【課題】
読み出し回路を備えた第一基板と受光素子を備えた第二基板をバンプ接続した量子型赤外線熱感知デバイスにおいて、HgCdTe等で構成された第二基板に影響を与えることなくシリコン基板等で構成された第一基板と、第二基板の熱膨張係数の違いに起因する隣接バンプ間の接触を防止する。
【解決手段】
量子型撮像素子は、読み出し回路を備えた第一基板と、前記第一基板とフリップチップボンディング（FCB）によって電気的に接続された、受光素子を備えた第二基板と、前記第一基板と前記第二基板をFCBによって電気的に接続する導体バンプ群と、各バンプの周囲を囲むように存在し、前記第一基板側にのみ固定され、前記第二基板との間に空隙を設けた絶縁壁とを有する。 （もっと読む）

【課題】 正確な軟Ｘ線の検出を行うことを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る軟Ｘ線検出装置１００は半導体基板２を有する。半導体基板２には複数の検出ユニット１が配され、それぞれの検出ユニット１は変換部３と回路部４とを含む。変換部３は例えばフォトダイオードである。変換部３では軟Ｘ線によって発生した電荷が収集される。回路部４には例えば第１導電型（Ｎチャネル型）の増幅トランジスタ６が配される。増幅トランジスタ６は、変換部３からの信号を増幅して出力する増幅部である。隣接する変換部３の間には第１導電型のトランジスタが配されない。あるいは、隣接する検出ユニットに含まれるトランジスタが、互いに近接して配される。 （もっと読む）

【課題】２波長赤外線イメージセンサにおいて、同じ画素ピッチにおける画素面積を広くする。
【解決手段】共通コンタクト層の一方の面に積層形成された第１の赤外光吸収層及び第１のコンタクト層と、前記共通コンタクト層の他方の面に積層形成された第２の赤外光吸収層及び第２のコンタクト層と、前記第２の赤外光吸収層及び前記第２のコンタクト層を分離する上側画素分離溝と、前記共通コンタクト層を介し、前記上側画素分離溝に対応する位置に形成された前記第１の赤外光吸収層及び前記第１のコンタクト層を分離する下側画素分離溝と、前記上側画素分離溝及び前記下側画素分離溝により分離された各々の画素ごとに、前記第２のコンタクト層、前記第２の赤外光吸収層、前記共通コンタクト層、前記第１の赤外光吸収層を除去することにより形成されたコンタクト穴と、を有することを特徴とする赤外線検知器により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ波の発生効率を最大にするテラヘルツ波発生器の調整方法。
【解決手段】アレイ型光導波路１１からの光学ビームを受光するアレイ型フォトダイオードＰＤ１〜ＰＤ４と、アレイ型フォトダイオードのアレイ両端それぞれに設置された２個の調整用フォトダイオードｍＰＤ１，ｍＰＤ２と、２個の調整用フォトダイオードそれぞれの調整用光学ビームｍＢｅａｍ１，ｍＢｅａｍ２それぞれに連結された２個の調整用光導波路ｍ１１，ｍ１２とを備えたテラヘルツ波発生器を用いて、一方のｍＰＤ１の出力が最大となるようにアレイ型フォトダイオードに対して水平及び垂直方向にアレイ型光導波路１１を移動し、ｍＰＤ１の最大出力を維持しつつ、他方のｍＰＤ２の出力が一方の調整用フォトダイオードの出力と同等になるように、一方のｍＰＤ１を軸としてアレイ型光導波路若しくはアレイ型フォトダイオードのアレイを回転させて調整する方法。 （もっと読む）

【課題】複数の受光素子部を備えるアレイ型受光装置に配置される複数の配線を介して生じるクロストークが軽減されるアレイ型受光装置、光受信モジュール、及び光トランシーバの提供。
【解決手段】本発明に係るアレイ型受光装置は、第１導電型電極と第２導電型電極とを備える受光素子部が複数備えられる受光素子アレイと、キャリアと、を備えるアレイ型受光装置であって、前記キャリアは、前記各受光素子部の前記第１導電型電極に接続される第１導電型配線と、該受光素子部の前記第２導電型電極に接続される第２導電型配線と、からそれぞれなる複数の配線対と、前記複数の配線対の一の配線対と該配線対の隣に位置する配線対との間を延伸する第１の接地電極と、前記背面の少なくとも一部に形成されるとともに前記第１の接地電極と電気的に接続される第２の接地電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 精密な計測が可能なフォトダイオードアレイモジュールを提供する。
【解決手段】 このフォトダイオードアレイモジュールは、第１波長帯域の光に感応する第１フォトダイオードアレイを有する第１半導体基板２と、第２波長帯域の光に感応する第２フォトダイオードアレイを有する第２半導体基板２’と、複数のアンプＡＭＰが形成されると共に第１及び第２半導体基板２，２’が重なることなく横に並べ、各フォトダイオードをバンプを介してアンプＡＭＰに接続した第３半導体基板３とを備えている。第１半導体基板２及び第２半導体基板２’の隣接する端部には、段差部が形成されており、これにより各画素を双方の基板に渡って連続して整列させた場合においても、低ノイズで計測ができるようになる。 （もっと読む）

【課題】光励起によりテラヘルツ波を発生、検出する素子において低温成長半導体の歪みや欠陥がテラヘルツ波発生効率などを制限していた点を解決した光伝導素子等を提供する。
【解決手段】光伝導素子は、半導体低温成長層１４を有し、半導体低温成長層１４と半導体基板１０との間に位置し且つ半導体低温成長層１４よりも薄い半導体層１１、１２、１３を有する。半導体低温成長層１４は、半導体層１１、１２、１３と格子整合し半導体基板１０と格子整合しない半導体を含む。 （もっと読む）

【課題】素子全体として高抵抗化することによって、出力及び検出感度を増大することが可能な光伝導素子を提供することである。
【解決手段】光伝導素子は、光を照射すると電磁波を発生・検出し得る光伝導素子である。光が照射された際に抵抗率が変化することにより電磁波を発生・検出し得る半導体層１０１、１０２を有する光伝導層と、半導体層と接して配された複数の電極１０３、１０４を備える。半導体層１０１、１０２は、抵抗率が、電極が接する半導体層の面と交わる厚さ方向に変化する。また、半導体層１０１、１０２は、半導体層において第１の領域１０１及びこの領域より厚さ方向に電極１０３、１０４から離れた第２の領域１０２をとるとき、第１の領域１０１での抵抗率が第２の領域１０２での抵抗率より大きい。 （もっと読む）

【課題】 半導体光集積回路装置及びその製造方法に関し、吸収効率の向上と素子抵抗の低減を両立する。
【解決手段】 半導体基板上に形成された少なくともメサ状部を有する導波路コア層からなる導波路部と、前記導波路コア層の延長部上に順次積層された第１導電型スペーサ層、吸収層及び前記第１導電型と反対の第２導電型上部クラッド層を少なくとも有するフォトダイオード部とを少なくとも設け、前記第１導電型スペーサ層の少なくとも一部がメサ状であり、前記メサ状の第１導電型スペーサ層の側面に接するように、前記第１導電型スペーサ層の屈折率より小さな屈折率の第１導電型半導体層を設ける。 （もっと読む）

【課題】 光検知素子の検知効率を高めることが望まれている。
【解決手段】 基板の上に、複数の量子ドットを含む量子ドット層が配置されている。量子ドット層の上に、再入射構造物が配置されている。再入射構造物は、量子ドット層を通過した光を反射して量子ドット層に再入射させると共に、第１の方向の偏光成分を、第１の方向とは異なる第２の方向の偏光成分に変換して量子ドット層に再入射させる。 （もっと読む）

【課題】励起光とショットキー接合部との相互作用の領域を拡大して、テラヘルツ波の発生効率またはテラヘルツ波の検出のＳＮを向上することができるテラヘルツ波素子を提供する。
【解決手段】テラヘルツ波発生素子は、テラヘルツ波発生層２と、テラヘルツ波発生層２に接して配置された電極３を備え、励起光４の照射と電極３への電圧印加によりテラヘルツ波５を発生する。テラヘルツ波発生層２の少なくとも一部は、励起光４が入射してくる側とその反対側とのテラヘルツ波発生層２の面と交わる面において電極３とショットキー接合部を形成し、ショットキー接合部に励起光４が照射される。 （もっと読む）

【課題】画素毎のバンプが増加してもフリップチップボンディングを適切に行うことができる赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】複数の画素が配列した赤外線イメージセンサ１００と、赤外線イメージセンサ１００から信号を読み出す読み出し回路３００と、赤外線イメージセンサ１００と読み出し回路３００との間に設けられた中継部材２００と、が設けられている。複数の画素の各々には、互いに相違する波長の赤外線を吸収する複数の吸収層１０６、１１０と、複数の吸収層にバイアスを印加するバイアスバンプ１５９と、複数の吸収層毎に設けられた出力バンプ１５７、１５８と、が設けられている。出力バンプは、読み出し回路に設けられた入力バンプ３０２、３０３に接続され、バイアスバンプは、読み出し回路に設けられたバイアス供給バンプ３０４に、中継部材に設けられた中継配線２０７を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】積層された2つの光吸収層を有し、光吸収層の面積が大きい光センサを提供する。
【解決手段】光センサ10は、支持層11と第１電極層12aと第１光吸収層13aと第2電極層12bと第2光吸収層13bとが順番に積層されており、第1光吸収層13a及び第2電極層12b及び第2光吸収層13bを第1領域R1及び第2領域R2に分離する分離層14と、第1領域R1の第2電極層12bと接続する第１電極20aと、第2領域R2の第2電極層12bと接続する第2電極20bと、第1領域R1及び第2領域R2の第2光吸収層13bそれぞれと接続する第3電極20cと、を備える。 （もっと読む）

【課題】封止部材をエッチングすることなく、光センサ装置の受光面を封止部材から露出できるようにした光センサ装置の製造方法及び光センサ装置を提供する。
【解決手段】粘着テープの粘着性を有する面であって、リードフレーム３０´から露出している領域にＩＲ素子１０の受光面１６を貼付する工程と、リードフレーム３０´の表面にＩＣ素子２０を取り付ける工程と、リードフレーム３０´とＩＣ素子２０とをワイヤー４５で電気的に接続する工程と、ＩＲ素子１０とＩＣ素子２０とをワイヤー４６で電気的に接続する工程と、ＩＲ素子１０とＩＣ素子２０とワイヤー４５、４６をモールド樹脂４９で覆う工程と、モールド樹脂４９及びリードフレーム３０´から粘着テープを除去する工程と、ダイシングストリート３６に沿ってモールド樹脂４９及びリードフレーム３０´を切断して、パッケージを形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】量子ドット型赤外線検知器の感度を向上させること。
【解決手段】量子ドットと、前記量子ドットを覆い、エネルギーギャップが前記量子ドットより広い第１の障壁層と、前記第１の障壁層の上側および前記量子ドットの下側に設けられ、エネルギーギャップが前記量子ドットより広く且つ前記第１の障壁層より狭い中間層と、前記第１の障壁層内に設けられ、エネルギーギャップが前記量子ドットより広く且つ前記第１の障壁層より狭い量子井戸層とを有する光電変換層と、前記光電変換層の両側に設けられた電極層を備えた量子ドット型赤外線検知器。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ波の発生および検出のための集束レンズ一体型光伝導アンテナ素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】集束レンズと、前記集束レンズ上に蒸着された光導電体薄膜と、前記光導電体薄膜上に形成された光伝導アンテナ用金属電極とを含み、前記集束レンズと前記光導電体薄膜とは一体型で形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トリガー光の光子エネルギーが光伝導アンテナを構成している半導体基板のバンドギャップエネルギーよりも小さい場合でもテラヘルツ波の検出感度を向上させる。
【解決手段】テラヘルツ波検出装置は、トリガー光が照射されるとキャリアを発生させる基板と、前記基板上に所定のギャップを有するように形成された１対の金属パターンからなり、前記基板にテラヘルツ波が照射されることにより生じる前記キャリアに基づく電流を検出するアンテナと、を備え、前記基板のバンドギャップエネルギーは前記トリガー光の光子エネルギーよりも大きく、前記アンテナの所定のギャップが５μｍ未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型および低コストを確保しながら、熱膨張率の差に起因して起こる、バンプの接合不良や、絶縁不良を防止することができる、検出装置、受光素子アレイ、これらの製造方法および光学センサ装置、を提供する。
【解決手段】受光素子アレイ５０と、ＣＭＯＳ７０とが、バンプ９，３９同士接合され、少なくとも受光素子アレイおよび読み出し回路の一方において、相手側に対面する表面が凹状曲面であり、かつ接合されたバンプ９，３９について、配列された領域の、外周寄り範囲Ｋに位置する接合されたバンプは、中央範囲Ｃに位置する接合されたバンプに比べて、太径で、高さが低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ等と接続してハイブリッド型検出装置を形成するときオープン不良を生じにくい、受光素子アレイ等を提供する。
【解決手段】化合物半導体の受光素子アレイは、ＣＭＯＳ等との接続のためにバンプが設けられた電極が複数配列されており、電極が配列された領域は、中心から距離に応じて領域Ｓ_１，Ｓ_２，Ｓ_３に分けられており、外側の領域の、領域面積当たりのバンプの占有面積が中心側の領域のそれより大きくなるように、外側の領域のバンプの個数の密度が、中心側の領域のそれより大きいことを特徴とする。 （もっと読む）