【課題】縦型炉を使った半導体装置の製造において、シリコンウェハ裏面を保護することで、工程中でのウェハの汚染を抑制し、又ウェハのデチャックを容易にする。
【解決手段】シリコン基板の一の面は半導体素子を形成するものである。他の面に酸化膜を形成する工程と、第１の膜を、一の面を覆うように、また他の面の酸化膜を覆うように成膜する工程と、第１の膜を、パターニングし、マスクパターンを形成する工程と、一の面に、素子分離領域を形成する工程と、他の面において、第１の膜を除去する工程と、一の面においてゲート絶縁膜２８Ｇを形成する工程と、一の面においてゲート絶縁膜２８Ｇを介してゲート電極２９Ｇを形成する工程と、ゲート電極２９Ｇの両側にソース・ドレイン領域２１ｃ，２１ｄを形成し、トランジスタを形成する工程と、他の面に前記酸化膜を維持したまま、半導体基板上方に配線層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ゲート酸化膜のフラットバンド電圧のマイナス側へのシフトを抑制した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型のシリコンカーバイド基板２０を準備する工程と、シリコンカーバイド基板に、成膜温度を第１温度として水蒸気及び酸素を含有する雰囲気下で成膜して第１酸化膜３２を形成する工程と、第１酸化膜上に、乾燥酸素を含有する雰囲気下で第１温度よりも低温である第２温度で熱処理を行って第２酸化膜３４を形成して、第１酸化膜及び第２酸化膜により構成されるゲート酸化膜３０を完成させる工程と、ゲート酸化膜上に、ポリシリコンのゲート電極４０を形成する工程とを具える。 （もっと読む）

【課題】低温領域でも充分な増速酸化現象が起こって大きな酸化速度が得られる熱酸化方法を提供することにある。また、低温領域で形成しても高い信頼性を有する酸化シリコン膜を成膜できる熱酸化方法を提供する。
【解決手段】本発明の基本概念は、プラズマを用いることなく、反応性の大きい酸素ラジカルを大量に生成し熱反応で酸化シリコン膜を形成することにある。具体的には、オゾン（Ｏ_３）を活性な他のガスと反応させることで、低温領域でも高効率にオゾン（Ｏ_３）を分解して酸素ラジカル（Ｏ^＊）を大量に発生させることを特徴とする。例えば、活性なガスとしては、ハロゲン元素を含む化合物ガスなどを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】多値化を実現するのに十分なメモリーウインドウと電荷保持特性を両立できる半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０１と、半導体基板１０１上に設けられたトンネル絶縁膜１０３と、トンネル絶縁膜１０３上に設けられ、第１および第２の電荷蓄積層１０４，１０５を含む電荷蓄積層と、電荷蓄積層上に設けられたブロック絶縁膜１０６と、ブロック絶縁膜１０６上に設けられた制御ゲート電極１０７とを備え、電荷蓄積層において、第２の電荷蓄積層１０５はブロック絶縁膜１０６側に最も近い側に設けられ、第１の電荷蓄積層１０４はトンネル絶縁膜１０３と第２の電荷蓄積層１０５の間に設けられ、第２の電荷蓄積層１０５は第１の電荷蓄積層１０４よりもトラップ密度が高く、第２の電荷蓄積層１０５は第１の電荷蓄積層１０４よりもバンドギャップが小さく、第２の電荷蓄積層１０５は第１の電荷蓄積層１０４、シリコン窒化膜よりも誘電率が高い。 （もっと読む）

【課題】酸化膜形成前のシリコンウェーハの表面、及び／又は、表面層の状態によって酸化条件を調整することができ、それにより例えば極薄の酸化膜でも精度良く形成することができる酸化膜形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコンウェーハの酸化膜形成方法であって、予め、シリコンウェーハの表面ラフネス、及び／又は、シリコンウェーハ表層部の結晶性を測定し、測定値よりシリコンウェーハの酸化条件を調整して、調整した酸化条件下でシリコンウェーハに酸化膜を形成するシリコンウェーハの酸化膜形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ基板表面の窒素抜けを抑制し、耐圧の高い半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、窒化ガリウムを含む半導体層を準備する工程と、半導体層の表面を水素ガスにより処理する表面処理工程と、表面処理工程後の上記表面を酸化する酸化工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】高品質な単結晶シリコン粒子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子１０１の表層部に窒化珪素膜を形成する第１の工程と、酸素ガスから成る雰囲気ガスまたは酸素ガス及び不活性ガスから成る雰囲気ガス中で、結晶シリコン粒子１０１を加熱することによって、窒化珪素膜を酸窒化珪素膜とするとともに、結晶シリコン粒子１０１のシリコン部に接する酸窒化珪素膜の内表面に窒素の高濃度層を形成しながら結晶シリコン粒子１０１の形状を保持した状態でシリコン部を溶融させ、ついで降温し凝固させて単結晶化する第２の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】非破壊検査により簡便に信頼性高く行うことができるシリコンウェーハのＧＯＩ評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、シリコンウェーハ上にゲート酸化膜を形成し、形成されたゲート酸化膜直下のシリコンウェーハ表層部をＸ線回折測定して、測定により得られるロッキングカーブの半値幅が０．００１１０°以下であるか否かにより、ゲート酸化膜の電気的特性の良否判定をするシリコンウェーハのＧＯＩ評価方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜からメモリセルへの水素原子の拡散を抑えて、メモリセルの動作の信頼性を向上させること。
【解決手段】メモリセル（ゲート電極５、ソース・ドレイン領域５ａ、５ｂ）と層間絶縁膜６の間にてメモリセルを覆うカバー膜５を有する半導体記憶装置であって、カバー膜５は、シリコン窒化膜５ｂの表面に水素吸蔵膜５ａが被覆されるとともに、シリコン窒化膜５ｂの底面に水素吸蔵膜５ｃを有する膜である。水素吸蔵膜５ａ、５ｂは、Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏを含むシリコン窒化酸化膜である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ窒化方法において、絶縁膜へのダメージを低減する。
【解決手段】ウエハの半導体層上に形成された第１の絶縁膜をＮ（窒素）を含むプラズマに暴露し、Ｎ原子を第１の絶縁膜に導入して、第２の絶縁膜を形成する。その際、Ｎを含むプラズマ内にイオンが断続的に生じるように、プラズマ発生用の電力を印加する。Ｎを含むプラズマへの電力供給を周期的に変化させることで、ラジカル粒子の供給を長時間維持しつつ、イオンの存在時間を制限することができる。イオンによる絶縁膜中のダメージの発生を抑制することにより、絶縁膜の信頼性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】電荷蓄積層への電荷の注入効率を向上させることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に形成された電荷蓄積層と、電荷蓄積層上に形成された第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に形成された制御ゲート電極と、を備えた半導体装置の製造方法であって、第１の絶縁膜２０４を形成する工程は、下層絶縁層２０１を形成する工程と、下層絶縁層２０１上にゲルマニウム含有層２０２を形成する工程と、ゲルマニウム含有層２０２、シリコン及び酸素の反応により、中間絶縁層２０２ａを形成する工程と、中間絶縁層２０２ａ上に上層絶縁層２０３を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】データ読み書きの繰り返しによるＶｔｈの変動を抑制する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、第１の層間絶縁膜１中に形成された下層配線２を備え、第１の層間絶縁膜１と下層配線２の上に形成された絶縁膜３を備え、絶縁膜３の上に形成された第２の層間絶縁膜４を備え、第２の層間絶縁膜４の上に形成され下層配線２にビアホール６を介して接続されたＡｌ製の上層配線５を備え、上層配線５の上面および側面に形成されたアルミナ膜８を備え、上層配線５の上に形成された第３の層間絶縁膜９を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】（０００１）面や（１１−２０）面よりも優れた（０００−１）面の炭化珪素基板を用いた半導体装置において、ゲート酸化後の熱処理方法を最適化することにより、高耐圧で高チャネル移動度を有するＳｉＣ半導体装置を提供する。
【解決手段】（０００−１）面の炭化珪素からなる半導体領域にゲート絶縁膜と、そのゲート絶縁膜上にゲート電極と、上記半導体領域に電極を有する半導体装置において、ゲート絶縁膜中に１Ｅ１９／cm³から１Ｅ２０／cm³の範囲の水素あるいは水酸基（ＯＨ）を含む。或いは、ゲート絶縁膜と半導体領域の界面に１Ｅ２０／cm³から１Ｅ２２／cm³の範囲の水素あるいは水酸基（ＯＨ）が存在する。 （もっと読む）

【課題】極めて水、酸素の少ない環境下で薄膜の堆積、高誘電率絶縁薄膜やシリコンエピタキシャル膜を形成でき、かつ膜中の不純物として残留する水を極限まで低減させることが可能となる。
【解決手段】極低水分子・酸素分子排出装置２０４によりガス中の水濃度を１ＰＰＢ以下、酸素濃度を１０^−２１Ｐａ以下に制御した雰囲気ガスを反応室に流入させて、反応室内の脱水脱酸素処理を行ない、反応室内の水分圧を１０^−１０Ｐａ以下とし、その後原料ガスを導入し、水分量を１ＰＰＢ以下、酸素分圧を１０^−２１Ｐａ以下の超低水分、酸素分圧下でウエハ２０３上に薄膜を堆積する。 （もっと読む）

【課題】成膜基板表面にダメージを与えず、サブオキサイド層の発生を極力抑制し、酸化膜の絶縁特性をより向上させて酸化膜を薄膜化させることができる高密度シリコン酸化膜の製造方法およびその製造方法により製造する高密度シリコン酸化膜を有するシリコン基板、半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】１気圧酸素雰囲気中で、３００℃から４３０℃の範囲内の任意の温度にシリコン基板を加熱し、前記シリコン基板に２２２ｎｍ以下の紫外線を照射した状態で、基板表面に、酸素ガスをフローメーターにおける２０℃での酸素ガス流量換算で１００ｍｌ／ｍｉｎ以上流しながらシリコン基板１表面に酸化膜３を形成する。 （もっと読む）

【課題】十分なＥＭ耐性および配線間ＴＤＤＢ寿命を確保しつつ、層間絶縁膜の低誘電率化を行っても絶縁膜ライナー膜厚を薄くすることができ、配線間の実効比誘電率Ｋｅｆｆを低減した高速で高信頼性な配線を得ることができる。
【解決手段】第１の絶縁膜１には配線溝Ｍ１が形成されており、配線溝Ｍ１内にはＣｕ膜２ｂが設けられている。Ｃｕ膜２ｂの上にはＳｉＣＮ膜３ａ、ＳｉＣＯ膜３ｂおよびＳｉＯＣ膜４ａが順に設けられており、ＳｉＯＣ膜４ａはＳｉＣＮ膜３ａおよびＳｉＣＯ膜３ｂよりも低誘電率な絶縁膜である。ＳｉＣＯ膜３ｂの上面には、高密度化処理が施されて高密度膜３ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】キャパシタンスを増加させながらリーク電流を減らす半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 本発明の半導体デバイスは、（Ａ）導電層と、（Ｂ）シリコン製基板と、（Ｃ）前記導電層とシリコン製基板との間に形成されてた誘電体層とを有し、前記誘電体層（Ｃ）は、（Ｃ１）誘電率が３．９以上１２以下である酸化シリコン（SiO_ｘ≦２ ）製の層と、（Ｃ２）前記酸化シリコン製の層の上に配置された充填誘電体層とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】毒性のあるガスの使用や特殊な装置を必要とせず、安全・環境上の問題を伴わずに、高品位のＭＯＳ界面を形成できる、簡潔で実用性の高いＳｉＣ半導体素子の方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板上に、ＳｉＣ原料用ガスとドーパント用Ｎ含有ガスとを用いた化学気相成長法（ＣＶＤ法）により、高Ｎ含有ＳｉＣ薄膜をエピタキシャル成長させる工程、および上記高Ｎ含有ＳｉＣ薄膜を熱酸化してＳｉＯ_２薄膜とすることにより、ＳｉＯ_２／ＳｉＣ界面を形成する工程を含むことを特徴とするＳｉＣ半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】一方で被処理基板を適度に酸化し、他方で被処理基板の酸化抑制を可能にする。
【解決手段】金属膜及びポリシリコン膜が表面に露出している被処理基板に供給する水素ガスと酸素または酸素含有ガスとの混合ガスをプラズマ放電して混合プラズマを生成し、混合プラズマで前記被処理基板を処理する工程と、被処理基板に供給する水素ガスをプラズマ放電して水素プラズマを生成し、前記水素プラズマで前記被処理基板を処理する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率薄膜形成時および成膜後の各種工程での界面反応層の成長を制御・抑制することができる、電気的特性に優れた高誘電率薄膜を用いた半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】高誘電率薄膜の成膜工程又は成膜後の処理工程において、雰囲気中残留酸素分圧及び残留水分圧を所定の値以下に設定することにより、気相中から高誘電率薄膜を透過してシリコン基板との界面に供給される酸素量を低減してシリコン基板界面に形成される界面反応膜の膜厚を原子層レベルに制御し、ゲート絶縁膜として用いるZrO₂等の高誘電率薄膜の膜厚を大きくすることにより、ゲート層を流れるトンネル電流の低減を図る。 （もっと読む）