【課題】高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示す新規な有機半導体を提供する。
【解決手段】薄膜からなる有機半導体において、薄膜が下記の一般式（Ｉ）で示される化合物を含んでなる有機半導体。
一般式（Ｉ）


式中、Ａ_１はＯ、Ｓ又はＮ−Ｒ_１５を表す。Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_１３、Ｒ_１４、Ｒ_１５はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ_１１、Ｒ_１２は連結して環を形成してもよい。Ｂ_１は少なくとも一つの窒素原子を含む環構造を表す。ｎ１は０〜２の整数を表す。 （もっと読む）

【課題】ＣｄＴｅと代替可能であって環境負荷の小さい物質を特定し、それを用いた半導体放射線検出器を提供すること。
【解決手段】酸化亜鉛単結晶基板を利用して構成されるダイオードを備えた放射線検出器を用いる。厚さ２ｍｍのｎ型酸化亜鉛で構成される基板２１０上に、膜厚０．１μｍのＰｔ薄膜からなるショットキー電極２２０を形成する。続いて、基板２１０の下面に膜厚０．１μｍのＣｒ薄膜２３１を形成し、更に、Ｃｒ薄膜２３１の下面に膜厚０．１μｍのＡｕ薄膜２３２を形成する。Ｃｒ薄膜２３１及びＡｕ薄膜２３２はオーミック電極２３０として機能する。基板２１０に対して放射線が入射されるとショットキーダイオードに電流が流れるため、放射線を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】直接変換方式のＸ線検出器において、その空間分解能を向上させる。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板のＸ線照射面側にマトリックス状に配置された複数の画素電極と、前記半導体基板の前記Ｘ線照射面と相対向する面上に設けられた平板状の電極とを具えるようにしてＸ線検出器を構成する。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ波の伝搬状態、特に周波数特性を調整することができるテラヘルツ波を発生或は検出するための光伝導素子を提供することである。
【解決手段】キャリア発生層2801と、電極部2802と、アンテナ部2804と、キャリアから発生されるテラヘルツ波或はキャリアが検出するテラヘルツ波の伝搬状態を調整するための2つの調整スタブ2806と、を有する。2つの調整スタブ2806は、キャリアから発生されるテラヘルツ波の波長λ以下の長さを有する導体である。2つの調整スタブ2806は、電極部2802の長手方向の延長線上に接続される。調整スタブの端部2807は、アンテナ部2804と電極部2802との接続部分2808から波長λ以内の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】受光素子の受光感度の低下を招くことなく、受光効率を向上可能な光通信モジュールを提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係る双方向光送受信モジュールは、基板と；前記基板上に配置され、波長に応じて光を透過または反射する波長分波器と；前記基板上に配置され、前記波長分波器を介して受信用の光が入射し、当該光を電気信号に変換する受光素子と；前記基板上に配置され、送信用の光を発光する発光素子とを備える。そして、前記送信用の光は、前記波長分波器を介して出力される。また、前記受光素子の受光部は、前記基板表面と水平な面内において前記受信用の光の光軸と直交する方向の長さが当該光軸と平行な方向の長さよりも長いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置の信頼性の確保と小型軽量化を実現しつつ、製品の歩留まりを良好にできる受発光ユニット、及び光学式エンコーダを提供する。
【解決手段】検出ユニット１Ａは、第一、第二の受光素子アレイ６，７が設けられた基板側半導体素子１ａ上に発光部１３を備えたＬＥＤチップ２が搭載されている。ＬＥＤチップ２には樹脂が塗布されて封止層１６を形成することによって発光部１３が被覆される。第一、第二の受光素子アレイ６，７とＬＥＤチップ２との間には、樹脂の塗布時におけるＬＥＤチップ２側から第一、第二の受光素子アレイ６，７側への樹脂の流れ止めを行うための堰部１７ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】素子を形成するウエハサイズなどの制約に影響されない構造、および、検出面を大面積化しても静電容量を増大させない構造、をそれぞれ採用して大型の検出対象に適用可能な低消費電力・簡易構造の半導体型の放射線検出センサを提供する。さらに、このような放射線検出センサを複数用いてさらなる大型の検出対象に適用可能な半導体型の放射線検出センサユニットを提供する。
【解決手段】回路基板２の検出素子設置面の配線部２１とワイヤ配線部３との接続位置と、回路基板２の信号処理部設置面の配線部２１と信号処理部４との接続位置と、が回路基板２の表裏でそれぞれが略一致することで信号経路を短縮した放射線検出センサ１００とした。また、このような放射線検出センサ１００を搭載した放射線検出センサユニットとした。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、高いＳ／Ｎの画像を得ることができる光電変換膜積層型撮像素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板に形成された読出回路部１と、読出回路部１の上に積層された複数の光電変換層１２ｒ，１２ｇ，１２ｂとを備え複数の光電変換層がそれぞれ、光電変換膜１４ｒ，１４ｇ，１４ｂと、光電変換膜１４ｒ，１４ｇ，１４ｂの上に形成された対向電極と、光電変換膜１４ｒ，１４ｇ，１４ｂを対向電極１９と挟む位置に形成された画素電極１６ｒ，１６ｇ，１６ｂとを備え、複数の光電変換層１２ｒ，１２ｇ，１２ｂの積層方向に貫通するように充填された長尺形状の複数のプラグ部材Ｐを有し、複数のプラグ部材Ｐがそれぞれ、異なる画素電極１６ｒ，１６ｇ，１６ｂに電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】簡素かつ安価な構成で、特定波長の光のみを高精度に選択し、強度を検知することができる受光センサを提供する。
【解決手段】本発明に係る受光センサ１は、波長選択フィルタ２０を透過してきた光の強度が受光素子１０によって検知されるようになっており、受光素子１０は第１の化合物半導体材料からなる受光層１３を含み、波長選択フィルタ２０は第２の化合物半導体材料からなる吸収層２３を含み、波長選択フィルタ２０のバンドギャップは、受光素子１０のバンドギャップと同一であるか、または受光素子１０のバンドギャップよりも大きいこと特徴とする。また、第１及び第２の化合物半導体材料は、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮまたはＺｎ_xＭｇ_yＣｄ_1-x-yＯであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ノイズを効果的に抑制するとともに、高い画質を得ることができる放射線撮像素子を提供する。
【解決手段】被写体を透過した放射線を吸収することにより発光する蛍光体膜と、上部電極、下部電極、及び該上下の電極間に配置された光電変換膜を有し、該光電変換膜が、光電変換部と、非晶質酸化物により形成された活性層を有する電界効果型薄膜トランジスタを有し、前記電界効果型トランジスタが、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有し、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層が電気的に接続して配されていることを特徴とする放射線撮像素子。 （もっと読む）

【課題】伝送速度が高いと共にコストが低い光モジュールを提供する。
【解決手段】本発明に係る光モジュールは、配線部を表面に有する搭載基板と光素子と、搭載基板の表面に水平な部分を含んで湾曲して形成される接続端子部を含むと共に光素子を搭載する素子搭載部とを有する光デバイスとを備え、接続端子の平行な部分と配線部とが接続部材を介して接続される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面から半導体基板の裏面側の半導体領域へ基板バイアスを供給することができる光電変換装置及び撮像システムを提供する。
【解決手段】光電変換装置１は、画素領域１３０と前記画素領域の周辺に位置する周辺領域１３１とを有する半導体基板と、基板バイアスを供給するための電源ラインと、前記周辺領域に配された、前記半導体基板と前記電源ラインとを接続するコンタクトプラグ１５０とを備え、前記半導体基板は、前記基板バイアスが前記電源ラインから前記コンタクトプラグを介して前記半導体領域へ供給される。 （もっと読む）

【課題】検知性能の向上が図られた赤外線検知素子の作製に適用可能な、化合物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の製造方法は、（ａ）半導体基板を準備する工程と、（ｂ）半導体基板の上方に、分子線エピタキシにより、Ｉｎ、Ａｌ、及びＧａから選択された材料と、Ａｓ_２分子と、さらにＳｂとのビームを同時照射することにより、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ａｓ（０≦ｘ，ｙ＜１かつ０≦ｘ＋ｙ＜１）からなる中間層を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】光学素子において、光ビームなどの電磁波の透過率を高める。
【解決手段】第一導電性部材１０と、第一導電性部材１０の表面１２２および裏面１４２に開口する第一開口部１３と、第一導電性部材１０の表面１２２に、第一開口部１３を中心とした同心円状に設けられた第一中心側溝部１２ａと、を備え、第一開口部１３は、電磁波を受け、表面１２２に開口する直径ｄ１の表面側開口部１３ａと、裏面１４２に開口する直径ｄ２の裏面側開口部１３ｂとを有し、電磁波の波長をλとしたときに、ｄ２＜ｄ１かつｄ２＜λである光学素子１。 （もっと読む）

【課題】エネルギー分解能に優れた核医学診断装置及び核医学診断方法を提供すること
にある。
【解決手段】核医学診断装置は、半導体素子Ｓと金属製の導電部材２２Ａ，２２Ｂ，２３Ａ、２３Ｂとを、導電性粒子及び樹脂バインダで構成される導電性接着材２４により接着してなる接着構造を有し、半導体素子Ｓにγ線が入射したときに発生する電荷が導電性接着材２４を介して導電部材２２Ａ、２２Ｂ，２３Ａ、２３Ｂから検出回路４０を通じて信号として取り出される構成と、γ線が入射したときに発生する電荷による電流よりも大きい電流を、少なくとも導電性接着材２４に流すための通電制御手段３０を備える。 （もっと読む）

【課題】調芯作業が簡単で良好な結合効率が得られやすく、しかも平面光波回路と半導体素子を一体化したコンパクトな光集積回路および光集積回路モジュールを提供する。
【解決手段】平面光波回路２と半導体素子３が一つの接触面１２で固定されている。半導体基板８上に半導体光増幅器（ＳＯＡ）９が形成されている。ＳＯＡ９の入力側および出力側に、半導体導波路１０および半導体導波路１１が形成されている。半導体導波路１１は半導体基板８上で折り返された折り返し部１１ａを有する。ＰＬＣ基板４上の光導波路５，６の各端部と半導体導波路１０，１１の各端部が接触面１２上で結合されている。 （もっと読む）

【課題】一対の電極と、これらに挟まれた光電変換膜とを含む固体撮像素子において、製造過程に起因する劣化や製造後の経時劣化を極力防ぐことが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】基板上方に配列された複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部の各々の上方に形成されたカラーフィルタとを有する固体撮像素子１００であって、前記光電変換部が、基板上方に形成された下部電極７と、下部電極７上に形成された光電変換膜９と、光電変換膜９上に形成された上部電極１０とを含んで構成され、上部電極１０上に形成された前記光電変換部を保護するために原子層堆積法（ＡＬＤ法）によって形成された保護膜１１と、上部電極１０と保護膜１１の間にＡＬＤ法以外の方法（スパッタ法）によって形成されたＡＬＤ法に起因する前記光電変換部の特性劣化を防止するための保護膜１５と、保護膜１１上に形成された保護膜１１の機能を強化するための高分子材料膜１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】被写体から反射した赤外光に基づく赤外画像の撮影を行うことのできる固体撮像素子に最適な光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、前記一対の電極間に設けられた光電変換膜とを含む光電変換部を備える光電変換素子であって、前記光電変換膜が、有機光電変換材料を含んで構成され、該有機光電変換材料が下記の一般式（ＳＱ−１）で示される化合物を含む光電変換素子。
一般式（ＳＱ−１）
【化１】


（式中、Ａ、Ｂはそれぞれ独立に、結合位がｓｐ^２炭素である置換基を表す。） （もっと読む）

【課題】 青紫色レーザなどの、高エネルギーで高密度の出力の光を受光する光半導体装置でも、受光面が変色して光の透過率を低下させることなく、また、容易に製造することができて安価に得られる受光素子を有する光半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板２の少なくとも１つの面（表面）に電極端子２２が形成されると共に、開口孔２１が形成され、その基板２上に受光素子１が、そのバンプ１２と電極端子２２とが接続され、かつ、受光面１１が基板２の開口孔２１と対向するように、フリップチップ実装されている。そして、少なくともその接続部（バンプ１２の部分）が被覆されるように、紫外線硬化樹脂が、開口孔２１の周縁に沿って受光素子１と基板２との間隙部に充填されて封止樹脂層３が形成されている。この封止樹脂層３は、受光素子１の受光面および開口孔２１内には漏出しないように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、可視域から遠赤外域の画像をリアルタイムで同時取得する場合において、同一光軸で可視画像と赤外画像を撮像し、かつ、高感度の赤外画像を取得できる撮像素子を提供する目的とする。
【解決手段】 可視光検出器と熱型赤外線検出器を同一基板上に配列配置し、可視光検出器は、フォトダイオードを光検出部とし、熱型赤外線検出器は、可視域から近赤外域の光を透過する赤外線吸収部と温度検出部と支持脚とを含む構成であって、赤外線吸収部は温度検出部と離間されて支持され、さらに温度検出部は前記支持脚のみによって半導体基板と接続される構造であり、赤外線吸収部が可視光検出器の上部を覆う構造を特徴とするものである。 （もっと読む）