磁気論理装置は、電気回路用の一般的に平面的な第１基板と、前記第１基板上に積層された配置で形成される、磁気回路用の一般的に平面的な複数の第２基板とを有することができる。各々の第２基板は、その上に磁気回路が形成されており、各々の磁気回路は、複数の論理素子、データ書き込み素子及びデータ読み取り素子を有することができる。前記各々の磁気回路のデータ書き込み素子は、前記第１基板のそれぞれの磁気電気的書き込み素子の平面的な位置に相当することができ、前記各々の磁気回路のデータ読み取り素子は、前記第１基板のそれぞれの磁気電気的読み取り素子の平面的な位置に相当することができる。
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【課題】クロスポイントメモリアレイにおける、回り込み電流に起因する読み取り障害を防止する。
【解決手段】メモリ素子１００を用いてクロスポイントメモリアレイを作成する。メモリ素子１００は、抵抗メモリ下部電極１０２、抵抗メモリ物質１０４、抵抗メモリ上部電極１０６、ＭＳＭ下部電極１０８、半導体層１１０、ＭＳＭ上部電極１１２がこの順に積層されてなる。ここで、ＭＳＭ下部電極１０８、半導体層１１０、ＭＳＭ上部電極１１２はＭＳＭバイナリスイッチを形成する。ＭＳＭバイナリスイッチは、逆バイアス下において、高い抵抗値を示す。ＭＳＭバイナリスイッチと抵抗メモリ物質１０４が直列に接続された構成を有するメモリ素子１００を用いて、クロスポイントメモリアレイを作成することにより、望ましくない方向に電流が流れるのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】 データ転送線の複数のＴＭＲを接続した場合にも大きな読み出し信号を得ることができ、高速動作と高密度化を実現する。
【解決手段】 第１の磁性体と第２の磁性体との間に非磁性体絶縁膜が形成された複数のメモリセルと、複数のメモリセルの第１の磁性体に電気的に共通に接続されたデータ転送線１４とを具備した磁気記憶装置において、電流端子の一端がデータ転送線１４に接続され、しきい値がＶthであるトランジスタ２８１と、このトランジスタ２８１の制御入力端子に電圧Ｖcを供給する電圧ノードとを具備し、メモリセルからのデータ読み出し時において、トランジスタ２８１の電流端子の他端の電圧はＶc−Ｖthより高い。 （もっと読む）

【課題】 不揮発性磁気メモリデバイスを作製する単純化された方法を提供する。
【解決手段】 １つまたはそれ以上のメモリセルを有する不揮発性磁気メモリデバイスであって、メモリセルの各々は、磁気コンポーネントと、磁気コンポーネントに近接した位置にあり、磁気コンポーネントに残留磁気極性を生じさせるのに十分な電流を受けるように連結された書き込みコイルとを含む磁気スイッチと、記憶データビットを表す残留磁気極性を検出するために、磁気コンポーネントに近接して配置したホールセンサとを含む。 （もっと読む）