【課題】セル面積を縮小する。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、側面と上面とを有する段差部が形成された半導体基板１１と、段差部の側面上にゲート絶縁膜２０を介して形成されたゲート電極Ｇと、段差部の上面内に形成されたドレイン拡散層２４と、ドレイン拡散層より下方の半導体基板内にドレイン拡散層と離間して形成されたソース拡散層１８と、ドレイン拡散層に接続され、磁化方向が固定された固定層３１と磁化方向が反転可能な記録層３３と固定層及び記録層の間に設けられた非磁性層３２とを有し、固定層及び記録層の間に流す電流の向きに応じて固定層及び記録層の磁化方向が平行状態又は反平行状態となる磁気抵抗効果素子ＭＴＪと、磁気抵抗効果素子に接続されたビット線ＢＬを具備する。 （もっと読む）

【課題】微小サイズにおいて低い磁気緩和定数を持つトンネル磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】トンネル磁気抵抗素子は、強磁性固定層と、バリア層と、強磁性自由層と、強磁性自由層のもう一方の界面に接する非磁性層からなる積層構造を含む磁気抵抗素子であって、非磁性層がＭｇＯである。また強磁性自由層は、非磁性伝導層１２と非磁性伝導層１２を介して磁気的に反平行に結合した２層の強磁性層１１，１３とにより構成される。 （もっと読む）

【課題】１ビットあたりのメモリセル面積を縮小する。
【解決手段】半導体記憶装置は、メモリセルＭＣを構成する第１乃至第３の抵抗性記憶素子ＭＴＪ１、ＭＴＪ２、ＭＴＪ３と、第１のソース／ドレイン電極が第１の抵抗性記憶素子の一端に接続され、第２のソース／ドレイン電極が第３の抵抗性記憶素子の一端に接続された第１のトランジスタＴｒ１と、第３のソース／ドレイン電極が第２の抵抗性記憶素子の一端に接続され、第４のソース／ドレイン電極が第３の抵抗性記憶素子の一端に接続された第２のトランジスタＴｒ２と、第３の抵抗性記憶素子の他端に接続された第１のビット線ＢＬ１と、第１及び第２の抵抗性記憶素子の他端に接続された第２のビット線ＢＬ２と、第１のトランジスタのゲート電極に接続された第１のワード線ＷＬ１と、第２のトランジスタのゲート電極に接続された第２のワード線ＷＬ２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】スピントランスファ書き込みを用い、高集積化に適した磁気記憶素子及び磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】磁気記憶素子は、磁化方向が固定された第１固着層ＦＰ１、第２固着層ＦＰ２と、磁化方向が可変の第１記憶層ＦＦ１、第２記憶層ＦＦ２と、非磁性体からなる第１中間層Ｓ１、第２中間層Ｓ２、第３中間層Ｓ３と、一対の電極とを備え、第１記憶層ＦＦ１の磁化方向は、電流が第１の極性で第１閾値を超えると第１の方向となり、電流が第２の極性で第２閾値を超えると第１の方向とは反対の第２の方向となり、第２記憶層ＦＦ２の磁化方向は、電流が第１の極性で第１閾値よりも絶対値が小さい第３閾値を超えると第３の方向となり、電流が第２の極性で第２閾値よりも絶対値が小さい第４閾値を超えると第４の方向となり、電流に対する第２中間層Ｓ２の電気抵抗は、第１中間層Ｓ１の電気抵抗よりも第３中間層Ｓ３の電気抵抗よりも高い。 （もっと読む）

【課題】セルサイズを縮小することを可能とする。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、第１及び第２のビット線ＢＬと、第１及び第２のビット線を有するグループＧＰに対して１つ設けられ、第１のビット線と隣り合い、第１及び第２のビット線と同じ第１の方向に延在されたソース線ＳＬと、第１のビット線に接続された第１の磁気抵抗効果素子ＭＴＪａと、第２のビット線に接続された第２の磁気抵抗効果素子ＭＴＪｃと、第１の磁気抵抗効果素子と直列接続された第１のトランジスタＴｒａと、第２の磁気抵抗効果素子と直列接続された第２のトランジスタＴｒｃとを具備し、第１の磁気抵抗効果素子と第１のトランジスタとを有する第１のセルと第２の磁気抵抗効果素子と第２のトランジスタとを有する第２のセルがソース線に共通接続されている。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動を利用した情報保存装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】磁壁を有する書き込みトラックと、書き込みトラックと連結され、磁壁を有する保存トラックと、保存トラックに記録されたデータを読み取るための読み取り手段とを備え、書き込みトラックと保存トラックとの間の連結部の幅は、書き込みトラックから保存トラックの方に行くほど狭くなることを特徴とする情報保存装置である。 （もっと読む）

【課題】読取り幅および読取りギャップが低減された、リードオーバーレイド読取りヘッドを含む、ハードディスクドライブ用の改良型磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】オーバーレイされたリード線１３４，１３８の内側端部間の距離に相当する読取り幅Ｗは、オーバーレイされたリード線を作製する前に、薄い読取り幅の絶縁部材１２８を作製することによって低減される。読取りギャップは、ＮｉＦｅなどの磁性かつ導電性の材料１３０からオーバーレイドリード線を作製することによって低減され、それにより、オーバーレイドリード線１３４，１３８は磁気シールドとしても機能する。その結果、第１および第２の磁気シールド間の距離である読取りギャップは、従来技術に比べて、リード線の厚さと、リード線および第２の磁気シールドの間に形成される従来技術の第２の絶縁層１０４の厚さとの分だけ低減される。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動方式に基づく磁気抵抗効果素子の面積を縮小すること。
【解決手段】本発明に係る磁気抵抗効果素子は、磁化の向きが固定された少なくとも２つの第１磁化固定層１ａ，１ｂと、ＸＹ面上に形成され磁化の向きが可変な磁化自由層２と、非磁性層３を介して磁化自由層２に接続された第２磁化固定層４とを備える。２つの第１磁化固定層１ａ，１ｂは、磁化自由層２を挟んで第２磁化固定層４と対向するように配置され、また、磁化自由層２と磁気的に結合している。２つの第１磁化固定層１ａ，１ｂの磁化は共に、ＸＹ面に直角なＺ方向の成分を有する。データ書き込み時、書き込み電流が、ＸＹ面内において、磁化自由層２の一端から他端に流される。 （もっと読む）

【課題】小型で、地磁気の影響を受けない高感度で変動磁場を検出できる磁気検出器を提供すること。
【解決手段】アモルファスワイヤにパルス電流または高周波電流を印加し、前記アモルファスワイヤに巻回した検出コイルに周辺の磁場強さに対応する電圧を発生する磁気インピーダンス素子であって、前記検出コイルの巻数が１０乃至５００であり、前記アモルファスワイヤの直径に対する前記検出コイルの直径の比が１．０５乃至し１０で、かつ前記検出コイルの直径に対するコイルの長さの比が１０乃至２００である前記磁気インピーダンス素子と差動増幅器の入力端子とを高周波フィルタで接続する磁気検出器。 （もっと読む）

【課題】記憶密度を大幅に高めることが可能で、読み取り時間の短縮や消費電力の削減が可能な新規なメモリー装置を提供する。
【解決手段】メモリー装置は、スピン偏極した電子の注入によってメモリー状態が切り換えられるメモリーセルが配列されてなる。メモリーセルは、具体的には、例えば第１の強磁性層１１と第２の強磁性層１２とがスペーサ層１３を介して積層されてなり、第１の強磁性層１１の磁化の向きが固定されるとともに、第２の強磁性層１２の磁化の向きによりメモリー状態が切り換えられる。個々のセル内のメモリー状態は強磁性膜スイッチング層の面内における磁化の２つの安定した配向の１つに対応している。これらの状態は記憶セル内にスピン偏極した電子流を注入することによりスイッチング可能である。 （もっと読む）

【課題】磁区壁移動を利用した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されて複数の磁区を持つ磁性層及びその磁性層に磁区壁移動のためのエネルギーを印加する手段を備える半導体装置であって、前記磁性層は基板と平行に形成され、磁性層の長手方向に沿って交互に配置される突出部及び陥没部を持つことを特徴とする磁区壁移動を利用した半導体装置。この磁区壁移動を利用した半導体装置では、磁性層が凸凹の形態を持って磁区壁のビット単位移動の安定性が確保される。 （もっと読む）

【課題】磁性細線中に現れる磁壁の磁気モーメント（磁化）を利用した強磁性細線素子を提供する。
【解決手段】磁壁中心部での磁気モーメントが細線の長軸方向に対して直角方向を向いた磁壁を内部に有する強磁性細線を用いる。反強磁性体などの磁壁固定手段を用いることにより磁壁が細線内を移動しないように該磁壁を固定しつつ直流電流を供給すると、磁壁は移動することなくその磁気モーメントが回転する。これにより、磁気モーメントの回転をTMR素子などで検出することが可能となる。この強磁性細線素子の構成を用いてマイクロ波発振器や磁気メモリを直ちに得ることも可能である。 （もっと読む）

【課題】セルサイズの微細化を図る。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、第１の配線ＢＬと、この第１の配線の上方に第１の配線と離間して設けられた第２の配線ＷＷＬと、第１及び第２の配線間に配置され、第１の配線の上面に接して配置され、固定層と記録層と非磁性層とを有する磁気抵抗効果素子ＭＴＪと、この磁気抵抗効果素子上に配置され、磁気抵抗効果素子と積層して一体に形成された金属層ＨＭと、金属層、磁気抵抗効果素子及び第１の配線の側面に設けられたサイド絶縁膜２４と、このサイド絶縁膜の側面と接して形成されたコンタクト２６と、金属層及びコンタクト上に配置され、磁気抵抗効果素子とコンタクトとを電気的に接続する第３の配線ＷＷＬとを具備する。 （もっと読む）

【課題】磁区壁移動を利用した記録装置を提供する。
【解決手段】磁区壁移動を利用したメモリ装置において、磁性物質からなり、磁壁を含み、第１方向に形成された書き込み用トラック６１と、第１トラック上に形成された中間層６２と、中間層上に第２方向に形成され、磁性物質からなり、磁壁を含む情報保存用トラック６３と、を備える磁区壁移動を利用したメモリ装置である。 （もっと読む）

【課題】大容量メモリを実現する。
【解決手段】磁気記憶装置は、磁壁１２で区切られた磁区１１からなる複数のセルで構成され、このセル毎に情報が記録された磁性配線１０と、この磁性配線の一端部に配置された書き込み用素子２０と、磁性配線の他端部に配置された読み出し用素子３０とを具備する。書き込み動作時には、金属配線からなる書き込み用素子に書き込み電流Ｉｗを流し、この書き込み電流Ｉｗにより発生する磁場を磁性配線１０の一端部に位置するターゲットセル（書き込みたいアドレスのセル）ＴＣ−ｗに印加する。読み出し用素子３０はＭＴＪ素子（磁気抵抗効果素子）からなる。 （もっと読む）

【課題】磁区壁の移動を利用した情報保存装置を提供する。
【解決手段】磁区壁の移動を利用した情報保存装置において、磁化方向を有する磁区が形成された書き込みトラックと、書き込みトラック上に形成され、中間層及び情報保存トラックを備えるカラム構造体と、を備える磁区壁の移動を利用した情報保存装置である。 （もっと読む）

【課題】メモリセル列に選択的にアクセスする半導体記憶装置のレイアウト面積を小さくする。
【解決手段】メモリセル１０は、プログラム可能な抵抗素子ＧＳＴを含み、ビット線ＢＬ０で接続され、メモリセル列１１ａを構成する。メモリセル列を選択する選択回路１４は、一端をライトアンプ１２に接続し、他端をビット線ＢＬ０に接続し、ブロック選択活性化信号ＢＳ０がアクティブとなった後にライトアンプ１２が電源側の電圧レベルを出力した場合には、ゲートに電源ＶＤＤの電圧と同極性で電源ＶＤＤの電圧レベルを上回る電圧が与えられるように制御されるＮＭＯＳトランジスタＮ１ａを含む。また、一端にブロック選択活性化信号ＢＳ０が与えられ、ゲートを電源ＶＤＤに接続し、他端をＮＭＯＳトランジスタＮ１ａのゲートに接続するＮＭＯＳトランジスタＮ２ａを備える。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンを有する膜の形成を実現するパターニング方法と、このパターニング方法を用いて製造した積層体、アレイ基板ならびに微細化された電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係るパターニング方法は、金属含有層からなり、所望のパターンの開口１７が設けられたマスクＭ１を基板１０の上に形成する工程と、前記基板１０上の前記開口１７が設けられた領域および前記マスクＭ１の上に被パターニング膜２０を形成する工程と、前記マスクＭ１を前記基板１０から剥離する工程と、を含み、前記基板側１０の開口１７の面積は、他方の開口１７の面積と同一であるか、または他方の開口１７の面積より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細化可能で、微細化においても書き込み電流をより小さくすることが可能な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】反強磁性層１ａ、１ｂ、磁化固定層２ａ、２ｂ、磁化自由層３、非磁性層４及び磁化固定層５を具備する磁気抵抗効果素子を用いる。反強磁性層１ａ、１ｂは基板１１の表面に垂直に設けられる。磁化固定層２ａ、２ｂは反強磁性層１ａ、１ｂに略平行に設けられる。磁化自由層３は磁化固定層２ａ、２ｂの一方の上端に一端を、他方の上端に他端を接続され、磁化の向きが可変である。非磁性層４は磁化自由層３に隣接して設けられる。磁化固定層５は非磁性層４に隣接し、磁化自由層３とは反対側に設けられ、磁化が一方向に固定される。磁化固定層２ａ、２ｂと磁化自由層３とは同一磁性膜３２である。同一磁性膜３２の両端部である第１磁化固定層２ａ、２ｂの磁化の向きは、反強磁性層１ａ、１ｂで固定される。 （もっと読む）

【課題】不揮発性磁気記憶装置の製造方法において、リソグラフィーを行わずに自己整合的な形成方法で磁気記憶素子を製造することを可能とする。
【解決手段】磁気記憶素子３を備えた不揮発性磁気記憶装置の製造方法であって、基板上に形成された第１絶縁膜４１に表面が露出する導電体５１を形成し、この導電体５１の上部を除去して、導電体５１上の第１絶縁膜４１に凹部５２を形成し、この凹部５２内を含む第１絶縁膜４１上に、磁気記憶素子３を形成するための磁気記憶素子膜６１およびキャップ膜３７を、導電体５１上のキャップ膜３７上面に窪み３８を有するように形成し、窪み３８内に第２絶縁膜４２を形成した後、第２絶縁膜４２をマスクにしてキャップ層３７および磁気記憶素子膜６１を除去加工して、凹部５２内に残した磁気記憶素子膜６１で、キャップ膜３７を載せた磁気記憶素子３を形成する。 （もっと読む）