【課題】封止材により封止された半導体装置において、リードに電気的に接続されて固着された電子デバイスと、該電子デバイスに電気的に接続される必要のないリードとのショートの回避を図る。
【解決手段】アイランド１１に導電性ペースト１５を介して半導体チップ２０が固着されている。このアイランド１１に向かって複数のリード１２，１２Ａ，１２Ｂが延びている。電子デバイス３０は、該電子デバイス３０に電気的に接続される必要の無いリード１２Ａの両側に並列するリード１２の各表面上で、該表面上に形成された複数の導電突起体１４によって支持され、導電性ペースト１５を介して固着されている。これにより、電子デバイス３０と、電子デバイス３０に接続される必要の無いリード１２Ａの表面との間には、それらのショートを回避するのに十分な離間距離Ｄ１が確保される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、リードフレーム固定材で固定したリードフレームを使用した半導体装置において、リードフレーム固定材に無機フィラーを高充填率で充填しなくても、半田リフロー過程で内部剥離を生じることなく、かつ固定材として高接着性を有するリードフレーム固定材等を提供することである。
【解決手段】本発明のリードフレーム固定材は、１分子中に３個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂（Ａ）とナフタレン型エポキシ樹脂（Ｂ）とを含有し、硬化物とした際のガラス転移温度が１７８℃以上である。 （もっと読む）

【課題】切断屑の飛散と切断屑の残留とを簡易な構成により抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体装置２００の外部リード（リード２０１）の先端部２０２をダイ２０と押さえ部材４０とで挟持した状態で、ダイ２０とパンチ５０とによる剪断によって先端部２０２を切断する工程と、ダイ２０と押さえ部材４０とを離間させる工程を有する。押さえ部材４０には、押さえ部材４０におけるダイ２０側の面よりダイ２０側に突出する弾性体（例えば板状弾性体８０）が設けられている。ダイ２０と押さえ部材４０とで外部リードを挟持する際には、弾性体をダイ２０により押してダイ２０とは反対側へ弾性変形させる。ダイ２０と押さえ部材４０とを離間させることにより、弾性体をダイ２０側へ弾性復帰させ、切断により切断屑２０３となった先端部２０２を弾性体によって押さえ部材４０及びダイ２０から払い除ける。 （もっと読む）

【課題】アイランドの表面に対して平行に半導体チップを固着して、半導体チップとリードのショートの回避を図ると共に、熱膨張による応力を起因としたクラック等の損傷の防止を図る。
【解決手段】アイランド１１の表面に複数の第１の導電突起体１４が配置されている。このアイランド１１上には、アイランド１１よりも大きな第１の半導体チップ２０が、第１の導電突起体１４に支持されて導電性ペースト１５を介して固着されている。アイランド１１上に固着された第１の半導体チップ２０は、ボンディングワイヤ１３及びリード１２の一部を覆う封止材１６により封止されている。この構成により、第１の半導体チップ２０は、第１の導電突起体１４の高さに応じて、アイランド１１の表面に対して平行に離間距離を保ち、また、リード１２の端との間でも、ショートを回避するのに十分な離間距離を保つ。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッド部を有するインナーリード、外部端子となるアウターリード、半導体素子を搭載するダイパッドおよびダイパッドを支える吊りリードからなるリードフレームにおいて、インナーリードの変形、電気的短絡を防止し、優れたワイヤボンディング性を有するリードフレームを形成すること。
【解決手段】少なくともボンディングパッドと反対面のインナーリード先端を、各インナーリードが連なるように、無機系接着剤を介してセラミックス部材にて固定したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】封止性能が向上したダイパッド露出型パッケージの半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置１０は、以下の構成を備えている。裏面に、平面視で外縁に沿って、当該外縁よりも内側に設けられた凸部２２２を備えるダイパッド２２０と、ダイパッド２２０の裏面の反対側の一面に搭載された半導体チップ１００と、ダイパッド２２０から間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子２４０と、ダイパッド２２０、半導体チップ１００、および複数のリード端子２４０の少なくとも一部を封止した封止樹脂３００と、を備えている。ダイパッド２２０の裏面のうち、凸部２２２および凸部２２２によって囲まれた領域２２４は、封止樹脂３００の下面から露出しており、凸部２２２の頂面は、封止樹脂３００の下面と同一面を形成している。 （もっと読む）

【課題】一括モールドタイプの半導体装置に用いられるリードフレームを配列したフレームを提供する。
【解決手段】各リードフレーム１０における吊りリード２で支持されたダイパッド３上にそれぞれ半導体素子を配列し、それらの半導体素子を一括してモールドした後、各リードフレーム１０の端子部５を残すようにしてグリッドリードＬのところをダイシングソーで切断して個々の樹脂封止型半導体装置を得るために用いられるフレームＦであって、フレームＦのグリッドリードＬを切断し個片化することにより、封止樹脂の切断面及び封止樹脂下面の端部に端子部５が複数隣接して形成されるものであり、各端子部５の付け根付近に、ダイシングソーによるカットラインのところからグリッドリードＬの一部にまで食い込んで形成された側面からのくぼみを設ける。 （もっと読む）

【課題】インナーリードの加工限界の制約の下で、電流が多く流れる電源供給用のパッド１３等と、対応する１本のインナーリードとの間を複数本の金属細線でワイヤーボンドして電流容量を確保する。
【解決手段】リードフレーム本体から延びた４本の吊りリード１０によって、１つのアイランド１１の４つの角部が支持されており、このアイランド１１に向けて複数本のインナーリード１２ａ、１２ｂが延在している。複数本のインナーリード１２ａ、１２ｂの中でインナーリード１２ａを両隣のインナーリード１２ｂよりアイランド１１に近い位置まで延在させ、且つ其の先端部の面積をインナーリード１２ｂの先端部の面積より大きく形成する。アイランド１１に固着された半導体チップ１４上の電流が多く流れる電源供給用のパッド１３等と対応するインナーリード１２ａの先端部とを複数の金属細線でワイヤーボンドする。 （もっと読む）

【課題】ダイパッドの側面およびダイパッドの裏面に半田が流れてしまう不具合を防止することが可能なリードフレームおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム１０は、金属製のダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に設けられたリード部１２とを備えている。ダイパッド１１は、半導体素子２１が搭載される搭載領域１５と、搭載領域１５を帯状に囲む半田流出防止用の半田流出防止領域１６とを含んでいる。半田流出防止領域１６は、搭載領域１５に対して粗面化されているので、半田部２２の流れを半田流出防止領域１６で止めることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、外部端子の総数を増加させること無く、かつ、信号の伝送特性の著しい悪化を伴うこと無く、信号用ボンディングワイヤにおけるクロストークノイズを低減する構成を提供する。
【解決手段】マウントアイランドに接続された接地用リードを設ける。隣接して併走する信号用ボンディングワイヤおよび接地用ボンディングワイヤのワイヤプロファイルを揃える。信号用ボンディングワイヤおよび信号用リードの接続部分の高さと、接地用ボンディングワイヤおよび接地用リードの接続部分の高さを揃える。 （もっと読む）

【課題】ダイパッド露出型の半導体装置においてダイパッドを封止体から露出させる。
【解決手段】ダイパッド１ｃと、ダイパッド１ｃの周囲に配置されたバスバー１ｄと、バスバー１ｄの周囲に配置された複数のインナリード１ａと、ダイパッド１ｃの上面１ｃａ上に搭載された半導体チップ２と、半導体チップ２の複数の電極パッド２ｃと複数のインナリード１ａとを電気的に接続する複数のワイヤ４と、ダイパッド１ｃの下面１ｃｂが露出するように半導体チップ２を封止する封止体３と、封止体３から露出する複数のアウタリード１ｂとを有し、封止体３の厚さ方向において、バスバー１ｄは、インナリード１ａとバスバー１ｄとの間隔がバスバー１ｄと封止体３の実装面３ｂとの間隔と同じ、又はバスバー１ｄと封止体３の実装面３ｂとの間隔より大きくなるように、インナリード１ａと封止体３の実装面３ｂとの間の高さに配置されている。 （もっと読む）

【課題】タイバーカット跡が残ることに起因した、隣り合うアウターリード部間の絶縁性低下が生じないタイバー除去方法の提供。
【解決手段】リードフレームの各アウターリード部を連結するタイバーを除去するタイバー除去方法であって、前記リードフレームのアイランド上にマウントされた半導体チップと、前記リードフレームの各インナーリード部とを封止材料でパッケージングした後、前記アウターリード部を前記タイバーとの境界線より内側において切り欠き、当該アウターリード部の切り取られた部分と共に前記タイバーを除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アセンブリ段階において外部磁場から磁気メモリチップを保護する。
【解決手段】主面に磁気メモリ素子および複数のワイヤボンドパッドが形成された磁気メモリチップを準備する。シリコンより高透磁率を有する第１の磁気シールド板を磁気メモリチップの主面に搭載する。磁気メモリチップをリードフレームのダイパッド上に搭載しダイアタッチフィルムにより接着する。磁気メモリチップのワイヤボンドパッドとリードフレームのリードとをワイヤで電気的に接続する。磁気メモリチップ、磁気シールド板、ワイヤ及びリードの一部を樹脂により封止する。複数の磁気メモリチップを有するシリコンウェハを準備し、シリコンウェハの裏面を研削することによりシリコンウェハを所定の厚さまで薄くしてダイアタッチフィルムを張り付けた後にシリコンウェハをダイシングして各々がダイアタッチフィルムをその裏面に有する複数の磁気メモリチップを形成する。 （もっと読む）

【課題】樹脂バリの形成を防止しつつ、封止樹脂にクラックが発生することを防止する。
【解決手段】半導体装置は、半導体チップ１と、上面に接着部材３を介して半導体チップ１が固着されたダイパッド２Ａ、ダイパッド２Ａの周囲に配置されたリード２Ｂ、及びダイパッド２Ａに接続された吊りリード２Ｃを有するリードフレーム２と、半導体チップ１とリード２Ｂとを電気的に接続する金属細線４と、半導体チップ１、ダイパッド２Ａ、リード２Ｂ、吊りリード２Ｃ及び金属細線４を一体的に封止する封止樹脂５とを備えている。ダイパッド２Ａにおける周縁部２ｐには、段差部６が設けられている。ダイパッド２Ａにおける周縁部２ｐ以外の部分の下面は、封止樹脂５から露出されている。段差部６内には、封止樹脂５が入り込んでいる。段差部６の深さは、段差部６の段差面からダイパッド２Ａの側面に向かって大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】所望のスタンドオフ高さを任意に調節し、リード加工をすることができる半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】図１に示すように、リード５を備えている半導体装置１を収容する装置受けダイ３０と、装置受けダイ３０より外側に、かつ下側に設けられており、リード５の平坦部が接触する曲げダイ１０と、曲げダイ１０と対向するように配されており、かつリード５を曲げダイ１０の上面との間に挟み込むことにより、成形する曲げパンチ１１０と、装置受けダイ３０と曲げダイ１０との高さの差を調節するための位置調整手段６０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの搭載時における位置ずれや短絡不良の発生が抑制される半導体装置を提供する。
【解決手段】端面ＣＥＧを有し、電気回路を含む半導体素子ＣＨＰと、半導体素子ＣＨＰの電気回路と電気的に接続される複数のリードフレームＬＦと、半導体素子ＣＨＰを覆うように形成される樹脂材料ＭＲとを備えている。上記リードフレームＬＦの半導体素子ＣＨＰ側の端部には半導体素子ＣＨＰの端面ＣＥＧに沿って延びるとともに半導体素子ＣＨＰの端面ＣＥＧに連なる裏面ＣＨＰｂに対向する位置にまで延びる半導体素子保持部ＩＬ１，ＩＬ２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止をした半導体パッケージの製作段階で用いられ、該パッケージの薄型化、小型化、多ピン化等に有利なリードフレームと、その製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム１は、半導体パッケージ４個分の形状パターン形成領域２と、外縁部３と境界部４とを有する枠体部５とからなっている。そして、形状パターン形成領域２は、ハーフエッチング加工で枠体部５より薄く形成されていて、そこにはさらにエッチング加工をすることによって、インナーリード７、アウターリード８、ダイパッド９等の形状が形成されている。また、外縁部３には、インナーリード７等を形成すときのエッチング加工によって複数のパイロットホール６が形成されている。このリードフレーム１は、全体を撓み易くせずに、形状パターン形成領域２だけを薄くしているので、従来の製造装置によって、半導体素子を支障なく組み付けることが可能である。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの接続の信頼性を高めるとともに、タブとレジンとの剥離を抑止した半導体装置を提供する。
【解決手段】封止体２の一面に露出するタブ４，タブ吊りリード及び複数のリード７と、封止体２内に位置しタブ４の表面に接着剤５で固定される半導体素子３と、半導体素子３の電極とリード７を電気的に接続する導電性のワイヤ２５と、半導体素子３の電極と半導体素子３から外れたタブ４の表面部分を電気的に接続する導電性のワイヤ２５とを有するノンリード型の半導体装置１であって、タブ４はその外周縁が半導体素子３の外周縁よりも外側に位置するように半導体素子３よりも大きくなり、半導体素子３が固定される半導体素子固定領域と、ワイヤ２５が接続されるワイヤ接続領域との間の前記タブ４表面には、半導体素子固定領域を囲むように溝２０が設けられている。タブ４はその断面が逆台形となり、周縁はパッケージ２内に食い込んでいる。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤとの接続信頼性を向上させることのできるリードフレーム及び半導体装置を提供する。
【解決手段】リードフレーム１は、半導体素子２１が搭載されるダイパッド３と、そのダイパッド３の周囲に複数配置されたインナーリード７と、そのインナーリード７と一体的に構成されるアウターリード８とを含む基板フレーム２を有している。封止樹脂２３によって封止される領域であって、少なくともボンディングワイヤ２２が接続される部分の基板フレーム２上、つまりインナーリード７上には４層のめっき１５Ａが施されている。この４層のめっき１５Ａは、Ｎｉ又はＮｉ合金からなる第１めっき層１１と、Ｐｄ又はＰｄ合金からなる第２めっき層１２と、Ａｇ又はＡｇ合金からなる第３めっき層１３と、Ａｕ又はＡｕ合金からなる第４めっき層１４とを有している。 （もっと読む）