【課題】パッケージダイシングにおける切削バリの発生を抑制する。
【解決手段】パッケージダイシング工程で、第１段階の切削として、軟らかいレジンブレード１１でリード２ａを含む封止体４ｈの一部分を切削することで、切削バリの発生を抑制することができ、その後、第２段階の切削として、硬い電鋳ブレード１２を用いて切断残存部４ｆである樹脂部のみを切断することでブレード本体の摩耗の進展も遅いため、切り残しの発生も低減でき、その結果、半導体装置の信頼性の向上を図れる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、リードフレーム表面に、樹脂との密着性を向上させるための凹部を形成する場合であっても、ダイシング時のカットストレスによるリードフレームの塑性変形を防止することが可能な、光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、および光半導体装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】リードフレーム表面の前記連結部の近傍以外の領域に前記凹部を形成し、前記連結部の近傍領域には前記凹部を形成しないようにして、前記連結部の近傍領域のリードフレームの厚みを、前記凹部が形成された領域の厚みよりも厚く保つことにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属基板の表面側に内部端子と裏面側に外部端子を一体的に有する端子部を、一平面内に複数個、それぞれ互いに電気的に独立して配置し、前記端子部の内部端子と光半導体素子の端子とを電気的に接続し、前記端子部の裏面を外部に露出させるように全体を樹脂封止した樹脂封止型の光半導体装置に用いられる光半導体装置用リードフレームにおいて、垂直方向に対する剥離力に対して樹脂の脱離を防止することが可能な光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、光半導体装置用リードフレームの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】光半導体装置用リードフレームの表面側に、樹脂との密着性を向上させるための凹部を形成し、前記凹部の内部を、その開口よりも広く形成することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ノイズの影響を抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】モールド樹脂５０を樹脂５０ａに磁性材料５０ｂを混入して構成する領域を有しるものとする。または、隣接するリード３０の間に配置されるモールド樹脂５０を、樹脂５０ａに誘電性材料５０ｃを混入して構成する。これによれば、半導体装置のインダクタンスまたは容量を大きくすることができ、共振周波数を低くすることができる。したがって、増幅されるノイズの周波数を低くすることができ、当該ノイズが増幅されたとしても半導体チップ２０に対する影響を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】パワーＭＯＳＦＥＴなどが封止された小型面実装パッケージの低オン抵抗化を実現する。
【解決手段】シリコンチップ３は、ドレインリードを構成するリード４と一体に形成されたダイパッド部４Ｄの上に搭載されており、その主面にはソースパッド７とゲートパッド８が形成されている。シリコンチップ３の裏面は、パワーＭＯＳＦＥＴのドレインを構成しており、Ａｇペーストを介してダイパッド部４Ｄの上面に接合されている。ソースリードを構成するリード４とソースパッド７は、Ａｌリボン１０によって電気的に接続されており、ゲートリードを構成するリード４とゲートパッド８は、Ａｕワイヤ１１によって電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】幅方向の撓みが少ないリードフレームを提供する。
【解決手段】リードフレーム１０は、第１の方向に沿って延びる側縁部に形成されたレール部１１，１２と、レール部と直交する第２の方向に沿ってレール部から延出された複数のセクションバー１７、１８と、複数のセクションバーに沿って連接された複数の単位リードフレーム２０と、を備え、複数のセクションバーのうちの少なくとも１つは、半抜き加工によって形成された第２の方向に沿って延びるリブ３２を備えた。 （もっと読む）

【課題】寸法安定性と折り曲げ性とを改善した、鉄ニッケル合金のストリップを提供する。
【解決手段】３２≦Ｃｏ＋Ｎｉ≦４５重量％、０≦Ｃｏ≦６．５重量％、０≦Ｃｒ≦６．５重量％、Ｃｕ≦３重量％、Ｓｉ≦０．５重量％、Ｍｎ≦０．７５重量％を含み、残りが鉄と、製錬により生じた不可避の不純物とであり、その微細構造が、再結晶体積率３％〜９７％、および厚み０．５ｍｍ未満である、鉄ニッケル合金ストリップ、およびそれを用いた集積回路リードフレーム。 （もっと読む）

【課題】ソーイング加工時におけるバリの発生を抑えつつ、コネクティングバーの変形を防止することが可能なリードフレームおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム１０は、ダイパッド１５と、ダイパッド１５の周囲に設けられた複数のリード部１６とを含む、複数のリードフレーム要素１４を備えている。隣接するリードフレーム要素１４間において、対応する一対のリード部１６がコネクティングバー１７を介して連結されている。コネクティングバー１７は、リード部１６の長手方向に対して直交して延び、かつ対応する一対のリード部１６間に位置する複数のリード連結部１８と、リード連結部１８間に位置する複数の補強部１９とを有している。コネクティングバー１７のリード連結部１８は、リード部１６より薄肉となる薄肉断面を有し、補強部１９は、リード部１６と同一厚みとなる断面を有している。 （もっと読む）

【課題】 ＩＣカード用のリードフレーム及びその製造方法に関し、新たな固定治具を要することなく、剛性の高いリードフレームを提供する。
【解決手段】 鉄ニッケル合金または銅を含むリードフレーム素材からなり、内部に開口部を有する複数の所定のパターンに耐熱テープを貼付し、前記耐熱テープの他方の面に接触端子パターンを貼付する。 （もっと読む）

【課題】リフローはんだ付けによって配線基板に信頼性よく固定できる新規な構造のリードピンを提供する。
【解決手段】軸部１２と、軸部１２の先端側に設けられて、軸部１２の径より大きな径をもち、外面全体が球状面からなる接続ヘッド部１４とを有し、軸部１２及び接続ヘッド部１４が銅、銅合金、又はコバールから形成されるリードピン１０と、ピン接続部Ｓ２を備えた配線基板２０とを含み、接続ヘッド部１４は、横方向の直径が縦方向の直径より長い楕円球形状からなり、リードピン１０の接続ヘッド部１４がはんだ層３６を介して配線基板２０のピン接続部Ｓ２に接続されており、リードピン１０の接続ヘッド部１４の径は、配線基板２０のピン接続部Ｓ２の径の４０乃至８０％に設定される。 （もっと読む）

【課題】有機基板の使用量を抑えて、製造コストの抑制を図ることのできる半導体記憶装置を提供すること。
【解決手段】半導体記憶装置１０は、一方の面１１ａに外部接続端子１９が設けられた有機基板１１と、半導体メモリチップとを備える半導体記憶装置であって、有機基板の他方面に接着される接着部、および半導体メモリチップ１５が載置される載置部２１を有するリードフレーム１３と、外部接続端子を露出させて、有機基板などを封止するとともに、平面視において略方形形状を呈する樹脂モールド部１８と、をさらに備え、有機基板は、接着部に接着された状態で、平面視において載置部とほとんど重ならない形状に個片化されており、リードフレームには、載置部および接着部の少なくとも一方から、樹脂モールド部の少なくとも２つ以上の辺に向けて延びるように複数の延出部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 発光素子６を封止した発光デバイス１の放熱性を向上させる。
【解決手段】 表面に窪み２が形成されたガラス基板４と、このガラス基板４に接合し、ガラス基板４の側面と、窪み２の底面Ｔと、ガラス基板４の表面Ｈとは反対側の裏面Ｒに露出する部位を有するリードフレーム５ａと、窪み２の底面Ｔの露出したリードフレーム５ａに実装される発光素子６と、発光素子６を覆う封止材８とを備え、リードフレーム５には、露出する窪み２の底面Ｔからガラス基板４の裏面Ｒにかけて銅又は銅合金からなる銅材７が埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】ＱＦＮ(Quad Flat Non-leaded package)の多ピン化を推進する。
【解決手段】半導体チップ２は、ダイパッド部４上に搭載された状態で封止体３の中央部に配置されている。ダイパッド部４の周囲には、ダイパッド部４および吊りリード５ｂと同一の金属からなる複数本のリード５がダイパッド部４を囲むように配置されている。これらのリード５の一端部側５ａは、Ａｕワイヤ６を介して半導体チップ２の主面のボンディングパッドと電気的に接続されており、他端部側５ｃは、封止体３の側面で終端している。リード５のそれぞれは、半導体チップ２との距離を短くするために、一端部側５ａがダイパッド部４の近傍まで引き回されており、隣接するリード５とのピッチは、一端部側５ａの方が他端部側５ｃよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】リードフレームのハンドリング性を損なうことなく半導体装置の厚みを薄くすることが可能なリードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム１０は、半導体素子２１を載置する載置面１１ａを有するダイパッド１１と、ダイパッド１１周囲に設けられたリード部１２とを備えている。このうちダイパッド１１の載置面１１ａに、深さが浅い第１凹部１５と、第１凹部１５の中央に位置するとともに深さが深い第２凹部１６とからなる載置凹部１４が形成されている。載置凹部１４内に半導体素子２１を載置することが可能なので、半導体装置２０の厚みを薄くすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子載置部材およびリード部とはんだとの接触面積を広くすることにより、半導体素子載置部材およびリード部とはんだとの密着性を高めることが可能なリードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム１０は、半導体素子２１を載置する半導体素子載置部材１１と、半導体素子載置部材１１の周囲に設けられ、半導体素子２１と電気的に接続されるリード部１２とを備えている。半導体素子載置部材１１の外面１１ｂに配線用のめっき部材１４が形成され、リード部１２の外面１２ｂに配線用のめっき部材１５が形成されている。また外面１１ｂ、１２ｂに連なる側面１１ｃ、１１ｄ、１２ｃ、１２ｄの一部にも、めっき部材１４、１５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】リードタイプの電子部品を配線基板に実装する際の熱によって電子部品の電気的な特性が劣化してしまうことを防止できるリードタイプの電子部品及びリードフレームを提供する。
【解決手段】隣接して配されたパッド部７、パッド部８及びパッド部９と、パッド部７、パッド部８及びパッド部９からそれぞれ同一方向に延設されたリード端子１、リード端子２及びリード端子３とを備えており、リード端子１、リード端子２及びリード端子３は、隣り合うリード端子間のピッチが狭い狭ピッチ部位（図中、領域Ｄ１で示す部位）と、隣り合うリード端子間のピッチが広い広ピッチ部位（図中、領域Ｄ３で示す部位）とをそれぞれ備え、前記狭ピッチ部位は、前記広ピッチ部位よりもパッド部７、パッド部８及びパッド部９側に配され、リード端子１、リード端子２及びリード端子３のうちの少なくとも１つのリード端子は、前記広ピッチ部位に第１突出片１２，１２を備えた。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーめっきにおけるウィスカ耐性の向上を図る。
【解決手段】半導体チップが固定されたタブと、複数のインナリードと、前記インナリードと一体に形成された複数のアウタリード２ｂと、前記半導体チップの電極パッドと前記インナリードとを接続する複数のワイヤと、前記半導体チップを封止する封止体とを有し、前記封止体から突出する複数のアウタリード２ｂのそれぞれの表面に、鉛フリーめっきから成る外装めっき８が形成されており、この外装めっき８は、所望の条件で形成された第１鉛フリーめっき８ａと、第１鉛フリーめっき８ａの組成と同系列の組成から成る第２鉛フリーめっき８ｂとを有し、第１鉛フリーめっき８ａと第２鉛フリーめっき８ｂとが積層され、アウタリード２ｂ上にめっき形成条件の異なる２種類の鉛フリーめっきが積層されている。 （もっと読む）

【課題】発光素子からの光を反射する光反射リングを有するリードフレームを低コストで製造する。
【解決手段】表面側の上部構造と裏面側の下部構造とが一体となり、かつ、互いに離反した複数の構造体で形成されたリードフレームと、前記リードフレームを取り囲む同じ厚さの充填樹脂を有し、前記上部構造がパッド部２とリード部２ａを有し、前記下部構造が、前記パッド部２と一体の放熱部３と、前記リード部２ａと一体の放熱部３ａを有し、前記上部構造の側面部には、前記リードフレームの表面側から裏面側の方向に広がる段差状部又はテーパー状部を有し、前記下部構造の側面部には、前リードフレームの裏面側から表面側の方向に広がる段差状部又はテーパー状部を有し、前記パッド部２及びリード部２ａの外側に、前記パッド部に面する斜面の内周面を有する、前記充填樹脂と一体に形成された光反射リング４ａを有するリードフレームを製造する。 （もっと読む）

【課題】ダイパッドの一面上に、接着剤を介してセラミック基板を接続してなる電子装置において、接着剤の材料に制約を設けたり、接着後の洗浄処理を行ったりすることなく、接着剤の加熱硬化時に接着剤から発生する飛散物がダイパッドやセラミック基板へ付着するのを防止する。
【解決手段】ダイパッド１０とセラミック基板２０との間において接着剤３０の周囲に、接着剤３０と接着剤３０の外側とを区画する障壁層４０を設け、この障壁層４０によって、加熱時における飛散物の接着剤３０の外側への漏れを防止する。 （もっと読む）

【課題】リードフレームの製造工程数を増加させることなく、放熱性を向上することができ、且つ封止樹脂との密着性をも十分に確保することができるリードフレーム及びその製造方法と半導体装置を提供する。
【解決手段】ダイパッド２は、その端辺が、半導体装置の封止樹脂範囲内に位置するインナーリード４ａの先端形状をかたどった形状をなし、最外周が、半導体装置における封止樹脂の側面と同一面に位置した形状をなすように、形成される。 （もっと読む）