【課題】より良好な色再現性を有する固体撮像素子および電子機器を提供する。
【解決手段】同一の半導体基板２２の内部における１画素ごとに、それぞれ異なる深さに、それぞれ異なる波長域の光を光電変換する複数の光電変換領域２３Ｂ、２３Ｇ、２３Ｒが積層され、複数の光電変換領域２３Ｂ、２３Ｇ、２３Ｒのうち、半導体基板の深さ方向に隣接する光電変換領域２３Ｂおよび２３Ｇ、または２３Ｇおよび２３Ｒの間に、その光電変換領域２３Ｂおよび２３Ｇ、または２３Ｇおよび２３Ｒの間の領域における光電変換で発生した電荷を排出する排出領域２４が形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば、薄膜状電極、正孔注入阻止層などにキズや、ムラが発生した場合でも、それによる陰の出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面側の上方に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記正孔注入阻止層１９および薄膜状電極１８を貫通し、前記Ｘ線透過性基板の上面に達する凹部３２を形成。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば、薄膜状電極、正孔注入阻止層などにキズや、ムラが発生した場合でも、それによる陰の出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方面側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面の上方側に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記電子注入阻止層２１から前記Ｘ線透過性基板１７の上方面に到達する凹部３２を形成し、この凹部３２内の前記Ｘ線透過性基板１７の上方面には電子注入阻止層２１を形成した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、白キズの出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面側に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記Ｘ線透過性基板の上面には凹部３２を有し、前記Ｘ線透過性基板１７の凹部３２の上方に対応する薄膜状電極１８部分は、前記凹部３２によって左右または前後に分離された構成とした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、動作電圧を低減させる高感度光電変換膜を用いた撮像デバイス及びこれを用いた撮像管を提供することを目的とする。
【解決手段】透光性基板１０と、
該透光性基板の一方の面に形成された導電膜１１と、
該導電膜側に設けられた光電変換層２２と、
該光電変換層の光電変換作用により生成された信号電荷を読み出す電荷読み出し手段３０と、を有する撮像デバイス４０であって、
前記光電変換層は、塩素を含有することを特徴とする撮像デバイス。 （もっと読む）

【課題】正孔注入阻止層などにキズや膜厚ムラが発生した場合でも、それによる白キズの出現を抑えることができるＸ線センサを提供する。
【解決手段】本発明にかかるＸ線センサは、透光性基板１７と、前記透光性基板１７の一方の面上に形成された透光性電極２１と、前記透光性基板１７の前記透光性電極２１が形成された一方の面上に順次設けられた正孔注入阻止層２２と、電界緩和層２３と、正孔トラップ層２４と、電荷増倍機能を持つ光導電性の感度層２５と、電子注入阻止層２６とを含む光導電性膜１８と、を備え、前記電界緩和層２３の厚みが、前記透光性電極２１と前記正孔注入阻止層２２とからなる層の厚みよりも厚いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
光導電膜の厚膜化や光導電膜への印加電圧の過度な増大を伴わず、大幅に感度を向上させるとともに、高い光電変換効率と安定したアバランシェ増倍を両立できるアバランシェ増倍方式の撮像デバイスを提供する。
【解決手段】
光入射側に配設される第１透光性電極と、第１透光性電極に積層され、第１透光性電極を介して入射する入射光を光電変換する第１光電変換部と、第１光電変換部に積層され、第１光電変換部で生成される電荷が注入されて発光する第１電界発光薄膜部と、第１電界発光薄膜部に積層される第２透光性電極と、第２透光性電極に積層され、第１電界発光薄膜部で発光され第２透光性電極を透過した光を光電変換する第２光電変換部と、第２光電変換部で生成される信号電荷を２次元の画像信号として読み出す信号読み出し部とを含み、第１光電変換部又は第２光電変換部は光電変換部内で電荷のアバランシェ増倍を行う。 （もっと読む）

【課題】構成を簡略化し、製造工程の簡略化を達成しながら、光電変換装置及び実装端子
の電気的接続の信頼性を高めた光電変換装置を提供すること。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、フォトダイオード２５及びＴＦＴ２４がマトリク
ス状に配置され、周辺部に複数の外部接続端子が形成され、フォトダイオードは、光入射
面を除いて表面が平坦化膜２９３によって直接被覆されており、一方の型の半導体層２５
３が第１電極２５１を介してＴＦＴ２４に接続され、他方の型の半導体層２５５がバイア
ス線２３に直接接続され、バイアス線２３がバイアス線用の外部接続端子に電気的に接続
されており、バイアス線２３は、透明導電性金属酸化物で形成され、光電変換装置の光の
入射面の全面にわたって形成されていると共に、バイアス線用の外部接続端子まで延在さ
れて前記バイアス線用の外部接続端子の最上部に配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高電界の印加によりアバランシェ増倍現象が生じる光導電層への正孔注入阻止の度合いを強化した酸化セリウム製の正孔注入阻止層を用い、高感度・高解像度で高Ｓ／Ｎの高品位画像が得られる光導電型の撮像デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】導電面を有する透光性基板と、前記導電面上に形成される光導電部と、前記光導電部に走査用の電子ビームを発射する電子ビーム源と、前記光導電部に電気的に接続され、前記電子ビームの走査によって得る撮像信号を読み出すための信号読み出し部とを具え、前記光導電部は、前記導電面から前記電子ビーム源に向かう方向に順次積層された、正孔注入阻止層、光導電層、及び電子ビームランディング層を含み、前記正孔注入阻止層は、密度が６．５ｇ／ｃｍ^３以上の酸化セリウムで構成される。 （もっと読む）

【課題】光導電型の撮像管における光電変換効率を所望のレベルまで向上させる上において、より簡易な構成でかつ低製造コストで製造することが可能な撮像管を提供する。
【解決手段】電子ビームが走査され、入射した光の像を内部光電効果に基づいて電気信号に変換し電荷パターンとして蓄積するための光導電膜１２の光入射側に、直径５０ｎｍ以下のナノ微粒子２１を含む基板１３を配設することにより、そのナノ微粒子２１に光を吸収させ、この吸収させた光に基づいて近接場光を少なくとも光導電膜１２へ滲出させ、この滲出させた近接場光による近接場光相互作用に基づいて光導電膜１２における内部光電効果の効率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】光導電型の撮像管における光電変換効率を所望のレベルまで向上させる上において、より簡易な構成でかつ低製造コストで製造することが可能な撮像管を提供する。
【解決手段】電子ビームを出射する電子銃１１と、電子ビームが走査され、入射される光の像を電気信号に変換し電荷パターンとして蓄積するための光導電膜１２と、光導電膜１２の光入射側に形成された波長フィルタ４とを備え、波長フィルタ４は、基板４１内に形成され、入射される３００ｎｍ以下の光の波長に応じて励起子が励起される第１のエネルギー準位を有する第１の量子ドット４２と、第１の量子ドット４２より大体積で形成され、第１のエネルギー準位との共鳴に応じて第１の量子ドット１２から励起子が注入される第２のエネルギー準位と、当該第２のエネルギー準位から励起子の遷移が複数段に亘って生じるように設定された複数段の下位準位とを有する第２の量子ドット４４とを備える。 （もっと読む）

【課題】何れかの読出用配線または行選択用配線が断線している場合にも解像度が高い画像を得ることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードＰＤと、このフォトダイオードと接続された読出用スイッチＳＷ_１と、を各々含むＭ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,ＮがＭ行Ｎ列に２次元配列された受光部を備える。各画素部Ｐ_ｍ,ｎは略正方形の領域を占めていて、その領域の殆どの部分がフォトダイオードＰＤの領域であり、その領域の一つの角部に読出用スイッチＳＷ_１としての電界効果トランジスタが形成されている。画素部間の領域にチャネルストッパＣＳが連続して形成されている。任意の互いに隣接する２×２個の画素部により囲まれる領域において、チャネルストッパＣＳにより囲まれてダミー用フォトダイオードＰＤ１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合容量を増やさずに画素間隔を狭める。
【解決手段】光電変換領域を構成する第一導電型の第一不純物領域１０２と、第一不純物領域に配された、信号取り出し領域を構成する第二導電型の第二不純物領域１０５とを含む画素を複数配置してなる光電変換装置において、各画素を分離するために各画素の周囲に、第一導電型の第三不純物領域１０３と、第一導電型の第四不純物領域１０４とが配置され、第四不純物領域は隣接する画素間にあり、第四不純物領域の不純物濃度は第三不純物領域の不純物濃度より低い。 （もっと読む）

半導体放射線検出装置であって、半導体材料のバルク層と、バルク層の第１の表面上に、第２導電型の半導体材料の修正された内部ゲート層、第１導電型の半導体材料のバリア層及びピクセルドーピングに対応するピクセルを生成するために少なくとも１つのピクセル電圧に結合されるように適合された第２導電型の半導体材料のピクセルドーピングを順に備え、前記装置は、第１導電型の第１のコンタクトを備え、前記ピクセル電圧は、前記ピクセルドーピングと第１のコンタクトの間のポテンシャルの相違として規定されることを特徴とする。 （もっと読む）

第１導電型の半導体からなる半導体基板３を備え、当該半導体基板３における被検出光Ｌの入射面の反対面側に複数のホトダイオードが形成された裏面入射型ホトダイオードアレイ１であって、半導体基板３の反対面側には、複数の凹部４がアレイ状に配列して形成されており、複数の凹部４の底部４ａに第２導電型の半導体からなる第２導電型の半導体層５が形成されることにより、ホトダイオードがアレイ状に配列している。
（もっと読む）

【課題】 高感度である光電変換層を有する撮像装置において、当該光電変換層の劣化を防止し、特に高輝度のスポット光を含む撮像を可能とする。
【解決手段】 Ｓｅを主体とし且つアバランシェ増倍機能を持つ非晶質半導体層と、ＳｅとＴｅを含み且つ入射光の大部分を吸収して電荷に変換し得る機能を持つ非晶質光電変換層とを少なくとも有する光電変換膜と、前記光電変換膜の第１の面に形成された第１のバリア層と、前記第１のバリア層上に形成された透光性電極と、前記光電変換膜の第２の面に形成された第２のバリア層と、前記光電変換膜の第２の面の側に設けられた、前記光電変換膜で生成される信号電荷を読み出す電荷読み出し手段と、を有する撮像装置であって、前記光電変換膜の温度を、前記非晶質光電変換層のガラス転移温度以上であって前記非晶質半導体層のガラス転移温度＋３０℃以下に制御する温度制御手段と、前記光電変換層の電界が０．８×１０⁸〜１．１×１０⁸Ｖ／ｍとなるように、前記透光性電極を介して電圧を印加する電圧印加手段と、を有することを特徴とする撮像装置。 （もっと読む）