炭素非含有シリコン−窒素前駆体およびラジカル窒素前駆体からシリコンおよび窒素を含む共形誘電体層（例えばシリコン−窒素−水素（Ｓｉ−Ｎ−Ｈ）膜）を形成するための方法、材料、およびシステムを説明する。炭素非含有シリコン−窒素前駆体は、ラジカル窒素前駆体との接触により優先的に励起される。シリコン−窒素膜が、炭素を含まずに形成されるため、膜を硬化された酸化ケイ素に転化させても、孔は殆ど形成されず、体積収縮も殆ど生じない。堆積されたシリコン−窒素含有膜は、共形誘電体層の光学特性を選択可能にし得る酸化ケイ素へと完全にまたは部分的に転化され得る。薄いシリコン−窒素含有膜の堆積は、基板トレンチ内にライナ層を形成するために、低温で実施され得る。低温ライナ層は、濡れ特性を向上させ、流動性膜をトレンチ内により完全に充填させることを可能にする。
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【課題】ウエハホルダによるウエハのスリップや反り等の弊害の発生を防止する。
【解決手段】ウエハ１の下面に面接触してウエハ１を保持するウエハホルダ７０をボート６０に多数段装着しておき、多数段のウエハホルダ７０にウエハ１をそれぞれチャージした状態で、処理室内にボートローディングし、ウエハ１のアニール処理後にボートアンローディングする。ボート６０の多数段のウエハホルダ７０からウエハ１をディスチャージする際に、ボート６０の最上段領域Ｕのウエハホルダ７０からウエハ１Ａをディスチャージし、その後に、最下段領域Ｂに向かってウエハ１をディスチャージして行く。取り出そうとしているウエハ１から落下した異物は下側のウエハ１に付着するので、異物が下側のウエハホルダに付着するのは防止でき、ウエハホルダに付着した異物による次回のウエハ１でのスリップや反り等の弊害の発生を未然に防止できる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを用いた、低オン抵抗、かつ信頼性にも優れた半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素層と、炭化珪素層上に形成され、珪素、酸素、窒素を主成分とし、窒素の最低濃度が１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極を有することを特徴とする半導体装置。炭化珪素層の（０００−１）面または（１１−２０）面上に酸化物膜または酸窒化物膜を形成する工程と、酸化物膜または酸窒化物膜の形成後に、アンモニアガスを含む雰囲気中で熱処理しゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】処理室内へのガス流量を均等にすると共に、質量流量計の数を低減させる。
【解決手段】 複数の基板を収容する処理室と、ガス供給源に接続されるガス供給管と、ガス供給管に接続され、ガス供給管からのガスを処理室内にそれぞれ供給する複数の分岐管と、分岐管にそれぞれ設けられる差圧生成部と、を備え、差圧生成部は、分岐管から処理室内に供給されるガスの流量が、複数の分岐管の間で均等になるように、差圧生成部より上流側の分岐管内と、差圧生成部より下流側の分岐管内と、の間にそれぞれ差圧を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】膜中欠損を生じさせることなくＧｅ基板の表面にＧｅ酸化膜を形成する。
【解決手段】Ｇｅ基板２の表面にＧｅ酸化膜を形成するプロセスシステム１の酸化炉１３において、１０００Ｐａ以下の圧力及び３００℃以下の基板温度のもとでＧｅ基板２にオゾン供給装置１１からオゾンガスを供して当該基板の表面にＧｅ酸化膜を形成する。室温よりも低温の基板温度のもとで前記基板に前記オゾンガスを供給してＧｅ基板２上にオゾン分子層を形成させる。次いで、前記オゾンガスの供給を遮断させた後、Ｇｅ基板２を室温まで加熱することにより前記オゾン分子層によって当該基板の表面を酸化させてＧｅ酸化膜を形成させる。Ｇｅ基板２が室温まで達した後に前記加熱を遮断して当該基板の温度を室温よりも低温に降下させるとよい。Ｇｅ基板２を加熱するための加熱源として赤外光光源を用いるとよい。前記オゾンガスはオゾン濃度が１００％であるとよい。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板や石英基板等をベースとした材料・プロセスを用いることによって、高品質なグラフェン膜を有する基板を提供すること。
【解決手段】絶縁層上の金属炭化物膜、例えばＳｉＣ膜を酸化処理することによって得られる、絶縁層上にグラフェン膜と金属酸化物膜、例えばＳｉＯ_２膜が順次積層されてなる基板。更に、かかる基板の表面の金属酸化物膜を除去することによって得られる、絶縁層とその表面に積層されたグラフェン膜とからなる基板。絶縁層としては、Ｓｉ基板上にＳｉＯ_２層が形成されたもの、あるいは、石英基板が好ましい。 （もっと読む）

誘電体層の形成方法が記載される。この方法は、シリコン含有前駆体をラジカル−窒素前駆体と混合するステップと、誘電体層を基板上に堆積させるステップとを含むことができる。ラジカル−窒素前駆体は、遠隔プラズマ内で、窒素／水素比の調整を可能にするために、プラズマの中に水素（Ｈ_２）および窒素（Ｎ_２）を流すことによって形成される。誘電体層は、最初にシリコン−窒素含有層であり、膜を酸素含有環境内で硬化および／またはアニーリングすることにより、シリコン−酸素含有層に変換され得る。
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誘電体層を形成する方法を説明する。この方法は、ケイ素を含有する前駆体をプラズマ廃水と混合するステップと、ケイ素と窒素を含有する層を基板上に堆積するステップとを含む。ケイ素と窒素を含有する層は、ケイ素と窒素を含有する層を堆積するために使用したのと同じ基板処理領域内においてオゾン含有雰囲気中で硬化することによって、ケイ素と酸素を含有する層に転換される。さらなるケイ素と窒素を含有する層を、ケイ素と酸素を含有する層の上に堆積することができ、ここでも基板を基板処理領域から取り出すことなく、層のスタックをオゾン中で硬化させることができる。複数回の堆積−硬化サイクル後、ケイ素と酸素を含有する層のスタックの転換は、より高い温度で酸素含有環境中においてアニールすることができる。
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【課題】各種電子機器の中枢であるMOSFETの製造において，微細化技術に頼らない高性能化および超低消費電力化技術を提供する。
【解決手段】MOSFETに印加するゲート電圧に連動してゲート絶縁膜中の電荷分布を変化させ，半導体の表面電位を該ゲート電圧の極性とは反対の極性方向に変化させる機能を利用することによりしきい値電圧を低減し，低電圧動作および低消費電力化を可能にする。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体のＰ/Ｎ接合界面端部が、大気と接することで生じるリーク電流等の欠陥を抑制し、不良を起こしにくくしたＰＮ接合ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】互いに導電型の異なるシリコン半導体２，３相互の接合部を少なくとも１つ有する半導体装置であって、上記シリコン半導体接合部の接合界面端部を含む表面を、Ｎを含有するＳｉＯ₂膜８で接合界面端部を覆うことにより、接合界面端部の大気との接触を避けることができ、この部分での不純物吸着を抑え、経年によるリーク電流の発生を抑えることができる。ＳｉＯ₂膜８にＮを含有させることで、ＮがＳｉＯ₂膜に含有されると同膜に正の固定電荷が発生し、これにより電場が形成され、接合界面端部を含む表面でのキャリアの再結合を抑え、リーク電流の発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】化学強化以外の方法で炭化珪素基板を強化することや、炭化珪素基板の薄板化の手法を工夫することで、割れやクラックの発生、進展を抑制した炭化珪素基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の表裏主面のうち半導体装置の形成領域に対応する中央部ＣＰの周辺領域部ＰＰと基板側面部ＳＰとを含んで構成される炭化珪素基板ＷＦの外周部に、膨張力発生部ＥＸを形成することで、基板内部に向かうように圧縮応力ＣＳが生じる。このために、基板加工中または、プロセス中に、微小な割れの起点が発生しても、圧縮応力で抑えられて割れが広がらないために、ウエハ割れが発生せず、実質的に基板外周部が強化された構成となる。 （もっと読む）

【課題】例えば５００℃以上７００℃以下の低温において、原子状酸素Ｏの濃度をウエハ積層方向に渡りコントロールし、酸化膜の膜厚分布をウエハ積層方向に渡り均等化する。
【解決手段】処理室内の複数枚の基板が配列される基板配列領域の一端側から酸素含有ガスと水素含有ガスとを混合部を介して供給してその他端側に向かって流すと共に、処理室内の基板配列領域に対応する途中の複数箇所から水素含有ガスを供給して他端側に向かって流すことで複数枚の基板を酸化処理する工程を有し、混合部内で酸素含有ガスと水素含有ガスとを反応させて原子状酸素を含む酸化種を生成させ、酸化種を混合部内から処理室内に噴出させる噴出口の位置にて酸化種の濃度が最大となるようにする。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネスが良好な金属酸化膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハを収容した処理容器内に金属原子を含む原料を供給し排気する工程と、処理容器内に反応ガスを供給し排気する工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを所定回数行うことでウエハ上に金属膜を形成する工程（Ｓ５）と、処理容器内に酸化ガスを供給し排気することで金属膜を酸化させる工程（Ｓ６）と、を１セットとして、このセットを所定回数行う（Ｓ７）ことによりウエハ上に所定膜厚の金属酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】スループットを高く維持しつつリーク電流を抑制してリーク特性も高く維持することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体の表面とゲート電極との間に介在されるゲート絶縁層を形成する成膜方法において、シリコンを含む界面膜を所定の温度で形成する界面膜形成工程Ｓ１と、被処理体を冷却する冷却工程Ｓ２と、冷却された被処理体に対して界面膜形成工程の所定の温度より低い温度でゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程Ｓ３とを有する。 （もっと読む）

【課題】ゲート構造としてメタル電極／Ｈｉｇｈ−ｋ膜構造を用いた半導体装置において、仕事関数の制御とＥＯＴの薄膜化とを両立させる。
【解決手段】半導体基板１０１におけるｎチャネルＭＩＳトランジスタ形成領域の上に、ゲート絶縁膜として、第１の高誘電率絶縁層２０２、アルミニウム含有層２０３、ランタン含有層２０４及び第２の高誘電率絶縁層２０５を順次形成する。その後、ゲート電極形成を行う。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素ＭＯＳＦＥＴにおいて、炭化珪素層とゲート絶縁膜との界面に発生する界面準位を十分に低減できず、キャリアの移動度が低下する場合があった。
【解決手段】この発明に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素層上に接して二酸化珪素で構成されるゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、前記ゲート絶縁膜形成工程後に、一酸化窒素または一酸化二窒素とトランス−１，２−ジハロゲノエチレンとを含有するガス中で前記ゲート絶縁膜が形成された前記炭化珪素層を加熱処理する窒化工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】オフ電流が低く、オン電流及び電界効果移動度が高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層として窒化シリコン層と当該窒化シリコン層が酸化された酸化シリコン層を積層して形成し、該ゲート絶縁層の酸化シリコン層との界面直上から結晶成長した微結晶半導体層を形成する。ゲート絶縁層の直上から結晶成長するため、結晶性の高いオン電流及び電界効果移動度が高い薄膜トランジスタとすることができる。また、バッファ層を設けてオフ電流を低減させる。 （もっと読む）

【課題】酸化物材料膜の結晶化温度を低温化できる水蒸気加圧急速加熱装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る水蒸気加圧急速加熱装置は、処理室３４内に配置された、基板３５を載置する載置台３６と、前記載置台に載置された基板を加熱する加熱機構３８と、前記処理室内を加圧する加圧機構４３と、前記処理室内に加熱及び加圧された水蒸気を供給する水蒸気供給機構と、前記処理室内を真空排気する真空排気機構５６と、前記処理室内に加熱及び加圧された酸素ガスを供給する酸素ガス供給機構と、を具備する。 （もっと読む）

酸化ケイ素層を形成する方法が記載されている。この方法は、炭素を含まないケイ素および窒素含有前駆体とラジカル前駆体とを混合するステップと、ケイ素および窒素含有層を基板上に堆積させるステップとを含むことができる。次いで、ケイ素および窒素含有層は、酸化ケイ素層に変換される。
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