【課題】本発明の目的は、型締め処理時における金属異物発生の抑制、かつ、モールド金型の長寿命化を図ることが可能な、ヒートシンク付き半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子が集積された半導体チップが設置される上面を上向きにした状態で、ヒートシンク１０を下側金型１１０のステージ１１１に載置する。ヒートシンク１０の上面を上側金型１２０で押さえ付ける。その後、モールド樹脂止め用のスライド金型１３０をスライド移動させて、ステージ１１１上のヒートシンク１０の側面に押し当てる。これにより、ヒートシンク１０が樹脂モールドされる箇所と、ヒートシンク１０が樹脂モールドされずに外部に露出する箇所との境界部分を、モールド金型１００において確実に樹脂止めできる。 （もっと読む）

【課題】 より効率よく基板に実装することのできる半導体装置を提供すること。
【解決手段】 複数のダイパッド部１１と、複数のダイパッド部１１のいずれか一つに各々が配置された複数の半導体チップ４１と、複数のダイパッド部１１のいずれをも露出させる凹部７５が形成され、且つ、複数のダイパッド部１１および複数の半導体チップ４１を覆う封止樹脂部７と、凹部７５に配置された、絶縁性の放熱層６と、を備え、放熱層６は、複数のダイパッド部１１のいずれにも正対しており、放熱層６は、凹部７５が開口する方向に露出している弾性層６９を含み、弾性層６９は、放熱層６の厚さ方向視において、複数のダイパッド部１１のいずれにも重なる。 （もっと読む）

【課題】樹脂モールド時に、突起を設けない従来と同じモールド金型を使用しても、良好なクランプ性を確保しつつ、ヒートシンクの本体部に設けた突起によって、本体部での樹脂バリの発生を抑制できるようにする。
【解決手段】ヒートシンク１０として、本体部１３と、本体部１３から外側に突出した突出片部１４とを有する平面形状であって、突出片部１４の少なくとも一部を樹脂モールド時にクランプに抑えられる被クランプ部１６とし、さらに、ヒートシンク１０の被クランプ部１６を除く部分を、パンチとダイとで挟んでプレスすることで、ヒートシンク１０の他面１２のうち被クランプ部１６を除く少なくとも本体部１３の周縁部に、突起１７が設けられたものを用いる。これによれば、ヒートシンク１０の被クランプ部１６以外をプレスして突起１７を設けることとしたので、ヒートシンク１０の被クランプ部１６の板厚を、突起を設けない従来と同じ厚さにできる。 （もっと読む）

【課題】 樹脂モールド成形時におけるパイプの変形を抑制できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体モジュール2と、上面に半導体モジュール2が接合され側面20,22に冷媒流通用のパイプ14,15が固定された冷却器3と、半導体モジュール2と冷却器3の外周を覆う樹脂モールド層4と、を備え、冷却器3の側面20,22に、側面20,22から突出しパイプ14,15を囲む凸部25,26を設けた。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ小型で高機能なパワーモジュールを得ること。
【解決手段】実施の形態にかかるパワーモジュール１００は、金属ベース３と、前記金属ベース３の上に搭載されたパワー素子９と、前記パワー素子９を制御する部品７を搭載し、貫通穴６を備えた制御基板４と、前記金属ベース３の一面のみ露出させ、前記金属ベース３、前記パワー素子９、及び前記制御基板４を覆って封止する樹脂５とを備える。 （もっと読む）

【課題】ワークをクランプする際に、キャビティ駒がワーク当接面の傾斜に追従してクランプしてワークを破損することなくクランプすることが可能なモールド金型を提供する。
【解決手段】上型キャビティ凹部３の底部を形成するスイベル駒４が昇降かつ傾動可能に支持されており、スイベル駒４は、ワーク当接面と反対面に凸状球面部４ｃが形成されており、対向するガイド駒１６の凹状球面部１６ｃにガイドされて傾動する。 （もっと読む）

【課題】 比較的大きな厚さ公差を有する絶縁基板であっても、簡単な構造の製造装置で、樹脂モールド成形時に絶縁基板を破損することなく、また樹脂のバリの発生をなくすことができるパワー半導体モジュールの構造を提供する。
【解決手段】
パワー半導体モジュール１は、絶縁層１ａを挟む両面にそれぞれ金属パターン１ｂ、１ｃを設けた絶縁基板１Ａ上に、半導体を実装した状態で、これらを樹脂２にてモールドし、絶縁基板１Ａの半導体を実装した面と反対側の面に設けた金属パターン１ｂをモールドした樹脂２から外側へ露出させる。絶縁基板１Ａ上に、パワー半導体モジュール１のモールド成形時の型１１に設けた押圧棒１１ａを受けるための押圧棒受け部材５を、高温で溶融し常温で凝固する温度変形部材６を介して設けた。 （もっと読む）

【課題】 信頼性を向上可能な半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体パッケージ１は、パッケージ基板８０、およびパッケージ基板８０の上に実装されるチップ積層体１０を備える。チップ積層体１０とパッケージ基板８０とは、チップ積層体１０の第１半導体チップ１００とパッケージ基板８０との間に配置されるソルダボール１１０を介して電気的に連結される。第１半導体チップ１００の上には第２半導体チップ２００が積層される。第２半導体チップ２００の上面２００ｓは、平坦化されたモールディング膜３５０に覆われることなく露出し、放熱膜４０１と直接接触する。これにより、第１半導体チップ１００および第２半導体チップ２００で発生する熱は、放熱膜４０１を通じて容易に放出することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡易な方法で半導体パッケージ部と放熱フィンとの間の密着性を高め、放熱性を高めることができる半導体装置を提供する事を目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、放熱フィン１３、１４と、放熱フィン１３、１４上面の一部を露呈して当該上面に接合された絶縁シート４と、絶縁シート４上に配置されたヒートスプレッダ２と、ヒートスプレッダ２上に配置されたパワー素子１と、放熱フィン１３、１４上面の一部を含む所定の面と、絶縁シート４と、ヒートスプレッダ２と、パワー素子１とを覆って形成されたトランスファーモールド樹脂８とを備え、放熱フィン１３、１４上面は、絶縁シート４の端部を拘束すべく形成された凸形状および／又は凹形状を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を実装したアイランドに固定される固定部材の露出面を封止部材から確実に露出させ得る半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】アイランド２１，３１が形成されたリードフレーム２０，３０を用意し、アイランド２１，３１の他側面２１ｂ，３１ｂに固定部材５０を固定し、アイランド２１，３１の一側面２１ａ，３１ａにパワー素子１１，１２を実装し、固定部材５０およびパワー素子１１，１２が取り付けられたアイランド２１，３１を金型７０内に配置して、型締時にこの金型７０に設けられる押圧部（７３，７４）により露出面５０ａが金型７０の内壁面７２ａに面接触するように固定部材５０を内壁面７２ａに向けて押圧し、金型７０内にモールド樹脂６０を構成する封止用材料を注入して固定部材５０の露出面５０ａが露出するように半導体素子およびアイランドを封止する。 （もっと読む）

【課題】簡易な手順でダイパッドの裏面に樹脂バリが形成されるのを防ぐ。
【解決手段】ダイパッド１１４の一面と反対側の裏面は、封止樹脂１３０の一面から露出して形成されている。また、封止樹脂１３０の一面には、中央部構造体１０９の最外縁の少なくとも一の第１の辺および当該第１の辺に隣接する第２の辺にそれぞれ並んで配置された凹部１２６が設けられている。ここで、凹部１２６の深さは、当該中央部構造体の最外縁の高さ以上である。 （もっと読む）

【課題】絶縁層へのダメージを防ぎつつヒートシンクを容易に搬送することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】側面に溝１２又は突起３４を有するヒートシンク１０を形成する。ヒートシンク１０の上面に絶縁層１４を形成する。絶縁層１４を形成したヒートシンク１０の溝１２又は突起３４にメカチャック２４のツメ２６を引っ掛けて、メカチャック２４によりヒートシンク１０を加熱された下金型２８内に搬送する。下金型２８内に搬送したヒートシンク１０の絶縁層１４上に、電力半導体素子１８が実装されたフレーム１６を実装する。下金型２８及び上金型３０内にモールド樹脂２２を流し込んで、ヒートシンク１０の一部、フレーム１６の一部、及び電力半導体素子１８をモールド樹脂２２で封止する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の動作に対する信頼性に優れた樹脂封止型半導体装置を提供する。
【解決手段】外装体１４と、その外装体１４の内部に収納されると共に、その外装体１４から端部が突出したリードフレーム１１と、その外装体１４の内部に収納され、リードフレーム１１に実装された半導体素子１２と、を備え、外装体１４は、局所的に偏在する多孔質フィラー１５を含有した封止樹脂で形成されている。これにより、効率的な放熱が可能な樹脂封止型半導体装置とその製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】冷媒流路を増やすことなく、冷却効率を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置１００は、絶縁基材１０と、絶縁基材１０に埋設されるとともに、絶縁基材１０によって封止された半導体素子２０と、絶縁基材１０により構成され、半導体素子２０を冷却するための冷媒が流れる冷媒流路６０と、を有し、絶縁基材１０は、冷媒流路６０を構成する流路構成面に周囲よりも突出した複数の突起１１を備える。 （もっと読む）

【課題】樹脂モールド部の隙間に起因する冷媒漏れを抑制できる半導体モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体モジュール１を構成するユニット１０の樹脂モールド部２０を形成する際に、熱硬化性樹脂モールド部２１よりも先に熱可塑性樹脂モールド部２を形成しておき、その後、熱硬化性樹脂モールド部２１を形成する。これにより、硬化前の熱硬化性樹脂の高い密着力に基づいて、熱硬化性樹脂モールド部２１と熱可塑性樹脂モールド部２２との間の界面の密着力を高くすることが可能となり、これらの界面の隙間を無くすことが可能となる。したがって、この界面を通じての冷却水漏れを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】従来の圧接型の半導体装置と比較して簡素な構造で半導体素子を位置決めすることができ、半導体素子の絶縁性及び耐圧性を確保しつつ、耐熱性に優れると共に製造コストが低減された半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置Ｓは、半導体素子９と、これを挟持するエミッタ端子１ａ、ゲート端子１ｂ、及びコレクタ端子２ａとの外周を覆うように硬化性樹脂３が付与されると共に、エミッタ端子１ａ、ゲート端子１ｂ、及びコレクタ端子２ａ（電極端子）には、これらの電極端子を位置決めする係止部（窪み部１ｅ，２ｅ）が設けられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ半導体素子を搭載し、小型化・大容量化したパワー半導体や、高温動作可能なＳｉＣ半導体素子を搭載したパワー半導体装置等の高温動作対応の半導体素子を用いたパワー半導体装置の厳しいヒートサイクル環境下における熱応力の発生を抑制した構造のパワー半導体装置を得ることを目的としている。
【解決手段】半導体素子２と、半導体素子２が搭載されたリードフレーム３と、リードフレーム３に絶縁シート５を介して配置された金属材料６、９とが、封止樹脂７で封止さる。金属材料６、９は露出しており、半導体素子２に対して金属材料６、９の位置とは反対側である封止樹脂７の面に、樹脂組成物層８が設けられ、樹脂組成物層８の無機充填材の充填率が封止樹脂７の無機充填材の充填率以下である。 （もっと読む）

【課題】接着剤を用いずに、放熱板を封止樹脂に固定する。
【解決手段】半導体装置は、配線基板１０と、配線基板１０の表面に固着された半導体素子１２と、配線基板１０と半導体素子１２とを電気的に接続する金属線１３と、配線基板１０、半導体素子１２及び金属線１３を封止する封止樹脂１８と、封止樹脂１８に圧着された放熱板１４とを備えている。放熱板１４の表面及び放熱板１４の側面の一部は、封止樹脂１８から露出している。 （もっと読む）

【課題】基板上にバンプを介して半導体素子を搭載し、半導体素子における基板側に放熱板を設けるとともに、半導体素子と基板との間にアンダーフィルを充填してなる半導体装置において、アンダーフィル内のボイド発生を極力防止する。
【解決手段】基板１０の一面上にバンプ３０を介して半導体素子２０を搭載し、半導体素子２０における基板１０側の一面に放熱板４０を設けるとともに、半導体素子２０の一面と基板１０との間にアンダーフィル６０を充填してなる半導体装置において、基板１０の一面から他面へ貫通する貫通穴１１を設け、放熱板４０を、貫通穴１１に対して貫通穴１１の内面と隙間を有した状態で挿入するとともに、基板１０の他面より突出させ、放熱板４０と貫通穴１１の内面との隙間を、アンダーフィル６０注入用の注入口１２とし、この注入口１２を介して基板１０と半導体素子２０との間にアンダーフィル６０を充填する。 （もっと読む）

【課題】コスト低減、信頼性向上、冷却性向上、小型化、パワー素子温度検出の容易化が可能な半導体パッケージおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体パッケージ１００は、金属板１１０、パワー素子１１２、ダイパッド１１４を有するリードフレーム１１６、絶縁性を有する樹脂シート１２４、パワー素子１１２を制御する制御回路１２６、モールド樹脂１３０を有する。パワー素子１１２がダイパッド１１４上に搭載され、ダイパッド１１４が樹脂シート１２４を介して金属板１１０上に搭載されている。樹脂シート１２４は、少なくともダイパッド１１４の下面を包含し、かつ、金属板１１０よりも小さく、制御回路１２６は、金属板１１０上であって、パワー素子１１２の搭載領域以外の領域に配置されている。 （もっと読む）