【課題】半導体基板に発生したキャリアが流れ込む半導体領域を半導体基板の一方の主面側に配置した上で、放射線の入射位置を２次元で検出することが可能な放射線検出器を提供すること。
【解決手段】放射線検出器ＲＤ１は、第一導電型の半導体基板１と、半導体基板１と接合を構成する複数の第二導電型の半導体領域１０と、対応する半導体領域１０に接合された複数の電極２１，２３とを備える。電極２１，２３は、第一主面１ａに直交する方向から見て、対応する半導体領域１０を覆う。半導体領域１０は、２次元配列された複数の第一及び第二半導体領域１１，１３を含む。複数の第一半導体領域１１のうち２次元配列における第一方向に配列された第一半導体領域１１同士が互いに電気的に接続され、複数の第二半導体領域１３のうち第一方向に交差する第二方向に配列された第二半導体領域１３同士が互いに電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】光センシング装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】光センシング画素内の光センサートランジスタとスイッチトランジスタとが、それぞれ同じ構造の酸化物半導体トランジスタで形成される光センシング装置、及び前記光センシング装置の動作信頼性を向上させることができる駆動方法が提供される。光センシング装置によれば、光センシング画素内の光センサートランジスタとスイッチトランジスタとは、一つの基板上で同じ構造に隣接して形成され、スイッチトランジスタへの光の入射を防止するために、スイッチトランジスタの光入射面には光遮蔽膜がさらに配される。また、光センシング装置の駆動方法によれば、経時的なスイッチトランジスタのしきい電圧シフトを防止するために、光遮蔽膜には負（−）のバイアス電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】大面積Ｘ線検出器を提供する。
【解決手段】印刷回路基板に配置された複数のチップと、各チップに対応するように、その上に配置された複数のピクセル電極と、複数のピクセル電極と複数のピクセルパッドとを電気的に連結する再分配層と、を備え、再分配層上で、チップのピンパッドが形成された裏面上に形成された複数の第１電極パッドと、第１電極パッド及び第２電極ピンパッドを電気的に連結するワイヤーと、を備え、ワイヤーは、チップ間のギャップに配置される、大面積Ｘ線検出器である。 （もっと読む）

【課題】バイアス線が断線しても、線欠陥の発生率を低減させることが可能な放射線検出パネルおよび放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線検出パネル（センサパネルＳＰ）が備える各バイアス線９において、当該バイアス線９の一端部９ａ側と他端部９ｂ側との両側から、各放射線検出素子７にバイアス電圧を供給可能に構成し、放射線検出素子７には、バイアス線９の一端部９ａ側からのバイアス電圧の供給が途絶えても、当該バイアス線９の他端部９ｂ側からバイアス電圧が供給されるようにする。具体的には、各バイアス線９において、当該バイアス線９の一端部９ａを、バイアス電源１４に接続し、当該バイアス線９の他端部９ｂを、当該バイアス線９以外のバイアス線９に接続する。 （もっと読む）

【課題】フィルファクターの低下を抑えつつ、リペア用領域を確保した放射線検出素子を提供する。
【解決手段】走査配線１０１及び信号配線３を、ＴＦＴスイッチ４との接続箇所において、当該接続箇所周辺よりも、接続されたＴＦＴスイッチ４から離れる方向にシフトさせた。 （もっと読む）

【課題】安定な高周波特性を有する受光装置を提供すること。
【解決手段】一端に電源電圧が供給される受光素子５０と、前記受光素子を搭載する誘電体からなるキャリア３０と、前記キャリアを搭載する導電体からなるベース２０と、前記受光素子の他端から出力される出力信号が第１ボンディングワイヤを介し入力するトランスインピーダンスアンプ４０と、前記キャリアの表面に形成され、前記受光素子の前記一端が接続され、前記トランスインピーダンスアンプのグランドが第２ボンディングワイヤを介し接続され、前記ベースとの間に第１キャパシタを形成する第１金属膜３４と、前記キャリアの表面に形成され、前記ベースとの間に第２キャパシタを形成する第２金属膜３６と、前記第１金属膜と第２金属膜との間に接続された第１抵抗７２と、を具備する受光装置。 （もっと読む）

【課題】小型および低コストを確保しながら、熱膨張率の差に起因して起こる、バンプの接合不良や、絶縁不良を防止することができる、検出装置、受光素子アレイ、これらの製造方法および光学センサ装置、を提供する。
【解決手段】受光素子アレイ５０と、ＣＭＯＳ７０とが、バンプ９，３９同士接合され、少なくとも受光素子アレイおよび読み出し回路の一方において、相手側に対面する表面が凹状曲面であり、かつ接合されたバンプ９，３９について、配列された領域の、外周寄り範囲Ｋに位置する接合されたバンプは、中央範囲Ｃに位置する接合されたバンプに比べて、太径で、高さが低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造工程において製品の歩留りを向上させることのできる放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る放射線検出器は、配線パターン２００と、配線パターン２００の表面に設けられる接続部材とを有する基板２０と、基板２０の一部に貼り付けられる粘着部材と、粘着部材を介して基板２０上に配置され、放射線を検出可能な半導体素子１０とを備え、接続部材が、配線パターン２００と半導体素子１０とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】基板と変換素子と間にスイッチ素子と導電線とを備える検出装置において、変換素子とスイッチ素子又は導電線との間で生じる寄生容量を低減する。
【解決手段】基板１０１と、複数の電極を有するスイッチ素子１０９と、スイッチ素子１０９の複数の電極のうちの第１の電極１０７と電気的に接合する導電線１０２と、スイッチ素子１０９及び導電線１０２の上方に成膜されて配置されており、２つの電極１１４、１１６の間に配置された半導体層１１５を有し、２つの電極１１４、１１６のうちの一方の電極１１４はスイッチ素子１０９の複数の電極のうちの第１の電極１０７とは異なる第２の電極１０６と電気的に接合する変換素子１１７と、を含む検出装置１００が提供され、変換素子１１７の一方の電極１１４と、スイッチ素子１０９の第１の電極１０７又は導電線１０２との間に空間１２０が存在する。 （もっと読む）

【課題】 フレキシブル基板を用いた光半導体装置において、光素子を含む筐体とフレキシブル基板との接続信頼性を向上させること。
【解決手段】 本光半導体装置１００は、光素子を内蔵し、上下で対向して設けられた第１端子１２および第２端子１４を備えた筐体１０と、第１端子１２と電気的に接続される第１配線（ＲＦ、ＤＣ）が形成された第１領域２２、第２端子１４と電気的に接続される第２配線（ＤＣ）が形成された第２領域２４、第１領域２２および第２領域２４の間を接続する第３領域２６、第３領域２６に設けられた切り込み部３０により区画され第１領域２２と連続した第１突出部４２、第１突出部４２に設けられ第１配線と電気的に接続される接触領域１８を有するフレキシブル基板２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ノイズの混入に起因する精度の低下を抑制することが可能なセンサ装置を提供する。
【解決手段】このサーモセンサ１００（センサ装置）は、ｎ型シリコン基板１１の上方に配置され、熱（赤外線）を測定することにより電子を供給する電荷供給部４８と、ｎ型シリコン基板１１の表面に形成され、電子が電荷供給部４８から供給されるｎ型ウェル領域１５と、ｎ型ウェル領域１５の電子が供給される領域の周辺近傍の表面に形成されるｐ^＋拡散層１７とを備え、ｐ^＋拡散層１７の下方に電子を転送するための埋込みチャネル領域が設けられている。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサに加えて、受動素子部品や能動素子部品を内部に収容しつつ、小型化を図ることのできるセラミックパッケージを提供すること。
【解決手段】セラミックパッケージ１は、セラミック基板２と、セラミック基板上に搭載されたカバー部６とにより内部空間が封止されたセラミックパッケージであって、内部空間内のセラミック基板上に搭載されたイメージセンサ４と、内部空間内のセラミック基板上に搭載された素子部８と、内部空間内のセラミック基板上に形成されて、ボンディングワイヤによってイメージセンサと電気的に接続されるリード電極１０と、を有し、リード電極が形成される面と、カバー部が搭載される面とが同一面である。 （もっと読む）

【課題】 光伝送損失を低減させる光伝送路を提供する。
【解決手段】 光伝送路は、光の進行方向を変換させる光路変換面を有するコアと、前記コアの周囲を覆い、前記コアの屈折率よりも低い屈折率を有するクラッドと、透過平面視にて前記光路変換面を含む含前記クラッドの表面が凹部の底面として露出するように、前記クラッド上に設けられた樹脂層と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】容量結合が低減された光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、第１電極２５１と第２電極２５２との間に配置された光電変換層を有する光電変換素子２５と、第１電極２５１と導通するソース領域２４３を有するＴＦＴ２４と、ＴＦＴ２４のドレイン領域２４２と導通する第１配線２２２と、ＴＦＴ２４のゲート電極２４１と導通する第２配線２１２と、第２電極２５２と導通し、第１配線２２２と第２配線２１２とのうちの一方の配線２２２と略平行に延設された第３配線２３とを備える。第２電極２５２が、透明導電材料からなり、光電変換層に対する光入射側に配置されている。第３配線２３が、透明電極材料よりも導電性が高いメタル材料からなり、面方向における第３配線２３と一方の配線２２２との間隔ｄ１、ｄ２が、面方向に垂直な厚み方向における第３配線２３と一方の配線２２２との間の間隔よりも長い。 （もっと読む）

【課題】容量結合が低減された光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、複数の画素領域に区画された光検出領域と、複数の画素領域の各々に配置され、第１電極２５１と第２電極２５２とに挟持された光電変換層を有する、光電変換素子２５と、第１電極２５１と電気的に接続され、第１方向に延設された第１配線２２２と、第２電極２５２と電気的に接続され、光電変換層の厚み方向において第１配線２５１から離れた位置に配置されており、第１方向と交差する第２方向に延設された第２配線２３と、を備える。第１配線２２２は、第１方向と第２方向とが交差する交差部２６において分断されてなる。第１配線２２２を含んだ通電経路は、交差部２６の厚み方向において第１配線２２２よりも第２配線２３から離れた位置に設けられた接続導電部２６１を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性を高めた光電変換装置、エックス線撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、光電変換素子及び読出回路が形成された素子層と、素子層表層に設けられた外部接続端子２２１とを備える。素子層は、読出回路の一部を構成する配線２４４の下地となる配線下地層２０と、表層２９４と配線下地層２０との間に配置された中間層２９１〜２９３と、を有する。表層２９４を貫通して配線２４４に至るコンタクトホールＨ３が形成されている。コンタクトホールＨ３の内壁面は、中間層２９１〜２９３又は表層２９４の面方向の一部が保持されてなりコンタクトホールＨ３の外側の表層２９４上と段差Ｄ３を構成する段差面Ｈ３２を含む。外部接続端子２２１は、コンタクトホールＨ３の内壁面と表層２９４上とコンタクトホールＨ３内に露出した部分の配線２４４とにわたって形成された導電膜を含んでいる （もっと読む）

【課題】接続信頼性を高めた光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、複数の層２０、２４４、２９１〜２９４からなる素子層と、素子層内に設けられた光電変換素子と、素子層内に設けられて光電変換素子から信号を読出す読出回路と、素子層の表層２９４に設けられて読出回路を外部に接続する外部接続端子２１１と、を備える。素子層は、読出回路の一部を構成する配線２１２の下地となる配線下地層２０と、表層２９４と配線下地層２０との間に配置された中間層２９１〜２９３と、を含む。中間層２９１〜２９３上に接続導電部２８２〜２８４が設けられている。配線２１２が接続導電部２８２〜２８４と導通接続されているとともに外部接続端子２１１が接続導電部２８２〜２８４と導通接続されている。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性を高めた光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、複数の層からなる素子層と、素子層内に設けられた光電変換素子と、前記素子層内に設けられた読出回路と、素子層の表層２９４に設けられて読出回路を外部に接続する外部接続端子２１１と、を備える。素子層には、読出回路の一部を構成する配線２１２上に、表層２９４を貫通して配線２１２の一部に通じるコンタクトホールＨ２が形成されている。外部接続端子２１１は、コンタクトホール内Ｈ２と表層２９４上とにわたって設けられて配線２１２と導通接続された導電膜を含む。導電膜において外部４１に導通接続される接続領域Ａ３が、コンタクトホールＨ２の開口と重ならない領域になっている。 （もっと読む）

【課題】光受信器において、隣接チャンネル間のクロストークを低減する。
【解決手段】ワイヤボンドは、２以上の光電子装置を有する光電子装置チップを信号処理チップに接続するように形成される。それぞれが光電子装置の１つに対応する２以上の互いに隣接したワイヤボンドグループが形成される。例えば、それぞれのワイヤボンドグループは、ワイヤボンドグループの光電子装置のＰ端子を信号処理チップに接続する第１のワイヤボンドと、ワイヤボンドグループの光電子装置のＮ端子を信号処理チップに接続する第２のワイヤボンドと、また光電子装置チップを信号処理チップに接続する第３のワイヤボンドを備えることができる。 （もっと読む）

【課題】電子回路部品や受発光素子の基板への配設において電気的接続及び光導波路との光接続をも簡便に効率的に行う光電気集積配線基板を提供する。
【解決手段】第１の面と第２の面とで開口しかつ垂直方向に貫通する貫通孔を有する基板と、第１の面上に設けられた第１の電気配線層と、第１の電気配線層を覆い第１の面上に設けられた第１の樹脂絶縁層と、第２の面上に設けられた、第１の樹脂絶縁層の厚さと厚さが等しい第２の樹脂絶縁層と、貫通孔の内部に充填されている透明樹脂とを有し、第１の樹脂絶縁層は貫通孔の一方の開口位置を含む領域に発光・受光素子を実装するための開口部を有し、第２の樹脂絶縁層は光配線層を具備し、光配線層は貫通孔の他方の開口位置に光路変換ミラーが形成されている光電気集積配線基板。 （もっと読む）