【課題】α-アルミナを含むアルミナ膜の成膜温度の低温化を図ることができるアルミナ膜の成膜方法、成膜装置及び前記成膜方法を実施するプログラムを格納した記憶媒体を提供する。
【解決手段】
処理容器２内に被処理体であるウエハＷを載置した後、アルミニウムのβ-ジケトン錯体を含む原料ガス及び酸素ガス等の酸化ガスを導入して、その処理容器２内の処理雰囲気の温度を２００℃以上、１，０００℃以下の温度範囲に加熱することによりウエハＷ表面にα-アルミナを含むアルミナ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板と窒化シリコン膜の接する部分に形成される反転層の形成を抑制することができる光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換素子の製造方法は、シリコン基板の一主面上に窒化シリコン膜を形成する工程を備え、前記シリコン基板は、前記主面側がｐ型であり、前記窒化シリコン膜を形成する前に、窒素ガスを含む原料ガスを用いて形成されるプラズマによって前記主面の表面処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】浮遊ゲート電極または制御ゲート電極の特性ばらつきを可及的に抑制し、トンネル絶縁膜の信頼性の低下を防止し、かつストレス誘起リーク電流を抑制することを可能にする。
【解決手段】第１導電型の半導体層を有する基板１と、半導体層に対向して設けられた一対の第２導電型のソース／ドレイン領域１２と、ソース／ドレイン領域間の半導体層上に設けられた第１の絶縁膜１４と、第１の絶縁膜上に設けられ、ソース／ドレイン領域が対向する方向に沿って亜粒界１７が形成された単結晶の半導体を含む浮遊ゲート電極１６と、浮遊ゲート電極上に設けられた第２の絶縁膜１８と、第２の絶縁膜上に設けられた制御ゲート電極２０と、を有するメモリセルと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、低リーク電流、高機械的強度の特性を備え、これらの特性の経時変化が小さく、耐水性を備えた半導体装置用絶縁膜及びその製造装置、当該半導体装置用絶縁膜を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】キャリアガスとボラジン骨格系分子を有する材料を気化した原料ガスとを含有する混合原料ガスを、チャンバ内に供給し、混合ガスをプラズマ状態とし、チャンバ内に載置した基板にバイアスを印加し、ボラジン骨格系分子を基本単位として気相重合して、チャンバ内に載置した基板に半導体装置用絶縁膜として成膜する成膜工程と、成膜工程の後、基板に印加するバイアスを、成膜工程におけるバイアスとは異なる大きさとし、ボラジン骨格系分子を有する材料を気化した原料ガスのみ漸減しながら供給し、キャリアガスが主となるプラズマで当該膜を処理する反応促進工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体の存在下に被処理基板に対して成膜工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の加工を容易に行うことのできる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板の製造方法は、基板が設置された反応室内に超臨界流体を充填し、該超臨界流体に溶解させた原料を基板の表面近傍で反応させることで基板の表面を加工する基板の製造方法であって、基板を、反応室内の天井部１０に基板の表面を下方に向けて設置するものである。 （もっと読む）

【課題】写真製版におけるフォトマスクの重ね合わせズレが生じた場合にもエアギャップと上層配線層のビアホールとが接続することを防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】隣り合う配線用導電層５はエアギャップ８を挟んでおり、材質に銅を含んでいる。導電性のキャップ層６は、配線用導電層５上に選択的に形成され、かつ配線用導電層５中の銅の拡散のバリアとして機能する。絶縁膜７は、配線用導電層５、キャップ層６およびエアギャップ８の上に延在し、かつキャップ層６の上面および側面を覆っている。上層配線用のビアホールはキャップ層６に達し、かつ絶縁膜７を貫通していない。 （もっと読む）

【目的】 本発明は上記の状況に鑑みてなされたもので、窒化ホウ素膜を用いて
表面保護および表面不活性化を実現できる半導体表面処理、成膜方法およびその
表面保護技術や表面下活性化技術を用いて作製した高性能半導体装置並びに半導
体装置を含む通信システムの電子装置を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくともホウ素及び窒素原子を含むことを特徴とする膜を有する
ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大掛かりな装置を必要とすることなく、低温プロセスで絶縁膜の結晶欠陥を低減可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に半導体層１３、ゲート絶縁膜１４およびゲート電極１５をこの順に積層してトップゲート型の薄膜トランジスタを製造する。この際、塗布法により、ゲート絶縁膜１４を形成したのち、エネルギービームＥを照射する。これにより、半導体層１３がエネルギービームＥを吸収し、ゲート絶縁膜１４が加熱される。 （もっと読む）

【課題】銅含有金属膜の表面にＳｉを導入し、その部分を窒化してＣｕＳｉＮバリアを形成する技術を採用する際に、層間絶縁膜へのダメージおよび大気開放による水分吸着の生じ難い半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】表面に銅含有金属膜が露出した状態の半導体基板を準備する工程と、銅含有金属膜の表面をラジカルまたは熱化学的手法により清浄化処理する工程と、銅含有金属膜の表面にＳｉを導入する工程と、銅含有金属膜のＳｉが導入された部分をラジカルにより窒化する工程とによって半導体装置を製造する際に、清浄化処理工程、Ｓｉ導入工程、および窒化工程を真空を破ることなく連続的に行う。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の端部において発生するゲートリーク不良を低減し、ゲート耐圧が改善された薄膜トランジスタとその作製方法を提供する。
【解決手段】側端面がテーパ形状を有する島状の半導体膜と、前記半導体膜の表面及び側端面に接して設けられたゲート絶縁膜と、前記半導体膜上に前記ゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極層と、前記ゲート電極層上に設けられた開口部を有する絶縁膜と、前記開口部を有する絶縁膜上に接して設けられ、前記開口部を介して前記半導体膜に接続されるソース電極及びドレイン電極層と、を有し、前記ゲート絶縁膜の前記半導体膜の側端面に接する部分はハロゲンを含み、且つ前記半導体膜の表面に接する部分よりも厚い薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線のＣｕ拡散防止性能を向上する。
【解決手段】酸化シリコン膜３９の上面、配線溝４２の側壁部の酸化シリコン膜３９の表面、配線溝４２の底部の酸化シリコン膜３１ｂの上面およびスルーホール３４の側壁部の酸化シリコン膜３１ｂの表面に、アンモニアプラズマ処理を施す。これにより、例えば厚さ１０ｎｍ未満の薄い窒化シリコン膜が形成される。この結果、酸化シリコン膜３９の上面、配線溝４２の側壁部の酸化シリコン膜３９の表面、配線溝４２の底部の酸化シリコン膜３１ｂの上面およびスルーホール３４の側壁部の酸化シリコン膜３１ｂの表面部分の膜質、清浄度、電気的な安定性を向上でき、Ｃｕの拡散防止性能を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ／誘電体の界面に沿ったエレクトロマイグレーション不良は、ＶＬＳＩ回路の用途において大きな信頼性の問題として認識されている。
【解決手段】 Ｃｕ／誘電体の界面におけるＣｕ移動および原子ボイド形成を低減させるために、Ｃｕ相互接続の上に高い引っ張り応力のキャッピング層を設ける。引っ張り応力の高い誘電膜は、薄い誘電体材料を多層に堆積することによって形成する。これらの層は各々、厚さが約５０オングストローム（５ｎｍ）未満である。各誘電体層にプラズマ処理を行った後に、これに続く各誘電体層を堆積することで、誘電体キャップが内部引っ張り応力を有するようにする。 （もっと読む）

シリコンおよび酸素を備えるゲート誘電体を形成するための方法が提供される。該ゲート誘電体はまた、窒素または別の高ｋ材料を含んでもよい。一態様では、該ゲート誘電体を形成するステップは、酸化シリコン層を形成するために酸化雰囲気において基板をアニーリングする工程と、気相堆積法によって該酸化シリコン層上に窒化シリコン層や高ｋ層を堆積する工程と、該窒化シリコン層や高ｋ層の上部表面を酸化する工程と、該基板をアニーリングする工程とを含む。該ゲート誘電体は、集積処理システム内に形成されてもよい。 （もっと読む）

【課題】膜強度が高く、吸湿による誘電率上昇を防止できる低誘電率絶縁膜、寄生容量増大によるデバイス応答速度の遅延および信頼性の低下を防止できる多層配線装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ−ＣＨ₃結合およびＳｉ−ＯＨ結合を有する物質を含む絶縁膜を形成し、絶縁膜にフィルターを介して紫外線を照射して絶縁膜を変性させることを含む多層配線装置の製造方法において、そのフィルターとして、紫外線照射により、絶縁膜中の、Ｘ線光電子分光分析法によるＣ濃度の減少率が３０％以下、Ｃ−Ｈ結合、Ｏ−Ｈ結合およびＳｉ−ＯＨのＳｉ−Ｏ結合からなる群から選ばれた１以上の結合の減少率が１０％以上である特性を与えるフィルターを使用する。あるいは、紫外線照射により、絶縁膜中にＳｉ−ＣＨ₂−ＣＨ₂−Ｓｉ結合およびＳｉ−ＣＨ₂−Ｓｉ結合を形成させる。 （もっと読む）

【課題】溶射プロセスにおいて液体前駆体をプラズマ・トーチのプラズマ・ガス流内に完全に浸透させること。
【解決手段】プラズマ溶射デバイス１は、加熱区域６内でプラズマ・ガス５を加熱するためのプラズマ・トーチ４を含み、このプラズマ・トーチ４は、プラズマ・ガス流８を生成するためのノズル本体７を含み、且つこのノズル本体７を通って中心長手方向軸線１０に沿って延びるアパーチャ９を有している。アパーチャ９は、プラズマ・ガス５用の入口１２を有する収束セクション１１と、アパーチャの最小断面領域を含むスロート・セクション１３と、プラズマ・ガス流８用の出口１５を有する発散セクション１４とを有し、導入管１６が、プラズマ・ガス流８内に液体前駆体１７を導入するために提供される。本発明によれば、浸透手段１８、１８２が、プラズマ・ガス流８内部に液体前駆体１７を浸透させるために提供される。 （もっと読む）

【課題】対向ターゲット式スパッタ法を用いて、プラズマ粒子が存在する領域の外に化合物半導体の付いた基板を置いて、化合物半導体にプラズマ粒子による衝撃を与えないで絶縁性薄膜を形成するとともに、良質の化学量論的に純粋な絶縁性薄膜を形成して、半導体上に耐久性の高い薄膜を付与した素子の製造方法と製造装置を提供する。
【解決手段】対向ターゲットのスパッタリングにより基板上に薄膜を成膜するスパッタリング薄膜成膜方法において、前記対向ターゲット外淵と前記基板との中程に対向した反応性ガス導入口を設け、該反応性ガス導入口の向かっている方向が前記基板面中心部の垂線と概ね直角であって、各反応性ガス導入口の先端から前記垂線までの距離を５０から３００mmに設定し、基板付近での反応性ガス分圧を高めることで化学量論的に純粋な良質の絶縁性薄膜を得る。 （もっと読む）

【課題】実用的な処理プロセス速度や処理効果を得る事が可能な触媒化学処理装置および触媒化学処理方法の提供。
【解決手段】被処理基体に吸収される波長の光を放射する光源が、装置内または外に配設されてなる。触媒体に接地に対して正または負の電位を印加する事のできる電源が設けられている。加熱触媒体に反応ガスを接触させ、光源から放射される光を触媒体を経て基体表面に照射し、触媒体から発生するフリーラジカルを固体光化学的に励起されている状態の基体表面に供給し、表面処理する。触媒体に接地に対して正または負の電位を印加し、触媒体からの熱電子および光電子の放出を制御して基体表面を処理する。 （もっと読む）

【課題】 制御電極と電荷蓄積層との間の絶縁膜を改善することにより、優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板１１と、半導体基板上に形成された第１の絶縁膜１２と、第１の絶縁膜上に形成された電荷蓄積層１３と、電荷蓄積層上に形成された第２の絶縁膜２０と、第２の絶縁膜上に形成された制御電極２１とを備えた半導体装置であって、第２の絶縁膜は、下層シリコン窒化膜２０４と、下層シリコン窒化膜上に形成された下層シリコン酸化膜２０１と、下層シリコン酸化膜上に形成され且つ金属元素を含有した７よりも高い比誘電率を有する中間絶縁膜２０２と、中間絶縁膜上に形成された上層シリコン酸化膜２０３と、上層シリコン酸化膜上に形成された上層シリコン窒化膜２０５とを含む。 （もっと読む）

【課題】 堆積システムのパーティクルコンタミネーションを減少するように構成された排気装置を提供することである。
【解決手段】 基板上の蒸着のための方法およびシステムであって、処理システムの移送空間から分離（アイソレーション）された処理システムの処理空間に基板を配置し、移送空間から分離が維持されている間、処理空間の第１の位置または第２の位置のいずれかで基板を処理し、前記第１の位置または第２の位置のいずれかで前記基板に材料を堆積させる。さらに、システムは、処理空間に組み合わせられるように構成された装置を排気する高いコンダクタンスを含み、それによって、堆積システムで処理される基板の粒子汚染が最小にされる。 （もっと読む）

【課題】シリコン窒化膜上に厚さを異にする複数のシリコン酸化膜を簡単に且つ精度良く形成する。
【解決手段】半導体基板１０の一方の主面を覆うシリコン酸化膜１２の上にシリコン窒化膜１４をＣＶＤ法により形成した後、レジスト層をマスクとするイオン注入処理によりシリコン窒化膜１４の一部分（酸化速度を減少すべき部分）にアルゴンイオンＡｒ^＋を例えば加速電圧１００ｋｅＶ、ドーズ量５×１０^１５ｉｏｎｓ／ｃｍ^２の条件で注入する。この後、シリコン窒化膜１４に熱酸化処理を施すことによりイオン注入された部分には薄いシリコン酸化膜１８ａを、イオン注入されなかった部分には厚いシリコン酸化膜１８ｂをそれぞれ形成する。このようなシリコン酸化膜形成法は、容量素子の製法又はＭＯＳ型ＩＣの製法等に応用可能である。シリコン窒化膜の代りにシリコン酸化窒化膜を用いてもよい。 （もっと読む）