【課題】液相法において、組成制御性がよく、しかも鉛などの金属成分の再利用が可能な強誘電体形成用の前駆体組成物、該前駆体組成物の製造方法、および前駆体組成物を用いた強誘電体膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】前駆体組成物は、強誘電体を形成するための前駆体を含む前駆体組成物であって、前記強誘電体は、一般式ＡＢ_１−ｘＣ_ｘＯ_３で示され、Ａ元素は少なくともＰｂからなり、Ｂ元素はＺｒ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＨｆの少なくとも一つからなり、Ｃ元素は、ＮｂおよびＴａの少なくとも一つからなり、前記前駆体は、少なくとも前記Ｂ元素およびＣ元素を含み、かつ一部にエステル結合を有する。 （もっと読む）

【課題】熱処理により半導体基板側と絶縁膜との間の界面欠陥を大幅に低減することができ、デバイスとしての信頼性を優れたものとすることができるようにする。
【解決手段】この発明は、絶縁膜を形成するのに用いるコールドウォール型熱処理炉１０において、反応管１１内に配置した炭化珪素からなるサセプタ１３を光照射により加熱し、サセプタ１３上に載置した、最上層が炭化珪素である半導体基板１４に熱処理を施して絶縁膜を形成することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】製造時に半導体装置に加わる熱履歴のばらつきの小さい製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体基板を、常圧かつ酸化雰囲気中で熱処理する工程Ｓ１０と、半導体基板を、常圧かつ不活性雰囲気中で熱処理する工程Ｓ１４と、を具備する。酸化雰囲気中での熱処理において、熱処理時間または熱処理温度は、少なくとも大気圧の変動に基づいて変更する。不活性雰囲気中での熱処理時間を、酸化雰囲気中での熱処理時間または熱処理温度に基づいて定める。不活性雰囲気中で熱処理する工程において、熱処理温度を、酸化雰囲気中での熱処理温度と略同一にするのが好ましい。また、酸化雰囲気中での熱処理において、熱処理時間を、少なくとも大気圧の変動に基づいて変更し、不活性雰囲気中で熱処理する工程において熱処理時間を、不活性雰囲気中での熱処理時間と酸化雰囲気中での熱処理時間の和が略一定になるように設定してもよい。 （もっと読む）

【課題】簡易にかつ正確に酸化時間を求めて酸化制御を行うことができる薄膜の酸化制御方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】過去の酸化処理における酸化時間Ｔ_ＯＸとＭＲ素子の面抵抗ＲＡとの複数セットの対応関係を関係式ＲＡ＝ａ×ｌｎ（Ｔ_ＯＸ）＋ｂに代入することによって得られたこの関係式の傾きａ及び切片ｂの複数の組から、傾きａ及び切片ｂ間の相関式ｂ＝Ａ×ａ＋Ｂを求めておき、同一の酸化装置によって酸化処理を行う際に、この酸化装置で実際に酸化処理して酸化時間Ｔ_ＯＸとＭＲ素子面抵抗ＲＡとの１セットの対応関係を測定し、測定で得られた酸化時間Ｔ_ＯＸＭＥとＭＲ素子面抵抗ＲＡ_ＭＥとを上述の関係式に代入して得たＲＡ＝ａ_０×ｌｎ（Ｔ_ＯＸ）＋ｂ_０を用いて所望のＭＲ素子面抵抗に対する酸化時間を求め、求めた酸化時間で酸化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】例えばゲート絶縁層として用いる場合に特性の良好な絶縁層を形成することができる絶縁層の形成方法を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗの表面に絶縁層を形成する方法において、前記被処理基板の表面に露出するシリコンを窒化処理して前記シリコン基板の表面にシリコン窒化膜を形成する第１の窒化工程と、前記シリコン窒化膜が形成された被処理基板をＮ_２ Ｏ雰囲気中で、且つ圧力を５０〜７０Ｔｏｒｒ（６６６５〜９３３１Ｐａ）の範囲内に維持した状態で熱処理してシリコン酸窒化膜４を形成する第１のアニール工程と、を有する。これにより、例えばゲート絶縁層として特性の良好な絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】大型サイズの基板に酸化膜を均一に形成すること。
【解決手段】基板７を格納すると共にオゾン含有ガスが供給される処理炉２と、基板７に紫外光を照射する光源５と、基板７を加熱するための光源６とを備える。前記オゾン含有ガスは、基板７が加熱されると共に光源５から紫外光領域の光が照射された状態で、処理炉２の内圧が１０Ｐａ以下のもとで供給される。処理炉２内には基板７を保持するサセプター２６が具備される。光源６は基板７の温度が１００℃〜３００℃の範囲となるようにサセプター２６を加熱する。 （もっと読む）

【課題】膜厚を厚くすることなく、電気リークのない高品質なシリコン酸化膜をポリシリコン膜に形成することができる電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】スイッチング素子としてのＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａとして島状に形成されたポリシリコン膜に、抵抗加熱式のヒータを熱源とする枚葉式の半導体製造装置を用い、ポリシリコン膜の表面に酸化反応時に発生する膜応力を解放する温度条件で加熱を行ってシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２を形成する。これにより、膜厚を厚くすることなく、電気リークのない高品質なゲート絶縁膜２（シリコン酸化膜）を半導体層１ａ（ポリシリコン膜）の表面に形成することができる。すなわち、酸化反応時の膜応力の集中を熱エネルギーによって解放することにより、ポリシリコン膜のコーナ部を丸め処理することができ、ポリシリコン膜の表面に突起が発生することを防止できる。
（もっと読む）

【課題】SiC基板上にSiO₂膜を有する半導体装置の製造に際して、そのSiO₂／SiC界面近傍の界面準位密度が低減するとともに、SiO₂膜の密度を高めてそのSiO₂膜の厚みを２０〜１００nm程度とすることが容易である半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明における半導体装置の製造方法は、（a）SiC基板上に珪素および酸素の原料ガスを供給してSiO₂膜を堆積する堆積工程と、（b）前記SiO₂膜を堆積した前記SiC基板を２００℃以上かつ７００℃未満の温度に設定し、酸素ラジカルを発生してラジカル酸化する酸化工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】４００℃よりも低温のプロセスで薄膜を改質する。
【解決手段】ＣＶＤ工程を経た基板の薄膜をアニール処理炉２にて前記基板の薄膜の紫外光吸収による表面加熱を利用して改質する。前記薄膜の欠陥サイトでの紫外光の吸収による局所加熱を利用する。前記紫外光を照射する光源６はパルスレーザーまたは連続波レーザーである。前記薄膜の改質の際には紫外波長域以外の可視光域の光を発する光源の照射光が前記薄膜に供されるようにしてもよい。前記紫外光を照射する光源６は２１０ｎｍより長波長の光を照射する。ボンベ３からは酸化性ガスが、ボンベ４からは還元性ガスが、ボンベ５からは不活性ガスが個別に供される雰囲気のもと前記薄膜を薄膜の紫外光吸収による表面加熱を利用して改質する。前記酸化性ガスとしてオゾンガスが供される。前記還元性ガスとして希釈水素ガスが供される。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜からなる２層構造のゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ゲート電極中のホウ素のシリコン基板への拡散を抑制しつつ、シリコン基板とゲート絶縁膜との界面付近への窒素の拡散を抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、シリコン基板１１上に酸化シリコン膜１３を形成するステップと、酸化シリコン膜１３上に窒化シリコン膜１４を形成するステップとを有する。窒化シリコン膜１４を形成するステップが、酸化シリコン膜１３上に単原子層よりも大きな厚みを有するシリコン層２１を成長させる第１ステップと、シリコン層２１を窒化して窒化シリコン層２４を形成する第２ステップと、シリコン単原子層２３を成長させる第３ステップと、シリコン単原子層２３を窒化して窒化シリコン層２４に形成する第４ステップとをこの順に含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層を島状あるいは網状に形成することにより、一枚のシリコン基板から、高品質なＳＯＩ基板を提供する。
【解決手段】シリコン基板２の上面には、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層４が島状あるいは網状に形成されている。熱処理を行なうことにより、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層４の間から酸化シリコン層６が成長する。次に、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層４の上面より単結晶シリコン層８が上方向に成長し、結晶欠陥の少ないＳＯＩ基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】抵抗加熱ヒータにより加熱を行う半導体装置の製造方法において、前記抵抗加熱ヒータの急激な温度変化を抑制する。
【解決手段】被処理物を処理室に搬入する工程と、前記処理室を減圧するとともに加熱した後、被処理物を被処理室の減圧加熱雰囲気下で処理する処理工程と、前記処理工程の終了後、前記被処理物を前記処理室から搬出する搬出工程と、を含む半導体装置の製造方法であって、前記処理室の被処理物の昇温に抵抗加熱ヒータを用い、前記処理工程における前記被処理物の昇降温の際に、前記抵抗加熱ヒータの温度を初期温度から最終目標温度まで段階的に変化させる。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極からの不純物の拡散を十分に抑制しつつ、良好な特性を示すゲート絶縁膜を得ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板の表面に、素子分離絶縁膜、ｎウェル及びｐウェルを形成した後、前処理として、Ｓｉ基板の洗浄を行う（ステップＳ１）。その後、下地酸化として、Ｓｉ基板の表面をＲＴＯ法により熱酸化することにより、シリコン酸化膜を形成する（ステップＳ２）。続いて、シリコン酸化膜に対してプラズマ窒化を行う（ステップＳ３）。このプラズマ窒化の結果、活性窒素の導入によりシリコン酸化膜が窒化され、シリコン酸窒化膜が得られる。次に、アンモニア雰囲気中でアニールを行う（ステップＳ４）。この結果、シリコン酸窒化膜中の表面近傍に、更に窒素が導入される。次いで、後アニール（ポストアニール）として、窒素及び酸素を含有する雰囲気中でアニールを行う（ステップＳ５）。 （もっと読む）

【課題】
半導体基板との界面特性が良好で、物理膜厚が大きく、誘電率が高いゲート絶縁膜を備える半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
絶縁層１２は、シリコン基板１１上に酸化シリコン層２４を形成した後に、酸化シリコン層２４上に金属元素（ハフニウム）と酸素とを含む酸化金属層２５を形成する第１処理と、酸化シリコン層２４及び酸化金属層２５を窒化雰囲気下において加熱する第２処理とを行うことによって形成され、第1処理と第２処理とは、交互に複数回繰り返される。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域に導電型不純物を導入して閾値制御を行いつつ、ゲート絶縁膜中に導電型不純物が取り込まれるのを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャネル領域となる半導体基板１１の表層に導電型不純物１９を導入する工程と、チャネル領域となる半導体基板１１の表層の上にノンドープシリコン膜２０を形成する工程と、酸素含有ガス又は窒素含有ガスのうち少なくとも何れか一とノンドープシリコン膜２０とを熱を加えて反応させ、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜又はシリコン酸化窒化膜からなるゲート絶縁膜２０ａを形成する工程と、ゲート絶縁膜２０ａ上にゲート電極を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、集積回路向けの高品質な高Ｋ誘電体を得ることである。
【解決手段】方法は、基板の上に材料を形成するステップと、この材料にパターンを形成して、材料の部分を除去し、その下の基板の部分を露出させるステップとを含む。この方法はさらに、酸化プロセスを実行して、基板の露出した部分の上および材料と基板の間の界面に酸化層を形成するステップを含む。回路は、非クリティカル・デバイスと、この非クリティカル・デバイスの部分として形成された酸化物とを含む。この回路内のクリティカル・デバイスの部分として、基板の上に高Ｋ誘電材料が形成される。この高Ｋ誘電材料とその下の基板の間に酸化物ベースの界面が提供される。第２の方法は、最初の材料として窒化物または酸窒化物を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜化しても書き込み／消去を繰り返したときの耐性（エンデュランス特性）が悪化しないトンネル絶縁膜を有する半導体記憶装置を提供することを可能にする。
【解決手段】半導体基板２と、半導体基板上に形成され、第１シリコン酸窒化層８ｂ、シリコン窒化層８ｂ、および第２シリコン酸窒化層８ｃの積層構造を有するシリコン酸窒化膜８と、シリコン酸窒化膜上に形成されたシリコンリッチなシリコン酸化膜１０とを備えた第１絶縁膜６と、第１絶縁膜上に形成された電荷蓄積層１２と、電荷蓄積層上に形成された第２絶縁膜１４と、第２絶縁膜上に形成された制御ゲート１６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 炭化珪素半導体層と酸化珪素層の界面に形成される界面準位の密度を小さくする。
【解決手段】 炭化珪素半導体層１８，６，８の表面を、少なくとも酸素元素を含むガスと、不活性ガスと、アンモニアガスを含む混合ガス雰囲気中で加熱して酸化珪素層４を形成する。炭化珪素半導体層１８，６，８に存在する珪素と結合していない炭素を除去したり、炭化珪素半導体層１８，６，８の結晶欠陥を補修しつつ、炭化珪素半導体層１８，６，８の表面を酸化して酸化珪素層４を形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を形成する際の界面欠陥の生成を抑制するとともに、生成された欠陥を低減させることを可能にする。
【解決手段】半導体基板の表面を窒化する第１窒化ガスと、半導体基板と実質的に反応しない第１希釈ガスとを含み、第１希釈ガスの分圧と第１窒化ガスの分圧の和と、第１窒化ガスの分圧との比が５以上でかつ全圧が４０Ｔｏｒｒ以下である第１雰囲気中に半導体基板を置き、半導体基板の表面に窒化膜を形成する工程と、表面に窒化膜が形成された半導体基板を、酸素原子の結合エネルギーが１ｅＶ〜４ｅＶの範囲の酸化ガスと、半導体基板と実質的に反応しない第２希釈ガスとを含む第２雰囲気中に置き、半導体基板と窒化膜との間に第１酸窒化層を形成するとともに窒化膜の表面に第２酸窒化層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム層を酸化してトンネルバリア層としての絶縁層を形成する際に、酸化チェンバーの酸化条件のばらつきを抑え、安定した品質の磁気抵抗効果膜を得る。
【解決手段】酸化チェンバー内で金属層を酸化してトンネルバリア層としての絶縁層を形成する処理工程を有する磁気抵抗効果膜の製造方法において、前記金属層を成膜する際に、該金属層の膜厚により磁気抵抗効果膜の抵抗値がばらつかない膜厚に設定して検査用磁気抵抗効果膜が形成されたワークを作成し、該ワークの前記検査用磁気抵抗効果膜の抵抗値を測定し、該測定結果から前記金属層を酸化する酸化チェンバーの状態を分析し、該分析結果を前記酸化チェンバーの制御条件にフィードバックし、前記酸化チェンバーによる酸化条件を管理して磁気抵抗効果膜を形成する。 （もっと読む）