【課題】誘電率が低くかつ機械的強度が高い絶縁膜の形成方法を与える。
【解決手段】反応室と、反応室内部に設置された上部電極及び下部電極を含むプラズマＣＶＤ装置を使って、半導体基板上に薄膜を形成する方法は、下部電極上に半導体基板を載置する工程と、シリコン系炭化水素化合物の材料ガス、添加ガス、および不活性ガスから成る反応ガスを上部電極と下部電極との間に導入する工程と、上部電極と半導体基板との距離が半導体基板の中心付近の方が外周付近よりも短い状態で、上部電極または下部電極にRF電力を印加し、プラズマを生成する工程と、成膜速度を７９０nm/min未満に制御し、半導体基板上に低誘電率膜を成膜する工程と、から成る。 （もっと読む）

【課題】信号の処理速度向上が得られる層間絶縁膜として好適な誘電率が小さな材料を提供する。
【解決手段】化学気相成長方法により基板上に膜を形成する方法であって、 （ｉ−Ｃ₃Ｈ₇）₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₂を供給する供給工程と、 前記供給工程で供給された（ｉ−Ｃ₃Ｈ₇）₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₂の分解による分解生成物が前記基板上に堆積する堆積工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 広い面積にわたって均一に炭素含有固体膜を形成することのできる薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 チャンバー内で炭化水素誘導体からなる原料流体と二酸化炭素からなるキャリア流体を混合して超臨界状態を形成し、白金、タングステン、コバルト、ニッケル、鉄またはその合金から選ばれたすくなくとも１種の金属触媒での触媒反応により超臨界流体中の原料流体に活性種を発生させ、その流体を基板に吹き付けることにより、基板上に炭素含有固体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマを用いてフッ素添加カーボン膜を成膜にするにあたり、原料ガスを分解してＣ4Ｆ6やＣ4Ｆ5を多く含む成膜種を得ることにより、リーク特性や熱的安定性に優れた特性を有するフッ素添加カーボン膜を成膜すること。
【解決手段】 気密な処理雰囲気内に載置された基板に対し、ラジアルラインスロットアンテナにマイクロ波を導くことによりプラズマを発生させる。処理雰囲気の圧力が７．３２Ｐａ以上８．６５Ｐａ以下、マイクロ波電力が２０００Ｗ以上２３００Ｗ以下、基板表面と原料ガス供給口との距離が７０ｍｍ以上１０５ｍｍ以下、基板と第１のガス供給部との距離が１００ｍｍ以上１４０ｍｍ以下の条件で、例えば環状Ｃ5Ｆ8ガスよりなる原料ガスをマイクロ波のエネルギーに基づいて活性化させると、Ｃ4Ｆ6イオン又はラジカルを多く含む成膜種が得られ、これによりフッ素添加カーボン膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 膜厚の面内均一性を大幅に向上させることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器２４と、被処理体Ｗを載置するために前記処理容器内に設けられた載置台２６と、前記処理容器内へ成膜用ガスを含む所定のガスを供給するためのガス供給手段６０と、前記処理容器内でプラズマを立てるためのプラズマ形成手段４０と、前記被処理体を加熱するための加熱手段８８と、装置全体の動作を制御するための制御手段１０８と、を有することを成膜装置において、前記載置台の上面の周辺部に、前記被処理体の周辺部よりも外側へ僅かに離間させて隙間を介して補助加熱手段９４を設けるように構成する。 （もっと読む）

集積回路のための相互接続構造体における使用のための銅相互接続配線層（602）の表面上のキャッピング層（614）およびガスクラスタイオンビーム処理の適用による集積回路のための改良された集積相互接続構造体を形成する方法。低減された銅拡散と改善されたエレクトロマイグレーション寿命が結果として得られ、また選択的金属キャッピング技法の使用とそれらに付随する歩留まり問題とが回避される。 （もっと読む）

【課題】 水分含有量が６０×１０^−９体積比以下のＣ₅Ｆ₈ガスを用いて、フッ素添加カーボン膜を成膜することにより、熱的安定性に優れたフッ素添加カーボン膜を得ること。
【解決手段】 Ｃ₅Ｆ₈ガスの供給源１と、ウエハＷに対してＣ₅Ｆ₈ガスをプラズマ化させてフッ素添加カーボン膜を成膜する成膜処理部３との間に、親水性又は還元作用のある表層を備えた物質を充填した精製器２を設け、Ｃ₅Ｆ₈ガスを精製器２に通気させることにより、Ｃ₅Ｆ₈ガスの水分を除去し、例えば水分含有量が２０×１０^−９体積比程度のＣ₅Ｆ₈ガスを成膜処理部３に導入し、フッ素添加カーボン膜を成膜する。このようすると、成膜されたフッ素添加カーボン膜に取り込まれる水分量が極めて少なくなり、後の加熱工程にて膜中の水分に起因するフッ素の脱離が発生しにくくなり、膜の熱的安定性が高められる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に形成された凹部に保護膜を形成することで、凹部の側壁が後退することなく水素プラズマによる凹部底部のクリーニングを可能とする。
【解決手段】有機絶縁膜（低誘電率有機膜１７，１９）を備えた絶縁膜１６に形成された凹部２３の側壁に、窒素と、前記低誘電率有機膜１７，１９から解離された炭素との化合物からなる保護膜３１が形成されているものである。 （もっと読む）

【課題】膜の強度が高く、メンブレンの応力制御が可能であるとともに、電子線透過特性に優れたメンブレンマスクおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基体と、この基体により支持されたメンブレンと、このメンブレン上に形成され、荷電粒子線が透過する透過孔パターンを有するマスク母体とを具備し、前記メンブレンは、３×１０^１８ｃｍ^−３以上の窒素を含むダイヤモンド膜からなることを特徴とするメンブレンマスク。前記メンブレンは、基板上に、炭化水素、水素、及び０．５％以上の窒素源ガスを含む原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により形成される。 （もっと読む）

基材上のＴＥＲＡ層を化学的に処理するための処理システムおよび方法。基材の化学処理は、基材上の露出表面を化学的に変更する。一実施形態では、ＴＥＲＡ層を処理するためのシステムは、ＴＥＲＡ層を基材上に蒸着するためのプラズマ促進化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）システムと、形状構成をＴＥＲＡ層の中に創出するためのエッチングシステムと、ＴＥＲＡ層中の形状構成のサイズを縮小するための処理サブシステムとを含む。
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アモルファス炭素材料を堆積するための方法が提供される。一態様では、本発明は、処理チャンバに基板を位置決めするステップと、該処理チャンバに処理ガスを導入するステップであって、該処理ガスがキャリアガス、水素および１つ以上の前駆体化合物を含むステップと、二重周波数ＲＦ源から電力を印加することによって該処理ガスのプラズマを生成するステップと、該基板上にアモルファス炭素層を堆積するステップとを含む基板処理方法を提供する。 （もっと読む）

透明無定形炭素層が形成される。この透明無定形炭素層は吸収係数が小さく、そのためこの無定形炭素は、可視光範囲において透明である。透明無定形炭素層は、異なる目的のための半導体装置においても使用することができる。透明無定形炭素層は、半導体装置の最終構造に含まれてもよい。また、透明無定形炭素層は、半導体装置の製造中に、エッチング処理のマスクとして使用することもできる。
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【課題】 調整可能な光学的性質およびエッチング特性を有する材料を堆積させる方法と装置の提供。
【解決手段】 プラズマ増強化学蒸着によって基板に調整可能な光学的およびエッチング耐性特性を有する膜を堆積させる方法およびシステムに関するものである。チャンバは、プラズマソースと、ＲＦ電源に結合された基板ホルダとを有する。基板は、基板ホルダに配置される。ＴＥＲＡ層は、基板に堆積される。ＴＥＲＡ層の少なくとも一部分の堆積速度が、ホルダの基板にＲＦ電力が印加されていないときより早くなるように、ＲＦ電源によって提供されるＲＦ電力は、選択される。 （もっと読む）