【課題】メモリセルをプログラムするための所要電力を低減すると共に、メモリセルをプログラムするために用いられる回路の寸法、コストおよび動作コストの低減をはかったスピングラスメモリセルを提供する。
【解決手段】スピングラスメモリセル２００ａは、第１電極２０２、第２電極２０６、および、スピングラス材料２０４を含み、上記スピングラス材料は、上記第１電極と上記第２電極との間に結合されている。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動を利用した情報記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】磁壁を有する書き込み用磁性層と、書き込み用磁性層上に形成されたものであって、連結用磁性層と情報記憶用磁性層とが順次に積層された積層構造物と、情報記憶用磁性層に記憶された情報を読み取るための読み取り手段と、を備えることを特徴とする磁壁移動を利用した情報記憶装置である。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動を利用した情報記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】磁壁移動を利用した情報記録媒体において、磁化方向を有する磁区を含んで第１方向に形成された磁性層と、磁性層の下面に形成された軟磁性層と、を備える磁壁移動を利用した情報記録媒体である。これにより、磁性層の屈曲領域での磁壁を容易に移動させうる。 （もっと読む）

【課題】 磁気抵抗効果素子の磁化の向きの共振現象を工業的に利用した磁気デバイス及び周波数アナライザを提供する。
【解決手段】 交流電流ｉの極性は時間と共に変化するので、磁化の向きＦは、交流電流ｉの大きさと周波数に影響を受けて振動する。磁気抵抗効果素子１Ａのフリー層１Ａ_Ｆの磁化の向きＦの振動数ｆ_Ｆと、磁気抵抗効果素子１Ａを流れる交流電流ｉの周波数ｆが一致した場合、磁化の向きＦの振動が共振し、出力端子ＯＵＴＰＵＴ１，ＯＵＴＰＵＴ２の間の電圧Ｖが増加する。磁気ヨーク１Ｂは共振が生じるような磁場Ｈをフリー層１Ａ_Ｆに与えている。電流制御回路１Ｄから出力される電流Ｉを直流とし、この直流電流Ｉを掃引すると、特定の共振周波数毎の電圧Ｖがモニタ回路２によって検出される。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動を利用した情報記憶装置、その製造方法及びその動作方法を提供する。
【解決手段】磁性物質で形成され、磁区を有する記憶トラック及び記憶トラックにデータを記録するための書き込み手段を備える磁壁移動を利用した情報記憶装置において、書き込み手段が、第１磁性層と、第１磁性層の一部分を覆うように形成されたものであって、第１磁性層よりも磁気異方性エネルギーが低い第２磁性層と、を備える情報記憶装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】強磁性から常磁性への転移が必要とされる、強磁性体を用いたデバイスを小型化することが可能な磁性制御方法を提供する。
【解決手段】強磁性半導体１１０の強磁性を常磁性に転移させる方法であって、光照射又は電界印加により強磁性半導体１１０に強磁性半導体１１０のバンドギャップエネルギー以上のエネルギーを与えて強磁性半導体１１０内に伝導電子を発生させ、該伝導電子により強磁性半導体１１０における強磁性を担うイオンの価数を変化させて強磁性半導体１１０の強磁性を常磁性に転移させる。 （もっと読む）

【課題】磁性細線中に現れる磁壁の磁気モーメント（磁化）を利用した強磁性細線素子を提供する。
【解決手段】磁壁中心部での磁気モーメントが細線の長軸方向に対して直角方向を向いた磁壁を内部に有する強磁性細線を用いる。反強磁性体などの磁壁固定手段を用いることにより磁壁が細線内を移動しないように該磁壁を固定しつつ直流電流を供給すると、磁壁は移動することなくその磁気モーメントが回転する。これにより、磁気モーメントの回転をTMR素子などで検出することが可能となる。この強磁性細線素子の構成を用いてマイクロ波発振器や磁気メモリを直ちに得ることも可能である。 （もっと読む）

【課題】磁区壁移動を利用した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されて複数の磁区を持つ磁性層及びその磁性層に磁区壁移動のためのエネルギーを印加する手段を備える半導体装置であって、前記磁性層は基板と平行に形成され、磁性層の長手方向に沿って交互に配置される突出部及び陥没部を持つことを特徴とする磁区壁移動を利用した半導体装置。この磁区壁移動を利用した半導体装置では、磁性層が凸凹の形態を持って磁区壁のビット単位移動の安定性が確保される。 （もっと読む）

【課題】磁区壁の移動を利用した情報保存装置を提供する。
【解決手段】磁区壁の移動を利用した情報保存装置において、磁化方向を有する磁区が形成された書き込みトラックと、書き込みトラック上に形成され、中間層及び情報保存トラックを備えるカラム構造体と、を備える磁区壁の移動を利用した情報保存装置である。 （もっと読む）

【課題】磁壁の移動を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の磁区を有する磁性ワイヤーを備える半導体装置において、磁性ワイヤーは、パルス磁場及びパルス電流のうち何れか一つにより移動する磁壁を備えてノッチフリーであることを特徴とする半導体装置である。これにより、該半導体装置の磁性ワイヤーは、パルス磁場またはパルス電流の強度及び幅によって移動距離が制御される磁壁を備えるので、磁壁の移動の制御のための別途のノッチが不要である。 （もっと読む）

【課題】磁性体の磁化状態を制御することのできる技術を提供する。
【解決手段】微小磁性体と超伝導体とを近接して配置することによって、微小磁性体から生じる磁場を超伝導体に渦糸として侵入させる。そして、超伝導体に電流を流すことによって、渦糸を移動させ微小磁性体の磁化状態を制御する。微小磁性体の形状としては細線形状、リング形状、ディスク形状などを採用することができる。微小磁性体が細線形状およびリング形状であり多磁区構造を取る場合は、電流供給により磁壁の位置を制御する。微小磁性体がディスク形状であり単一磁区構造の場合は、電流供給により磁化の向きを制御する。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な磁界センサと、これを用いた磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】外部磁界を検出する磁界センサであって、一対の磁性層(10a,10b)とこの一対の磁性層(10a,10b)に挟持された非磁性層(10c)とを含む第１積層膜(10)と、一対の磁性層(10a,10b)の少なくとも一方(10a)の磁化が共鳴振動することにより変化する第１積層膜(10)の電気抵抗を読み取って外部磁界を検出する検出手段(15)とを含むことを特徴とする磁界センサ(1)とする。 （もっと読む）

【課題】書き込みに要する電流密度が小さく、かつ単純な素子構造を有する磁壁移動検出端子を有する磁壁移動型磁気記録素子を提供すること。
【解決手段】本素子は、Ｓｉ基板上に成膜された強磁性細線１と、強磁性細線１の両端に接触した電流電極２ａ、２ｂと、電流電極２ａ、２ｂと協働して強磁性細線１の一部分の電圧を測定できるように強磁性細線１および電流電極２ａ、２ｂに接合された電圧電極４ａ,４ｂとを備える。素子作成時には、強磁性細線１内に磁壁３を誘起する。強磁性細線
１の上の面の、電圧電極４ａと４ｂとの間、および電流電極２ａと電圧電極４ａとの間に、イオンビームエッチング等の手段を用いて、窪み５を作成する。読み出し電流８を印加した際、電圧電極４ａと電圧電極４ｂとの間の電圧を測定して、電圧電極４ａと電圧電極４ｂとの間に磁壁３が存在するか否かを調べることにより、記録データを識別することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】高記録密度の磁気メモリを実現する。
【解決手段】情報記録媒体としての磁性細線１に対し、リザーブ領域９５の長さに等しい長さで、等間隔に記録素子１６ａ〜１６ｄまたは再生素子１７ａ〜１７ｄを配置している。例えば情報の記録時に、端子２１ａと端子２１ｃとを選択して電圧を印加し、記録領域９４ａ内の磁壁をリザーブ領域９５に向かって移動させると、リザーブ領域９５の長さ分、磁壁を移動させる間に、全磁区が、記録素子１６ａおよび１６ｂのどちらかを通過する。情報の再生時についても、記録領域９４ｂの磁区についても、同じことがいえる。したがって、記録領域９４ａ・９４ｂの全磁区の記録再生を可能としながら、従来より遥かに高密度の記録再生を可能にする。 （もっと読む）

【課題】セルサイズの負担が小さいメモリ素子を具現して集積度を向上させることができる。ナノ磁気メモリ素子を提供する。
【解決手段】ナノ磁気メモリ素子のナノワイヤを経て第１電極から第２電極に流れるワード線電流によって磁性ナノドットが摂動された後に再配列される過程で形成される誘導電流の大きさを制御し、前記ナノ磁気メモリセルに複数のデータを書き込み／読み出すことを特徴とするナノ磁気メモリ素子。 （もっと読む）

【課題】高速性及び記憶保持特性に優れた半導体記憶装置及びその製造方法並びにそのデータ書込み方法及びデータ読出し方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置１は、半導体基板２２上に形成された下部電極５５と、下部電極５５上に形成され、電気磁気効果を示す電気磁気効果層５３と、電気磁気効果層５３上に形成された上部電極５１と、上部／下部電極５１、５５間に電圧を印加して所定方向に揃えられた電気磁気効果層５３の磁化方向に基づいて残留磁化の方向が決まる磁気記憶層５７とを有している。 （もっと読む）

【課題】メタルラインを利用し、情報の書き込みと読み取りとの機能を具現した磁気メモリ素子を提供する。
【解決手段】プラスチック基板上で磁化方向がスイッチングされる連続したマグネチックドメインＤ１〜Ｄ８が形成され、並んで配置された複数の第１メタルライン１００と、第１メタルライン１００と直交して配置され、第１メタルライン１００を覆うトンネルを形成する複数の第２メタルライン２００と、第１メタルライン１００に連結され、マグネチックドメインＤ１〜Ｄ８をドラッギングする電流を供給する第１入力部５００と、第２メタルライン２００に連結され、トンネル内のマグネチックドメインＤ１〜Ｄ８の磁化方向をスイッチングする電流を印加する第２入力部６００と、第２メタルライン２００に連結され、トンネルを通過するマグネチックドメインウォールによる起電力をセンシングするセンシング部７００とを具備する磁気メモリ素子である。 （もっと読む）

【課題】ＡＢ効果又はＡＣ効果を利用した高効率の電磁界検出を常温下において行えるようにする。
【解決手段】電磁界検出素子１０は、積層された３つの絶縁層２、３、４を有している。絶縁層３の絶縁破壊電界は絶縁層２、４の絶縁破壊電界よりも大きい。３つの絶縁層２、３、４は一対の電極５、６に挟まれている。Ｚ方向に関する電極５、６の対向面５ａ、６ａの重複範囲の両端境界７、８と絶縁層３との間は、それぞれ、絶縁層２、４の厚みｔ１、ｔ３だけ離隔している。絶縁層２、４を絶縁破壊させつつ絶縁層３を絶縁破壊させない大きさの電界を一対の電極５、６間に印加すると、一対の電極５、６間に絶縁層３を挟む２つの弾道的な電流経路が形成される。 （もっと読む）

２つの強磁性層をこれらの層の間に非磁性中間層がない状態に備えるスピントロニクス素子。２つの強磁性層は、１つ以上の外部磁界の適用、および／または電流誘起スイッチングの採用、および／または光スピンポンピングの適用のようなさまざまな手段、しかしこれらに限定されることのないさまざまな手段によって、独立して切り換えることができる。
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【課題】ＭＳＭ電流制限素子、およびＭＳＭ電流制限素子を有する抵抗メモリセルを製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】基板を用意する工程と、基板上にＭＳＭ下部電極を形成する工程と、ＭＳＭ下部電極上に、ｘが約１以上約２以下の範囲内であるＺｎＯｘ半導体層を形成する工程と、ＺｎＯｘ半導体層上にＭＳＭ上部電極を形成する工程とを有している。このＺｎＯｘ半導体層を、スピンコート法、ＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）または原子層堆積法（ＡＬＤ）のような様々な薄膜形成技術を用いて形成する。 （もっと読む）