【課題】容量絶縁膜を形成する過程で、下部金属電極と容量絶縁膜との界面および容量絶縁膜の膜中における欠陥が生じるのを抑えることができ、キャパシタ容量の大きな半導体装置を製造することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体装置およびその製法は、容量絶縁膜を第１の工程による第１の誘電体層と第２の工程による第２の誘電体層から構成し、第１の誘電体層と第２の誘電体層についてそれらの欠陥密度を膜厚方向に比較した場合、第１の誘電体膜が下部金属電極側において第２の誘電体膜よりも欠陥密度が低く、第２の誘電体膜が膜厚方向中央側から上部金属電極側において第１の誘電体膜よりも欠陥密度が低くしたものである。第１の工程における成膜温度を、第２の工程における成膜温度より低い温度とすることができ、気相成膜技術としては、例えば原子層堆積法を用いる。 （もっと読む）

【課題】高耐圧トランジスタの占有面積を縮小することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、Ｐ型半導体基板９の表面に形成される素子分離領域８によって区画された活性領域に、チャネル領域と、チャネル領域の両側に配置されるソース・ドレイン領域７とが形成されており、チャネル領域には、ゲート絶縁膜２が形成されており、ゲート絶縁膜２の上にゲート電極４が形成されており、ゲート絶縁膜２は、その周縁部に中央部よりも厚く形成されたバーズヘッド３を有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜化した場合においても、ＳＢＤが生じ難いゲート絶縁膜、かかるゲート絶縁膜の評価方法を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜３は、下記一般式（１）で表される構造を有しており、下記一般式（１）で表される構造中のｎが３または４であるものの総数をＡとし、ｎが５以上であるものの総数をＢとしたとき、｛Ａ／（Ａ＋Ｂ）｝×１００が１．２％以下なる関係を満足することにより、ソフトブレークダウンが生じるまでに流れる総電荷量が、４０Ｃ／ｃｍ^２以上となるよう構成されている。


［式中、ｎは２以上の整数を表す。また、Ｘは水素原子または水酸基を表す。］ （もっと読む）

【課題】サファイア基板上に成膜されるＳｉエピタキシャル層中の結晶欠陥、特に双晶欠陥を低減する。
【解決手段】サファイア基板１０のＲ面１２上にエピ成長によりＳｉ膜１４を成膜する工程、Ｓｉ膜上にＳｉＯ₂膜を形成する工程、ＳｉＯ₂膜を格子状にパターニングして、被エッチング領域２４を形成する工程、ＳｉＯ₂膜パターン２２をマスクとして、ＫＯＨを含む溶液で被エッチング領域のエッチングを行い、ＳｉＯ₂膜パターン直下に、Ｓｉ膜由来のファセット面を有する成長用マスク前駆体２６を形成する工程、成長用マスク前駆体の表面に絶縁膜２８を形成して成長用マスク３０を作成する工程、及び露出したＲ面に選択エピ成長法で、成長用マスクで囲まれた領域を充填して、成長用マスクの高さよりも厚い単結晶Ｓｉ層４１を平坦に成長させる工程を備える。 （もっと読む）

【課題】優れたデバイス特性（例えば、優れたホウ素バリア性）を有する酸窒化膜を含む電子デバイス用材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の電子デバイス用材料は、電子デバイス用基材と、該基材上に配置されたシリコン酸窒化膜とを少なくとも含み、シリコン酸窒化膜は、アンテナを用いてシリコン酸化膜表面をＡｒガスと窒素ガスとを用いたプラズマにより圧力が７〜２６０Ｐａの範囲で窒化して形成され、プラズマによるダメージが少なく、シリコン酸窒化膜は、該シリコン酸窒化膜の厚さ方向に、酸窒化膜表面付近に窒素原子を多く含み、シリコン酸窒化膜は、シリコン酸窒化膜表面側から０〜１．５ｎｍの範囲における窒素原子含有量の最大値Ｎ_sが１８〜３０ａｔｍ％の窒素含有領域と、シリコン酸窒化膜の、基材との対向面から０〜０．５ｎｍの範囲における窒素原子含有量の最大値Ｎ_bが０〜１０ａｔｍ％の窒素含有領域と、を有する。 （もっと読む）

【課題】上下方向からそれぞれ成長する熱酸化膜同士の界面において隙間の残存を防止できるようにした半導体装置の製造方法、および半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層／Ｓｉ層１３／ＳｉＧｅ層を成膜し、支持体用の溝を形成する。次に、Ｓｉ基板１上の全面に支持体膜を成膜し、これをドライエッチングして支持体２２を形成する。続いて、支持体２２下から露出しているＳｉＧｅ層／Ｓｉ層１３／ＳｉＧｅ層をドライエッチングして、ＳｉＧｅ層の側面を露出させる溝ｈ２を形成する。この状態でＳｉＧｅ層をフッ硝酸溶液でエッチングすると、支持体２２にＳｉ層１３が支持された形でＳｉ層１３の上下に空洞部２５、２７がそれぞれ形成される。その後、Ｓｉ基板１を熱酸化して空洞部２５、２７内にそれぞれ熱酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】被処理体の表面積等が異なってもガスの供給量の煩雑な調整作業を行う必要もなく、運用を容易にすることができる被処理体の酸化装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに酸化処理を施す処理容器３４と、被処理体を支持する支持手段４２と、加熱手段８２と、真空排気系８４と、酸化性ガスを供給する酸化性ガス供給系５８と、還元性ガスを供給する還元性ガス供給系６０とを有する被処理体の酸化装置において、酸化性ガス供給系は、処理容器の長さ方向に沿って配設され、複数のガス噴射孔６２Ａが形成された酸化性ガスノズル６２を有し、還元性ガス供給系は、処理容器内の長さ方向に沿って配設され、複数のガス噴射孔６４Ａが形成された還元性ガスノズル６４を有し、処理容器の側壁に、容器の長さ方向に沿って排気口部を設けて真空排気系に連通させるようにし、処理容器内に供給された酸化性ガスと還元性ガスとを反応させることによって発生した酸素活性種と水酸基活性種とを用いて被処理体を酸化させる。 （もっと読む）

【課題】大気中でも化学的および熱的に安定な表面と界面を有する成膜体を提供する。
【解決手段】本発明の成膜体は、ＳｉＣ基板上にＳｉＮ膜１が形成され、ＳｉＮ膜１上にＳｉＯ膜２が形成されている成膜体であり、ＳｉＮ膜１とＳｉＯ膜２はいずれもエピタキシャル成長により形成された単結晶である。この成膜体は、ＳｉＣ基板に対して水素ガスを用いてエッチングを行った後に、水素を窒素に置換して窒素雰囲気中で加熱することにより、製造することができる。 （もっと読む）

【課題】最適化された還元性ガス流量等のプロセス条件を求めるための調整作業を簡単に且つ迅速に行うことができる被処理体の酸化装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに酸化処理を施すための処理容器２４と、被処理体を複数枚支持する支持手段２６と、加熱手段９０と、容器内の雰囲気を真空引きする真空排気系８６と、酸化性ガスを供給するための酸化性ガス供給系４２と、還元性ガスを供給するための還元性ガス供給系４４とを有する被処理体の酸化装置において、酸化性ガス供給系は、処理容器の長さ方向に沿って配設されると共に、所定のピッチで複数のガス噴射孔４８Ａ，４８Ｂが形成された酸化性ガスノズル４８を有し、還元性ガス供給系は、処理容器内の被処理体の収容領域を高さ方向に沿って区画した複数のゾーンに対応するようにその長さを異ならせて設けられると共に、その先端部側にガス噴射孔５２Ａ〜６０Ａが形成された複数の還元性ガスノズル５２〜６０を有する。 （もっと読む）

【課題】 Ｈｆを含むゲート絶縁膜とメタルシリサイドゲート電極とを含むＭＯＳトランジスタのしきい値電圧を下げられる半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられたｐチャネルＭＯＳトランジスタであって、Ｈｆを含む第１のゲート絶縁膜１０６と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられ、アルミニウム酸化物とシリコン酸化物とを含む第２のゲート絶縁膜１０８と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属シリサイドゲート電極１０９とを含む前記ｐチャネルＭＯＳトランジスタとを具備してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温アニーリングにより、キャリア捕獲中心を効果的に減少または除去するＳｉＣ層の質を向上させる方法、および該方法により作製されたＳｉＣ半導体素子を提供する。
【解決手段】（ａ）最初のＳｉＣ結晶層（Ｅ）における浅い表面層（Ａ）に炭素原子(Ｃ)、珪素原子、水素原子、またはヘリウム原子をイオン注入して、注入表面層に余剰な格子間炭素原子を導入する工程と、（ｂ）当該層を加熱することにより、注入表面層（Ａ）からバルク層（Ｅ）へ格子間炭素原子（Ｃ）を拡散させるとともにバルク層における電気的に活性な点欠陥を不活性化する工程と、を含む、幾つかのキャリア捕獲中心を除去または減少することによりＳｉＣ層の質を向上させる方法および該方法により作製された半導体素子。上記工程の後、表面層（Ａ）を、エッチングするかまたは機械的に除去してもよい。 （もっと読む）

【課題】光の利用率を高めて、プロセスの低温化、スループットの増大、及び大型基板の均一処理を行う。
【解決手段】基板２が格納されると共にオゾンガスが流通し且つ前記光が導入される処理炉内には集光手段として前記オゾンガスを含む雰囲気のもとで紫外線を中心に２１０ｎｍから長波長に離散的なスペクトルを有する光を集光させる集光台１が設けられる。集光台１はオゾンに対して不活性な材料からなると共に前記導入した光を全反射させる面１１を有する。集光台１の底部１０には台１２を介して基板２が置かれる。台１２はオゾンに対して不活性であると共に前記光を透過する材料からなる。集光台１は前記導入した光のうち基板２の周辺に照射された光を面１１によって台１２及びまたは基板２の方向に集光させる。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を連続的に処理した場合であっても、各基板に対して極めて均一な基板処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する
【解決手段】内部に基板１３が配置されるチャンバ３を備える。チャンバ３内に配置された基板１３と対向する位置には、チャンバ３内に配置された基板１３を加熱するランプユニット２が設置される。チャンバ３とランプユニット２との間には、チャンバ３の上部壁面を構成するとともに、ランプユニット２からの放射光を透過させる透過窓７が設置されている。透過窓７のランプユニット２側には、透過窓７を壁面とするウインドウアセンブリ４が設けられている。ウインドウアセンブリ４には、減圧手段が接続されており、圧力制御手段１８が当該減圧手段を制御することにより、ウインドウアセンブリ４の内部圧力が任意の圧力に維持される。 （もっと読む）

電界効果トランジスタのゲート誘電体の製造方法を提供する。一実施形態において、前記方法は、自然酸化物層を除去するステップと、酸化物層を形成するステップと、酸化物層の上にゲート誘電体層を形成するステップと、ゲート誘電体層の上に酸化物層を形成するステップと、層と下に横たわる熱酸化物／シリコン接合部をアニールするステップとを含む。所望により、ゲート誘電体層を形成する前に、酸化物層を窒化してもよい。一実施形態において、基板上の酸化物層は、酸化物層を堆積させることによって形成され、ゲート誘電体層上の酸化物層は、酸素含有プラズマを用いてゲート誘電体層の少なくとも一部を酸化することによって形成される。他の実施形態において、ゲート誘電体層上の酸化物層は、熱酸化物層を形成することによって、即ち、ゲート誘電体層上に酸化物層を堆積させることによって形成される。 （もっと読む）

【課題】埋め込み特性や膜特性に優れたシリコン酸化膜を高アスペクト比を有する凹部に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の主表面側の下地領域 ３５０に形成された凹部３５１内全体にシリコン窒化膜３５２を形成する工程と、前記シリコン窒化膜３５２を酸化して該シリコン窒化膜３５２をシリコン酸化膜３５３に変換することにより、前記凹部内全体に絶縁領域を形成する工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜特性が良好で窒化シリコン膜のリーク電流をさらに低減することを可能とする。
【解決手段】窒素原子を含むガスをプラズマによって活性化し、この活性化された窒素原子を含むガスによりシリコン基板１００表面を窒化処理することにより、シリコン基板１００表面に窒化シリコン膜を形成する半導体装置の製造方法において、窒化処理時のシリコン基板１００の温度を６００℃以上とし、シリコン基板１００表面に厚さ４．０ｎｍ以上の窒化シリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 成膜時間の短縮化及び、成膜装置の簡素化が図れ、原料ガスの利用効率を高めることのできる酸化薄膜の作成方法を提供する。
【解決手段】 酸化対象物(１)の表面に酸化薄膜を形成する酸化薄膜の作成方法であって、酸化対象物(１)を収容した気密チャンバー(２)に内に爆発限界濃度以上のオゾンガスを封入する。気密チャンバー(２)内に封入したオゾンガスに着火源(７)を作用させてオゾンガスを強制的に分解させる。分解により発生した酸素ラジカルと分解反応熱を酸化対象物表面に到達させることにより、酸化対象物(１)の表面に酸化薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ドナー基板からハンドル基板へ層を転写するシリコン・オン・インシュレータタイプのウェハ製造において、得られるドナー基板のリサイクル率を高める製造方法を提供する。
【解決手段】初期ドナー基板１に分割エリア７、絶縁層５を形成し、ハンドル基板９に転写した後、ドナー基板１を引き離すことで複合材料ウェハ１１を形成する製造方法において、ドナー基板１および／またはドナー基板１の残り１３にある酸素析出物および／または原子核を少なくとも部分的に低減するように、１２００℃〜１２５０℃の温度範囲の急速熱酸化を行う。 （もっと読む）

【課題】導電膜、半導体膜及び絶縁膜を有する半導体装置の製造方法において、絶縁膜の形成時に、簡易な方法で絶縁膜の膜密度を制御する。
【解決手段】
ゲート絶縁膜１０４を形成する工程は、ポリシランを含む液体材料を塗布する工程と、液体材料を塗布後、第１の熱処理を行う工程と、第１の熱処理の後、第２の熱処理を行う工程を備え、第１の熱処理は、窒素存在下で１５０℃〜２５０℃の温度で行う。また、層間絶縁膜１０６を形成する場合には、第１の熱処理は、窒素存在下で１００℃〜２００℃の温度で行う。 （もっと読む）

【課題】ある程度の膜厚をもつ絶縁膜を成膜する場合であっても、ＳｉＯ₂／ＳｉＣ界面
に残留するカーボンクラスターを効率的に除去または不活性化できる炭化珪素半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜を形成する工程において、Ｏ₂および／またはＨ₂Ｏを含有する酸化性ガスの雰囲気下で炭化珪素エピタキシャル膜が成膜された基板を熱処理することにより該基板の表面において熱酸化膜の膜厚を増加させた後、ＮＯ、Ｎ₂ＯまたはＮＯ₂を含有するガスの雰囲気下で該基板を熱処理してＳｉＯ₂／ＳｉＣ界面にあるカーボンクラスターを
除去等する工程を、複数回繰り返すようにした。 （もっと読む）