【課題】ＭＩＭ容量素子において、容量絶縁膜と上部金属電極の界面および下部金属電極と容量絶縁膜の界面の各膜の配向が不安定であり、十分な耐圧を満足できない。
【解決手段】半導体基板１上に層間絶縁膜２を形成し、層間絶縁膜２上に下部金属電極３を形成し、下部金属電極３の表面を酸化処理し、下部金属電極３上に容量絶縁膜４を形成し、容量絶縁膜４の表面を酸化処理し、容量絶縁膜４上に上部金属電極５を形成する。下部金属電極３と容量絶縁膜４の界面において、下部金属電極３の表面に薄い金属酸化膜層３ａが形成され、容量絶縁膜４と上部金属電極５の界面において、容量絶縁膜４の表面に薄い酸化膜層４ａが形成されている。金属酸化膜層３ａ、酸化膜層４ａを形成することにより、下部金属電極３と容量絶縁膜４の界面および容量絶縁膜４と上部金属電極５の界面の配向を安定化させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に使用されるキャパシタにおいて酸素透過性の低いアルミナやアルミネート膜を誘電体として使用した場合には、誘電体膜と下部電極の多結晶シリコンとの界面が改質されないでリーク電流が発生するという問題がある。
【解決手段】下部電極の多結晶シリコンへの不純物の導入と、窒化シリコン膜の形成を連続して行う。窒化シリコン膜を酸化処理し、ＡＬＤ法によりアルミナ膜を形成する。アルミナの形成前に酸化処理し窒化シリコン膜を改質することで、キャパシタのリーク電流を抑制するとともに、さらに形成されるアルミナ膜質が向上する。誘電体膜質が向上することで、大きな容量値を有する、信頼性の高いキャパシタを備えた半導体装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板表面に厚いドライ酸化膜を得るためには、長時間の熱酸化もしくは、高温での処理が必要になる。高温での処理は、シリコン基板のライフタイムを低下させ、一方、熱酸化の温度を下げると、成膜に時間を要することからドライ酸化膜は比較的薄い膜となる。薄いドライ酸化膜の場合は、その保護膜を形成する必要があり、シリコン基板を酸化炉から取り出し、ＡＰＣＶＤ装置へ移動させる。このとき、前記シリコン基板の移動によって、薄いドライ酸化膜が損傷してしまい高いパッシベーションが得られない。
【解決手段】シリコン基板にドライ酸化膜とスチーム酸化膜を同一炉で順次形成する工程を含むパッシベーション膜の形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ドーパント量およびドーパント位置に関する許容性を満たすことが可能なように半導体基板を処理する方法、非常に薄い酸化膜を優れた特性および優れた均一性で製造することができるように半導体基板を処理する方法、シリコンおよび酸化シリコンの反応物のエッチングを慎重に制御できるように半導体基板を処理する方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板の高速昇降温処理（ＲＴＰ）の方法において、非常に低い分圧の反応性ガスを使用してシリコン表面上でのエッチングおよび酸化膜の成長を制御する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を形成する際の欠陥の生成を抑制することを可能にする。
【解決手段】半導体基板の表面を窒化する第１窒化ガスと、製造中に前記半導体基板と実質的に反応しない第１希釈ガスとを含み、前記第１希釈ガスの分圧と前記第１窒化ガスの分圧の和と、前記第１窒化ガスの分圧との比が５以上でかつ全圧が４０Ｔｏｒｒ以下である雰囲気中に前記半導体基板を置き、前記半導体基板の表面に窒化膜を形成する工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】膜厚プロファイルに変化が生じたときの異常検知を可能とした成膜装置及び成膜方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板２の温度や基板２の表面近傍の酸素ラジカル濃度分布の変動を検知するため、加熱器３の各ゾーンのランプ電力と反応炉１内の圧力を測定し、測定された加熱器３の各ゾーンのランプ電力と反応炉内の圧力を、モニタリング機器１６のプロセスモデルの予測式へ入力して基板２の膜厚プロファイルを予測し、この予測した膜厚プロファイルに基づいて基板２の熱処理に異常が発生しているかどうかを判断する。そのため、温度測定値は正常値を示しているが、膜厚プロファイルに変化を生じさせる装置異常が発生した場合にも異常検知が可能になる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の膜質を向上できる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】ＭＯＳ構造のゲートを有する半導体装置１００の製造方法であって、半導体基板１０上に、気相成長法により気相酸化膜３１を形成する気相酸化工程と、気相酸化工程後、気相酸化膜３１の形成部位を熱酸化し、気相酸化膜３０と半導体基板１０との間に熱酸化膜３２を形成する追加熱酸化工程を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

基板上に酸化膜を形成する方法。当該方法は、H₂、酸素含有ガス、ハロゲンを含有した酸化を促進するガスを含むプロセスガスを大気圧より低い圧力に維持して基板に曝露する工程、並びに、前記プロセスガスによる基板の熱酸化を介して酸化膜を形成する工程を有する。本発明の一の実施例によると、基板は約150℃から約900℃に維持されて良い。酸化膜を含む微細構造について記載されている。前記酸化膜は、高誘電率誘電体層と共に集積されたゲート誘電体酸化膜又は界面酸化膜であって良い。
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炭化シリコン層上に酸化物層を形成する方法であって、金属不純物を実質的に含まない酸化炉管などの室の中に炭化シリコン層を置くこと、室の雰囲気を、約５００℃ないし約１３００℃に加熱すること、室の中に原子状酸素を導入すること、および炭化シリコン層の表面に原子状酸素を流し、それによって炭化シリコン層上に酸化物層を形成することを含む方法が開示される。いくつかの実施形態では、原子状酸素を導入することが、室の中に源酸化物を提供すること、および源酸化物の上に、窒素ガスと酸素ガスの混合物を流すことを含む。源酸化物は、酸化アルミニウムを含み、または酸化マンガンなどの他の酸化物を含むことができる。いくつかの方法は、炭化シリコン層上に酸化物層を形成すること、および原子状酸素を含む雰囲気で酸化物層をアニールすることを含む。
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引張応力を有する緻密化されたシリコン酸窒化膜を形成する方法、及び緻密化されたシリコン酸窒化膜を含む半導体デバイスが開示される。緻密化されたシリコン酸窒化膜は、ＬＰＣＶＤプロセスにて基板上に多孔質ＳｉＮＣ：Ｈ膜を堆積すること、及びＳｉＮＣ：Ｈ膜に酸素を混入し、それにより、多孔質ＳｉＮＣ：Ｈ膜より高い密度を有する緻密化されたＳｉＯＮＣ：Ｈ膜を形成するために、多孔質ＳｉＮＣ：Ｈ膜を酸素含有ガスに曝すことによって形成されることができる。緻密化されたシリコン酸窒化膜は、半導体デバイスを含んだ基板上に含められ得る。
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【課題】自然酸化膜を含む付着物を確実に除去し，次の成膜処理によって被処理基板に形成される膜の密着性をより向上させる。
【解決手段】基板処理装置１０３は，処理室１０４Ａ〜１０４Ｄ，測定処理室４００に共通に連結され，各処理室に対してウエハの搬出入を行う共通搬送室１０２を備える。各処理室１０４Ａ〜１０Ｄはそれぞれ，ウエハ上の自然酸化膜を含む付着物とガス成分とを化学反応させて生成物を生成するための生成物生成処理室（ＣＯＲ処理室），ウエハ上に形成された付着物の生成物を熱処理により除去するための生成物除去処理室（ＰＨＴ処理室），ウエハにＴｉ膜を成膜するＴｉ膜成膜処理室，Ｔｉ膜上にＴｉＮ膜を成膜するＴｉＮ膜成膜処理室として構成した。 （もっと読む）

炭化珪素上に酸化膜層を形成する方法は酸化珪素層上に酸化膜層を熱的に成長させるステップと前記酸化膜層をＮＯを含む雰囲気中で１１７５℃より高い温度、最も好適には１３００℃でアニールするステップとを含む。酸化膜層は炭化珪素でコートされた炭化珪素管中でＮＯ雰囲気中でアニールしてもよい。酸化膜層を形成するためにはドライＯ₂中で炭化珪素上に初期酸化膜層を熱的に成長し、前記初期酸化膜層をウェットＯ₂中で再酸化してもよい。
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【課題】 ランプ加熱を用いる短時間熱処理における半導体基板の面内温度の均一性を向上することができる温度調整方法、基板の熱処理方法及び熱処理装置を提供することを目的とする。。
【解決手段】 まず、基板の各温度測定位置において、熱処理により形成される酸化膜厚と熱処理設定温度とを対応づけた校正データを取得する。次いで、特定の熱処理設定温度にて熱処理を行った基板の各温度測定位置において、基板上に形成された酸化膜の膜厚を計測する。そして、上記校正データから、計測した酸化膜厚に対応する熱処理設定温度Ｔ、及び前記特定の熱処理設定温度にて得られるべき酸化膜厚に対応する熱処理設定温度Ｔｍ’を取得し、これらの温度差に基づいて各温度プローブの温度補正値を求める。 （もっと読む）

【課題】 絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法に関し、デバイス特性を劣化させることなく、且つ、既存の製造工程になじみやすい工程によりフェルミレベルピンニングを除去する。
【解決手段】 Ｈｆを構成元素として含む高誘電体膜３と多結晶シリコンまたは金属シリサイドからなるゲート電極５との間に、ゲート電極５のバンドギャップ内にフェルミレベルピンニングを発生させる準位を発生させない程度にゲート電極５との再ネットワークの構造緩和ができるアモルファス構造のＳｉＯ₂ 膜４を介在させる。 （もっと読む）

【課題】最高プロセス温度７００℃以下で形成される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の特性・信頼性を向上せしめる方法を提供する。
【解決手段】結晶性珪素膜を熱酸化させ、生じた酸化物によってＴＦＴのゲイト絶縁膜等を形成する。このとき、基板等に熱的なダメージを与えないように、５００〜７００℃の温度で熱酸化をおこない、酸化気体として熱的に励起・分解された酸素もしくは窒素酸化物（ＮＯ_ｘ、０．５≦ｘ≦２．５）を含有する反応性気体を用いる。２〜１０気圧の高圧の窒素酸化物雰囲気中で加熱することによって酸化反応を促進させてもよい。このようにして得られた熱酸化膜をゲイト絶縁膜として用いることによってホットエレクトロン等の注入による劣化を防止し、素子の信頼性を高める。 （もっと読む）

【課題】ウェハへのＬＭＣＳの吸着を防ぐことおよびウェハに吸着したＬＭＣＳを除去すること。
【解決手段】（１）半導体素子を製造するクリーンルームに使用されるシール材をフッ素系シール材とする。（２）シール材にシリコンシール材を用いていて、クリーンルーム内に露出しているシール材の表面は、電気絶縁性を有し機械的に安定で耐老化性を有し加工性に優れおよび接着性に優れた材料で被覆してある。（３）ＬＭＣＳを発生する工程を行う雰囲気内で発生したＬＭＣＳの材料を高エネルギー状態下で粒子化した後、除去してＬＭＣＳを発生する工程を行う雰囲気とは隔離された雰囲気中でこの工程以外の工程を行う。（４）半導体素子を製造する装置内への外気吸入口に活性炭を用いたケミカルフィルタが設けられている。（５）半導体素子製造装置内に不活性ガスを充満させた予備バッファ室を設け、この室内でＬＭＣＳで汚染された半導体素子用部材を加熱処理する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を１枚ずつ処理室に搬入して加熱処理する際の基板間の膜厚均一性を向上した基板加熱方法を提供する。
【解決手段】（１）処理室内に順次に搬入される基板の温度をモニターし、（２）基板温度の経時変化より処理室への蓄熱量を推測し、（３）処理室内の基板について、前記蓄熱量を基に、基板毎の供給熱量が一定になるように加熱処理時間、特に成膜工程時間（Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，・・）を制御する。これにより、処理室への蓄熱に起因する膜厚変動を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】 ゲート絶縁膜における良好な窒素濃度プロファイルにより、電気的特性（書込み・消去特性）に優れた半導体記憶装置及び、その製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の第１の態様に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板とゲート電極との間に形成されるゲート絶縁膜を介して電荷の受け渡しを行うことで動作する半導体記憶装置の製造方法において、予めプラズマ励起用ガスを用いて希釈した酸窒化種をプラズマ処理装置内に導入し、前記半導体基板上に前記ゲート絶縁膜として酸窒化膜を形成する工程を含み、前記酸窒化種は、前記プラズマ処理装置内に導入される全ガス量に対して０．００００１〜０．０１％のＮＯガスを含有する構成を採用している。
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【課題】高ｋゲート絶縁膜上のドープされたシリコンゲート間に短絡をもたらす欠陥、トラッピングを回避する、前記高ｋゲート絶縁膜および前記高ｋゲート絶縁膜上のシリコンオキサイド膜の製造法を提供する。
【解決手段】原子層堆積プロセスを用いて基板上に高ｋゲート絶縁材料を堆積することを包含する、半導体基板上に集積回路構造を形成するための方法。シリコンオキサイドキャッピング層は、高速熱化学蒸着プロセスにおいてゲート絶縁材料上に堆積される。ゲート電極は、シリコンオキサイドキャッピング層上に形成される。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の熱処理中に、半導体基板が汚染されるのを防止することができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。
【解決手段】 基板を熱処理する処理室１３と、処理室１３にガスを供給するガス供給部１５と、処理室１３からガスを排気するガス排気部１７と、処理室１３とガス供給部１５との間に接続され、供給ガスに含まれる特定物質の濃度を計測する第１計測部１９と、処理室１３とガス排気部１７との間に接続され、排気ガスに含まれる特定物質の濃度を計測する第２計測部２１と、第１計測部１９の出力が第１基準値を超えた場合、あるいは第１計測部１９と第２計測部２１の出力の差が第２基準値を超えた場合に、警報を発する制御部２２とを具備する。 （もっと読む）