【課題】ボンディングワイヤ長を長くすることなく、ワイヤ流れの発生を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム材１の表面側に形成した金属めっき層３，４をレジストマスクとして表面側からリードフレーム材１に所定深さのハーフエッチング加工を行い、外枠の一部又は全部と導体端子６及び中継端子７とを突出させ、リードフレーム材１に半導体素子８を搭載した後、半導体素子８とそれぞれ対応する導体端子６との間を直接、または中継端子７を中継してボンディングワイヤ９によって接続し、半導体素子８、導体端子６、中継端子７、及びボンディングワイヤ９を含むリードフレーム材１の表面側を樹脂封止し、リードフレーム材１の裏面側に、裏面側に形成された金属めっき層３をレジストマスクとしてエッチング加工を行って、外部接続端子部１３を突出させて独立させる半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極の接合不良を改善することにより、半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体チップ３の表面に形成された複数のボンディングパッド４と複数のリード２とを複数のバンプ電極５を介してそれぞれ接続する半導体装置において、複数のリード２の上面を、平坦な面（最大高さ（Ｒｙ）＝０）ではなく、最大高さ（Ｒｙ）が０μｍよりも大きく、２０μｍ以下の範囲（０μｍ＜最大高さ（Ｒｙ）≦２０μｍ）の粗さを有する半光沢状の面とする。 （もっと読む）

【課題】ダイパッドの裏面が樹脂封止体に覆われない構造の半導体装置を実装する際に、十分な放熱性を確保する。
【解決手段】半導体装置５０は、半導体チップ２と、半導体チップ２が搭載されるダイパッド１と、半導体チップ２に電気的に接続される複数のリード７と、ダイパッド１上において半導体チップ２を樹脂封止する封止体１０とを備える。ダイパッド１における半導体チップ２が搭載された面とは反対側である裏面上に、第１のめっき３層と、第１のめっき層３とは材料が異なる第２のめっき層４とを含む複数のめっき層が形成されている。第２のめっき層４は、第１のめっき層３とは異なる領域を含むように形成されている。 （もっと読む）

【課題】金属板に形成した空隙部分に充填樹脂が充填されたリードフレームにおいて、金属板と充填樹脂の界面に隙間を生じ水分が浸入する問題を防ぐ。
【解決手段】充填樹脂から露出した金属板の表面に貴金属めっき層が形成され、前記充填樹脂と接する前記金属板の表面の酸化膜が前記充填樹脂の極性基と結合することで前記充填樹脂と前記金属板との密着性が高められ前記充填樹脂と前記金属板の間の隙間への水分の浸入を妨げた半導体発光装置用リードフレームを製造する。 （もっと読む）

【課題】樹脂からの導体端子の抜け落ちを防止して製品の品質低下を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】独立した導体端子のワイヤボンディング部を形成する際、下地めっきを２回行ない、第１のエッチングにより下層となる下地めっきをワイヤボンディング部の先端周囲より突出させ、この突出部位を導体端子の側面側へ折り曲げた後、第２のエッチングを行なうことで導体端子の側面に凹部を形成し、この凹部に樹脂が入り込むように樹脂封止を行なう。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子からの光を反射するべくリードフレームの半導体発光素子側の表面に形成した銀めっき層が硫化し黒色化し易い欠点を解消するのと同時にリードフレームへのワイヤーボンディング性を維持した半導体発光装置を得る。
【解決手段】半導体発光素子を搭載するパッド部と、前記半導体発光素子とワイヤーボンディングにより電気接続するリード部とを有するリードフレームであって、該リードフレームの前記半導体発光素子側の表面に銀めっき層と、該銀めっき層の上に銀合金めっき層が積層され、前記銀合金めっき層はＸ成分として、Ｚｎ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｍｇ，Ｃｅ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｎのうち一つ以上を含有し、前記銀合金めっき層の厚さを下層である前記銀めっき層の厚さより薄くした半導体発光装置用リードフレームを用いる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の発光装置は、表面にめっき層を有し、樹脂成形体を介して設けられる少なくとも一対のリードフレームと、リードフレームと電気的に接続される発光素子と、を有する発光装置であって、めっき層は、下地層と、その下地層の上面の一部が露出するよう積層される表面層とを有し、下地層は、樹脂成形体から離間する位置で露出されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ合金の代わりに使用でき、軽量化が図れると共に、原材料費の低減も図れる電子部品材を提供する。
【解決手段】電子部品材は、焼きなまし処理し、引張強度を２００〜３００ＭＰａかつビッカース硬度Ｈｖを６５〜１００にしたＡｌ合金の基材１０の表面に、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｓｎ、Ｓｎ合金、Ｐｄ、Ｐｄ合金、Ａｕ、又はＡｕ合金のいずれか１種又は２種以上で構成される第１のめっき層１３を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を回路基板などに実装する際における、ハンダ不濡れによる接合強度低下を防止する。
【解決手段】半導体チップをリードフレームにマウントおよびワイヤーボンディングしたリードフレーム１１を樹脂１にて封止した後、切断して形成した端子２の先端部４にメッキ１７を施し、次いで、吊りピンを切断することで個片化した半導体装置１６を得る。 （もっと読む）

【課題】樹脂からの端子の抜け落ちを防止して製品の品質低下を抑制できるリードフレーム及びこれを用いた半導体装置並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム１６は、一方側に表面に第１のめっき部１２が形成されたワイヤボンディング部１３を備え、他方側にワイヤボンディング部１３に対応し、表面に第２のめっき部１４が形成された外部接続端子部１５を備え、第１のめっき部１２をワイヤボンディング部１３の先端周囲より突出させ、かつ貴金属めっき層を除く第１のめっき部１２の厚みＴ１を５〜５０μｍとして、ワイヤボンディング部１３の先側周囲に第１の抜止め２３を形成した。製造方法は、第１のめっき部１２を、形成されるワイヤボンディング部１３の先端面に厚めっき２６を施し、更にリードフレーム材２０をエッチング処理することにより形成する。また、半導体装置１０は、このリードフレーム１６を用いた。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、表面粗さが低く、ロールスクラッチのない表面特性を有し、めっきの密着性に優れた銅又は銅合金部材の製造方法とその部材並びにこれをリードフレーム材として備える半導体パッケージを提供する。
【解決手段】本発明は、フィルムラッピング処理された算術平均粗さ(Ｒａ)が０.０２μｍ以上０.０５μｍ未満である表面粗さを有するロールを用いて、圧下量を１０〜５０μｍの範囲内で仕上げ圧延を行う銅又は銅合金部材の製造方法にあり、その製法によって得られ、材料表面に長さが５０μｍ以上及び幅が３μｍ以上である突起状のロールスクラッチが存在しないこと、更に、材料表面の算術平均粗さ(Ｒａ)が０.０５μｍ以下及び最大高さ(Ｒｚ)が０.０８μｍ以下である銅又は銅合金部材にある。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ・フォトカプラ・フォトインタラプタなどに使用される光半導体装置用リードフレームにおいて、近紫外域（波長３４０〜４００ｎｍ）、特に波長３７５ｎｍ近辺を発光するチップ搭載時に反射率が良好で、高輝度かつ放熱性に優れたリードフレーム及びその製造方法を提供する。さらにこの光半導体装置用リードフレームを用いたＬＥＤ用部品を提供する。
【解決手段】金属基材上の、少なくとも片面もしくは両面に、一部もしくは全面に、電析によりめっき皮膜を析出させた後に、前記めっき皮膜の表面平滑化を加工して得られる、ＬＥＤ用部品材料において、針式表面粗さ計による測定での表面粗さＲａを０．０１０μｍ以上であり、かつ原子間力顕微鏡による測定で表面粗さＳａが５０ｎｍ以下であることで、反射率と封止材との密着性を向上させたことを特徴とするＬＥＤ用部品材料。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光の反射率に優れ、高輝度な光半導体装置用リードフレーム及びその製造方法を提供することを課題とする。また本発明は、長期信頼性及びワイヤボンディング性に優れ、外部に露出した箇所における半田付け性に優れた光半導体用リードフレーム及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基体上にワイヤボンディングが施される光半導体装置用リードフレームであって、該基体上に銀又は銀合金からなる反射層が形成され、該反射層上にインジウム、インジウム合金、錫、及び錫合金からなる群から選ばれた金属又は合金からなる耐食皮膜層が厚さ０．００５〜０．２μｍで形成され、該耐食皮膜層上に金、白金、銀を含まない金合金、銀を含まない白金合金からなる群から選ばれた金属又は合金からなる最表層が厚さ０．００１〜０．０５μｍで少なくとも該ワイヤボンディングが施される箇所に形成されている光半導体装置用リードフレーム。 （もっと読む）

【課題】波長５００ｎｍ以下の紫外〜青色領域の光においても、良好な発光輝度を発揮させることを目的とする。
【解決手段】外囲樹脂内に露出するリードフレームの最表面に微粒子が共析した複合めっき層２ａを形成することにより、純Ａｇめっきに比べて可視光から紫外光までの広範囲にわたる波長領域の光の反射率を維持し、良好な発光輝度を発揮させることができる。 （もっと読む）

【課題】リードフレームが変色しにくい半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置において、相互に離隔した第１及び第２のリードフレームと、前記第１及び第２のリードフレームの上方に設けられ、一方の端子が前記第１のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第２のリードフレームに接続された発光素子と、を設ける。そして、前記第１及び第２のリードフレームには、それぞれ、基材と、前記基材の少なくとも上面上に形成され、厚さが２μｍ以上である銀めっき層と、前記銀めっき層上に形成され、前記銀めっき層よりも薄いロジウムめっき層と、を設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体装置用リードフレームとその製造方法において、複数のめっき層を積層する場合におけるめっき層同士の密着性を向上させ、半導体装置の製造工程におけるワイヤーボンド性の低下や実装の際の半田付け性の悪化を抑制するとともに、製造コストの効果的な削減を図る。
【解決手段】 導体基材２０上に下地めっき層２１を形成し、当該下地めっき層２１の上に金属結合性を有する有機被膜２２を介して最表めっき層２３を積層することで、リードフレーム２ａ、２ｂを構成する。有機被膜２２は、主鎖部Ｂ１の両末端に金属結合性の官能基Ａ１、Ａ１を持つ機能性有機分子１１を自己組織化させた単分子膜として構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子パッケージの封止樹脂部から半導体素子載置部材および配線導体が脱落することを防止することが可能な、半導体素子載置部材と配線導体との組合体、半導体素子載置基板およびその製造方法、ならびに半導体素子パッケージおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子載置部材２０と配線導体３０との組合体１５は、コアレス型半導体素子パッケージ１０を構成するものである。組合体１５は、半導体素子１１を載置する載置面２１を有する半導体素子載置部材２０と、半導体素子載置部材２０の周囲に設けられ、半導体素子１１に接続される接続面３１を有する配線導体３０とを備えている。半導体素子載置部材２０の載置面２１および配線導体３０の接続面３１に、封止樹脂部１３との密着性を高めるための突起２２を面上方に向かって突出するよう設けている。 （もっと読む）

【課題】リードフレームのハンドリング性を損なうことなく半導体装置の厚みを薄くすることが可能なリードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム１０は、半導体素子２１を載置する載置面１１ａを有するダイパッド１１と、ダイパッド１１周囲に設けられたリード部１２とを備えている。このうちダイパッド１１の載置面１１ａに、深さが浅い第１凹部１５と、第１凹部１５の中央に位置するとともに深さが深い第２凹部１６とからなる載置凹部１４が形成されている。載置凹部１４内に半導体素子２１を載置することが可能なので、半導体装置２０の厚みを薄くすることができる。 （もっと読む）

【課題】特に近紫外領域の反射率特性が良好であり、長期に輝度の低下が生じない光半導体装置用リードフレーム、その製造方法および光半導体装置を提供する。
【解決手段】導電性基体上に銀または銀合金からなる層が形成された光半導体装置用リードフレームであって、最外層として金、金合金、パラジウム、およびパラジウム合金からなる群から選ばれた金属またはその合金からなる表層を有し、該表層と前記銀または銀合金からなる層との間に、前記表層の主成分である金属材料と銀との固溶体層が形成され、前記固溶体層は、前記表層側から濃度分布を有する光半導体装置用リードフレーム。 （もっと読む）