【課題】実装するだけで光素子と光導波路とが夫々自動的に正確に位置決めされる光素子モジュールおよび光電気配線基板と光電子複合組立体の提供。
【解決手段】実装時において、前記光導波路と交差するように前記光電気配線基板に穿設された挿入孔に挿入されるとともに、光素子が設けられてなる挿入部と、前記挿入部が突設された基板とを備え、前記基板には、前記光電気配線基板の表面に設けられた基板側接続パッドと半田を加熱溶融することによって電気的に接続されるモジュール側接続パッドが設けられ、前記モジュール側接続パッドは、中心が、基板側接続パッドの中心に対し、夫々の光素子が前記光素子に対応する光導波路の端面に押圧される方向とは反対の方向にずれるように設けられた光素子モジュール、光電気配線基板、光電子複合組立体。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置及びその製造方法において、簡易な電極構造によって平面化・小型化が容易であると共に、より簡便な構造で低コストなセンサ構造を得ること。
【解決手段】 半導体基板１と、半導体基板１の表面に形成され溝部２で少なくとも２つに分離された誘電体層３と、分離された各誘電体層３上に形成された電極４と、を備えている。この簡易な構成により、入射光の強度、ガス濃度、温度及び湿度のいずれの変動に対しても電極４間で電気的特性の変化を得ることができ、低コストなセンサとして対応することができる。 （もっと読む）

【課題】 特別な冷却装置を必要とせず、人体の発する赤外線を高感度に効率良く検出すること。
【解決手段】 所定の開口率を得るための単一センサを構成する非検出部の面積に対する検出部の面積の比率が所定の値となるように、単一センサを構成する検出部および非検出部の平面形状を、直角以下の角度を持たない五角形以上の多角形状に形成すると共に、支持基板上の同一行での互いに隣接する２つの単一センサ間の接続においては、該上流側の単一センサの非検出部と該下流側の単一センサの検出部とが直列接続されるように配線し、支持基板上の同一列での互いに隣接する２つの単一センサ間に配置においては、一方の行の単一センサを構成する検出部と、他方の行の単一センサを構成する非検出部とを交互に配置する。 （もっと読む）

【課題】 遮光膜の開口部周辺の端縁部で反射されていた斜め光を光電変換領域側に入射させて集光率を向上させ、受光感度を向上させる。
【解決手段】 光電変換領域３および、電荷転送領域４上の遮光膜１１を覆うバリア層の第１絶縁膜１２Ａの屈折率を、その上の平坦化層である第２絶縁膜１３Ａの屈折率よりも低く設定している。これらの二つの層の界面での光の屈折を利用して、遮光膜１１の開口部周辺の端縁部付近に斜めに入射してきた光Ａ１が、バリア層と平坦化層との界面で屈折により内側の光電変換領域３側に曲げられて、従来、遮光膜１１の端縁部で反射していた光も光電変換領域３側に入射させてその入射光の光電変換領域３への集光率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 基板掃き出し電圧を上昇させることなく受光領域の必要な面積を確保し、画素間ブルーミングを効果的に低減し、長波長感度も良好な、微細化された個体撮像素子を効率的に製造すること。
【解決手段】 オーバーフローバリア層（１２，１３）は斜めイオン注入により形成し、所定の画素間分離領域（２０）は垂直方向からのイオン注入により形成するというふうに、形成する不純物層（１２，１３，２０）の性質や役割に応じて、イオン注入の方向を使い分ける。特に、長波長の光に感度をもつフォトダイオード間を分離するためには、画素分離領域（２０）は深さ方向に十分な厚みをもつ必要があるため、意図的に、チャネリングが生じ易い方向からのイオン注入により形成し、低い打ち込みエネルギーで所望の濃度プロファイルをもつ画素間分離用の不純物領域を効率的に形成する。 （もっと読む）

【課題】高価な金型を使用せず、受光素子及び／又は受発光素子を封入する安価なリードレス中空パッケージ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＩＣチップに対応する個々のパッケージは予め製作せず、公知のプリント配線基板製造技術により集合基板を製作する。その上にＩＣチップを複数個搭載した後、ＩＣチップを取り囲むように粘稠な接着剤を塗布して「ダム」を形成する。次に、配線基板と略同寸法のガラス板を前記のダムに載せ、これを硬化した後、ガラス板、接着剤、基板を同時に切断することで、ＩＣチップが封止された個々の撮像素子パッケージを得るものである。これにより、ＩＣチップを搭載、
配線する工程を集中して行うことができるため能率が上がる。更には、高価な金型が不要であり、多品種の生産にも容易且つ安価に対応できる。 （もっと読む）

【課題】 中空構造を有する半導体装置の製造方法であって、メンブレンの破損を防いで歩留まりを向上させることができる製造方法を提供する。
【解決手段】 犠牲層エッチングによって中空構造を有する半導体装置を製造するに際して、犠牲層にエッチングガスを通気するための通気孔を形成し、中空部分に犠牲層を残したまま、ウエハのダイシング工程、ダイスボンド工程、ワイヤーボンド工程を実行した後に、犠牲層をエッチングによって除去する。
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【課題】 撮像センサ−において色再現、ＳＮ比、さらには経時保存性、微細加工時のプロセス耐性等が向上する手段を提供すること。
【解決手段】 無機光電変換膜１３（２１〜２３）上に有機光電変換膜７，８，９，１０を積層してなる光電変換素子において、無機光電変換膜と有機光電変換膜との間の絶縁膜１１，１２の厚みを１μｍ以上６μｍ以下とすること、有機光電変換膜７，８，９，１０を４層以上の多層構造とすること、有機光電変換膜上に３層以上の多層構造から成る保護膜３，４，５を形成すること、等。 （もっと読む）

【課題】 歩留りの向上を図ることができ、信頼性及び特性が高い光電変換装置及びその製造方法、並びに光情報処理装置を提供すること。
【解決手段】 光電変換素子２と、光電変換素子２が設けられ、その出射光又は入射光を透過する素子基体１と、光電変換素子２とは反対の面側において、素子基体１自体に光電変換素子２に対応して設けられたレンズ部４とを有し、素子基体１のレンズ部４が形成された面側に、レンズ部４を埋設し、前記出射光又は入射光を透過する保護層５が配され、レンズ部４とは反対側の保護層５の表面が平坦になっている、光電変換装置６及びその製造方法。本発明の光電変換装置と、光導波部と、前記光電変換素子を駆動する駆動素子とからなる、光情報処理装置。 （もっと読む）

【課題】色再現性を高レベルで保ち、さらにスミア特性、感度特性の優れたカラー固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２０には受光部３があり、さらに受光部３に隣接して読み出し領域５および転送領域４が形成されている。第１透明膜８の上には受光部３に対峙するように、上に凸形状の層内レンズ９を設ける。色フィルタ１１の上には第３透明膜２２と、その上には受光部３、層内レンズ９、色フィルタ１１と対峙するようにトップレンズ１３を設ける。入射光は、トップレンズ１３および層内レンズ９より集光して受光部３に到達するが、青用受光部３Ｂ、緑用受光部３Ｇ、赤用受光部３Ｒは基板内の深さ方向に対して、それぞれ異なる位置に形成する。各色の集光位置をずらすために、凸形状からなる層内レンズの曲率を変える。青用トップレンズ１３Ｂ、緑用トップレンズ１３Ｇ、赤用トップレンズ１３Ｒのレンズ形状およびレンズ曲率は同一にする。 （もっと読む）

【課題】 簡素な構造で適切な受光感度を得ることが可能な紫外線センサ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 紫外線センサ素子は、ステム６０に紫外線透過フィルタ７２が形成されたキャップ７０が溶接されて、チップ５０が封止された構造を有する。外部から照射される紫外線は、紫外線透過フィルタ７２を透過して、チップ５０を構成するチップ状酸化亜鉛単結晶３０の受光面である−ｃ面に到達する。チップ状酸化亜鉛単結晶３０の−ｃ面に紫外線が到達することによって、チップ状酸化亜鉛単結晶３０の抵抗値は変化する。そして、抵抗値の変化に伴って、チップ状酸化亜鉛単結晶３０を流れる信号の電流（光電流）の値も変化する。図示しない外部の装置は、端子６２に接続されており、信号の電流値を検出し、当該電流値に基づいて、紫外線量を算出することができる。 （もっと読む）

一実施形態において、X線撮像装置（200）用の画像センサ（290）は、ホトダイオード（223）及び読み出し回路を含む。読み出し回路の下方に形成されている深井戸（232）は、ダイオードとして構成され、寄生電子を流出させ、さもなければ画像内にノイズが誘導される。寄生電子は、電源又は、例えば線量測定を目的とした測定回路に対して流出する。 （もっと読む）

【課題】 １種類の量子ドット構造のみを用いて複数の波長の光を検知する。
【解決手段】 量子ドット１３を有する複数の量子ドット層１２を設け、複数の量子ドット層１２と交互に積層され、複数の量子ドット層１２を埋め込む複数の障壁層１４を設ける。そして、第１の一対の電極１６、１７を複数の障壁層１４に対して垂直に設け、第２の一対の電極１８、１９を複数の障壁層１４に対して平行に設ける。このようにすると、第１の一対の電極１６、１７に印加された電界に応じ、光を吸収してキャリアを放出する量子ドット１３の電子エネルギポテンシャルを変更できるので、検知する光の波長を変更できる。 （もっと読む）

【課題】
高純度シリコン結晶を用いたことによる利点を生かしつつ、さらに、漏れ電流を抑制するとともに、放射線検出素子のコンパクト化を図ることをその所期課題とする。
【解決手段】
外部から入射する放射線を吸収し、当該放射線により生成される電荷を、電界をかけることにより取り出す放射線検出素子であって、軸線方向に延びる柱状部及び当該柱状部の一端の外周に設けられた鍔部からなる高純度シリコン部材と、前記高純度シリコン部材の両端面にそれぞれ形成した互いに極性の異なる電極と、を備え、前記鍔部における電極が形成されていない端面に、径方向に内向きの面方向成分を有する、電界が発生しない無電界面を形成している。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームによる損傷を防止し、正確な断面形態観察を実現することのできる形態断面観察方法を提供する。
【解決手段】 試料表面に蒸着法により保護膜を形成する工程と、前記保護膜上にＦＩＢを用いて加工用保護膜を形成する工程と、前記加工用保護膜の形成された試料をＦＩＢにより切断し、断面を観察する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】レンズの大きさを任意に形成し、放射角または受光径を任意に変化させることができる電気光学素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板の表面に形成されている電気光学素子が有する発光面または受光面の光路上の基板の裏面に、基板開口部を有する凹部が形成されており、また、当該光路上に層開口部を有する層が形成されている。当該凹部の内部及び当該層開口部の壁面で規定される大きさを有する光学部材を形成する。 （もっと読む）

【課題】 不要な波長域の光に対応する光キャリヤの発生をおさえ、混色の発生を抑える。
【解決手段】 複数のフォトダイオードＰＤと、フォトダイオードＰＤの受光部を画する遮光層１１１と、少なくともフォトダイオードＰＤの受光部上に設けられたカラーフィルタとを基板上に有する光電変換装置であって、基板端部１１３側に配置された一のフォトダイオードの受光部上に設けられたカラーフィルタ１１２を、一のフォトダイオードの受光部を画する遮光層１１１から基板端部１１３側へ延び、且つ遮光層１１１と基板端部１１３との間の少なくとも一部を覆うように、配置した。 （もっと読む）

光デバイス（１０）は、コア（４０）とクラッド（４２）とを有する光ファイバ（１５）と、光ファイバ（１５）の上面からガラス基板（１２）にかけて設けられたスリット（１８）と、該スリット（１８）内に挿入されたフィルタ部材（２０）と、分岐光（２４）を検出するＰＤアレイ（２８）とを有する。そして、スリット（１８）内における該スリット（１８）とフィルタ部材（２０）との隙間に第１の高分子ゲル材（５０）が充填されている。光ファイバアレイ（１６）とＰＤアレイ（２８）間であって、かつ、フィルタ部材（２０）にて分岐された光（２４）の光路上に第２の高分子ゲル材（５２）が介在されている。
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光検出器が、基板上面に形成された入口面と反射面とを備えた半導体基板を含む。反射面は基板表面と鋭角を成しており、そして入口面を通って基板内に透過される光ビームが、反射面から半導体上面に向かって内部反射されるように位置決めされている。基板上面上には光検出器活性領域が形成され、そして光検出器活性領域は、反射された光ビームが活性領域上に衝突するように位置決めされている。光検出器を第2基板上に載置することにより、第2基板上に形成されたプレーナー型導波路、又は第2基板上の溝内に載置された光ファイバーから光ビームを受容することができる。
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【課題】遠赤外〜赤外領域の画像処理を行う高感度イメージセンサの構造およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 ストイキオメトリ制御されたＩＶ−ＶＩ族化合物半導体を材料とするｐｎ接合、ショットキー接合によるフォトダイオードをアレイ化し、該フォトダイオードアレイをシリコン系もしくはＧａＡｓ系信号処理用回路チップに接合し、高感度に遠赤外〜赤外領域の画像処理を行うイメージセンサを提供する。 （もっと読む）