膜形成方法、半導体装置およびその製造方法
【課題】Vfbシフトと移動度低下を低減し、界面特性にすぐれたゲート絶縁膜構成を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板を直接窒化して、シリコン窒化膜を形成し、前記シリコン窒化膜を、N2OとH2を含む混合ガスでアニールして、シリコン酸窒化(SiON)膜を形成する。このようなシリコン酸窒化膜は、半導体装置のゲート絶縁膜に適用することができる。
【解決手段】シリコン基板を直接窒化して、シリコン窒化膜を形成し、前記シリコン窒化膜を、N2OとH2を含む混合ガスでアニールして、シリコン酸窒化(SiON)膜を形成する。このようなシリコン酸窒化膜は、半導体装置のゲート絶縁膜に適用することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、広くは半導体の分野に関し、特に、界面特性に優れフラットバンド電圧シフトを低減することのできるゲート絶縁膜の形成と、これを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
45nm世代のゲート絶縁膜の物理膜厚は1.2nm以下になるが、ホウ素(B)拡散を防止し、リーク電流を減らすため、ゲート絶縁膜の窒素濃度が高まりつつある。従来、シリコン酸化膜(SiO2)を熱プロセスやプラズマ窒化プロセスにより窒化する方法があるが、膜中に高い窒素濃度を得ることが困難である。そこで、Si基板を高温で直接窒化した後、形成されたシリコン窒化膜を酸化(後酸化処理)することによって、より高い窒素濃度の酸窒化(SiON)膜を得る方法が用いられている(たとえば、非特許文献1参照)。
【0003】
図1は、直接窒化によりSiON膜を形成する方法を示す概略図である。図1(a)のように、シリコン基板101を窒化で直接窒化して、シリコン窒化膜(以下、適宜、「窒化膜」又は「SiN」膜と称する)102を形成する。その後、図1(b)のように、N2O(亜酸化窒素)ガスで後酸化して、SiON膜(酸窒化膜)103を形成する。しかし、N2Oガスは低温で分解しにくく、窒化膜102を酸化するための酸素を十分に取り込むことができない。高温分解をしても、N2Oは酸素ラジカルO*とNOに分解し、酸化と窒化が同時に進行するようになる。その結果、シリコン界面付近で窒素濃度が高く、ダングリングボンドが低減されずに残り、膜中に電荷が存在する。この電荷に起因して、フラットバンド電圧Vfbのシフトが大きくなる。
【0004】
理想的なSiON膜の構造としては、Si基板101との界面側に、界面特性に優れた薄い酸化膜(窒素濃度の低いSiON膜又はSiOx膜)が存在し、その上に窒素濃度の高い(誘電率の高い)SiON膜が存在することが望ましいが、図1の方法では、十分な量の酸素を界面に供給することができず、図1(c)の窒素濃度分布プロファイルに示すように、SiN/Si界面での窒素濃度が高くなる。その結果、界面準位にトラップされる電荷が増大し、Vfbがシフトする。
【0005】
図2A〜図2Cは、界面欠陥に起因するMOSトランジスタの閾値電圧Vthのシフトを示す図である。図2AはnMOSの、図2BはpMOSのゲート電流Igおよびドレイン電流Idの電圧依存特性を、それぞれ複数種類のサンプルで示すグラフである。基準SiON(ref. SiON)は、シリコン酸化膜へのプラズマ窒化等により所望の電流・電圧特性となるように窒素濃度分布を調整したSiON膜を有するサンプル、SiN−1、SiN−2、SiN−3は、図1の直接窒化+N2O後酸化法により、条件を変えて作製したSiON膜を有するサンプルである。このうち、SiN−3は最適化された条件で作製されたサンプルである。図2Cに示すように、いずれのサンプルも基準SiONからのVthシフトが大きく、特にpMOSでVthシフトが顕著である。
【0006】
一方、図3に示すように、不揮発性メモリのフローティングゲートに用いるONO膜を形成するために、シリコン酸化(SiO2)上にCVD法で成膜されたSiN膜を、N2OガスとH2ガスで表面酸化する方法が知られている(たとえば、特許文献1参照)。この表面酸化処理で、時間の経過とともに、Δtの膜厚に相当するSiN膜の表面領域が酸化されると同時に、表面のSiO2膜が成長する。SiN膜の表面領域のみを酸化するため、成膜圧力が133Pa以下に設定されている。
【非特許文献1】Robust Ultrathin Oxynitride Dielectrics by NH3 Nitridation and N2O RTA Treatment. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS P378. Vol.21, NO.8, August 2000
【特許文献1】特許第3578155号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明は、Vfbシフトと移動度低下を低減し、界面特性にすぐれたゲート絶縁膜構成を有する半導体装置の提供を課題とする。
【0008】
また、そのようなゲート絶縁膜の形成方法の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記課題を解決するために、シリコン窒化膜とシリコン基板の界面まで十分な量の酸素を供給することによって、界面欠陥を低減する。具体的には、N2OにH2を添加して、次の反応を起こさせる。
【0010】
N2O+H2→O*+OH*+NOx
H2の作用で、水酸基ラジカルOH*や酸素ラジカルO*(基底状態を含む原子状の酸素を指す)が生成される。これらの原子は、O2分子に比べて小さいため、SiNx膜を透過しやすい。したがって、速やかにシリコン窒化膜とシリコン基板との界面(SiN/Si界面)に到達してSiと反応して、窒化膜とシリコン基板の界面に良質なSiOx膜を形成することができる。
【0011】
第1の側面では、良好な界面特性を有する膜形成方法を提供する。この方法は、
(a)シリコン基板を窒化して、シリコン窒化膜を形成し、
(b)前記シリコン窒化膜を、N2OとH2を含む混合ガスでアニールして、シリコン酸窒化(SiON)膜を形成する、
工程を含む。
【0012】
第2の側面では、膜形成方法は、シリコン基板上に形成したシリコン窒化膜を、266Pa以上のプロセス圧力下で、N2OとH2を含む混合ガスでアニールしてシリコン酸窒化(SiON)膜を形成する、
ことを特徴とする。
【0013】
好ましくは、これらの方法において、アニール処理のプロセス温度は、950℃〜1100℃である。アニール処理において基板とシリコン窒化膜との界面にSiO2が形成される。SiO2の形成による体積膨張が生じるが、上記の温度でのアニール処理であれば、高温での上の高いN層の伸びにより、緩和され、対応される。低温の場合より、エネルギー的に有利になる。
【0014】
上述した膜形成方法は、半導体装置のゲート絶縁膜の形成に適用することができる。
【0015】
第3の側面では、半導体装置の構成を提供する。半導体装置は、
(a)シリコン基板上にシリコン酸窒化(SiON)膜で構成されるゲート絶縁膜と、
(b)前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
を有し、前記ゲート絶縁膜の膜厚中央部における窒素濃度は、前記シリコン基板との界面近傍における窒素濃度よりも高いことを特徴とする。
【発明の効果】
【0016】
上記の方法および構成によれば、界面欠陥を低減し、移動度低下とVfbシフトを低減した半導体装置を提供することができる。また、良好な窒素濃度分布によりゲート絶縁膜の物理膜厚を確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0017】
以下、添付図面を参照して、本発明の良好な実施形態を説明する。図4は、本発明の一実施形態に係るSiON膜形成の基本原理を説明するための図である。まず、図4(a)に示すように、シリコン基板11にシリコン窒化膜12を形成する。シリコン窒化膜12は、たとえばシリコン基板11を高温窒化して直接窒化にて形成することができる。
【0018】
その後、図4(b)のように、N2O(亜酸化窒素)にH2を添加した混合ガスでアニールして、シリコン基板11との界面に、窒素(N)濃度よりも酸素(O)濃度のほうが高いSiO(N)膜14が形成される。この界面SiO(N)膜14を、従来の手法で形成される酸素濃度が不十分な界面SiO(N)膜と区別する意味で、「高酸素濃度SiO(N)膜14」と称する。
【0019】
なお、図示の簡略化のため、シリコン基板11の表面上に積層膜構造14、13、15が位置するように図示されているが、界面SiO(N)膜14の少なくとも一部はシリコン基板11内部に位置し、ほぼSiOxの組成となる。
【0020】
一方、シリコン窒化膜12の表面領域は、酸化雰囲気(N2O+H2アニール)に露出しているので酸素濃度の高いSiO(N)膜15となる。表面SiO(N)膜15の酸素濃度は、界面SiO(N)膜14よりも高い。シリコン窒化膜12の中間領域は、シリコン界面と窒化膜表面に比較して窒素濃度の高いSiON膜13となる。
【0021】
このアニール処理では、酸化性ガスとしてO2を、還元ガスとしてH2を含む混合ガスが用いられる。H2ガスの作用で次の反応が起きる。
【0022】
2NO+2O2+H2→4NO+2OH*+2O* (1)
生成された水酸基ラジカルOH*と酸素ラジカルO*は、酸素分子よりも小さいので、SiN膜12を透過しやすい。すなわち、N2OやO2よりも容易にシリコン界面に到達して、Siと反応して良質なSiOx膜14を形成する。また、OH*とO*はシリコン界面よりも上方のSiN膜12をSiON膜13にする。なお、SiN膜12の表面領域は、表面酸化されてSiO(N)膜15となる。
【0023】
SiN膜12を透過しやすい水酸基ラジカルOH*と酸素ラジカルO*を用いたので、最終的な絶縁膜の窒素濃度プロファイルは、図1(c)に示すように、シリコン界面と表面領域で酸素濃度が高く、膜の中間領域で窒素濃度が高くなる(誘電率が高くなる)、理想的なプロファイルとなる。これにより、界面付近でのダングリングボンドを低減し、界面電荷を低減することができる。
【0024】
図5は、図4の絶縁膜構成を適用した半導体装置の製造工程図である。通常は、ウェーハ上に異なる種類のトランジスタ(メモリセルと周辺回路、フラッシュメモリと高電圧/低電圧トランジスタなど)や、異なる導電型のトランジスタを同時に作り込むが、以下の説明では、簡略化のためひとつのトランジスタに着目して説明する。
【0025】
まず図5(a)に示すように、素子分離領域(STI)16とウェル18が形成されたシリコン基板11の(001)面の表面を清浄化して、直接窒化により膜厚2.5nm以下、たとえば1.2nm〜2.0nmのシリコン窒化膜12を形成する。直接窒化は、たとえばNH3窒化、N2/H2ガスを用いた熱窒化、プラズマ窒化、CVD窒化などであり、プラズマ窒化の場合は、N2、Ar/N2、Xe/N2、O2、又はこれらの混合ガスを原料ガスとすることができる。直接窒化により、シリコン基板11の界面にSi−Nボンドが形成され、シリコン窒化膜12が形成される。
【0026】
次に、図5(b)に示すように、シリコン窒化膜12を、N2OとO2に、H2を添加した混合ガスでアニールする。アニール温度は950℃〜1100℃、プロセス圧力は266Pa(2torr)以上である。全体の流量(N2Oガス+H2ガス)に対するH2ガスの流量比(H2/N2O)は0.01〜0.33である。このH2/N2O混合ガスを用いたアニール処理において、還元ガスH2の作用により、酸素ラジカルと水酸基ラジカルが生成される。酸素分子よりもサイズの小さなこれらのラジカルは、シリコン窒化膜12を透過して、シリコン界面でSi−O−Nボンドを形成する。これにより、シリコン界面に従来方法のSiO(N)膜よりも酸素濃度の高い高酸素濃度SiO(N)膜14が形成される。なお、シリコン窒化膜12の露出面もSi−O−Nボンドが形成され、酸素濃度が界面SiO(N)膜14よりも高いSiO(N)膜15が形成される。シリコン窒化膜12の中間領域は、シリコン界面や表面領域よりも窒素濃度の高い(高誘電率の)SiNO膜13となる。SiNO膜13の窒素濃度分布のピーク濃度は、20〜30atm%である。界面SiO(N)膜14、SiNO膜13、および表面SiO(N)膜14でゲート絶縁膜17を構成する。
【0027】
次に、図5(c)に示すように、全面にポリシリコン膜を形成し、フォトリソグラフィ法とエッチングにより所定の形状にパターニングしてゲート電極19を形成し、ゲート電極19をマスクとして不純物イオンを注入して、ソース・ドレインエクステンション21を形成する。n型ウェル18にp型MOSFETを形成する場合は、p型ドーパントとしてB(ホウ素)、BF(フッ化ボロン)、BF2(2フッ化ボロン)等を注入し、p型ウェル18にn型MOSFETを形成する場合は、As(ヒ素)、P(リン)等を注入する。
【0028】
次に、図5(d)に示すように、全面にゲート電極19の側壁にサイドウォールスペーサ22を形成し、不純物イオン注入により、ソース・ドレイン不純物拡散層23を形成する。サイドゥオールスペーサ22は、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、あるいはこれらの二重構造としてもよい。サイドゥオールスペーサ22の形成時の異方性エッチングで、余分なゲート絶縁膜17は除去される。その後、図示はしないが、ゲート電極19の表面およびソース・ドレイン不純物拡散層23の表面を洗浄してシリサイドを形成する。
【0029】
このような半導体装置は、ゲート絶縁膜17とシリコン基板11の界面において、十分な酸素濃度を確保でき、界面電荷が低減され、Vfbシフトを防止することができる。
【0030】
図6は、シリコン基板を直接窒化した後に、異なる後酸化方法により形成したゲート絶縁膜を有するサンプルのVfbシフトを比較するグラフである。各サンプルのVfbシフト値は、コロナ放電電荷(corona charge)法で測定した値である。
【0031】
サンプルAとサンプルBは、図4の実施形態の方法、すなわちN2OにH2を添加したガスで後酸化したものであり、サンプルAはアニール条件を950℃、6torr、60sに設定したもの、サンプルBは、アニール条件を1000℃、6torr、25sに設定したものである。サンプルC〜F(ISSG−1〜ISSG−4)は、O2にH2を添加したガスで後酸化したものであり、処理条件を変えたものである。ISSG−1の処理条件は、810℃、7.75torrで10s、ISSG−2の処理条件は、900℃、7.75torrで10s、ISSG−3の処理条件は、900℃、1torr、窒素アニールありで20s、ISSG−4の処理条件は、900℃、1torr、窒素アニールなしで20sである。サンプルGは、図1の従来方法(直接窒化+N2Oアニール)で作製したゲート絶縁膜を有するサンプルである。
【0032】
ターゲットのフラットバンド電圧Vfbは、水平な一点鎖線で示すレベルにあり、SiO2ゲート絶縁膜のVfbを基準としている。図1の従来方法で作製したサンプルGは、SiO2のVfbよりもかなり正の方向にあり、シフトが大きい。これは、分解される酸素原子O*の量が不十分であるため、SiN/Si界面の欠陥(ダングリングボンド)を除去しきれないためである。
【0033】
ISSG(O2+H2アニール)によるサンプルC〜Fでは、処理条件を変えることでVfbを調整できるが、酸化速度が速すぎて制御が困難であり、サンプルFは測定不能となっている。
【0034】
これに対して、実施形態の方法で作製したサンプルAとBでは、Vfbを界面特性に優れたSiO2膜のVfbに近似するように、精度良く制御することができる。
【0035】
図7は、界面準位密度Dit[1/cm2*eV]と、実施形態のEISSG(N2O+H2アニール)処理条件の関係を示すグラフである。図7(a)において、アニール温度が1000℃から」1100℃に上がるにつれ、界面準位密度が低減され、1100℃では、ほぼ基準SiON膜の特性と一致することがわかる。この良好な界面準位密度は、SiN/Si界面に酸素が十分に供給されているからである。これに対して、従来の直接窒化+N2Oアニール(optimized SiN+N2O)では、条件を最適化したサンプルであっても界面準位密度が高く、Vfbシフトや移動度低下の原因となる。
【0036】
また、図7(b)に示すように、N2O+H2アニールのときのプロセス圧力は、2torr(266Pa)から10torr(1333Pa)に上げるにつれ、界面特性に優れたSiO2膜の界面準位密度に近づくことがわかる。
【0037】
図8は、実施形態の方法で作成したゲート絶縁膜中の窒素(N)と酸素(O)の分布を示す図であり、RBS(Rutherford Backscattering Spectrometry)の測定結果である。図中、三角のマークが窒素(N)の濃度、黒の四角が酸素(O)の濃度である。横軸は、直接窒化した窒化膜表面をゼロとして、深さ方向の膜厚であり、シリコン基板との界面は表面から22Åのところにある。この結果から、窒素(N)は、ゲート絶縁膜の中央部分でその濃度が高く成るように分布し、酸素(O)はSiN/Si界面近傍まで、ほぼ一定に分布し、SiN/Si界面においても、窒素(N)濃度の4倍近くである。ここから、実施形態の方法によれば、シリコン基板の直接窒化により得られたシリコン窒化膜を酸化する際に、SiN/Si界面に十分な量の酸素(O)を含むSiO(N)膜が形成されることがわかる。
【0038】
図9(a)と図9(b)は、実施形態の方法で、直接窒化の後にN2O+H2アニール(EISSG処理)を行って形成したゲート絶縁膜を有するnMOSトランジスタとpMOSトランジスタのデバイスC−V特性を示すグラフである。図中、正方形と実線でプロットされたカーブが、実施例のEISSG処理を行ったサンプルのC−V特性、菱形と点線でプロットされたカーブが、所望の特性に調整された量産用のSiON膜(「基準SiON膜」とする)のC−V特性である。Vthシフトは、基準SiON膜と比べて、nMOS側でわずか−30mVのシフト、pMOS側で−80mVであり、図2Cの従来法によるゲート絶縁膜と比較して、Vfbシフトの低減効果が大きいことがわかる。また、移動度(Gm×Teff)は、nMOSで基準SiON膜の100%、pMOSで基準SiON膜の91%にまで近似し、従来のN2Oアニール法と比較して実用に適することがわかる。
【0039】
最後に、以上の説明に関して、以下の付記を開示する。
(付記1)
シリコン基板を窒化して、シリコン窒化膜を形成し、
前記シリコン窒化膜を、N2OとH2を含む混合ガスでアニールして、シリコン酸窒化膜を形成する、
工程を含むことを特徴とする膜形成方法。
(付記2)
シリコン窒化膜を、266Pa以上の圧力下で、前記N2OとH2を含む混合ガスでアニールしてシリコン酸窒化膜を形成する、
ことを特徴とする膜形成方法。
(付記3)
前記アニール処理の温度は、950℃〜1100℃であることを特徴とする付記1又は2に記載の膜形成方法。
(付記4)
前記混合ガスにおけるH2の流量比は0.01〜0.33であることを特徴とする付記1又は2に記載の膜形成方。
(付記5)
前記シリコン窒化膜は、熱窒化、プラズマ窒化、NH3窒化、又はCVD窒化により形成されることを特徴とする付記1または2に記載の膜形成方法。
(付記6)
前記シリコン窒化膜は、膜厚2.5nm以下に形成されることを特徴とする付記1〜5のいずれかに記載の膜形成方法。
(付記7)
シリコン基板を窒化してシリコン窒化膜を形成し、
前記シリコン窒化膜を、N2OとH2を含む混合ガスでアニールして、シリコン酸窒化膜を形成し、
前記シリコン酸窒化膜上にゲート電極を形成する、
工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記8)
半導体基板上にシリコン窒化膜を形成し、
前記シリコン窒化膜を、266Pa以上の圧力下で、N2OとH2を含む混合ガスでアニールしてシリコン酸窒化膜を形成し、
前記シリコン酸窒化膜上にゲート電極を形成する、
工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記9)
前記アニール処理のプロセス温度は、950℃〜1100℃であることを特徴とする付記7又は8に記載の半導体装置の製造方法。
(付記10)
前記混合ガスにおけるH2の流量比は0.01〜0.33であることを特徴とする付記7又は8に記載の半導体装置の製造方法。
(付記11)
シリコン基板上にシリコン酸窒化膜で構成されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
を有し、前記ゲート絶縁膜の膜厚中央部における窒素濃度は、前記シリコン基板との界面における窒素濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
(付記12)
前記ゲート絶縁膜の物理膜厚は、2.5nm以下であることを特徴とする付記12に記載の半導体装置。
【図面の簡単な説明】
【0040】
【図1】従来の直接窒化+N2O酸化法によるSiON膜の形成を説明する図である。
【図2A】図1の従来方法で作製されたnMOSトランジスタのVth特性を示す図である。
【図2B】図1の従来方法で作製されたpMOSトランジスタのVth特性を示す図である。
【図2C】図2Aおよび図2BのトランジスタのVthシフトの表である。
【図3】公知のN2O+H2ガスによるフローティングゲートONO膜の形成を示す図である。
【図4】本発明の実施形態のSiON膜形成の基本原理を説明するための図である。
【図5】図4のSiON膜を用いた半導体装置の製造工程図である。
【図6】実施形態のSiON膜と従来方法によるSiON膜とのVfbを比較したグラフである。
【図7】界面準位密度と、実施形態のN2O+H2アニール処理条件の関係を示すグラフである。
【図8】実施形態の方法で作製したSiON膜の窒素(N)分布および酸素(O)分布を示すグラフである。
【図9】実施形態の方法で作成したSiON膜を有する半導体装置のデバイスC−V特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【0041】
10 半導体装置
11 シリコン基板
12 SiN膜
13 SiON膜
14 界面SiO(N)膜
15 表面SiO(N)膜
16 素子分離(STI)
17 ゲート絶縁膜
18 ウェル
19 ゲート電極
21 ソース・ドレインエクステンション
23 ソース・ドレイン不純物拡散層
【技術分野】
【0001】
本発明は、広くは半導体の分野に関し、特に、界面特性に優れフラットバンド電圧シフトを低減することのできるゲート絶縁膜の形成と、これを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
45nm世代のゲート絶縁膜の物理膜厚は1.2nm以下になるが、ホウ素(B)拡散を防止し、リーク電流を減らすため、ゲート絶縁膜の窒素濃度が高まりつつある。従来、シリコン酸化膜(SiO2)を熱プロセスやプラズマ窒化プロセスにより窒化する方法があるが、膜中に高い窒素濃度を得ることが困難である。そこで、Si基板を高温で直接窒化した後、形成されたシリコン窒化膜を酸化(後酸化処理)することによって、より高い窒素濃度の酸窒化(SiON)膜を得る方法が用いられている(たとえば、非特許文献1参照)。
【0003】
図1は、直接窒化によりSiON膜を形成する方法を示す概略図である。図1(a)のように、シリコン基板101を窒化で直接窒化して、シリコン窒化膜(以下、適宜、「窒化膜」又は「SiN」膜と称する)102を形成する。その後、図1(b)のように、N2O(亜酸化窒素)ガスで後酸化して、SiON膜(酸窒化膜)103を形成する。しかし、N2Oガスは低温で分解しにくく、窒化膜102を酸化するための酸素を十分に取り込むことができない。高温分解をしても、N2Oは酸素ラジカルO*とNOに分解し、酸化と窒化が同時に進行するようになる。その結果、シリコン界面付近で窒素濃度が高く、ダングリングボンドが低減されずに残り、膜中に電荷が存在する。この電荷に起因して、フラットバンド電圧Vfbのシフトが大きくなる。
【0004】
理想的なSiON膜の構造としては、Si基板101との界面側に、界面特性に優れた薄い酸化膜(窒素濃度の低いSiON膜又はSiOx膜)が存在し、その上に窒素濃度の高い(誘電率の高い)SiON膜が存在することが望ましいが、図1の方法では、十分な量の酸素を界面に供給することができず、図1(c)の窒素濃度分布プロファイルに示すように、SiN/Si界面での窒素濃度が高くなる。その結果、界面準位にトラップされる電荷が増大し、Vfbがシフトする。
【0005】
図2A〜図2Cは、界面欠陥に起因するMOSトランジスタの閾値電圧Vthのシフトを示す図である。図2AはnMOSの、図2BはpMOSのゲート電流Igおよびドレイン電流Idの電圧依存特性を、それぞれ複数種類のサンプルで示すグラフである。基準SiON(ref. SiON)は、シリコン酸化膜へのプラズマ窒化等により所望の電流・電圧特性となるように窒素濃度分布を調整したSiON膜を有するサンプル、SiN−1、SiN−2、SiN−3は、図1の直接窒化+N2O後酸化法により、条件を変えて作製したSiON膜を有するサンプルである。このうち、SiN−3は最適化された条件で作製されたサンプルである。図2Cに示すように、いずれのサンプルも基準SiONからのVthシフトが大きく、特にpMOSでVthシフトが顕著である。
【0006】
一方、図3に示すように、不揮発性メモリのフローティングゲートに用いるONO膜を形成するために、シリコン酸化(SiO2)上にCVD法で成膜されたSiN膜を、N2OガスとH2ガスで表面酸化する方法が知られている(たとえば、特許文献1参照)。この表面酸化処理で、時間の経過とともに、Δtの膜厚に相当するSiN膜の表面領域が酸化されると同時に、表面のSiO2膜が成長する。SiN膜の表面領域のみを酸化するため、成膜圧力が133Pa以下に設定されている。
【非特許文献1】Robust Ultrathin Oxynitride Dielectrics by NH3 Nitridation and N2O RTA Treatment. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS P378. Vol.21, NO.8, August 2000
【特許文献1】特許第3578155号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明は、Vfbシフトと移動度低下を低減し、界面特性にすぐれたゲート絶縁膜構成を有する半導体装置の提供を課題とする。
【0008】
また、そのようなゲート絶縁膜の形成方法の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記課題を解決するために、シリコン窒化膜とシリコン基板の界面まで十分な量の酸素を供給することによって、界面欠陥を低減する。具体的には、N2OにH2を添加して、次の反応を起こさせる。
【0010】
N2O+H2→O*+OH*+NOx
H2の作用で、水酸基ラジカルOH*や酸素ラジカルO*(基底状態を含む原子状の酸素を指す)が生成される。これらの原子は、O2分子に比べて小さいため、SiNx膜を透過しやすい。したがって、速やかにシリコン窒化膜とシリコン基板との界面(SiN/Si界面)に到達してSiと反応して、窒化膜とシリコン基板の界面に良質なSiOx膜を形成することができる。
【0011】
第1の側面では、良好な界面特性を有する膜形成方法を提供する。この方法は、
(a)シリコン基板を窒化して、シリコン窒化膜を形成し、
(b)前記シリコン窒化膜を、N2OとH2を含む混合ガスでアニールして、シリコン酸窒化(SiON)膜を形成する、
工程を含む。
【0012】
第2の側面では、膜形成方法は、シリコン基板上に形成したシリコン窒化膜を、266Pa以上のプロセス圧力下で、N2OとH2を含む混合ガスでアニールしてシリコン酸窒化(SiON)膜を形成する、
ことを特徴とする。
【0013】
好ましくは、これらの方法において、アニール処理のプロセス温度は、950℃〜1100℃である。アニール処理において基板とシリコン窒化膜との界面にSiO2が形成される。SiO2の形成による体積膨張が生じるが、上記の温度でのアニール処理であれば、高温での上の高いN層の伸びにより、緩和され、対応される。低温の場合より、エネルギー的に有利になる。
【0014】
上述した膜形成方法は、半導体装置のゲート絶縁膜の形成に適用することができる。
【0015】
第3の側面では、半導体装置の構成を提供する。半導体装置は、
(a)シリコン基板上にシリコン酸窒化(SiON)膜で構成されるゲート絶縁膜と、
(b)前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
を有し、前記ゲート絶縁膜の膜厚中央部における窒素濃度は、前記シリコン基板との界面近傍における窒素濃度よりも高いことを特徴とする。
【発明の効果】
【0016】
上記の方法および構成によれば、界面欠陥を低減し、移動度低下とVfbシフトを低減した半導体装置を提供することができる。また、良好な窒素濃度分布によりゲート絶縁膜の物理膜厚を確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0017】
以下、添付図面を参照して、本発明の良好な実施形態を説明する。図4は、本発明の一実施形態に係るSiON膜形成の基本原理を説明するための図である。まず、図4(a)に示すように、シリコン基板11にシリコン窒化膜12を形成する。シリコン窒化膜12は、たとえばシリコン基板11を高温窒化して直接窒化にて形成することができる。
【0018】
その後、図4(b)のように、N2O(亜酸化窒素)にH2を添加した混合ガスでアニールして、シリコン基板11との界面に、窒素(N)濃度よりも酸素(O)濃度のほうが高いSiO(N)膜14が形成される。この界面SiO(N)膜14を、従来の手法で形成される酸素濃度が不十分な界面SiO(N)膜と区別する意味で、「高酸素濃度SiO(N)膜14」と称する。
【0019】
なお、図示の簡略化のため、シリコン基板11の表面上に積層膜構造14、13、15が位置するように図示されているが、界面SiO(N)膜14の少なくとも一部はシリコン基板11内部に位置し、ほぼSiOxの組成となる。
【0020】
一方、シリコン窒化膜12の表面領域は、酸化雰囲気(N2O+H2アニール)に露出しているので酸素濃度の高いSiO(N)膜15となる。表面SiO(N)膜15の酸素濃度は、界面SiO(N)膜14よりも高い。シリコン窒化膜12の中間領域は、シリコン界面と窒化膜表面に比較して窒素濃度の高いSiON膜13となる。
【0021】
このアニール処理では、酸化性ガスとしてO2を、還元ガスとしてH2を含む混合ガスが用いられる。H2ガスの作用で次の反応が起きる。
【0022】
2NO+2O2+H2→4NO+2OH*+2O* (1)
生成された水酸基ラジカルOH*と酸素ラジカルO*は、酸素分子よりも小さいので、SiN膜12を透過しやすい。すなわち、N2OやO2よりも容易にシリコン界面に到達して、Siと反応して良質なSiOx膜14を形成する。また、OH*とO*はシリコン界面よりも上方のSiN膜12をSiON膜13にする。なお、SiN膜12の表面領域は、表面酸化されてSiO(N)膜15となる。
【0023】
SiN膜12を透過しやすい水酸基ラジカルOH*と酸素ラジカルO*を用いたので、最終的な絶縁膜の窒素濃度プロファイルは、図1(c)に示すように、シリコン界面と表面領域で酸素濃度が高く、膜の中間領域で窒素濃度が高くなる(誘電率が高くなる)、理想的なプロファイルとなる。これにより、界面付近でのダングリングボンドを低減し、界面電荷を低減することができる。
【0024】
図5は、図4の絶縁膜構成を適用した半導体装置の製造工程図である。通常は、ウェーハ上に異なる種類のトランジスタ(メモリセルと周辺回路、フラッシュメモリと高電圧/低電圧トランジスタなど)や、異なる導電型のトランジスタを同時に作り込むが、以下の説明では、簡略化のためひとつのトランジスタに着目して説明する。
【0025】
まず図5(a)に示すように、素子分離領域(STI)16とウェル18が形成されたシリコン基板11の(001)面の表面を清浄化して、直接窒化により膜厚2.5nm以下、たとえば1.2nm〜2.0nmのシリコン窒化膜12を形成する。直接窒化は、たとえばNH3窒化、N2/H2ガスを用いた熱窒化、プラズマ窒化、CVD窒化などであり、プラズマ窒化の場合は、N2、Ar/N2、Xe/N2、O2、又はこれらの混合ガスを原料ガスとすることができる。直接窒化により、シリコン基板11の界面にSi−Nボンドが形成され、シリコン窒化膜12が形成される。
【0026】
次に、図5(b)に示すように、シリコン窒化膜12を、N2OとO2に、H2を添加した混合ガスでアニールする。アニール温度は950℃〜1100℃、プロセス圧力は266Pa(2torr)以上である。全体の流量(N2Oガス+H2ガス)に対するH2ガスの流量比(H2/N2O)は0.01〜0.33である。このH2/N2O混合ガスを用いたアニール処理において、還元ガスH2の作用により、酸素ラジカルと水酸基ラジカルが生成される。酸素分子よりもサイズの小さなこれらのラジカルは、シリコン窒化膜12を透過して、シリコン界面でSi−O−Nボンドを形成する。これにより、シリコン界面に従来方法のSiO(N)膜よりも酸素濃度の高い高酸素濃度SiO(N)膜14が形成される。なお、シリコン窒化膜12の露出面もSi−O−Nボンドが形成され、酸素濃度が界面SiO(N)膜14よりも高いSiO(N)膜15が形成される。シリコン窒化膜12の中間領域は、シリコン界面や表面領域よりも窒素濃度の高い(高誘電率の)SiNO膜13となる。SiNO膜13の窒素濃度分布のピーク濃度は、20〜30atm%である。界面SiO(N)膜14、SiNO膜13、および表面SiO(N)膜14でゲート絶縁膜17を構成する。
【0027】
次に、図5(c)に示すように、全面にポリシリコン膜を形成し、フォトリソグラフィ法とエッチングにより所定の形状にパターニングしてゲート電極19を形成し、ゲート電極19をマスクとして不純物イオンを注入して、ソース・ドレインエクステンション21を形成する。n型ウェル18にp型MOSFETを形成する場合は、p型ドーパントとしてB(ホウ素)、BF(フッ化ボロン)、BF2(2フッ化ボロン)等を注入し、p型ウェル18にn型MOSFETを形成する場合は、As(ヒ素)、P(リン)等を注入する。
【0028】
次に、図5(d)に示すように、全面にゲート電極19の側壁にサイドウォールスペーサ22を形成し、不純物イオン注入により、ソース・ドレイン不純物拡散層23を形成する。サイドゥオールスペーサ22は、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、あるいはこれらの二重構造としてもよい。サイドゥオールスペーサ22の形成時の異方性エッチングで、余分なゲート絶縁膜17は除去される。その後、図示はしないが、ゲート電極19の表面およびソース・ドレイン不純物拡散層23の表面を洗浄してシリサイドを形成する。
【0029】
このような半導体装置は、ゲート絶縁膜17とシリコン基板11の界面において、十分な酸素濃度を確保でき、界面電荷が低減され、Vfbシフトを防止することができる。
【0030】
図6は、シリコン基板を直接窒化した後に、異なる後酸化方法により形成したゲート絶縁膜を有するサンプルのVfbシフトを比較するグラフである。各サンプルのVfbシフト値は、コロナ放電電荷(corona charge)法で測定した値である。
【0031】
サンプルAとサンプルBは、図4の実施形態の方法、すなわちN2OにH2を添加したガスで後酸化したものであり、サンプルAはアニール条件を950℃、6torr、60sに設定したもの、サンプルBは、アニール条件を1000℃、6torr、25sに設定したものである。サンプルC〜F(ISSG−1〜ISSG−4)は、O2にH2を添加したガスで後酸化したものであり、処理条件を変えたものである。ISSG−1の処理条件は、810℃、7.75torrで10s、ISSG−2の処理条件は、900℃、7.75torrで10s、ISSG−3の処理条件は、900℃、1torr、窒素アニールありで20s、ISSG−4の処理条件は、900℃、1torr、窒素アニールなしで20sである。サンプルGは、図1の従来方法(直接窒化+N2Oアニール)で作製したゲート絶縁膜を有するサンプルである。
【0032】
ターゲットのフラットバンド電圧Vfbは、水平な一点鎖線で示すレベルにあり、SiO2ゲート絶縁膜のVfbを基準としている。図1の従来方法で作製したサンプルGは、SiO2のVfbよりもかなり正の方向にあり、シフトが大きい。これは、分解される酸素原子O*の量が不十分であるため、SiN/Si界面の欠陥(ダングリングボンド)を除去しきれないためである。
【0033】
ISSG(O2+H2アニール)によるサンプルC〜Fでは、処理条件を変えることでVfbを調整できるが、酸化速度が速すぎて制御が困難であり、サンプルFは測定不能となっている。
【0034】
これに対して、実施形態の方法で作製したサンプルAとBでは、Vfbを界面特性に優れたSiO2膜のVfbに近似するように、精度良く制御することができる。
【0035】
図7は、界面準位密度Dit[1/cm2*eV]と、実施形態のEISSG(N2O+H2アニール)処理条件の関係を示すグラフである。図7(a)において、アニール温度が1000℃から」1100℃に上がるにつれ、界面準位密度が低減され、1100℃では、ほぼ基準SiON膜の特性と一致することがわかる。この良好な界面準位密度は、SiN/Si界面に酸素が十分に供給されているからである。これに対して、従来の直接窒化+N2Oアニール(optimized SiN+N2O)では、条件を最適化したサンプルであっても界面準位密度が高く、Vfbシフトや移動度低下の原因となる。
【0036】
また、図7(b)に示すように、N2O+H2アニールのときのプロセス圧力は、2torr(266Pa)から10torr(1333Pa)に上げるにつれ、界面特性に優れたSiO2膜の界面準位密度に近づくことがわかる。
【0037】
図8は、実施形態の方法で作成したゲート絶縁膜中の窒素(N)と酸素(O)の分布を示す図であり、RBS(Rutherford Backscattering Spectrometry)の測定結果である。図中、三角のマークが窒素(N)の濃度、黒の四角が酸素(O)の濃度である。横軸は、直接窒化した窒化膜表面をゼロとして、深さ方向の膜厚であり、シリコン基板との界面は表面から22Åのところにある。この結果から、窒素(N)は、ゲート絶縁膜の中央部分でその濃度が高く成るように分布し、酸素(O)はSiN/Si界面近傍まで、ほぼ一定に分布し、SiN/Si界面においても、窒素(N)濃度の4倍近くである。ここから、実施形態の方法によれば、シリコン基板の直接窒化により得られたシリコン窒化膜を酸化する際に、SiN/Si界面に十分な量の酸素(O)を含むSiO(N)膜が形成されることがわかる。
【0038】
図9(a)と図9(b)は、実施形態の方法で、直接窒化の後にN2O+H2アニール(EISSG処理)を行って形成したゲート絶縁膜を有するnMOSトランジスタとpMOSトランジスタのデバイスC−V特性を示すグラフである。図中、正方形と実線でプロットされたカーブが、実施例のEISSG処理を行ったサンプルのC−V特性、菱形と点線でプロットされたカーブが、所望の特性に調整された量産用のSiON膜(「基準SiON膜」とする)のC−V特性である。Vthシフトは、基準SiON膜と比べて、nMOS側でわずか−30mVのシフト、pMOS側で−80mVであり、図2Cの従来法によるゲート絶縁膜と比較して、Vfbシフトの低減効果が大きいことがわかる。また、移動度(Gm×Teff)は、nMOSで基準SiON膜の100%、pMOSで基準SiON膜の91%にまで近似し、従来のN2Oアニール法と比較して実用に適することがわかる。
【0039】
最後に、以上の説明に関して、以下の付記を開示する。
(付記1)
シリコン基板を窒化して、シリコン窒化膜を形成し、
前記シリコン窒化膜を、N2OとH2を含む混合ガスでアニールして、シリコン酸窒化膜を形成する、
工程を含むことを特徴とする膜形成方法。
(付記2)
シリコン窒化膜を、266Pa以上の圧力下で、前記N2OとH2を含む混合ガスでアニールしてシリコン酸窒化膜を形成する、
ことを特徴とする膜形成方法。
(付記3)
前記アニール処理の温度は、950℃〜1100℃であることを特徴とする付記1又は2に記載の膜形成方法。
(付記4)
前記混合ガスにおけるH2の流量比は0.01〜0.33であることを特徴とする付記1又は2に記載の膜形成方。
(付記5)
前記シリコン窒化膜は、熱窒化、プラズマ窒化、NH3窒化、又はCVD窒化により形成されることを特徴とする付記1または2に記載の膜形成方法。
(付記6)
前記シリコン窒化膜は、膜厚2.5nm以下に形成されることを特徴とする付記1〜5のいずれかに記載の膜形成方法。
(付記7)
シリコン基板を窒化してシリコン窒化膜を形成し、
前記シリコン窒化膜を、N2OとH2を含む混合ガスでアニールして、シリコン酸窒化膜を形成し、
前記シリコン酸窒化膜上にゲート電極を形成する、
工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記8)
半導体基板上にシリコン窒化膜を形成し、
前記シリコン窒化膜を、266Pa以上の圧力下で、N2OとH2を含む混合ガスでアニールしてシリコン酸窒化膜を形成し、
前記シリコン酸窒化膜上にゲート電極を形成する、
工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記9)
前記アニール処理のプロセス温度は、950℃〜1100℃であることを特徴とする付記7又は8に記載の半導体装置の製造方法。
(付記10)
前記混合ガスにおけるH2の流量比は0.01〜0.33であることを特徴とする付記7又は8に記載の半導体装置の製造方法。
(付記11)
シリコン基板上にシリコン酸窒化膜で構成されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
を有し、前記ゲート絶縁膜の膜厚中央部における窒素濃度は、前記シリコン基板との界面における窒素濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
(付記12)
前記ゲート絶縁膜の物理膜厚は、2.5nm以下であることを特徴とする付記12に記載の半導体装置。
【図面の簡単な説明】
【0040】
【図1】従来の直接窒化+N2O酸化法によるSiON膜の形成を説明する図である。
【図2A】図1の従来方法で作製されたnMOSトランジスタのVth特性を示す図である。
【図2B】図1の従来方法で作製されたpMOSトランジスタのVth特性を示す図である。
【図2C】図2Aおよび図2BのトランジスタのVthシフトの表である。
【図3】公知のN2O+H2ガスによるフローティングゲートONO膜の形成を示す図である。
【図4】本発明の実施形態のSiON膜形成の基本原理を説明するための図である。
【図5】図4のSiON膜を用いた半導体装置の製造工程図である。
【図6】実施形態のSiON膜と従来方法によるSiON膜とのVfbを比較したグラフである。
【図7】界面準位密度と、実施形態のN2O+H2アニール処理条件の関係を示すグラフである。
【図8】実施形態の方法で作製したSiON膜の窒素(N)分布および酸素(O)分布を示すグラフである。
【図9】実施形態の方法で作成したSiON膜を有する半導体装置のデバイスC−V特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【0041】
10 半導体装置
11 シリコン基板
12 SiN膜
13 SiON膜
14 界面SiO(N)膜
15 表面SiO(N)膜
16 素子分離(STI)
17 ゲート絶縁膜
18 ウェル
19 ゲート電極
21 ソース・ドレインエクステンション
23 ソース・ドレイン不純物拡散層
【特許請求の範囲】
【請求項1】
シリコン基板を窒化して、シリコン窒化膜を形成し、
前記シリコン窒化膜を、N2OとH2を含む混合ガスでアニールして、シリコン酸窒化膜を形成する、
工程を含むことを特徴とする膜形成方法。
【請求項2】
シリコン窒化膜を、266Pa以上の圧力下で、N2OとH2を含む混合ガスでアニールしてシリコン酸窒化膜を形成する、
ことを特徴とする膜形成方法。
【請求項3】
シリコン基板を窒化してシリコン窒化膜を形成し、
前記シリコン窒化膜を、N2OとH2を含む混合ガスでアニールして、シリコン酸窒化膜を形成し、
前記シリコン酸窒化膜上にゲート電極を形成する、
工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項4】
半導体基板上にシリコン窒化膜を形成し、
前記シリコン窒化膜を、266Pa以上の圧力下で、N2OとH2を含む混合ガスでアニールしてシリコン酸窒化膜を形成し、
前記シリコン酸窒化膜上にゲート電極を形成する、
工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項5】
シリコン基板上にシリコン酸窒化膜で構成されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
を有し、前記ゲート絶縁膜の膜厚中央部における窒素濃度は、前記シリコン基板との界面近傍における窒素濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項1】
シリコン基板を窒化して、シリコン窒化膜を形成し、
前記シリコン窒化膜を、N2OとH2を含む混合ガスでアニールして、シリコン酸窒化膜を形成する、
工程を含むことを特徴とする膜形成方法。
【請求項2】
シリコン窒化膜を、266Pa以上の圧力下で、N2OとH2を含む混合ガスでアニールしてシリコン酸窒化膜を形成する、
ことを特徴とする膜形成方法。
【請求項3】
シリコン基板を窒化してシリコン窒化膜を形成し、
前記シリコン窒化膜を、N2OとH2を含む混合ガスでアニールして、シリコン酸窒化膜を形成し、
前記シリコン酸窒化膜上にゲート電極を形成する、
工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項4】
半導体基板上にシリコン窒化膜を形成し、
前記シリコン窒化膜を、266Pa以上の圧力下で、N2OとH2を含む混合ガスでアニールしてシリコン酸窒化膜を形成し、
前記シリコン酸窒化膜上にゲート電極を形成する、
工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項5】
シリコン基板上にシリコン酸窒化膜で構成されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
を有し、前記ゲート絶縁膜の膜厚中央部における窒素濃度は、前記シリコン基板との界面近傍における窒素濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【公開番号】特開2009−76577(P2009−76577A)
【公開日】平成21年4月9日(2009.4.9)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−242565(P2007−242565)
【出願日】平成19年9月19日(2007.9.19)
【出願人】(308014341)富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 (2,507)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成21年4月9日(2009.4.9)
【国際特許分類】
【出願日】平成19年9月19日(2007.9.19)
【出願人】(308014341)富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 (2,507)
【Fターム(参考)】
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