Fターム[5F092AA12]の内容
Fターム[5F092AA12]に分類される特許
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複合磁気フリー層を有する磁気エレクトロニクス情報デバイス
磁気エレクトロニクス情報デバイス(12)は、2つの多層構造(24,26)及び該2つの多層構造の間に配置されたスペーサ層(28)を備えている。各多層構造は、2つの磁気副層(38,40及び44,46)と、該2つの磁気副層の間に配置されたスペーサ層(42,48)とを有している。2つの磁気副層の間に配置されたスペーサ層は、飽和領域によって定量化される反強磁性交換結合を提供する。2つの多層構造の間に配置されたスペーサ層は、前記第1飽和領域よりも小さい他の飽和領域によって定量化される第2反強磁性交換結合を提供する。
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