本発明は、半導体表面、特にシリコンに分子を付着させるための新規手順を提供するものである。ポルフィリンおよびフェロセンを含む（しかし、これらに限定されない）分子が分子ベースの情報記憶のための魅力的な候補であることは、以前に示されてきた。この新規付着手順は、単純であり、短時間に完了させることができ、最少量の材料しか必要とせず、様々な分子官能基と両立でき、場合によっては従来にない付着モチーフを生じる。これらの特徴は、ハイブリッド分子／半導体情報記憶デバイスを作るために必要な加工段階への分子材料の組込みを非常に向上させる。
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本発明は、低消費電力、高速メモリとして期待されているＲＲＡＭの駆動電圧を低くし、かつ同じ抵抗変化を実現するための電気パルスの幅のバラツキを抑制する。本発明は、第１電極と、第１電極の上に形成され、電気パルスを印加することにより抵抗が変化しうる層と、この層の上に形成された第２電極と、を含み、上記層がペロブスカイト構造を含み、上記層が、第１電極および第２電極から選ばれる少なくとも一方の電極との界面において、凹部および凸部から選ばれる少なくとも一方を有する抵抗変化素子、を提供する。 （もっと読む）

本発明はメモリセルとして利用できる選択的導電性有機半導体（例えば、ポリマー）デバイスを提供する。導電性ポリマー（２２）を含むポリマー溶液は導電性電極（２６）に関してセルフアセンブルする。最短の導電性経路を実現できるように、処理はセルフアセンブルを行うことができる。方法において、導電面（２６）に導電性ポリマー（２３）の濃縮液を堆積し、熱と、任意に真空を与えて、導電性ポリマー（２２）を有機半導体にセルフアセンブルさせる。有機半導体は、２つもしくはそれ以上の電極を有する構造を形成し、一方で各電極間のパッシブデバイスに沿って有機半導体を利用して、シングル及びマルチセルメモリデバイス内に用いられてよい。パーティションコンポーネントはメモリデバイスと一体化され、以前に形成されたセルに関連づけられた、または以前に形成されたセルの上部への付加的メモリ層の積層とそのプログラミングとを容易にする。
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本発明はメモリ用組成物に関し、同組成物と、２つの電極とからなるメモリセルに関する。さらに本発明は、微細電子部品の製造方法及び微細電子部品の製造における本発明の組成物の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】 転移確率を高くしてスイッチング特性を安定化した、双安定特性を持つスイッチング素子を提供する。
【解決手段】 少なくとも２つの電極間に、印加される電圧に対して２種類の安定な抵抗値を持つ有機双安定化合物を含む有機双安定材料層を配置してなるスイッチング素子であって、基板１０上に、第１電極層２０ａ、金属微粒子含有層４０、有機双安定材料層３０、第２電極層２０ｂの順に薄膜として形成され、金属微粒子含有層４０が、金属微粒子と有機双安定化合物とを含む層である。 （もっと読む）

【課題】 低温の結晶化により良好な特性を有するＢｉ層状ペロブスカイト構造を有する強誘電体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の強誘電体膜の製造方法は、第１の原料液と、第２の原料液とを含む強誘電体の原料液を結晶化することにより、強誘電体膜を形成する工程を含み、前記第１の原料液と前記第２の原料液とは、種類が異なる関係にあり、前記第１の原料液は、Ｂｉ系層状ペロブスカイト構造を有する強誘電体を生成するための原料液であり、前記第２の原料液は、ＡサイトがＰｂであるＡＢＯ_３系酸化物を生成するための原料液である。 （もっと読む）