【課題】高誘電率ゲート絶縁膜としての使用に適する高誘電率絶縁膜を良好な制御性をもって生産性良く形成する。
【解決手段】シリコン基体１０１の表層部を酸化してシリコン酸化膜１０２とする第１工程と、非酸化性雰囲気中においてスパッタによりシリコン酸化膜１０２の上に金属膜１０３を形成する第２工程と、非酸化性雰囲気中での加熱を行うことで、金属膜１０３を構成する金属原子をシリコン酸化膜１０２中に拡散させる第３工程と、金属原子が拡散したシリコン酸化膜１０２をラジカル酸化により酸化し、金属原子とシリコン原子と酸素原子とを含む金属シリケート膜１０４を形成する第４工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】チャネル移動度のような電気的特性の優れた炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、面方位｛０００１｝に対しオフ角が５０°以上６５°以下である、炭化ケイ素からなる基板２と、半導体層（図１のｐ型層４）と絶縁膜（図１の酸化膜８）とを備える。半導体層（ｐ型層４）は基板２上に形成され、炭化ケイ素からなる。絶縁膜（酸化膜８）は、半導体層（ｐ型層４）の表面に接触するように形成されている。半導体層と絶縁膜との界面（チャネル領域と酸化膜８との界面）から１０ｎｍ以内の領域における窒素原子濃度の最大値が１×１０²¹ｃｍ^-3以上である。 （もっと読む）

【課題】誘電体中にボイドやシームを生ずることなく充填するシリコン酸化物層を基板上に形成する方法を提供する。
【解決手段】基板の少なくとも一部を覆う第１の酸化物層を形成するステップであって、該第１の酸化物層が、残留する水、水酸基及び炭素種を含むステップとを含む。該方法はさらに、該第１のシリコン酸化物層と部分的に混合されている複数の非晶質シリコン成分を形成するために、該第１の酸化物層を複数のシリコン含有種に曝すステップを含む。また、該方法は、該複数の非晶質シリコン成分と部分的に混合されている該第１のシリコン酸化物層を、酸化環境中でアニーリングして、第２のシリコン酸化物層を該基板上に形成するステップを含む。非晶質シリコン成分の少なくとも一部は、酸化されて、該第２のシリコン酸化物層の一部になり、該第２のシリコン酸化物層内の未反応の残留する水酸基及び炭素種は、実質的に除去される。 （もっと読む）

【課題】
活性窒素導入による特性改善効果を更に向上する。
【解決手段】
半導体基板の活性領域上に酸化膜を形成し、酸化膜の表面側から活性窒素を導入して酸化膜を窒化処理して窒化酸化膜にし、その後、半導体基板をＮ_２Ｏガスを含む雰囲気中で熱処理し、次に、半導体基板をＮＯガスを含む雰囲気中で熱処理し、その後窒化酸化膜上に、ゲート電極用のシリコン膜を堆積する。 （もっと読む）

【課題】 不揮発性メモリデバイスのようなデバイス、及び統合プロセスツールにおいてデバイスを形成する方法の提供。
【解決手段】 トンネル酸化物層を基板上に堆積させるステップと、トンネル酸化物層をプラズマに曝し、その結果、プラズマがトンネル酸化物の表面と近傍表面の形態を変化させ、プラズマ変化した近傍表面を形成するステップと、を含む。その後、トンネル酸化物の変化した近傍表面上にナノ結晶を堆積させる （もっと読む）

【課題】酸化プロセス系の安定性を監視しながら基板の酸化膜を形成させる。
【解決手段】オゾン供給装置１１からオゾンを含んだガスを酸化処理チャンバ１２内の基板に供給して前記基板の表面に酸化膜を形成させるにあたり真空ポンプ１４はオゾン濃度計１３によって測定された前記基板に供された後のガスのオゾン濃度またはオゾン分圧に基づき前記オゾンを含んだガスの供給流量を制御する。前記基板の加熱温度はオゾン濃度計１３によって測定されたオゾン濃度またはオゾン分圧に基づき制御される。前記基板の表面には紫外光領域の光が照射される。前記基板に照射する光の強度はオゾン濃度計１３によって測定されたオゾン濃度またはオゾン分圧に基づき制御される。前記基板の表面に紫外光領域の光をパルス照射する場合、オゾン濃度計１３によって測定されたオゾン濃度またはオゾン分圧に基づき前記パスル照射の繰り返し周波数が制御される。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、メンブレンベース部材に対する金属配線の接合性を向上させ、あるいはさらにメンブレンベース部材の平坦性を向上させて、耐久性に優れたメンブレン構造素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のメンブレン構造素子は、熱収縮により収縮した酸化ケイ素膜を主体とするメンブレンベース部材１と、前記メンブレンベース部材１の周辺の一部を支持することによって前記メンブレンベース部材を中空状態で支持する基板２とを備える。金属配線６が前記メンブレンベース部材の表面側に設けられた絶縁密着層１４に形成され、前記絶縁密着層１４は酸化アルミを主成分とする酸化化合物で形成される。また、前記金属配線６を覆うように酸化ケイ素膜の被覆層を設けることができる。 （もっと読む）

【課題】通常の絶縁膜の形成に用いる抵抗加熱炉をそのまま使用し、特別なガスなどを使うことなく信頼性の高い絶縁膜をシリコンウェーハ上に形成する方法及び該方法により絶縁膜の形成された半導体素子を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハを雰囲気ガス中で熱処理することにより絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法において、前記雰囲気ガスは窒素で希釈した酸素を使用し、前記熱処理は、前記雰囲気ガスの下、抵抗加熱炉を使用して７００〜９００℃の温度で前記シリコンウェーハに熱処理を施し、前記絶縁膜として１０ｎｍ以下の膜厚のシリコン酸化膜を形成する絶縁膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】高耐圧の半導体装置に対する小型化要求と電極配線の信頼性確保を両立するため、高温封止工程に耐えうる電極配線を持った半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、シリコン単結晶基板の主表面に形成された１つ以上の半導体素子と、シリコン単結晶基板の前記主表面上に形成された層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に形成され前記半導体素子に電力を供給する電極配線を有する半導体装置であって、前記電極配線は前記層間絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して前記半導体素子に接続されており、酸化アルミニウム保護層が前記電極配線の表面に形成されており、パシベーション膜が前記電極配線を被覆するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】Ｖｆｂシフトと移動度低下を低減し、界面特性にすぐれたゲート絶縁膜構成を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板を直接窒化して、シリコン窒化膜を形成し、前記シリコン窒化膜を、Ｎ２ＯとＨ２を含む混合ガスでアニールして、シリコン酸窒化（ＳｉＯＮ）膜を形成する。このようなシリコン酸窒化膜は、半導体装置のゲート絶縁膜に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】良好な強誘電体膜を形成する。
【解決手段】本発明の強誘電体メモリの製造方法は、基板上方にイリジウム膜３３１を形成する工程と、イリジウム膜３３１上に酸化イリジウム層３３４を形成する工程と、酸化イリジウム層３３４を非晶質のイリジウム層３３６とする工程と、非晶質のイリジウム層３３６を酸化して、酸化イリジウム部３３７とする酸化工程と、酸化イリジウム部３３７上にＭＯＣＶＤ法で強誘電体膜を形成する工程と、強誘電体膜上に電極を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 製造コストの低減と、酸化膜の膜質の改善、炭化珪素半導体基板と酸化膜の界面特性の改善、並びに酸化膜間の界面特性の改善による品質の向上に寄与する炭化珪素半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】 炭化珪素半導体基板へのイオン注入後の熱処理工程と、炭化珪素半導体基板の一方面上に、酸素を含むガスを用いてゲート絶縁膜６となる薄膜の第１の酸化膜を形成する工程と、酸素を含むガスと珪素を含むガスを用いて第１の酸化膜上にゲート絶縁膜６となる厚膜の第２の酸化膜を形成する工程を、一つの熱処理炉内で順次実施可能にしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極と高誘電率ゲート絶縁膜の間に生じる反応を抑制でき、高集積化および高速化に適した素子構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁ゲート電界効果トランジスタを有する半導体装置であって、この絶縁ゲート電界効果トランジスタは、高誘電率膜を含むゲート絶縁膜と、第１の導電層およびこの第１の導電層より抵抗率の低い第２の導電層を含む積層構造をもつゲート電極を有し、第１の導電層は、前記高誘電率膜上に接して設けられ、密度５ｇ/ｃｍ³以上の窒化チタンからなる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】高誘電体膜とシリコン基板とを分離する、極薄かつ緻密な界面層を形成する半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体デバイスの製造方法は、シリコン基板表面にシリコン酸化膜を形成する工程（酸化膜形成ステップ）と、シリコン酸化膜を所望膜厚だけ残してエッチングする工程（エッチングステップ）と、エッチング後のシリコン酸化膜上に高誘電体膜を形成する工程（高誘電体膜形成ステップ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】トレンチ内に不純物ドーピング酸化膜ライナが形成されているＳＴＩ構造を有する半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】活性領域１０２に接するようにトレンチの内壁を覆う側壁ライナ１３０と、側壁ライナ１３０上に形成された不純物ドーピング酸化膜ライナ１４０ａと、トレンチを埋め込むギャップフィル絶縁膜１５０とを備える半導体素子である。不純物ドーピング酸化膜ライナ１４０ａを形成するために、側壁ライナ１３０上に酸化膜ライナを形成した後、プラズマ雰囲気下で酸化膜ライナに不純物をドーピングする。 （もっと読む）

【課題】 不揮発性メモリデバイスの漏れ電流を維持するか又は減少させつつ、デバイス寸法の減少を可能にする電子デバイス及び電子デバイスを形成する方法の提供。
【解決手段】 一実施形態において、不揮発性メモリデバイスを製造する方法は、基板上にフローティングゲート多結晶層を堆積させるステップと、フローティングゲート多結晶層上に酸化シリコン層を形成するステップと、酸化シリコン層上に第一酸窒化シリコン層を堆積させるステップと、第一酸窒化シリコン層上に高ｋ誘電物質を堆積させるステップと、高ｋ誘電物質上に第二酸窒化シリコンを堆積させるステップと、第二酸窒化シリコン層上に制御ゲート多結晶層を形成するステップとを含む。一実施形態において、高ｋ誘電物質層は、酸窒化シリコンハフニウムを含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体単結晶基板の表面に、超薄膜で高い膜厚均一性を有する酸化膜と半導体単結晶層が形成された半導体基板を、低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】 半導体単結晶基板の表面に酸化膜と半導体単結晶層とを順次形成することによって、酸化膜上に半導体単結晶層を有する半導体基板を製造する方法であって、少なくとも、前記半導体単結晶基板に酸化性溶液またはその気体を接触させることにより、前記半導体単結晶基板の表面に前記半導体単結晶基板とエピタキシャルな関係を保持した酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上に半導体単結晶層をエピタキシャル成長する工程とを有する半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体との密着性、電気的特性又は光学的特性に優れる絶縁膜を形成できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、ＳｉＣからなる基板１１上に成長したＧａＮ系半導体からなる活性領域１２Ａと、該活性領域１２Ａの周囲にＧａＮ系半導体が酸化されてなる絶縁酸化膜１２Ｂとを有している。活性領域１２Ａの上には、該活性領域１２Ａとショットキ接触すると共に、絶縁酸化膜１２Ｂの上に延びるように形成され該絶縁酸化膜１２Ｂ上に引き出し部１３ａを有するゲート電極１３と、該ゲート電極１３のゲート長方向側の両側部と間隔をおき、それぞれがソース電極及びドレイン電極となるオーミック電極１４とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】不純物の侵入やリーク電流の発生を抑制し、信頼性を向上させる。
【解決手段】シリコン（１１１）基板１上にシリコン酸化膜２ａおよびシリコン窒化膜３ａを順に備える絶縁部１１と、シリコン（１１１）基板４上にシリコン窒化膜３ｂを備える絶縁部１２とを、シリコン窒化膜３ａおよびシリコン窒化膜３ｂを張り合わせて成るシリコン窒化膜３を介して、接合し、絶縁部１３が形成され、絶縁部１３のシリコン（１１１）基板１を除去した絶縁部１３ａと、シリコン（１００）基板５上にシリコン酸化膜２ｂを備える絶縁部１４とを、シリコン酸化膜２ａおよびシリコン酸化膜２ｂを張り合わせて成るシリコン酸化膜２を介して、接合し、さらに、シリコン（１１１）基板４を除去して、シリコン（１００）基板５上にゲート絶縁膜１５が形成されるようになる。 （もっと読む）

【課題】
大型ウエハにおいても均一な丸め込み酸化が行なえ、かつ増加する工程が過度の負担にならない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、シリコン基板の表裏両面上方に窒化シリコン膜、その上にＴＥＯＳ酸化シリコン膜をＣＶＤで堆積する工程と、表面側ＴＥＯＳ酸化シリコン膜を除去する工程と、ＴＥＯＳ酸化シリコン膜を脱ガスアニールする工程と、表面側窒化シリコン膜をエッチングマスクとしてシリコン基板に素子分離溝をエッチングする工程と、１０００℃以上の温度の丸め込み酸化をバッチ処理で行なう工程と、ＨＤＰ酸化シリコン膜で素子分離溝を埋め込む工程と、を含む。 （もっと読む）