【課題】照度センサにおいて、簡単な構成によりリーク電流の低減を図る。
【解決手段】照度センサ１は、可視光及び可視光領域外の長波長側の光に感度を有する光検出領域３と、光検出領域３の光入射面側に形成された長波長側の光を遮光するための光学フィルタ４と、光検出領域３に発生する光検出信号を出力する信号処理回路６と、信号処理回路６からの信号を外部に出力するためのボンディングパッド７とを備えたセンサ領域が複数形成された基板２をセンサ領域毎にダイシングして形成される。また、照度センサ１は、光検出領域３以外への入射光を遮光する金属製遮光膜５と、金属製遮光膜５及びボンディングパッド７を保護し絶縁する絶縁膜８と、基板２上におけるセンサ領域の境界に金属製遮光膜５及び絶縁膜８を形成していないダイシングするための領域であるスクライブライン９とを備える。光学フィルタ４は、スクライブライン９上には形成されていない。 （もっと読む）

光感知素子パッケージが提供される。パッケージは基板、基板に結合された一つ以上の光感知半導体台、及び基板の光収容表面上に形成されたパターニングされた層を含む。基板は、所定波長範囲内の光に対して実質的に透明な物質から形成される。半導体台は基板背面の表面に衝突する光を収容するために基板の前面表面に対向する一つ以上の光感知領域を定義する。パターニングされた層は、背面の表面に衝突する光の少なくとも一部の通過を遮断するために基板のその背面の表面上に形成され、基板を通じる光学的疎通のために光感知領域の少なくとも一部と整列されたウィンドウ開口を有するように形成される。 （もっと読む）

Ｃｄ_xＺｎ_1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）と；周期表の列ＩＩＩ又は列ＶＩＩからの、濃度が１０〜１０，０００原子×１０^-9の元素と；Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕで構成される群から選択される、濃度が約１０〜１０，０００原子×１０^-9の元素と；を含む化合物又は合金で作られた放射線検出器は、完全な電気補償、高抵抗性、加えられた電気的バイアスの下での完全な空乏化及び優れた電荷輸送特性を示す。 （もっと読む）

メゾスコピック古典的閉じ込めを使用して、自由キャリアの定常状態不平衡分布を形成するようになされた方法及び特殊媒体。特殊媒体はシリコンをベースとしたもの（例えば、結晶シリコン、アモルファスシリコン、二酸化ケイ素）であり、二酸化ケイ素などの広バンドギャップ材料のマトリックスで埋め込まれたメゾスコピックサイズの粒子から形成される。ＩＲから可視光へのイメージングシステムが上記の周囲に実施される。
（もっと読む）

半導体基板と；前記半導体基板中または前記半導体基板上に形成された光導波路と；そして、作動中に光導波路からの光信号を受信するために光導波路に沿って配列され、前記半導体基板中または前記半導体基板上に形成された光検出器と；を備え、前記光検出器は、第１電極と；第２電極と；前記第１電極及び第２電極との間の中間層とを備え、前記中間層は、伝導帯、価電子帯、伝導帯及び価電子帯間に導入された深い準位のエネルギー状態で特徴づけられる半導体材料を備える、光回路。
（もっと読む）

集積回路ダイ（３２２）を含む一体状にパッケージ実装された光電子工学的集積回路デバイス（３１０）であって、前記ダイは、放射エミッタと放射レシーバの少なくとも一方を含み、かつ、電気絶縁性の物理的保護材料で形成された上部表面と下部表面とを有し、この上部表面と下部表面との少なくとも一方（３１７）は放射に対して透過性であり、電気絶縁性の端縁表面（３１４）がパッドを有する。 （もっと読む）