プラズマ物理蒸着過程では、レーザー波長を有する非常に強いラインビームを用いたウエハーの動的表面アニール処理に用いられるイオン注入後のウエハー上に非晶質炭素層を堆積させる。堆積処理は、ドーパント集積閾値温度よりも低いウエハー温度において行われ、チャンバにウエハーを導入することと、チャンバ内を炭化水素処理ガス、好ましくはプロピレン（Ｃ３Ｈ６）、トルエン（Ｃ７Ｈ８）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）又はアセチレンとメタンの混合物（Ｃ２Ｈ４）で満たすこととを含む。この処理は更に、ＲＦプラズマバイアス電力をウエハーに印加しながら、ＲＦプラズマ動力源をチャンバに誘導的に結合させることを含む。堆積された非晶質炭素層は、高い吸収率、大きな強度、そして優れたステップ被覆率という驚くべき組み合わせを有する。
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【課題】アモルファスカーボン膜の成膜後にアニール等の加熱下での処理を施してもアモルファスカーボン膜の特性が大きく変化することがないアモルファスカーボン膜の後処理方法を提供すること。
【解決手段】基板上に成膜され、加熱をともなう処理が施されたアモルファスカーボン膜を後処理するに際し、加熱をともなう処理の直後に、アモルファスカーボン膜の酸化防止処理、例えばシリル化剤を接触させるシリル化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率と高機械強度を長期に渡り安定して得られるとともに、絶縁特性を確保した膜を製造することができるプラズマＣＶＤ方法を提供する。
【解決手段】 ボラジン骨格を有する化合物を供給する導入口を有する反応容器と、上記反応容器内に設置され、基板を支持するとともに負電荷を印加する給電電極と、上記基板を介し、上記給電電極に対向して設けられ、上記反応容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備えるプラズマＣＶＤ装置を用いた、絶縁膜形成方法に依る。 （もっと読む）

【課題】リーク特性、線膨張係数や機械的強度の良好なフッ素添加カーボン膜を得る技術を提供する。
【解決手段】Ｃ_５Ｆ_８ガスと水素ガスとを活性化させて得られた活性種によりフッ素添加カーボン膜を成膜する。フッ素添加カーボン膜中ではフッ素が水素と共に抜けていき減少するため、重合が促進される。これによりフッ素添加カーボン膜中の炭素の未結合手が減少し、リーク電流が小さくなる。また重合が促進され、膜が強固になることから、硬度や弾性率といった機械的強度が大きいフッ素添加カーボン膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 慣用される方法は、高い炭素含量を有する、上述のダイヤモンド状炭素膜および炭素ポリマー膜を含めた非晶質炭素膜のような、炭素質膜をクリーニングするには、効果的ではない。
【解決手段】 予め選定された回数、基板の上に炭素質膜を堆積させたプラズマ反応炉をセルフクリーニングする方法であって、それに含まれるのは：（ｉ）酸素ガスおよび／または窒素酸化物ガスを励起させてプラズマを発生させる工程；および（ｉｉ）反応炉内に具備された上側電極の上に蓄積された炭素質膜および反応炉の内壁の上に蓄積された炭素質膜をそのプラズマに暴露させる工程、である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ化学気相堆積法による有機・無機複合原料を用いるシリカを主成分とする薄膜中に半径が0.3nm-1.0nmの範囲のサブナノスケール空孔を限定的に形成して、比誘電率および屈折率の減少したシリカ薄膜及びその製造方法を提供。
【解決手段】
ケイ酸アルキル及び炭化水素からなる混合物中の炭化水素の割合が0.1から1.5である混合物にプラズマ化学気相堆積法による操作が、ケイ酸アルキル流量が20sccm-50sccmであり、炭化水素流量は4sccm-35sccmであり、希釈用不活性ガス流量は40sccm-80sccmであり、成膜反応炉内圧力は50Pa-150Paであり、高周波RF放電出力は200W-300Wであり、基板温度は80℃-100℃、前記得られた複合薄膜を300℃以上での加熱処理もしくは有機シリカ複合膜堆積時の基板温度での酸素プラズマ処理により有機物質を分解脱離させるシリカ薄膜及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率と高機械強度を長期に渡り安定して得られるとともに、絶縁特性を確保した膜を製造することができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 ボラジン骨格を有する化合物を供給する導入口を有する反応容器と、上記反応容器内に設置され、基板を支持するとともに負電荷を印加する給電電極と、上記基板を介し、上記給電電極に対向して設けられ、上記反応容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とをプラズマＣＶＤ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】従来の技術による諸問題を解決するための多孔性低誘電率材料薄膜構造及び関連製作方法を提供する。
【解決手段】多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法は、（ａ）基板を提供し、（ｂ）第一化学的気相堆積（ＣＶＤ）工程を行い、堆積チャンバーにバックボーン前駆体を導入して基板の上に界面誘電層を形成し、（ｃ）第二ＣＶＤ工程を行い、バックボーン前駆体を導入しながらポロゲン前駆体を堆積チャンバーに導入し、バックボーン前駆体と合わせて界面誘電層の上にポロゲンを含んだバックボーン層を形成し、（ｄ）バックボーン層の中のポロゲンを除去して複数の孔隙のある超低誘電率材料層を形成するステップを含む。界面誘電層と超低誘電率材料層は多孔性低誘電率材料薄膜を構成している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の層間絶縁膜などに有用な誘電率が低く、かつ機械的強度が高い絶縁膜を得る。
【解決手段】絶縁膜材料として、１，３，５，７−テトラビニルシクロシロキサン、１，３，５，７−テトライソプロピルシクロシロキサン、１，２，３−トリビニルジシロキサン、１，２，３−トリイソプロピルジシロキサン、ビニルシラン、イソプロピルシラン、ビニルジヒドロキシシラン、イソプロピルジヒドロキシシランなどを用い、プラズマＣＶＤ法によって成膜された絶縁膜であって、その組成が、Ｓｉ：Ｏ：Ｃ：Ｈ＝α：β：γ：δとし、α＝１としたときに、１．６≦β≦２．０、０．８≦γ≦１６．０、１．２≦δ≦４８．０である絶縁膜である。成膜時に、ＣＯ_２、Ｏ_２、Ｈ_２Ｏ、ＮＯ、Ｎ_２Ｏ、ＮＯ_２、ＣＯ、Ｈ_２、ビニル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基のいずれかを有する鎖状炭化水素、アルコール類、エーテル類を同伴させても良い。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくできる絶縁膜を形成することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、シラン系ガスと窒化ガスと炭化水素ガスとを供給して被処理体の表面にＳｉＣＮ膜を形成する成膜方法において、シラン系ガスを供給する工程と炭化水素ガスを供給する工程とを少なくとも間欠的に交互に行う１サイクルを複数回繰り返して実行すると共に窒化ガスを供給する工程を適宜に行い、炭化水素ガスの供給工程の全部の期間、或いは一部の期間で炭化水素ガスをプラズマによって活性化するプラズマ活性化処理を行う。これにより、比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくできる。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が低く、リーク電流が小さい、炭素、水素添加シリコン酸化膜を形成すること。
【解決手段】処理容器内に基板を載置し、この処理容器内に環状構造のシロキサンを含む成膜ガスと、パラフィン炭化水素ガス又は水素ガスを含む添加ガスとを導入し、これらのガスをプラズマ化することにより、基板に対して炭素、水素添加シリコン酸化膜を形成する。このようにすると、炭素、水素添加シリコン酸化膜中に存在する未結合のＳｉダングリングボンドが、添加ガスのプラズマ化により生成するＣやＨのダングリングボンドと結合することにより終端される。このため膜中に存在するＳｉダングリングボンドが少なくなるので、膜中のＳｉダングリングボンドの存在が原因となるリーク電流の発生が抑えられ、これにより比誘電率が低い炭素、水素添加シリコン酸化膜を得ることができる。 （もっと読む）

半導体装置（100）の表面に多層の不動態皮膜（120）を形成する方法（500）は、化学気相蒸着反応装置（202）内に半導体装置（100）を配置し（500）、反応装置（202）内に窒素源（206）を導入し（504）、反応装置（202）内に炭素源（208）を導入し（508）、半導体装置（100）の表面に炭素窒素の層（402）を堆積し（512）、炭素源（208）の後に反応装置（202）内にシリコン源（210）を導入し（514）、炭素窒素の層（402）上にシリコン炭素窒素の層（404）を堆積する（516）ことからなる。多層の不動態皮膜（120）を組み込む半導体装置（100）もまた開示する。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル有機材料製基板やガラス製基板等が耐えられる２５０℃未満の温度で窒化硼素炭素や窒化硼素を成膜する。窒化硼素炭素や窒化硼素が成膜されたフレキシブル有機材料基板やガラス基板等を提供する。
【解決手段】成膜室内にプラズマを生成して窒素原子を主に励起し、励起した窒素原子を硼素原子および炭素原子と反応させて基板上に窒化硼素炭素を成膜させる窒化硼素炭素の成膜方法であって、基板上に、予め金属からなる成膜促進物質層が形成されていることを特徴とする窒化硼素炭素の成膜方法。成膜促進物質層が、鉄、チタン、ニッケル、白金、クロム、コバルトのいずれかを含む物質により形成されていることを特徴とする窒化硼素炭素等の成膜方法。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ法により絶縁膜を製造する際の材料ガスとして、蒸気圧が高く、容易にガス状で供給できる材料を使用し、誘電率が低く、かつ、機械的強度が高く、半導体装置の層間絶縁膜等に有用な低誘電率絶縁膜を成膜する方法及び低誘電率絶縁膜を提供する。
【解決手段】 プラズマＣＶＤ法により絶縁膜を成膜するときの材料ガスとして、一般式Ｓｉ_αＯ_βＣ_γＨ_δ（α＝１〜３，β＝０〜８，γ＝０〜８，δ＝４〜２４）で示されるＳｉ系化合物と、一般式Ｃ_εＯ_ζＨ_η（ε＝１〜８，ζ＝０〜１０，η＝２〜１４）で示される炭化水素系化合物と、添加剤とをそれぞれガス化して供給する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に、誘電率が２.９またはそれ以下でかつ拡散係数が２５０μm²/minまたはそれ以下のシリコン含有絶縁膜を形成する方法を与える。
【解決手段】半導体装置を製造するための方法は、(a)(i)複数の架橋可能基を含むシリコン含有炭化水素化合物から成るソースガス、(ii)架橋ガス、(iii)不活性ガス、及び(iv)流量がソースガス流量の２５％以下である酸素供給ガス、から成る反応ガスを使ったプラズマ反応により、イソプロピルアルコールを使用した測定で２５０μm²/minまたはそれ以下の拡散係数を有するシリコン含有絶縁膜を基板上に形成する工程と、(b)半導体装置を製造するべく、絶縁膜を集積処理にかける工程と、から成る。 （もっと読む）

【課題】 より低誘電率で耐熱性のよいアモルファスカーボンの絶縁膜を形成する。
【解決手段】 絶縁膜形成装置３２において，処理容器５０内のプラズマ生成領域Ｒ１には，プラズマ生成用のガスとしてＡｒガスを供給し，基板Ｗ側の成膜領域Ｒ２には，原料ガスとして多重結合を有するブチンガスを供給する。基板Ｗにバイアス電圧を印加しない状態で，ラジアルラインスロットアンテナ６２から処理容器５０内にマイクロ波を供給する。こうすることにより，プラズマ生成領域Ｒ１にプラズマが生成され，当該プラズマにより成膜領域Ｒ２のブチンガスが活性化されて，基板Ｗ上にアモルファスカーボンの絶縁膜が形成される。 （もっと読む）

ワークピースをプロセスする方法であって、この方法が、光吸収体材料前駆物質ガスをワークピースを含有したチャンバ内に導入するステップと、ＲＦソース電流を印加することで、ワークピースの上にあるプロセスゾーンを含む再入経路内にＲＦ発振トロイダルプラズマ電流を生成して、ワークピース上に光吸収体材料の層を堆積させるステップと、ワークピースを、光吸収体層内に少なくとも部分的に吸収される光放射に露光させるステップとを備える。 （もっと読む）

半導体ウェーハをプロセスするための統合型システムであって、このシステムは熱吸収層を堆積させるトロイダルソースプラズマリアクタを含み、このリアクタは、ウェーハ支持部と、チャンバの一般的に両側に結合しているリアクタチャンバおよび外部再入トロイダル導管と、外部再入導管の１区間に電力を結合するためのＲＦソース電力アプリケータと、熱吸収材料前駆物質ガスを含有するプロセスガスソースとを含む。統合型システムはさらに光アニーリングチャンバを含む。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で成膜してもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができ、且つエッチングストッパ膜や層間絶縁膜等の絶縁膜として十分機能する絶縁膜を形成することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】複数枚の被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、シラン系ガスと窒化ガスとボロン含有ガスと炭化水素ガスとを供給して被処理体の表面にＳｉＢＣＮ薄膜を形成する成膜方法において、シラン系ガスとボロン含有ガスと炭化水素ガスの３種類のガスの同時供給と窒化ガスの供給とを間欠的に且つ交互に行うようにする。これにより、比較的低温で成膜してもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、クリーニング時の膜厚の制御性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】薄膜中の元素の組成比を均一化させることが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して所定の薄膜を形成するための成膜装置において、処理容器４と、被処理体を複数段に保持する保持手段１２と、処理容器の外周に設けられる加熱手段８６と、成膜用の複数の異なる原料ガスを混合させて混合ガスを形成する混合タンク部５０と、混合ガスを処理容器内へ供給する混合ガスノズル部３０と、混合ガスと反応する反応性ガスを処理容器内へ供給する反応性ガスノズル部２８と、混合ガスと反応性ガスとを交互に且つ間欠的に処理容器内へ供給するように前記混合ガスと反応性ガスの供給を制御する制御手段６０とを備える。 （もっと読む）