【課題】ＬＥＤチップから放射される光の一部を検出する光検出素子を備えた構成を採用しながらも、低コスト化を図ることが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１と、光検出素子４を有する光検出素子ユニット２と、ベース基板２０とを備える。光検出素子ユニット２は、光検出素子４が受光部４ｃをベース基板２０側として形成された光検出素子形成基板（傘部）４０と、光検出素子４の各電極４７ｃ，４７ｄに電気的に接続された貫通孔配線８４ｃ，８４ｄが設けられ光検出素子形成基板４０を支持する支持基板（支柱部）８０と、支持基板８０における光検出素子形成基板４０側とは反対の表面に設けられ各貫通孔配線８４ｃ，８４ｄに電気的に接続されたパッド８５ｃ，８５ｄとを有し、パッド８５ｃ，８５ｄとベース基板２０の導体パターン２５ｃ，２５ｄとが両者の間に介在する導電性接合部９，９を介して接合されている。 （もっと読む）

【課題】十分な感度が得られ、高速応答を示す光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１１、１５と、前記一対の電極間に配置された光電変換層１２とを含む光電変換素子の製造方法であって、前記光電変換層を形成するための原料の少なくとも１種として、最小径が０．３ｍｍ以上である結晶粒子を含む有機材料を使用し、前記有機材料を所定の安定蒸着速度に到達するまで加熱する工程と、前記安定蒸着速度に到達した後、前記光電変換層の成膜を行わずに前記結晶粒子の全体積の少なくとも１／５を昇華させる工程と、前記有機材料の全体積の少なくとも１／５を昇華させた後、前記光電変換層の製膜を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を用いた放射線検出素子は小型軽量などの利点があるが、放射線を透過しやすいので放射線検出効率が低いという問題があった。
【解決手段】本願の放射線検出素子及び放射線検出装置は、放射線検出素子の放射線入射面にタングステンなどの金属からなる膜を形成し、放射線の入射エネルギーを減衰させることにした。入射エネルギーを減衰させることで放射線入射によるキャリア生成効率が向上し、金属膜の膜厚を最適化して、放射線検出効率向上が可能になった。 （もっと読む）

【課題】
光結合効率が高く、高密度実装された小型の光モジュールを提供する。
【解決手段】
光モジュールにおいて、半導体基板１１の主表面に対して光を垂直方向に出射する発光素子が光出射領域に集積されたレンズ１９と光出射領域を囲むように集積された保持部２２とを有することにより、発光素子と発光素子からの光を導波する光ファイバ３１との水平垂直方向の位置合わせの簡易性が向上し、光結合効率が高く、高密度実装された小型の光モジュールを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性を高めた光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、複数の層２０、２４４、２９１〜２９４からなる素子層と、素子層内に設けられた光電変換素子と、素子層内に設けられて光電変換素子から信号を読出す読出回路と、素子層の表層２９４に設けられて読出回路を外部に接続する外部接続端子２１１と、を備える。素子層は、読出回路の一部を構成する配線２１２の下地となる配線下地層２０と、表層２９４と配線下地層２０との間に配置された中間層２９１〜２９３と、を含む。中間層２９１〜２９３上に接続導電部２８２〜２８４が設けられている。配線２１２が接続導電部２８２〜２８４と導通接続されているとともに外部接続端子２１１が接続導電部２８２〜２８４と導通接続されている。 （もっと読む）

【課題】容量結合が低減された光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、複数の画素領域に区画された光検出領域と、複数の画素領域の各々に配置され、第１電極２５１と第２電極２５２とに挟持された光電変換層を有する、光電変換素子２５と、第１電極２５１と電気的に接続され、第１方向に延設された第１配線２２２と、第２電極２５２と電気的に接続され、光電変換層の厚み方向において第１配線２５１から離れた位置に配置されており、第１方向と交差する第２方向に延設された第２配線２３と、を備える。第１配線２２２は、第１方向と第２方向とが交差する交差部２６において分断されてなる。第１配線２２２を含んだ通電経路は、交差部２６の厚み方向において第１配線２２２よりも第２配線２３から離れた位置に設けられた接続導電部２６１を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、画素が微細化されても混色抑制する。
【解決手段】各画素に対応して形成された各色フィルタ成分３６から成るオンチップカラーフィルタ３８と、隣接する各色フィルタ成分３６の境界に形成された遮光体３７を有する。さらに、各色フィルタ成分３６の直下に、セルフアラインにより形成された下凸レンズ３９を有する。 （もっと読む）

【課題】暗電流を低減でき、かつ、高速応答が可能な光検出器を提供する。
【解決手段】ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２、ｉ型ｃ−Ｇｅ層３およびｐ^＋型ｃ−Ｇｅ層４が光導波路３０に近接してシリコン基板１上に積層される。光導波路３０は、クラッド２０に接してクラッド２０上に形成されている。ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２の膜厚（０．６μｍ）がクラッド２０の厚み（１．４μｍ）よりも薄く、かつ、ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２の膜厚とｉ型ｃ−Ｇｅ層３の膜厚との合計（２．０μｍ）がクラッド２０の厚みと光導波路３０の厚みとの合計（１．７μｍ）よりも大きい。その結果、光導波路３０中を伝搬する光は、光検出器１０のｉ型ｃ−Ｇｅ層３へ入射され、ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２およびｐ^＋型ｃ−Ｇｅ層４へ入射されない。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器を個別に抜き挿しできる放射線検出器抜き挿し器を提供する。
【解決手段】放射線検出器抜き挿し器７ａ、７ｂは、放射線を検出する複数の放射線検出器１ａと、予め定められた距離をおいて設けられる複数の溝２ｂのそれぞれにて複数の放射線検出器１ａを保持する放射線検出器立てとを備える放射線検出装置用の放射線検出器抜き挿し器であって、放射線検出器立てに保持される放射線検出器１ａの両端部側に設けられる突起部３０ａに突き当てられる一対の回転冶具７４ａ、７４ｂと、一対の回転冶具を有し、回転自在に設けられる一対の回転部材７２ａ、７２ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】透光性基板の外周端面における反射光によるノイズの発生を防止し、且つ、透光性基板の光学的な有効領域の占有率を高くすることが可能な光学デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の光学デバイスは、受光素子２が形成された半導体基板１と、半導体基板１の上方に受光素子２を覆うようにして配けられ、接着剤層５を介して半導体基板１に固定された透光性基板４とを備え、透光性基板４は、その外周端面に、上面から下面に向けて広がるように傾斜する湾曲面を有する。 （もっと読む）

【課題】低コストで信頼性及び量産性の高い素子構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、撮像領域１０２を含み、表面と裏面とを有する半導体素子が形成された基板１０１と、表面に形成された電極部１０３と、裏面に形成された外部電極１０９と、基板１０１を貫通する貫通孔に形成され、電極部１０３と外部電極１０９とを電気的に接続する導体層１０８と、表面上方に形成され、厚み方向に凸である凸形状を有する凸形状面を有し、凸形状により光を屈折させる光学部材１０５とを備え、撮像領域１０２は、光学部材１０５を透過した光を受光し、受光した光を電気信号に変換し、撮像領域１０２によって変換された電気信号は、電極部１０３、導体層１０８及び外部電極１０９を介して外部に出力され、半導体装置１００の最上面が平坦である。 （もっと読む）

【課題】応力集中に対して内部電極の断線、剥離および貫通電極の脱落が起こりにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１を厚み方向に貫通して設けられた貫通電極１７と、半導体基板１１の第一の主面の貫通電極１７が到達する部分に設けられ、貫通電極１７と電気的に接続された内部電極１２と、内部電極１２の一部を除外して内部電極１２および前記第一の主面を覆う保護膜１３と、半導体基板１１の前記第一の主面とは反対側の第二の主面に設けられ、貫通電極１７と電気的に接続された金属配線１８とを備え、内部電極１２上において保護膜１３に複数の開口１４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】可視光領域に感度を有する光電変換素子と赤外光領域に感度を有する光電変換素子とを混載させた光電変換装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２の一面に複数の光電変換素子Ｂ，Ｃを形成する第１工程と、複数の光電変換素子Ｂを覆うように可視光領域の少なくとも一部の波長領域の光を遮蔽するカラーフィルタ１０を形成する第２工程と、半導体基板２の一面側に支持基体１６を接着する第３工程と、光電変換素子Ｂを覆い、光電変換素子Ｃを覆わないように、赤外光領域の光を遮蔽する赤外カットフィルタ１８を支持基体１６上に形成する第４工程と、を含む製造方法により光電変換装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】感度を向上し、撮像画像の画像品質を向上する。
【解決手段】第１の光導波部材１３１ａよりも屈折率が低い光学材料にて発散レンズ１２１が形成し、集光レンズ１１１を介して入射された光を、発散レンズ１２１によって第２の光導波部材１３１ｂへ発散させる。そして、その発散レンズ１２１によって発散された光を、第２の光導波部材１３１ｂがフォトダイオード２１の受光面ＪＳへ導くように構成する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１つの光学要素を電磁放射線検出器に可能な限り近接することによって位置決めおよび受動的整列するための新規なシステムおよび方法を提案する。
【解決手段】本発明は、少なくとも１つの光学要素を電磁放射線検出器に可能な限り近接して位置決めおよび受動的整列を行うためのシステムおよび方法に関する。このシステムは光学要素（３５）を検出器（２１）にＺ軸に関して可能な限り近接して位置決めするための支持楔（３７）と、支持楔および／または保持ボール（３６）を利用してＸおよびＹ軸について受動的整列を行うための手段と、を具備し、前記Ｘ，ＹおよびＺ軸は互いに直交した３つの軸である。 （もっと読む）

一実施形態において、読み出し集積チップ等の集積チップとの酸化物結合に適した検出器の作製方法は、バンプを有する複数の検出素子を備える基板を準備する。前記バンプの上部を取り囲むフローティング酸化物層が形成される。前記フローティング酸化物層と前記集積チップの酸化物層との間に酸化物−酸化物結合が形成される。前記集積チップの酸化物層は、前記集積チップの対応バンプに備えられる。前記酸化物−酸化物結合によって、前記検出素子の前記バンプと前記集積チップの前記対応バンプとが互いに密接に接触でき、前記バンプへの機械的応力及び前記バンプ間の機械的応力を本質的に全て除去できる。他の実施形態においては、装置が相互接続インタフェースを有し、この相互接続インタフェースが、前記酸化物−酸化物結合、及び、前記検出素子の前記バンプと前記集積チップの前記対応バンプとの間の電気的接触を含む。
（もっと読む）

【課題】紫外線センサにおいて、より高い感度を得られるとともに、より高い波長選択性を得られるようにする。
【解決手段】（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２と、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２の一方主面の一部を覆うように、スパッタリング法により形成されるたとえばＺｎＯを含む酸化物半導体からなる薄膜材料層４とを含む積層体５を備え、さらに、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２と薄膜材料層４との接合部６の少なくとも一部を露出させた状態で積層体５の外表面上に形成され、かつ（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２に電気的に接続される、第１の端子電極７と、上記接合部６の少なくとも一部を露出させた状態で積層体５の外表面上に形成され、かつ（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２および薄膜材料層４の双方に電気的に接続される、第２の端子電極８と、第１の端子電極７に電気的に接続されながら、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２内に形成される、内部電極９とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりを向上させ得るＣＳＰカメラモジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】受光部がそれぞれ形成された複数のセンサ形成領域とセンサ周辺領域とを有する主面と主面と対向する裏面とを具えた半導体ウエハ１０１と、レンズ部１２１がそれぞれ形成された複数のレンズ形成領域とレンズ周辺領域とを有するレンズ形成面とレンズ形成面と対向し平坦面であるレンズ非形成面とを具えたレンズウエハ４であって少なくとも１枚の透光性光学ウエハで構成されたレンズウエハ４と、スペーサ部１５１を介して空間を隔てて接合された半導体ウエハ１０１とレンズウエハ４とからなる貼着体を形成する工程と、レンズ非形成面を介して貼着体を保持して半導体ウエハの裏面を研磨する工程と、貼着体をセンサ周辺領域及びレンズ周辺領域にて切断することにより、各々がスペーサ部にて接合されたセンサチップ及びレンズチップからなるカメラモジュールに個片化する。 （もっと読む）

【課題】不純物の濃度分布の変化が急峻な検出素子を安定的に製造することができる検出素子の製造方法、及び遠赤外線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、共通の結晶母材からなるウェハーを一対形成する。一方のウェハーに所定の不純物を所定量ドープし、ブロッキング層用ウェハー5aを形成する。また、他方のウェハーにも、上記不純物と同じ不純物をブロッキング層用ウェハー5aよりも高濃度でドープし、吸収層用ウェハー4bを形成する。次いで、吸収層用ウェハー4b及びブロッキング層用ウェハー5aの貼り合わせ面の結晶方位を合わせた状態で、吸収層用ウェハー4b及びブロッキング層用ウェハー5aを貼り合わせて検出素子３を形成する。 （もっと読む）

【課題】広帯域に亘って紫外線を検知できる感度領域の広い紫外線センサを提供すること。
【解決手段】本発明の紫外線センサは、紫外線感知部を備えた紫外線センサであって、前記紫外線感知部は、酸化亜鉛と、前記酸化亜鉛のバンドギャップよりも広いバンドギャップを持つ感知波長域拡張材料と、を含有する混合物で構成されていることを特徴とする。これにより、広帯域に亘って紫外線を検知できる感度領域の広い紫外線センサを実現することができる。 （もっと読む）