【課題】スピン注入磁化反転を抑制し、安定した歩留まりで製造することのできる磁気抵抗効果素子、ならびにこれを用いた磁気ヘッド、磁気記録再生装置および磁気ランダムアクセスメモリーを提供する。
【解決手段】磁化固着層、磁化自由層、及び非磁性中間層を有する磁気抵抗効果膜と、この磁気抵抗効果膜の膜面に対して略平行かつ磁化固着層の磁化に対して略垂直に、前記磁化自由層に縦バイアス磁界を加えるための縦バイアス機構部とを具え、前記磁化自由層の、縦バイアス磁界に略平行な方向の幅をMRT、縦バイアス磁界に略直角かつ前記信号磁界の方向に略平行な方向の幅をMRHとしたときに、
１．２≦MRH/MRT
なる関係式を満足するような垂直通電型の磁気抵抗効果素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】情報の記録を安定して行うことができ、高い信頼性を有する記憶装置を提供する。
【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層３と、非磁性層１５と、磁化の向きが固定された磁化固定層２とを有し、積層方向に電流を流すことにより記憶層３の磁化Ｍ１の向きが変化して、記憶層３に対して情報の記録が行われる記憶素子１と、記憶素子１の積層方向に流す電流Ｉｚを供給する第１の配線３３と、記憶素子１に電流磁界Ｈｘを印加するための電流Ｉｂを供給する第２の配線３４とを備え、情報の記録が行われる際に、第１の配線３３に第１のパルス電流が供給されると共に第２の配線３４に第２のパルス電流が供給され、第１のパルス電流の立ち下りから少なくとも１０ピコ秒が経過した後に、第２のパルス電流が立ち下がる記憶装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】磁化自由層の熱的安定性を維持しつつ、磁化反転の際の反転電流をより低減する。
【解決手段】磁気抵抗素子は、積層面に垂直な方向に通電されることにより情報を記録する磁気抵抗素子であって、膜面に対して垂直な磁気異方性を有し、かつ磁化の方向が固定された磁化参照層１１と、膜面に対して垂直な磁気異方性を有し、かつ磁化の方向が変化する磁化自由層１３と、磁化参照層１１と磁化自由層１３との間に設けられた中間層１２とを具備し、磁化自由層１３は、少なくとも２層の強磁性層１３Ａと、強磁性層１３Ａ間に設けられた層間結合層１３Ｂとを有する積層構造であり、強磁性層１３Ａは、層間結合層１３Ｂを介して、強磁性的に結合している。 （もっと読む）

【課題】固定磁気電極、固定磁気電極に隣接した酸化物層、および自由磁気電極を有する不揮発性磁気ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）デバイスのための方法および構造が提供される。
【解決手段】酸化物層は固定磁気電極と自由磁気電極の間にある。本発明では、導体が固定磁気電極に接続される。酸化物層は、電流誘導加熱により自由磁気電極の異方性を低下させるのに十分な電力消費を可能とするレベルの抵抗を有する。電流誘導加熱が、自由磁気電極をスイッチングさせるためにスピン転移トルクまたは磁界と組み合わせて使用される。 （もっと読む）

【課題】小型で、化学的、熱的、機械的に頑丈な磁気抵抗装置を提供する。
【解決手段】磁気抵抗装置（１）は、シリコンからなる細長いチャネル（２）を有している。チタンシリサイドを含む導体（６）は、チャネルの一側に沿ってチャネルに接続され、そしてリード（８_１、８_２、８_３、８_４、８_５、８_６）は、チャネルの対向側で前記チャネルに沿って接続され離隔されている。 （もっと読む）

【課題】レジストマスクを用いたミリング法に準じた方法により、サブミクロンサイズのスペースを有する接続孔を精度良く形成する方法を提供する。
【解決手段】（イ）前記下部電極上に形成された磁気抵抗効果膜の、前記上部電極と接続する位置に、レジストパターンを形成する工程と、（ロ）前記磁気抵抗効果膜及び前記レジストパターンを被覆する層間絶縁膜を形成する工程と、（ハ）前記層間絶縁膜に機械的な衝撃を加え、その後に前記レジストパターンを除去することで、前記レジストパターンが形成されていた位置に前記接続孔を形成する工程とを有する接続孔の形成方法により、前記下部電極上に形成された磁気抵抗効果膜と前記上部電極とを接続するための接続孔を自己整合的に形成し、前記接続孔を通じて前記磁気抵抗効果膜に接続された上部電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】高集積化を容易に実現し得る磁気メモリ装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板１０上に形成された線状の記録層７０であって、磁壁の移動を規制する複数の規制領域５２が所定の間隔で形成され、複数の規制領域５２間の領域が複数の記録ビット７２となる記録層７０を有し、記録層は、第１の記録層部分４６と第２の記録層部分６８とを含み、第２の記録層部分は、第１の記録層部分の上方に位置しており、第２の記録層部分の一方の端部と第１の記録層部分の一方の端部とが互いに接続されている。 （もっと読む）

【課題】記録層の幅を狭くする場合であっても磁壁の移動を規制する規制領域を所定の間隔で確実に形成しうる磁気メモリ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】所定の間隔で段差１５′が形成された線状の記録層２２であって、段差が形成された領域が磁壁３０の移動を規制する規制領域３２となり、規制領域間の領域が記録ビット３４となる記録層２２を有している。記録層に所定の間隔で段差が形成されており、かかる段差が形成された箇所が磁壁の移動を規制する規制領域となるため、記録層の幅を狭くした場合であっても、磁壁の移動を規制する規制領域を所定の間隔で確実に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】
新規な磁壁ピニング構造を有する磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】
磁気記憶装置は、多数の磁区形成領域が磁壁形成領域によって分離された磁性材料細線を有する磁気記憶装置であって、前記磁区形成領域と前記磁壁形成領域とは異なる磁気的物性を有する。 （もっと読む）

【課題】記憶容量が大きく、しかも耐熱性に優れる磁気メモリ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】磁壁３０の移動を規制する規制領域３２が所定の間隔で形成され、規制領域間の領域が記録ビット３４となる線状の記録層２２を有し、記録層２２に一軸磁気異方性を付与する手段２４を有している。記録層に対して一軸磁気異方性を付与する手段を有しているため、十分な一軸磁気異方性を記録層において得ることができる。このため、記録層の幅Ｄを比較的狭くした場合であっても、耐熱性の高い磁気メモリ装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ダブルゲート構造のメモリセルのセルサイズを縮小する。
【解決手段】本発明の例に関わる半導体メモリは、偶数カラムｊ内に配置される第１メモリセルと、奇数カラムｊ＋１内に配置される第２メモリセルとを備える。第１メモリセルは、一端が第１ビット線に接続される第１抵抗変化素子Ｘと、第１抵抗変化素子Ｘの他端と第２ビット線との間に並列接続される第１及び第２ＦＥＴとから構成される。第２メモリセルは、一端が第３ビット線に接続される第２抵抗変化素子と、第２抵抗変化素子の他端と第４ビット線との間に並列接続される第３及び第４ＦＥＴとから構成される。第１ＦＥＴのゲートは、第１ワード線に接続され、第２及び第３ＦＥＴのゲートは、共に第２ワード線に接続され、第４ＦＥＴのゲートは、第３ワード線に接続される。 （もっと読む）

データがナノワイヤにおける単磁区において符号化される種類のシリアル磁気大容量ストレージ装置及び関連のデータストレージ方法。本発明において、磁壁ピン止め部位を形成するために、その全長方向に沿って多数のノッチ（１２）を備えるナノワイヤ（１０）が提供される。ノッチは、加熱電極によって群（Ａ、Ｂ、Ｃ）でアドレス指定される。ナノワイヤに沿った動作磁界（Ｉ−１）の配列及び逆配列に同期して、ヘッド−ヘッド及びテイル−テイル磁壁（１６、１８）をホストするノッチを交互に加熱することにより、磁区（１４）は、加熱及び交互の動作磁界の協調作用下で、１ノッチ間分だけ磁区が延長され、ナノワイヤに沿って移動される。相互接続及び製造の観点から、この方式は、基板の平面からほぼ制限なしに拡縮され、何百あるいは何千もの積層したナノワイヤ層を提供することができ、格納された情報の非常に濃い３Ｄネットワークを実現できる。
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【課題】小型、軽量でかつローコストに製造可能な、磁気素子を備えた磁気デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の磁気デバイス１０は、磁気素子１１と、この磁気素子１１を挟んで配された第一磁界印加手段１２と第二磁界印加手段１３とを備えている。磁気素子１１は、例えば非磁性基板１１ａの表面に、軟磁性膜１１ｂをメアンダ状に形成したものである。第一磁界印加手段１２および第二磁界印加手段１３は、第一磁界印加手段１２から第二磁界印加手段１３に向けて一方向Ｓに磁界Ｍを形成する。これにより、第一磁界印加手段１２と第二磁界印加手段１３との間に配された磁気素子１１には、一方向に向けられたバイアス磁界Ｍが軟磁性膜１１ｂの全体に印加される。 （もっと読む）

【課題】小型、軽量でかつローコストに製造可能な、磁気素子を備えた磁気デバイスを提供する。
【解決手段】磁気デバイス１０は、半導体からなる基板１１と、この基板１１の一面側１１ａに重ねて配された磁気センサ１２とを有する。また、磁気センサ１２に重なるように配された磁界印加手段１３を備えている。磁界印加手段１３は、第一絶縁層（絶縁層）１４を挟んで、第一導電層１５と第二導電層１６とを備え、これら第一導電層１５と第二導電層１６とが、例えば導電材からなる連結層１７によって電気的接続される。かかる構成によって、磁界印加手段１３は、第一導電層１５、第二導電層１６および連結層１７からなるコイル形状を構成する。 （もっと読む）

【課題】書き込みに要する電流密度が小さく、かつ単純な素子構造を有する磁壁移動検出端子を有する磁壁移動型磁気記録素子を提供すること。
【解決手段】本素子は、Ｓｉ基板上に成膜された強磁性細線１と、強磁性細線１の両端に接触した電流電極２ａ、２ｂと、電流電極２ａ、２ｂと協働して強磁性細線１の一部分の電圧を測定できるように強磁性細線１および電流電極２ａ、２ｂに接合された電圧電極４ａ,４ｂとを備える。素子作成時には、強磁性細線１内に磁壁３を誘起する。強磁性細線
１の上の面の、電圧電極４ａと４ｂとの間、および電流電極２ａと電圧電極４ａとの間に、イオンビームエッチング等の手段を用いて、窪み５を作成する。読み出し電流８を印加した際、電圧電極４ａと電圧電極４ｂとの間の電圧を測定して、電圧電極４ａと電圧電極４ｂとの間に磁壁３が存在するか否かを調べることにより、記録データを識別することが可能になる。 （もっと読む）

磁気トンネル接合または磁気抵抗トンネル接合（ＭＪＴ）を有し、かつスピントランスファートルク現象によって生じる磁化反転を利用して動作するように構成される素子に関連する方法及び素子構造である。オンプラグＭＴＪ構造及び形成方法が記載される。 （もっと読む）

【課題】 外部磁界に反応して出力が切換わる磁気検出装置を小型に構成する。
【解決手段】 基板２の上に能動素子などの回路構成要素３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄと配線層３３，３５を形成して検出回路を構成する。その上に絶縁層４を形成し、その表面に平坦面４ａを形成する。平坦面４ａ上に、磁気抵抗効果により外部磁界を検出する磁気検出素子１０と、磁気検出素子１０と同じ電気抵抗を有し、外部磁界に反応しない固定抵抗素子２０を形成する。さらに平坦面４ａ上に、電極層１５，１６およびリード層１７を形成し、絶縁層４を貫通して形成されたバンプ５を介して、リード層１７と配線層３５とを導通させる。磁気検出素子１０と固定抵抗素子２０を、絶縁層４の平坦面４ａ上に形成することにより、小型の磁気検出装置１を構成することができる。 （もっと読む）

【課題】セルサイズの負担が小さいメモリ素子を具現して集積度を向上させることができる。ナノ磁気メモリ素子を提供する。
【解決手段】ナノ磁気メモリ素子のナノワイヤを経て第１電極から第２電極に流れるワード線電流によって磁性ナノドットが摂動された後に再配列される過程で形成される誘導電流の大きさを制御し、前記ナノ磁気メモリセルに複数のデータを書き込み／読み出すことを特徴とするナノ磁気メモリ素子。 （もっと読む）

【課題】複数の磁性層を含む磁性メモリセルに対するデータの書き込み／読み出しを行う磁性メモリデバイス、およびそのデータ読み出し方法に関し、磁性メモリデバイス全体の消費電力の節減を図ることを目的とする。
【解決手段】複数の磁性層を積層して形成される磁性メモリセルＭijが、複数の磁性層の磁気モーメントの方向によって異なる抵抗値を有し、複数の磁性メモリセルを複数の第１のラインと、第１のラインと交差する複数の第２のラインとの交点に沿って配置し、各々の磁性メモリセルの容量値とほぼ同一の容量値を有する電圧読み出し手段８を、各々の磁性メモリセルに直列に接続し、第１および第２のラインにより選択される磁性メモリセルの一端と電圧読み出し手段との接点の電位を、予め定められたタイミングで計測して得られる電圧のレベルを判定し、磁性メモリセルのデータを読み出すように構成される。 （もっと読む）

【課題】ＭＲＡＭの誤書き込み耐性及び製造歩留りの向上を図る。
【解決手段】本発明の例に関わる磁気ランダムアクセスメモリは、互いに交差する第１及び第２書き込み線Ｗｕｐｉ，Ｗｄｏｗｎｊと、第１及び第２書き込み線Ｗｕｐｉ，Ｗｄｏｗｎｊの上部からみて、中心点Ｏ１が第１及び第２書き込み線Ｗｕｐｉ，Ｗｄｏｗｎｊの交差部に重ならない磁気抵抗効果素子ＭＴＪとを備え、磁気抵抗効果素子ＭＴＪの磁化容易軸方向の中心線Ｃｅと第１及び第２書き込み線Ｗｕｐｉ，Ｗｄｏｗｎｊの中心線Ｃ１，Ｃ２とが三角形を構成する。 （もっと読む）