【課題】 記録密度を向上可能な磁気メモリを提供する。
【解決手段】 磁気抵抗効果素子ＭＲは、第２配線Ｗ２と共通配線ＷＣとの間にも位置している。磁気抵抗効果素子ＭＲは、スピンフィルタＳＦを介することなく第２配線Ｗ２に電気的に接続されている。読み出し電流Ｉ_Ｒの供給用の第２配線Ｗ２と共通配線ＷＣとの間に、読み出し電流Ｉ_Ｒを供給すると、これはスピンフィルタＳＦを介していないため、磁気抵抗効果素子ＭＲ内には、スピン分極電流が供給されず、感磁層Ｆの磁化反転は困難となる。記録密度を向上させるように、感磁層Ｆの面積を小さくして、書き込み電流Ｉ_Ｗを低減させた構造においても、読み出し電流Ｉ_Ｒの供給によっては磁化反転が生じず、読み出し電流Ｉ_Ｒを書き込み電流Ｉ_Ｗに比較して著しく小さくすることなく情報の読み出しを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】マグネチックドメイン移動を利用した磁気メモリを提供する。
【解決手段】複数のマグネチックドメインが形成され、該マグネチックドメインからなるデータビットがアレイに保存されうるメモリトラックを具備し、該メモリトラックは、非晶質軟磁性物質からなることを特徴とする磁気メモリである。 （もっと読む）

【課題】 加圧することにより溶剤を被加工試料に強制的に浸透せしめるリフトオフ加工方法およびリフトオフ加工装置を提供することで、従来の技法では不可能であった微細構造においてもリフトオフ加工の実施を可能とする。
【解決手段】 被加工試料Ｗを溶剤Ｇに浸し、加圧することのできる密閉容器１と、該密閉容器１内を加圧する加圧手段２とを備えてなり、被加工試料Ｗが溶剤Ｇに浸した状態で密閉容器１内に入れられ、加圧手段２を用いて加圧されるようにして、常圧では浸透できない被加工試料Ｗの狭隘な隙間まで溶剤Ｇが押し込まれ、リフトオフ試料物であるレジストマスクを膨潤させることができるようにし、微小なパターンでもリフトオフが可能となるようにしている。 （もっと読む）

メモリセルは、メモリ素子と、当該メモリ素子にアクセスするために当該メモリ素子に接触したナノチューブトランジスタとを有している。
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【課題】微細加工による素子特性のばらつきを低減する。
【解決手段】磁気素子は、磁化方向が固着された第１の磁性層ＦＰと、第１の磁性層ＦＰと対向して配置された磁化方向が可変である第１の領域２０を含み、膜面に対して平行な方向の前記第１の磁性層より大きな幅を有し、導電性材料で形成された第２の磁性層ＦＦと、第１の磁性層ＦＰと第２の磁性層ＦＦとの間に設けられ、非導電性材料で形成された第１の非磁性層ＳＰとを具備する。 （もっと読む）

【課題】情報を安定して保持することができる記憶素子を提供する。
【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、この記憶層に対して、中間層を介して磁化固定層が設けられて積層膜が形成され、積層方向に電流を流すことにより、記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われ、記憶素子を構成する積層膜のうち、少なくとも記憶層において、平面パターン３１の長軸ＬＸの端部の曲率半径Ｒが、Ｒ≦１００ｎｍを満足する記憶素子を構成する。 （もっと読む）

本発明は、磁性多層膜、その製造方法及び磁性メモリにおける応用に関するものであり、当該磁性多層膜の各層が閉鎖の円環形または楕円環形であり、その磁性セルには、強磁性を有する薄膜層の磁気モーメントまたは磁束が、時計方向または反時計方向の閉鎖状態に形成される。本発明は、また前記の閉鎖形状磁性多層膜の幾何中心位置に1つの金属芯が設けられる磁性多層膜に関するものであり、当該金属芯の横断面が対応的に円形または楕円形状である。本発明は、さらに前記閉鎖の、金属芯を含む（または含まない）磁性多層膜により製造される磁性メモリ。本発明は、微細加工方法によって前記閉鎖形状磁性多層膜を製造する。本発明に係る閉鎖の、金属芯を含む（または含まない）形状の磁性多層膜は、磁気ランダムアクセスメモリ、コンピュータ磁気読み出しヘッド、磁気センサー、磁気論理デバイス、スピントランジスタなどのような磁性多層膜を核とする各種のデバイスに広く用いられる。
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【課題】 特に、簡単な構造で、直流抵抗値（ＤＣＲ）の上昇の抑制と、磁気的なトラック幅（Ｍｇ−Ｔｗ）の狭小化と、ノイズ発生の抑制とを可能とした磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 積層体２３の両側に軟磁性材料で形成された電極層３５と、前記電極層３５と積層構造を成し、前記電極層３５との間で交換結合磁界を生じさせる反強磁性層３４を形成する。前記電極層３５の少なくとも一部は、外部磁界に対しハイト方向に磁化成分を有する。これにより、前記電極層３５の膜厚を厚く形成し、直流抵抗値の上昇を抑制した上で、磁気的なトラック幅の狭小化を適切に図ることができる。さらに、前記反強磁性層との交換結合磁界によって前記電極層３５が外部磁界に敏感に反応するのを抑制し、外部磁界に対する前記電極層の磁化変動を小さくでき、これによって、ノイズの発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】集積度を高めたＭＲＡＭを提供する。
【解決手段】メモリセルＭＣ（ｍ，ｎ）およびＭＣ（ｍ＋１，ｎ）は、ワード線ＷＬｎにそれぞれの一方端が接続された磁気トンネル接合素子ＭＲ１およびＭＲ１１を有し、磁気トンネル接合素子ＭＲ１およびＭＲ１１のそれぞれの他方端は、ビット線ＢＬｍおよびＢＬｍ＋１に接続されている。また、メモリセルＭＣ（ｍ，ｎ＋１）およびＭＣ（ｍ＋１，ｎ＋１）は、ワード線ＷＬｎ＋１にそれぞれの一方端が接続された磁気トンネル接合素子ＭＲ３およびＭＲ３１を有し、磁気トンネル接合素子ＭＲ３およびＭＲ３１のそれぞれの他方端は、ビット線ＢＬｍおよびＢＬｍ＋１に接続されている。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子を含むメモリセルのサイズを縮小する。
【解決手段】磁気記憶装置の製造方法は、コンタクトプラグ１３および第１の絶縁層１１上に、磁気抵抗効果素子１０を形成する工程と、上部電極層１６上に、第１の方向に延在する第１のマスク層１８を形成する工程と、上部電極層１６を第１のマスク層１８を用いてエッチングする工程と、上部電極層１６および非磁性層１５上に保護膜２０を形成する工程と、保護膜２０上に第２のマスク層２１を形成する工程と、第２の方向に延在するように、第２のマスク層２１上にレジスト層２２を形成する工程と、第２のマスク層２１をレジスト層２２を用いてエッチングし、上部電極層１６の側部に側壁部２１Ａを形成する工程と、非磁性層１５および下部電極層１４を、第２のマスク層２１および側壁部２１Ａを用いてエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】メモリセルを微細化してもビット情報の高い熱擾乱耐性を保ち、大容量化を実現する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、膜面に対して垂直方向に向く第１の磁化２２を有する固定層１２と、膜面に対して垂直方向に向く第２の磁化２１を有し、スピン偏極電子の作用により第２の磁化２１の方向が反転可能な記録層１１と、固定層１２と記録層１１との間に設けられ、固定層１２に対向する第１の面と記録層１１に対向する第２の面とを有する非磁性層１３とを具備し、記録層１１の飽和磁化Ｍｓは、書き込み電流密度をＪｗ、記録層１１の膜厚をｔ、定数をＡとするとき、０≦Ｍｓ＜√｛Ｊｗ／（６πＡｔ）｝の関係を満たし、Ａはｇ’×ｅ・α／（ｈ／２π×ｇ）、ｇ’はｇ係数、ｅは電気素量、αはギルバートのダンピング定数、ｈはプランク定数、gは第１及び第２の磁化２１，２２が平行に配列しているときのスピントランスファーの効率である。 （もっと読む）

【課題】磁気型の個別のメモリセルに組み合わせてトランジスタ、ダイオードまたはトンネルダイオードを実装することの欠点を回避する。
【解決手段】本発明の磁気素子は、磁気抵抗トンネル接合１００を備えている。磁気抵抗トンネル接合１００は、磁化の方向が固定された参照磁気層１２０と、磁化の方向が可変である記憶磁気層１１０と、本質的に半導体または電気的に絶縁性であるとともに参照磁気層１２０を記憶磁気層１１０から分離する、トンネル障壁としての機能を果たす中間層１３０とを含む。印加電圧に応じて非対称の電流応答を生成するように、中間層１３０のポテンシャルプロファイルが当該層１３０の厚みに渡って非対称である。この磁気素子は、磁気ランダムアクセスメモリに適用しうる。 （もっと読む）

強いスピン波を発生させる方法、スピン波と電磁気波とを同時に発生させる方法、スピン波を利用した論理演算素子及びこれを応用した多様なスピン波素子、そしてスピン波の位相制御方法を提供する。本発明によるスピン波発生方法では、磁気渦巻き、磁気反渦巻きスピン構造が単独あるいは共同で存在する磁性体に多様な形態のエネルギーを供給して強いスピン波を発生させる。磁気渦巻きまたは磁気反渦巻きを形成できるようにパターニングされた磁性体にエネルギーを印加すれば、磁気渦巻き中心部に強いトルクを誘発して、その渦巻き中心部から強いスピン波を発生させうる。このように発生させたスピン波は、大きい振幅と短い波長、高い周波数を持つ。本発明によるスピン波を利用した論理演算素子及びこれを応用したスピン波素子は、本発明によるスピン波発生方法によって発生させたスピン波の周波数、波長、振幅、位相などの波動因子を制御し、反射、屈折、透過、トンネリング、重畳、干渉、回折などの波動性質を利用することである。本発明によれば、超高速情報処理の可能な論理演算スピン波素子及び光学で波動を利用したいろいろな形態の光学素子を、スピン波を利用して再構成できる。

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【課題】センサの自由層をバイアスするために求められる必要な硬磁気特性を依然として示しながら、ＡＦＭ材料または他のセンサ材料の上に形成することができるハードバイアス構造が必要とされている。
【解決手段】硬磁性バイアス層３３８，３４０は、硬磁性バイアス層中に磁気異方性を引き起こすように、低電力イオンミル処理されたシード層３４２，３４４の上に形成される。処理済のシード層は、下にある結晶質層によって誘導されるエピタキシャル成長を中断するためにＳｉなどのバッファ層を必要とすることなく、結晶質層の上に硬磁性バイアス層３３８，３４０を蒸着することができるようにする。低電力イオンミルは、シード層表面の法線に対して角度θで実施される。 （もっと読む）

集積回路電流センサが、電流導体部を提供するように結合された少なくとも二つのリード線を有するリードフレームと、一つまたは複数の磁場感知素子が配設される第１の表面であって、電流導体部の近位にある第１の表面、および電流導体部から遠位にある第２の表面を有する基板とを含む。一つの特定の実施形態では、基板は、電流導体部の上方にある基板の第１の表面と、前記第１の表面の上方にある基板の第２の表面とを有して配設される。この特定の実施形態では、基板は、フリップチップ構成で、集積回路内で上下逆に向けられる。
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【課題】各抵抗メモリが完全に絶縁され、かつ自己整合するクロスポイント型抵抗メモリアレイを実現する。
【解決手段】本発明は、第１シリコン基板に第１Ｐ^＋層および第１Ｎ^＋埋込層を形成する工程３４と、第１下部電極、犠牲材料層、第１ハードマスクを堆積する工程４０と、第１ハードマスクを、第１パターンにパターンニングし、第１ハードマスク、犠牲材料層及び第１下部電極をエッチングし、第１Ｎ^＋埋込層をオーバーエッチングする工程４８と、第１絶縁層を堆積する工程５０と、第１ハードマスクを、第２パターンになるようにパターニングし、第１ハードマスク、第１絶縁層、犠牲材料層、第１下部電極、及び第１Ｎ^＋埋込層をエッチングし、第１シリコン基板をオーバーエッチングする工程５６と、第２絶縁層を堆積する工程５８と、残存第１ハードマスク及び犠牲材料層をエッチングする工程と、第１抵抗材料層を堆積する工程と、第１上部電極を堆積しエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 不揮発性磁気メモリデバイスを作製する単純化された方法を提供する。
【解決手段】 １つまたはそれ以上のメモリセルを有する不揮発性磁気メモリデバイスであって、メモリセルの各々は、磁気コンポーネントと、磁気コンポーネントに近接した位置にあり、磁気コンポーネントに残留磁気極性を生じさせるのに十分な電流を受けるように連結された書き込みコイルとを含む磁気スイッチと、記憶データビットを表す残留磁気極性を検出するために、磁気コンポーネントに近接して配置したホールセンサとを含む。 （もっと読む）

磁気ランダムアクセスメモリ（「ＭＲＡＭ」）装置（２００）は、スピントランスファ反射モード手法を用いて選択的に書込が行われる。ＭＲＡＭアレイにおいて指定されたＭＲＡＭセルの選択性は、スピントランスファ切替電流の、ＭＲＡＭセルの偏極素子（２０４）の磁化と自由磁気素子（２０８）の磁化間の相対角度への依存により達成される。偏極素子は、電流、たとえば、ディジット線電流（２２６）の印加に応じて変更可能な変動磁化を有する。偏極素子の磁化が自然なデフォルト方位の場合、ＭＲＡＭセル内のデータが保持される。偏極素子の磁化が切り替えられる場合、比較的低い書込電流（２２４）に応じてＭＲＡＭセル内のデータを書き込むことができる。
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強磁性体の磁化反転に必要な外部磁場をなくし、消費電力の省力化を図ることができる電流注入磁壁移動素子を提供する。
電流注入磁壁移動素子であって、反平行の磁化方向を持つ二つの磁性体（第１の磁性体１と第２の磁性体２）と、それらに挟まれた第３の磁性体３の微小接合を有し、この微小接合界面を横切るパルス電流（電流密度が、１０⁴−１０⁷Ａ／ｃｍ²）を流すことにより、このパルス電流と磁壁との相互作用により電流方向もしくは逆方向に磁壁を移動させ、素子の磁化方向を制御する。 （もっと読む）

本発明は、多層積層部における少なくとも１つの磁気感応性センサ層（６）有しており、該センサ層においては電気的な抵抗が当該センサ層（６）の磁気感応性センサ素子（２，３，４，５）により外部磁界（Ｈ_ｅｘｔ）に依存して可変である、マグネットセンサ装置に関している。さらにここでは補助磁界（Ｍ_ｉｎｉ）を生成するためのバイアス層が設けられている。前記センサ素子はセンサ層（６）において微細構造化された測定ストライプ（２，３，４，５）から形成されており、当該マグネットセンサ装置は、バイアス層の磁化（Ｍ_ｉｎｉ）方向と外部磁界（Ｈ_ｅｓｔ）の方向が、微細構造化された測定ストライプ（２，３，４，５）の長手延在軸に対してほぼ直角に延在するように構成されている。
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