覆うＴＥＯＳ膜から成る第１の層間絶縁膜８と、該第１の層間絶縁膜８を隔てて前記第１の配線７にコンタクトする第２の配線９と、該第２の配線９を覆うＴＥＯＳ膜から成る第２の層間絶縁膜１０と、該第２の層間絶縁膜１０を隔てて前記第２の配線９にコンタクトする第３の配線１１と、該第３の配線１１を覆うシリコン窒化膜１３とポリイミド系絶縁膜１４から成るパッシベーション膜１２とを具備し、前記第３の配線１１には相互干渉を起こし易い映像信号に用いられているクロマ系信号や同期信号やシリアルコントロール信号等が流れていることを特徴とするものである。 （もっと読む）